JPS59190211A - 微細凹凸をもつ酸化硅素薄膜基板の製造方法 - Google Patents
微細凹凸をもつ酸化硅素薄膜基板の製造方法Info
- Publication number
- JPS59190211A JPS59190211A JP58064736A JP6473683A JPS59190211A JP S59190211 A JPS59190211 A JP S59190211A JP 58064736 A JP58064736 A JP 58064736A JP 6473683 A JP6473683 A JP 6473683A JP S59190211 A JPS59190211 A JP S59190211A
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- JP
- Japan
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- substrate
- silicon oxide
- protrusions
- thin film
- laser beam
- Prior art date
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- Pending
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技術分野
本発明は微＃ｌＩＩな凹凸をもつ酸化硅素肚特に光デイ
スク用と１１４’基物の製造方法に関する。
スク用と１１４’基物の製造方法に関する。
（ｂ） 技術の背方、
十カ匈二金寿−τ板などを基板としこの上に安定外材；
！”）を用いて微ａｔな凹凸をもつ幻ル１之を形成した
いとｔう要求がある。例えば光ティスフは基板上に微細
な凹凸の形で情報を記録しレーザ光を用いて記録の再生
を行うものであり、微細な凹凸の作シ方として出力が数
十〜数百ｍＷのレーザ光を用いて、基板上例設けられて
いる記録膜を照射し溶融させ穴あけする方法や選択エツ
チングにより形成する方法など各行の方法がある。
！”）を用いて微ａｔな凹凸をもつ幻ル１之を形成した
いとｔう要求がある。例えば光ティスフは基板上に微細
な凹凸の形で情報を記録しレーザ光を用いて記録の再生
を行うものであり、微細な凹凸の作シ方として出力が数
十〜数百ｍＷのレーザ光を用いて、基板上例設けられて
いる記録膜を照射し溶融させ穴あけする方法や選択エツ
チングにより形成する方法など各行の方法がある。
ここで有機物を用いエツチングによって例えば００７〔
μｍ〕の微細な段差をもつ′ｐＪ股を形成す機台、従来
の方法は厚さが００７〔μｒａ〕の薄形を形成し、この
上をホトレジスト股で被緩し露光現像して窓明けした後
にドライエッチしてこの部分を除去する方法が用いられ
ている。然しこの方法は初めに形成する薄膜自体の厚さ
が０．０７ ［μｍ〕と極めて薄いためピンホールが発
生し芦く什、頼性が欠けると言う欠点がある。
μｍ〕の微細な段差をもつ′ｐＪ股を形成す機台、従来
の方法は厚さが００７〔μｒａ〕の薄形を形成し、この
上をホトレジスト股で被緩し露光現像して窓明けした後
にドライエッチしてこの部分を除去する方法が用いられ
ている。然しこの方法は初めに形成する薄膜自体の厚さ
が０．０７ ［μｍ〕と極めて薄いためピンホールが発
生し芦く什、頼性が欠けると言う欠点がある。
また基板上に直接ホトレジストを塗布しこれを露光現像
して厚さ００７〔μηｌ〕だけ溶解する方法も試みられ
ているが再現性よく均一に溶解を行うことは困難である
。
して厚さ００７〔μηｌ〕だけ溶解する方法も試みられ
ているが再現性よく均一に溶解を行うことは困難である
。
本発明はポリシロキザンハイドライドを用いて凹凸のあ
る酸化硅素薄膜を形成する新しい方法に関するものであ
る。
る酸化硅素薄膜を形成する新しい方法に関するものであ
る。
（Ｃ１，従来技（；１と問題点
酸化硅素ハｓ；ｏχ但しＸ＝１．２の形の分子式で表わ
されるもので安定な酸化物として知られている。
されるもので安定な酸化物として知られている。
これらの酸化物は無核化合物であるが有機硅素化上物の
り１１分Ｍによって４迄することができる。
り１１分Ｍによって４迄することができる。
然し有機硅素化合物を基板上に塗布しこれを用いて（１
′＆細な凹凸をもつ酸化砂素薄１１Ｍを形成することは
容易ではなく今まで行われていない。この理由にイｊ杉
、ゴ・化合物が熱分解して酸化硅〕に変化する際の体ボ
に１ｇ〈少が極めて大きいことおよび有機硅素化合物が
安定に存在し々いことによる。
′＆細な凹凸をもつ酸化砂素薄１１Ｍを形成することは
容易ではなく今まで行われていない。この理由にイｊ杉
、ゴ・化合物が熱分解して酸化硅〕に変化する際の体ボ
に１ｇ〈少が極めて大きいことおよび有機硅素化合物が
安定に存在し々いことによる。
例えはポリジェトキシシロキサンやポリジメトキシシロ
キサンは代表的々有機硅素化合物であるが熱処理によっ
てエトキシ基（ＯＣ２Ｈｔ ） 、メトキシ基（ＯＣＲ
３’）が分解しこのため非常に太き彦体ｆ；’ｔ ？Ｗ
−少を住じｔｙｔで一ン翌刀１１“−てピンホールが生
じ易いと古う問題点がちる。
キサンは代表的々有機硅素化合物であるが熱処理によっ
てエトキシ基（ＯＣ２Ｈｔ ） 、メトキシ基（ＯＣＲ
３’）が分解しこのため非常に太き彦体ｆ；’ｔ ？Ｗ
−少を住じｔｙｔで一ン翌刀１１“−てピンホールが生
じ易いと古う問題点がちる。
寸ｆこポリジヒドロキシシロキサンはＯＩ−Ｉ ＺＳ
ｅもっため熱分チＪに際しての体積減少（は少いが話剤
が無くなると不安定で容易にゲル化すると１″う問題点
がある。
ｅもっため熱分チＪに際しての体積減少（は少いが話剤
が無くなると不安定で容易にゲル化すると１″う問題点
がある。
さて、光ディスクのよう々配録媒体に使用する材料は熱
分Ｍ後は勿胎熱分解前の状態でも安定に存在することが
必要であり、水素化油°素化合物にシリコン（Ｓｉ）と
水素（）Ｔ）との結合が切れ易くアルカリなどの不純物
が存在すると客ｓ＜ＫｏＨ基とＰ換して分解し３次元架
橋が進行してゲル化するなどの問題点があシ、化成材料
としての使用に敬遠されていた。
分Ｍ後は勿胎熱分解前の状態でも安定に存在することが
必要であり、水素化油°素化合物にシリコン（Ｓｉ）と
水素（）Ｔ）との結合が切れ易くアルカリなどの不純物
が存在すると客ｓ＜ＫｏＨ基とＰ換して分解し３次元架
橋が進行してゲル化するなどの問題点があシ、化成材料
としての使用に敬遠されていた。
（ｄ） 発明の目的
本発明の目的は平畑々井机上の任訴の位置に微細な凹凸
をもつ酸什、硅素’ｄ９股を形５’Ｚする方法を提供す
るにある。
をもつ酸什、硅素’ｄ９股を形５’Ｚする方法を提供す
るにある。
（ｅ） 発明の構成
本発明の目的にポリシロキザンハイドライドを塗布した
平坦基板に非酸素雰四り（中でレーザを辺択照射して初
照射部を熱分ｔＦせしめ次にこの基板を酸素雰囲気中で
加熱することによりレーザ照射部と非照射部とで肌胛の
異なる酸化硅素胛を得ることにより最Ｍ）することかで
きる。
平坦基板に非酸素雰四り（中でレーザを辺択照射して初
照射部を熱分ｔＦせしめ次にこの基板を酸素雰囲気中で
加熱することによりレーザ照射部と非照射部とで肌胛の
異なる酸化硅素胛を得ることにより最Ｍ）することかで
きる。
（ｆｉ 発つＪのシ：’７＜・例
ン・′：づｙＵｌ、：４ ｉ「７’：リシロキサンハイ
ドライドタ１］えはポリシバ／ｆドロジエンシロキサン
（Ｎ２ＳＩ ｏ） ｎ （以下Ｆ化してＰＤＨＳ）、ポ
リハイドロジェンシルセスパパンギザ７（ＨＳＩ Ｏヱ
５）ｎ々どが処理法てよってはイーれイ、゛ネジ１′ガ
′なもので１ｇ才ｔぐまた分５．．．．Ｈする雰囲気に
より（：ｉｐ、化イ！ｊ−）−（ｓｊｏ）又妊二昆′化
硅素（Ｓｉｏ２）−・と二９りこのそれぞれがｆ定に存
在すると言う性＋７．：ｊ召′坏１１Ｊｉｊｌ、てなさ
れたものである。
ドライドタ１］えはポリシバ／ｆドロジエンシロキサン
（Ｎ２ＳＩ ｏ） ｎ （以下Ｆ化してＰＤＨＳ）、ポ
リハイドロジェンシルセスパパンギザ７（ＨＳＩ Ｏヱ
５）ｎ々どが処理法てよってはイーれイ、゛ネジ１′ガ
′なもので１ｇ才ｔぐまた分５．．．．Ｈする雰囲気に
より（：ｉｐ、化イ！ｊ−）−（ｓｊｏ）又妊二昆′化
硅素（Ｓｉｏ２）−・と二９りこのそれぞれがｆ定に存
在すると言う性＋７．：ｊ召′坏１１Ｊｉｊｌ、てなさ
れたものである。
以下７］−リシロキーリーンハイライドの代表であるＰ
ＤＩ→ＳをハＩいて本発明を説明する。
ＤＩ→ＳをハＩいて本発明を説明する。
１）Ｄ ＨＳは約２５０〔℃〕に熱すると８１とＨとの
結合が（！ｊれ加ｙ・ｉ＋ ”；”：’ ｌε１気中に
酸＊（０２）を含む机合けＳｉＯ２とソＪ−り非１唆浮
≦雰し１」うき、中ではｓｉｏとなる。
結合が（！ｊれ加ｙ・ｉ＋ ”；”：’ ｌε１気中に
酸＊（０２）を含む机合けＳｉＯ２とソＪ−り非１唆浮
≦雰し１」うき、中ではｓｉｏとなる。
ず７〒わち、
４ Ｎ２ Ｓ Ｉ Ｑ ）−＋１−一→ Ｓｉｏ
・・・・・・・ （２）Ｈ２ 了だＰＤＨＳは不安定な化合物と思（ｄれておシ、事実
アルカリが不純物として存在すると常凋、でゲル化が進
行するが、イ論゛へｖしてこれらの不純物を除き、また
ＰＤＨＳの末端のＯＢ基を他の基でＪＰ′→ｈしておく
と不安定性が改良される。
・・・・・・・ （２）Ｈ２ 了だＰＤＨＳは不安定な化合物と思（ｄれておシ、事実
アルカリが不純物として存在すると常凋、でゲル化が進
行するが、イ論゛へｖしてこれらの不純物を除き、また
ＰＤＨＳの末端のＯＢ基を他の基でＪＰ′→ｈしておく
と不安定性が改良される。
すなわち、
ＨＯ＋Ｈ２Ｓ１ＯテｎＨ＋Ｈ３ＳｉＣｌ −＋ Ｔ−
’３ ＳｉＯ＋Ｈｔ Ｓ ｉＯＩ Ｓ ”Ｈｓ ＝＝＝
・・・（３）（ＰＤＨＳ） （クロール
シラン）本発明はＰＤ）Ｉｓを０２を含む雰）７１１安
中で２５０〔℃〕以上に加熱するとＳｉＯ２に変化する
と共に膜厚変化（は溶剤蒸発後の版厚の９５〜］ＯＯ〔
ゲ〕で殆んど変ら々いが非１ツ索雰囲気例えば窒素（Ｎ
２）ガス中で加熱すると８１０に変化すると共に月にす
Ｗが溶剤蒸発後の膜厚の約８０（彊〕の値にまで低下す
る。また−ｇｓＩｏｖｃ変化すると８００［”Ｃ：］以
上の高温処理する場合は別として０２ ＞ｗ ｔｙｔ、
４気中で５００Ｉｎ’Ｃ）程度の熱処理を行っても５ｉ
ｏ２へと変化しないと言う安定性に基づいて外されたも
のである。
’３ ＳｉＯ＋Ｈｔ Ｓ ｉＯＩ Ｓ ”Ｈｓ ＝＝＝
・・・（３）（ＰＤＨＳ） （クロール
シラン）本発明はＰＤ）Ｉｓを０２を含む雰）７１１安
中で２５０〔℃〕以上に加熱するとＳｉＯ２に変化する
と共に膜厚変化（は溶剤蒸発後の版厚の９５〜］ＯＯ〔
ゲ〕で殆んど変ら々いが非１ツ索雰囲気例えば窒素（Ｎ
２）ガス中で加熱すると８１０に変化すると共に月にす
Ｗが溶剤蒸発後の膜厚の約８０（彊〕の値にまで低下す
る。また−ｇｓＩｏｖｃ変化すると８００［”Ｃ：］以
上の高温処理する場合は別として０２ ＞ｗ ｔｙｔ、
４気中で５００Ｉｎ’Ｃ）程度の熱処理を行っても５ｉ
ｏ２へと変化しないと言う安定性に基づいて外されたも
のである。
第１図〜第３図は本発明に係る微細凹凸をもつ酸化硅素
薄膜基板の父施例で平滑に研磨されたガラス基板１の上
ＫＢＩ３Ｓ １０４Ｈ２ＳＩ Ｏｆｐ ５ｌ）Ｉｓで示
されｎのイ１ａが約１０であるＰＤＨＳの２０〔チ〕ト
ルエン冶液をスピンナ法で塗布した後に６ ＋１ ［’
ＣＩの温度で３０〔分〕加熱してトルエンを蒸発させ於
厚０、５８ ＣＡｍ、、］のＰＤＨ８の薄膜２を待＊
（ｍ １ ！Ｅｊ ）。
薄膜基板の父施例で平滑に研磨されたガラス基板１の上
ＫＢＩ３Ｓ １０４Ｈ２ＳＩ Ｏｆｐ ５ｌ）Ｉｓで示
されｎのイ１ａが約１０であるＰＤＨＳの２０〔チ〕ト
ルエン冶液をスピンナ法で塗布した後に６ ＋１ ［’
ＣＩの温度で３０〔分〕加熱してトルエンを蒸発させ於
厚０、５８ ＣＡｍ、、］のＰＤＨ８の薄膜２を待＊
（ｍ １ ！Ｅｊ ）。
次にかかる葛根を９素（Ｎ２）算用り中ににき、回酊ワ
させながらビーム径６〔μｍ）のアルゴンレーザを照射
し光情報を病き込む。（第２図）。
させながらビーム径６〔μｍ）のアルゴンレーザを照射
し光情報を病き込む。（第２図）。
この択１合レーザの被照射部３ ｉｒ：ｉ加熱によｐ分
フ１４するが雰囲気がＮ２であるためＳ１０となシ厚さ
け０．４８ Ｃ／１７＋１．）に減少する。
フ１４するが雰囲気がＮ２であるためＳ１０となシ厚さ
け０．４８ Ｃ／１７＋１．）に減少する。
次にかかる基板を４００〔℃〕の憚温槽に移し酸素（０
２）を含む算用包中で加熱し非照射部４を５ｉ０２へと
変化させる。この場合非照射部４はＰＤＨＳよりＳ ＋
Ｏ２へと変化するが形・厚は０５８〔μｍ〕から０．５
５〔μｍ〕に変るだけ殆んど変化しかい（第３図）。
２）を含む算用包中で加熱し非照射部４を５ｉ０２へと
変化させる。この場合非照射部４はＰＤＨＳよりＳ ＋
Ｏ２へと変化するが形・厚は０５８〔μｍ〕から０．５
５〔μｍ〕に変るだけ殆んど変化しかい（第３図）。
なおこの熱処理によっては先に分解した被照射部３は元
のままの分子構造で膜厚も袈化しない。
のままの分子構造で膜厚も袈化しない。
以上のようにポリシロキザンハイドライドの損１１ｚ、
−を的板上に形成しこれにレーザ光を非酸素算量気中で
照射して熱分解せしめ次に：ｉｉ−世相部を酸つ：ミ雰
囲気中で加熱し分フ符せしめれば＃、ｌ（ｊ、ｅｉＪ汰
凹凸をもつ２１尼゛基板を形成することができる。
−を的板上に形成しこれにレーザ光を非酸素算量気中で
照射して熱分解せしめ次に：ｉｉ−世相部を酸つ：ミ雰
囲気中で加熱し分フ符せしめれば＃、ｌ（ｊ、ｅｉＪ汰
凹凸をもつ２１尼゛基板を形成することができる。
（ｇ） 発り弓の効果
本発明の実施によりポリシロギサンノ・イドライドを材
料として化学的に安定なｊν５（ヒ砂素Ｚ々Ｊｊ４’ｉ
を作ることができ、光ディスク用弥躬・基板への使用が
可能と々つだ。
料として化学的に安定なｊν５（ヒ砂素Ｚ々Ｊｊ４’ｉ
を作ることができ、光ディスク用弥躬・基板への使用が
可能と々つだ。
第１図〜第３図一本発明に係る酸化硅素猿股の形成工程
を示す断面図である。 図において、１１ｄ！板、２（づポリジノｈイドロジエ
ンシロキサン、３はレーザの被照射部、４１Ｚ′Ｌ非照
射部。
を示す断面図である。 図において、１１ｄ！板、２（づポリジノｈイドロジエ
ンシロキサン、３はレーザの被照射部、４１Ｚ′Ｌ非照
射部。
Claims (1)
- ボロシロキサンハイドライドを塗布した平坦基板にＪｌ
−酸素雰囲気中でレーザを選択照射して被照射部を熱分
ブ算せしめ次に該基板を酸素雰気中で加熱することによ
シレーザ照射部と非照躬部とで胎ルの黄なるｊ賛化硅素
盾を得ることを特徴とする微、＜ｌｌ凹凸をもつｉｒ日
ヒ硅素蕗股基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58064736A JPS59190211A (ja) | 1983-04-13 | 1983-04-13 | 微細凹凸をもつ酸化硅素薄膜基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58064736A JPS59190211A (ja) | 1983-04-13 | 1983-04-13 | 微細凹凸をもつ酸化硅素薄膜基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59190211A true JPS59190211A (ja) | 1984-10-29 |
Family
ID=13266725
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58064736A Pending JPS59190211A (ja) | 1983-04-13 | 1983-04-13 | 微細凹凸をもつ酸化硅素薄膜基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59190211A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6414082A (en) * | 1987-07-08 | 1989-01-18 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | Grooved substrate |
| JPH01235044A (ja) * | 1988-03-14 | 1989-09-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光ディスク基板およびその製造方法 |
| US5128494A (en) * | 1985-04-26 | 1992-07-07 | Sri International | Hydridosiloxanes as precursors to ceramic products |
| US5162136A (en) * | 1988-08-01 | 1992-11-10 | Blum Yigal D | Process for increasing strength of glass by forming ceramic coating on glass surface |
-
1983
- 1983-04-13 JP JP58064736A patent/JPS59190211A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5128494A (en) * | 1985-04-26 | 1992-07-07 | Sri International | Hydridosiloxanes as precursors to ceramic products |
| JPS6414082A (en) * | 1987-07-08 | 1989-01-18 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | Grooved substrate |
| JPH01235044A (ja) * | 1988-03-14 | 1989-09-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光ディスク基板およびその製造方法 |
| US5162136A (en) * | 1988-08-01 | 1992-11-10 | Blum Yigal D | Process for increasing strength of glass by forming ceramic coating on glass surface |
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