JPS59181037A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS59181037A JPS59181037A JP58056258A JP5625883A JPS59181037A JP S59181037 A JPS59181037 A JP S59181037A JP 58056258 A JP58056258 A JP 58056258A JP 5625883 A JP5625883 A JP 5625883A JP S59181037 A JPS59181037 A JP S59181037A
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- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は工Ｃ１ＬＳＩ、トランジスタの如き半導体素子
を樹脂封止してなる半導体装置に関するものである。
を樹脂封止してなる半導体装置に関するものである。
半導体素子を樹脂封止するために、低圧成形用エポキシ
樹脂成形材料を用いることは広く知られている。
樹脂成形材料を用いることは広く知られている。
しかしながら近年、特に半導体素子の大型化等の要求に
よシ、従来の成形材料を封止用樹脂として用いて得られ
た半導体装置では、素子に加わる収縮応力が大きく、特
に冷熱試験によって封止用樹脂や素子の保護膜であるパ
ッシベーション膜にクラックが発生して耐湿性などの緒
特性に劣シ、装置としての信頼性に劣る欠点を有してい
た。
よシ、従来の成形材料を封止用樹脂として用いて得られ
た半導体装置では、素子に加わる収縮応力が大きく、特
に冷熱試験によって封止用樹脂や素子の保護膜であるパ
ッシベーション膜にクラックが発生して耐湿性などの緒
特性に劣シ、装置としての信頼性に劣る欠点を有してい
た。
本発明はこのような欠点を改良するために為されたもの
で、両末端アミノ基含有ポリエーテル化合物（以下ポリ
エーテルジアミン化合物という）と２官能性酸無水物を
反応させて得られる分子量５．０００以上のポリエーテ
ルポリイミド化合物（４）、ノボラック型エポキシ樹脂
（Ｂ）および硬化剤（Ｃ）を含〜０．２０であるエポキ
シ樹脂組成物を用いて半導体素子をモールドしてなる半
導体装置に関するものである。
で、両末端アミノ基含有ポリエーテル化合物（以下ポリ
エーテルジアミン化合物という）と２官能性酸無水物を
反応させて得られる分子量５．０００以上のポリエーテ
ルポリイミド化合物（４）、ノボラック型エポキシ樹脂
（Ｂ）および硬化剤（Ｃ）を含〜０．２０であるエポキ
シ樹脂組成物を用いて半導体素子をモールドしてなる半
導体装置に関するものである。
本発明において用いられるポリエーテルジアミン化合物
としては、分子量が５００以上のものでｓ、ｏ ｏ ｏ
程度までのものが一般的に用いられるが分子量１０００
〜４０００程度のものが好ましく使用される０ ポリエーテルジアミン化合物の種類としては、一般式
ＨｉｉＮ （Ｒ−０うｎＲ−ＮＨＩ。
としては、分子量が５００以上のものでｓ、ｏ ｏ ｏ
程度までのものが一般的に用いられるが分子量１０００
〜４０００程度のものが好ましく使用される０ ポリエーテルジアミン化合物の種類としては、一般式
ＨｉｉＮ （Ｒ−０うｎＲ−ＮＨＩ。
（式中ＲはＣ数２〜１０のアルキレン基を示す）で示す
ものが好適に使用される。
ものが好適に使用される。
上記一般式（３）として特に好ましいのは、Ｒが−ＣＨ
２ＣＨ２−で示されるエチレン基又は−Ｃ（ＣＨ３）Ｈ
ＣＨ２−で示されるプロピレン基で示される化合物であ
る。
２ＣＨ２−で示されるエチレン基又は−Ｃ（ＣＨ３）Ｈ
ＣＨ２−で示されるプロピレン基で示される化合物であ
る。
ポリエーテルジアミン化合物の市販品としては、たとえ
ば三井石油化学社製商品名Ｑ −６９３を挙ることがで
きる。
ば三井石油化学社製商品名Ｑ −６９３を挙ることがで
きる。
２官能性酸無水物としては、エポキシ樹脂の硬化剤とし
て用いられるテトラカルボン酸無水物が一般的に使用さ
れる。
て用いられるテトラカルボン酸無水物が一般的に使用さ
れる。
上記無水物としては芳香族、脂肪族、脂環族のものを用
いることができるが、好ましくは芳香族テトラカルホン
酸無水物を用いる。
いることができるが、好ましくは芳香族テトラカルホン
酸無水物を用いる。
２官能性酸無水物の具体例としては、シクロペンタンテ
トラカルボン酸二無水物、ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸二無水物、テトラヒドロフラン−２・３・４・５−
テトラカルホン酸二無水物、１・２・３・４−シクロフ
タンテトラカルボン酸二無水物、１・２・４・５−ベン
ゼンテトラカルボン酸二無水物、トリメリット酸無水物
エチレングリコールジエステル（トリメリツｌ−酸２モ
ルとエチレングリコール１モルを反応させて得られるも
の）、等を挙げることができる。
トラカルボン酸二無水物、ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸二無水物、テトラヒドロフラン−２・３・４・５−
テトラカルホン酸二無水物、１・２・３・４−シクロフ
タンテトラカルボン酸二無水物、１・２・４・５−ベン
ゼンテトラカルボン酸二無水物、トリメリット酸無水物
エチレングリコールジエステル（トリメリツｌ−酸２モ
ルとエチレングリコール１モルを反応させて得られるも
の）、等を挙げることができる。
そして本発明で用いるポリエーテルポリイミド化合物を
得るには、上記ポリエーテルジアミン化合物１モルに対
して、２冨能性酸無水物０．７〜１．４モル好ましくは
０．９〜１．２モルを１８０℃〜２３０℃で３０分〜５
時間程度反応させることにより得ることができる。
得るには、上記ポリエーテルジアミン化合物１モルに対
して、２冨能性酸無水物０．７〜１．４モル好ましくは
０．９〜１．２モルを１８０℃〜２３０℃で３０分〜５
時間程度反応させることにより得ることができる。
本発明で用いるポリエーテルポリイミド化合物は、分子
量５，０００以上（上限値は１００，０００程度）とさ
れ、好ましくは分子ｆｉ８，０００〜７０，０００程度
のものが用いられる。
量５，０００以上（上限値は１００，０００程度）とさ
れ、好ましくは分子ｆｉ８，０００〜７０，０００程度
のものが用いられる。
本発明において分子量５，０００以下のポリエーテルポ
リイミド化合物を用いると、得られる半導体装置の耐熱
衝撃性に劣るので余り好ましくない。
リイミド化合物を用いると、得られる半導体装置の耐熱
衝撃性に劣るので余り好ましくない。
本発明におけるノボラック型エポキシ樹脂としては、ク
レゾールノボラック型エポキシ樹脂およびフェノールノ
ボラック型エポキシ樹脂を挙げることができる。
レゾールノボラック型エポキシ樹脂およびフェノールノ
ボラック型エポキシ樹脂を挙げることができる。
ノボラック型エポキシ樹脂としては、通常エポキシ当量
１６０〜２５０、軟化点５０〜１３０℃のものが用いら
れる。
１６０〜２５０、軟化点５０〜１３０℃のものが用いら
れる。
さらにクレゾールノボラック型エポキシ樹脂では、好適
にはエポキシ当量１８０〜２１０、軟化点６０〜１１０
℃のものが用いられる○ フェノールノボラック型エポキシ樹脂では、好適には、
エポキシ当量１６０〜２００、軟化点６０〜１１０℃の
ものが用いられる。
にはエポキシ当量１８０〜２１０、軟化点６０〜１１０
℃のものが用いられる○ フェノールノボラック型エポキシ樹脂では、好適には、
エポキシ当量１６０〜２００、軟化点６０〜１１０℃の
ものが用いられる。
硬化剤としてはノボラック型樹脂が好適であるが、酸無
水物、アミンを挙けることもできる。これらは単独で用
いてもよいが併用もできる０ノボラツク型樹脂としては
、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹
脂あるいはビスフェノールＡノボラック樹脂を用いるこ
とができ、通常、軟化点５０〜１３０℃のものを用いる
。
水物、アミンを挙けることもできる。これらは単独で用
いてもよいが併用もできる０ノボラツク型樹脂としては
、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹
脂あるいはビスフェノールＡノボラック樹脂を用いるこ
とができ、通常、軟化点５０〜１３０℃のものを用いる
。
この種ノボラック樹脂は、フェノール、クレゾール、ビ
スフエムールＡの如きフェノール類とホルアルデヒド等
のアルテヒド類を酸性触媒下で縮合するととによシ得る
ことができる。
スフエムールＡの如きフェノール類とホルアルデヒド等
のアルテヒド類を酸性触媒下で縮合するととによシ得る
ことができる。
本発明において硬化剤として用いる酸無水物としては、
無水フタル酸、無水マレイン酸、無水メチルテトラヒド
ロフタル酸、無水テトラヒドロフタル酸、無水トリメリ
ット酸、無水メチルエンドメチレンテトラヒドロフタル
酸、シクロヘキセン−１・２−ジカルボン酸無水物、シ
クロヘキセン−３・４−ジカルボン酸無水物；トリメリ
ット酸無水物のエチレングリコールエステルなどを挙げ
ることができる。
無水フタル酸、無水マレイン酸、無水メチルテトラヒド
ロフタル酸、無水テトラヒドロフタル酸、無水トリメリ
ット酸、無水メチルエンドメチレンテトラヒドロフタル
酸、シクロヘキセン−１・２−ジカルボン酸無水物、シ
クロヘキセン−３・４−ジカルボン酸無水物；トリメリ
ット酸無水物のエチレングリコールエステルなどを挙げ
ることができる。
マタアミンとしては、ｍ−フェニレンジアミン、Ｐ−フ
ェニレンジアミン、４・４′−ジアミノジフェニルメタ
ン、４−４’−ジアミノジフェニルプロパン、４・４′
−ジアミノジフェニルエーテル、４・４′−ジアミノジ
フェニルスルホン、４・４′−ジアミノジフェニルスル
フィド、１・５−ジアミノナフタリン、２善４−ビス（
β−アミノ−１−ブチル）トルエン、ヒス（ｐ−β−ア
ミノ−１−ブチルフェニル）エーテル、ビス（ｐ−β−
メチル−〇−アミノフェニル）ベンゼン、１・３−ジア
ミノ−４−イソプロピルベンゼン、ｍ−キシリレンジア
ミン、Ｐ−キシリレンジアミン、２・４−ジアミノトル
エン、２・６−ジアミノトルエン、ビス（４−７ミノシ
クロヘキシル）メタン、３−メチルへブタメチレンシア
２ン、４・４−ジメチルへブタメチレンジアミン、オク
タメチレンジアミン、２・５−ジメチルへキサメチレン
ジアミン、２・５−ジメチルへブタメチレンジアミン、
３−メチルへブタメチレンジアミン、１・４−シクロヘ
キサンジアミン等を挙げることができる。
ェニレンジアミン、４・４′−ジアミノジフェニルメタ
ン、４−４’−ジアミノジフェニルプロパン、４・４′
−ジアミノジフェニルエーテル、４・４′−ジアミノジ
フェニルスルホン、４・４′−ジアミノジフェニルスル
フィド、１・５−ジアミノナフタリン、２善４−ビス（
β−アミノ−１−ブチル）トルエン、ヒス（ｐ−β−ア
ミノ−１−ブチルフェニル）エーテル、ビス（ｐ−β−
メチル−〇−アミノフェニル）ベンゼン、１・３−ジア
ミノ−４−イソプロピルベンゼン、ｍ−キシリレンジア
ミン、Ｐ−キシリレンジアミン、２・４−ジアミノトル
エン、２・６−ジアミノトルエン、ビス（４−７ミノシ
クロヘキシル）メタン、３−メチルへブタメチレンシア
２ン、４・４−ジメチルへブタメチレンジアミン、オク
タメチレンジアミン、２・５−ジメチルへキサメチレン
ジアミン、２・５−ジメチルへブタメチレンジアミン、
３−メチルへブタメチレンジアミン、１・４−シクロヘ
キサンジアミン等を挙げることができる。
本発明において、硬化剤は前記エポキシ樹脂を硬化させ
うるに充分な量が用いられる。
うるに充分な量が用いられる。
通常前記エポキシ樹脂の１エポキシ当量当シ、０．４〜
２．０当量、好ましくは０．６〜１．５当量用いられる
。具体的にはエポキシ樹脂の１エポキシ当量に対してノ
ボラック樹脂を用いた場合には、通常０．５〜２．０当
量、好ましくは０．８〜１，５当量、酸無水物の場合で
は通常０．４〜１．２当量、好ましくは０．６〜１．０
当量、アミンを用いた場合には通常０．５〜２．０当量
、好ましくは０．８〜１．５当量とされる。
２．０当量、好ましくは０．６〜１．５当量用いられる
。具体的にはエポキシ樹脂の１エポキシ当量に対してノ
ボラック樹脂を用いた場合には、通常０．５〜２．０当
量、好ましくは０．８〜１，５当量、酸無水物の場合で
は通常０．４〜１．２当量、好ましくは０．６〜１．０
当量、アミンを用いた場合には通常０．５〜２．０当量
、好ましくは０．８〜１．５当量とされる。
硬化剤としてイミダゾール系化合物、ジシアンジアミド
等を用いた場合には通常０．４当量未満とされる。
等を用いた場合には通常０．４当量未満とされる。
本発明においてポリエーテルポリイミド化合物０．０１
〜０．２０とした理由は、０．０１以下では得られる半
導体装置が耐熱衝撃性に劣るようになるからであ、Ｄ、
０．２０以上では耐湿性に劣シ、半導体装置の寿命が短
かくなる欠点を有するからである。
〜０．２０とした理由は、０．０１以下では得られる半
導体装置が耐熱衝撃性に劣るようになるからであ、Ｄ、
０．２０以上では耐湿性に劣シ、半導体装置の寿命が短
かくなる欠点を有するからである。
本発明において、エポキシ樹脂組成物を製造するには前
記エポキシ樹脂、硬化剤、ポリエーテルポリイミドおよ
び好ましくは硬化促進剤を均一に配合混線（通常は熱混
練）して得られるが、この組成物にはきらに無定形シリ
カ、結晶性シリカ、クレー、タルク、炭酸カルシウム、
ワルストネートのような無機質充填剤、酸化アンチモン
、ハロゲン化物のような難燃剤、シランカップリング剤
、離型剤、顔料の如き各種添加剤を添加してもよい。
記エポキシ樹脂、硬化剤、ポリエーテルポリイミドおよ
び好ましくは硬化促進剤を均一に配合混線（通常は熱混
練）して得られるが、この組成物にはきらに無定形シリ
カ、結晶性シリカ、クレー、タルク、炭酸カルシウム、
ワルストネートのような無機質充填剤、酸化アンチモン
、ハロゲン化物のような難燃剤、シランカップリング剤
、離型剤、顔料の如き各種添加剤を添加してもよい。
無機質充填剤含有量は通常、エポキシ樹脂、硬化剤、ポ
リエーテルポリイミドおよび無機質充填剤を含む全エポ
キシ樹脂組成物中の４０〜８０重量％とされる。
リエーテルポリイミドおよび無機質充填剤を含む全エポ
キシ樹脂組成物中の４０〜８０重量％とされる。
また上記硬化促進剤としては、硬化剤がノボラック型樹
脂の場合、脂肪族、あるいは芳香族第２級ないし第３級
アミンやイミタ′ゾリン類、イミダゾール類などの含窒
素へテロ環化合物などがあげられる。また硬化剤が酸無
水物の場合は、上記した硬化促進剤も使用できるし、さ
らにアルコール類、有機酸スズ塩等も使用できる。また
硬化剤がアミンの場合は、フェノール、カルボン酸など
の有機酸、及び酸無水物などが使用できる。
脂の場合、脂肪族、あるいは芳香族第２級ないし第３級
アミンやイミタ′ゾリン類、イミダゾール類などの含窒
素へテロ環化合物などがあげられる。また硬化剤が酸無
水物の場合は、上記した硬化促進剤も使用できるし、さ
らにアルコール類、有機酸スズ塩等も使用できる。また
硬化剤がアミンの場合は、フェノール、カルボン酸など
の有機酸、及び酸無水物などが使用できる。
硬化促進剤は、一般的には、得られるエポキシ樹脂組成
物の１５０℃でのゲル化時間が３０秒〜９０秒となるよ
うにその添加量を調整して使用される。
物の１５０℃でのゲル化時間が３０秒〜９０秒となるよ
うにその添加量を調整して使用される。
エポキシ樹脂組成物の全成分の同時熱温線は、たとえば
硬化剤としてノボラック型樹脂、酸無水物を用いた場合
に適用せられ、通常８０〜１２０℃にて数分間混練され
る。混練は加熱ロールによる溶融混線、押出機による溶
融混線等適宜公知の手段によシ行なえる。
硬化剤としてノボラック型樹脂、酸無水物を用いた場合
に適用せられ、通常８０〜１２０℃にて数分間混練され
る。混練は加熱ロールによる溶融混線、押出機による溶
融混線等適宜公知の手段によシ行なえる。
硬化剤としてアミン系硬化剤を用いたときは、ポリエー
テルポリイミドをエポキシ樹脂あるいは該硬化剤と前も
って溶融混線し７ておき、全成分をトライブレンドする
のが一般的である。
テルポリイミドをエポキシ樹脂あるいは該硬化剤と前も
って溶融混線し７ておき、全成分をトライブレンドする
のが一般的である。
このようにして得られたエポキシ樹脂組成物は未硬化あ
るいは半硬化状態であり、一般的には粉末状または粉末
タブレット状のものとして提供される。
るいは半硬化状態であり、一般的には粉末状または粉末
タブレット状のものとして提供される。
本発明においては前記の如きエポキシ樹′脂組成物を得
るに際して、ノボラック型エポキシ樹脂とポリエーテル
ポリイミドを予め反応させて変性エポキシ樹脂としてお
き、その後硬化剤等の残余成分と配合混練するのが好ま
しい。
るに際して、ノボラック型エポキシ樹脂とポリエーテル
ポリイミドを予め反応させて変性エポキシ樹脂としてお
き、その後硬化剤等の残余成分と配合混練するのが好ま
しい。
前記エポキシ樹脂とポリエーテルポリイミドの反応は、
エポキシ基に酸無水物基および／−！たはアミノ基を付
加させて、変性エポキシ樹脂を製造するのが目的でアシ
、通常１００〜１８０’Ｃで３０分〜２０時間、好まし
くは１２０〜１６０℃で４０分〜１０時間程度行なう。
エポキシ基に酸無水物基および／−！たはアミノ基を付
加させて、変性エポキシ樹脂を製造するのが目的でアシ
、通常１００〜１８０’Ｃで３０分〜２０時間、好まし
くは１２０〜１６０℃で４０分〜１０時間程度行なう。
また得られる変性エポキシ樹脂の官能基残存率は、通常
５０％以下、好ましくは２０％以下とされる。ここでい
う官能基残存率は、反応初期の系に加えたポリエーテル
ポリイミド全体の官能基（酸無水物基およびアミノ基）
の数を１００％として、反応後どれだけの割合の該官能
基が残存しているかを示すものである。
５０％以下、好ましくは２０％以下とされる。ここでい
う官能基残存率は、反応初期の系に加えたポリエーテル
ポリイミド全体の官能基（酸無水物基およびアミノ基）
の数を１００％として、反応後どれだけの割合の該官能
基が残存しているかを示すものである。
なお得られた変性エポキシ樹脂とその他の残余成分を配
合混練する条件は前記と同様である。
合混練する条件は前記と同様である。
本発明において、エポキシ樹脂組成物によシ半導体素子
をモールドするには、通常トランスファー成形によシ行
々うことができる。
をモールドするには、通常トランスファー成形によシ行
々うことができる。
このようにして得られた半導体装置は、耐衝撃性が向上
する。
する。
以下本発明を実施例によシ具体的に説明する。
なお実施例中の部は重量部である。
例１（ポリエーテルポリイミドの製造）分子量２１００
の両末端アミノ基含有ポリプロピレンクリコール２１０
ｆ！（０，１モル）ヲフラスコ中テ２００℃に昇温し
、この系にシクロペンタンカルボン酸ジ無水物３０９
（０，１４モル）を加えて撹拌しながら１時間同温度で
反応させた。
の両末端アミノ基含有ポリプロピレンクリコール２１０
ｆ！（０，１モル）ヲフラスコ中テ２００℃に昇温し
、この系にシクロペンタンカルボン酸ジ無水物３０９
（０，１４モル）を加えて撹拌しながら１時間同温度で
反応させた。
この反応生成物はＩＲスペクトルによりポリエーテルポ
リイミドであることが確認され、重量平均分子量は、Ｇ
ＰＣ分析で約６．０００であった０例２〜例５（ポリエ
ーテルポリイミドの製造）例１に準じ第１表記載の配合
割合にてポリエーテルポリイミドを得た。
リイミドであることが確認され、重量平均分子量は、Ｇ
ＰＣ分析で約６．０００であった０例２〜例５（ポリエ
ーテルポリイミドの製造）例１に準じ第１表記載の配合
割合にてポリエーテルポリイミドを得た。
第 １ 表
実施例１
クレゾールノボラックエポキシ樹脂（エポキシ当量２２
０、軟化点８０℃）９２部を釜中で溶融させ、１５０℃
になった時点で例１によシ得られたポリエーテルポリイ
ミド１５部を配合し、同温度で撹拌下１時間予備反応さ
せた。
０、軟化点８０℃）９２部を釜中で溶融させ、１５０℃
になった時点で例１によシ得られたポリエーテルポリイ
ミド１５部を配合し、同温度で撹拌下１時間予備反応さ
せた。
得られた変性エポキシ樹脂の官能基残存率は１５％であ
った。
った。
次いで得られた変性エポキシ樹脂全量、フェノールノボ
ラック（軟化点８０℃、水酸基当量１１０）４６部、硬
化促進剤（２・４・６−ドリスジメチルアミノメチルフ
エノール）１．７部、カーボンブラック２部、無定形シ
リカ粉末３５４部、シランカップリング剤（日本ユニカ
ー社製、Ａ−１８６）３．５部およびカルナバワックス
３部を７０〜８０℃−の熱ロールによ）３分間混練した
のち、冷却粉砕し１０メツシュパス品とし、半導体素子
封止用のエポキシ樹脂組成物粉末を得た。
ラック（軟化点８０℃、水酸基当量１１０）４６部、硬
化促進剤（２・４・６−ドリスジメチルアミノメチルフ
エノール）１．７部、カーボンブラック２部、無定形シ
リカ粉末３５４部、シランカップリング剤（日本ユニカ
ー社製、Ａ−１８６）３．５部およびカルナバワックス
３部を７０〜８０℃−の熱ロールによ）３分間混練した
のち、冷却粉砕し１０メツシュパス品とし、半導体素子
封止用のエポキシ樹脂組成物粉末を得た。
このようにして得られた粉末を用い、耐熱衝撃試験用素
子、プレッシャークツカーテスト用素子をモールドした
。
子、プレッシャークツカーテスト用素子をモールドした
。
モールドは低圧トランスファー成形法により１７５℃で
２分間の条件にて行ない、それに引き続＜１７５℃、５
時間のポストキュア一工程を経て本発明の半導体装置と
した。
２分間の条件にて行ない、それに引き続＜１７５℃、５
時間のポストキュア一工程を経て本発明の半導体装置と
した。
実施例２〜６および比較例１〜４
下記第２表に示す配合組成で、実施例１に準じ樹脂組成
物粉末を得た。
物粉末を得た。
第 ２ 表
得られた組成物粉末を用い実施例１と同様の要領によシ
半導体装置を得た。
半導体装置を得た。
実施例７
実施例１においてクレゾールノボラックエポキシ樹脂と
ポリエーテルポリイミドの変性反応を行なわず、全配合
成分を同時に７０℃〜８０℃の熱ロールで３分間混練し
、その後冷却粉砕して樹脂組成物粉末を得た。得られた
組成物粉末を用い実施例１と同様の要領によシ半導体装
置を得た。
ポリエーテルポリイミドの変性反応を行なわず、全配合
成分を同時に７０℃〜８０℃の熱ロールで３分間混練し
、その後冷却粉砕して樹脂組成物粉末を得た。得られた
組成物粉末を用い実施例１と同様の要領によシ半導体装
置を得た。
実施例１〜７及び比較例１〜４よｐ得られた半導体装置
を用いて耐熱衝撃性試験及びプレッシャクツカーテスト
した。その結果を下記第３表に記載する。
を用いて耐熱衝撃性試験及びプレッシャクツカーテスト
した。その結果を下記第３表に記載する。
第３表
第３表において、熱衝撃試験は、前記耐衝撃試験用素子
を塔載した４８ピンフラツトパツケージを、前述の条件
でモールドしてなる半導体装置を用いて行なった。即ち
この半導体装置４０ケを１５０℃と一５５℃のシリコン
オイル中に各５分浸演する工程を１サイクルとし、これ
を２０００サイクルくシ返して後、半導体装置表面にク
ラックが入ったと認められるものを不良として評価した
。
を塔載した４８ピンフラツトパツケージを、前述の条件
でモールドしてなる半導体装置を用いて行なった。即ち
この半導体装置４０ケを１５０℃と一５５℃のシリコン
オイル中に各５分浸演する工程を１サイクルとし、これ
を２０００サイクルくシ返して後、半導体装置表面にク
ラックが入ったと認められるものを不良として評価した
。
プレッシャークツカーテストは、パンシベーション膜を
施し且つアルミニューム配線したＷｔｌ 記プレッシャ
クツカーテスト用素子を、前述の条件でモールドしてな
る半導体装置を用いて行なった。
施し且つアルミニューム配線したＷｔｌ 記プレッシャ
クツカーテスト用素子を、前述の条件でモールドしてな
る半導体装置を用いて行なった。
即ちこの半導体装置２０ケを１２１℃、２気圧の水蒸気
圧下に５００時間放置し、アルミニューム配線が断線し
たものを不良とした。
圧下に５００時間放置し、アルミニューム配線が断線し
たものを不良とした。
特許出願人
日東電気工業株式会社
代表者 土 方 三 部
Claims (1)
- 両末端アミノ基含有ポリエーテル化合物と２官能性酸無
水物を反応させて得られる分子量５，０００以上のポリ
エーテルポリイミド化合物（Ａ）、ノボラック型エポキ
シ樹脂（Ｂ）および硬化剤（Ｃ）を含む組成０．２０で
あるエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子をモールド
してなる半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58056258A JPS59181037A (ja) | 1983-03-30 | 1983-03-30 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58056258A JPS59181037A (ja) | 1983-03-30 | 1983-03-30 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59181037A true JPS59181037A (ja) | 1984-10-15 |
Family
ID=13022053
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58056258A Pending JPS59181037A (ja) | 1983-03-30 | 1983-03-30 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59181037A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61278555A (ja) * | 1985-06-05 | 1986-12-09 | Mitsui Petrochem Ind Ltd | 成形品の製造法 |
| JPS6234949A (ja) * | 1985-08-08 | 1987-02-14 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
| JPS6317921A (ja) * | 1986-07-09 | 1988-01-25 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
| JPH01104649A (ja) * | 1987-10-19 | 1989-04-21 | Toshiba Chem Corp | 封止用樹脂組成物 |
| US4985751A (en) * | 1988-09-13 | 1991-01-15 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resin-encapsulated semiconductor devices |
-
1983
- 1983-03-30 JP JP58056258A patent/JPS59181037A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61278555A (ja) * | 1985-06-05 | 1986-12-09 | Mitsui Petrochem Ind Ltd | 成形品の製造法 |
| JPS6234949A (ja) * | 1985-08-08 | 1987-02-14 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
| JPS6317921A (ja) * | 1986-07-09 | 1988-01-25 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
| JPH01104649A (ja) * | 1987-10-19 | 1989-04-21 | Toshiba Chem Corp | 封止用樹脂組成物 |
| US4985751A (en) * | 1988-09-13 | 1991-01-15 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resin-encapsulated semiconductor devices |
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