JPS59178676A - 磁気バブル装置 - Google Patents
磁気バブル装置Info
- Publication number
- JPS59178676A JPS59178676A JP58052619A JP5261983A JPS59178676A JP S59178676 A JPS59178676 A JP S59178676A JP 58052619 A JP58052619 A JP 58052619A JP 5261983 A JP5261983 A JP 5261983A JP S59178676 A JPS59178676 A JP S59178676A
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- JP
- Japan
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- magnetic
- film
- magnetic field
- bubble
- magnetized
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は消費電力が小さく、磁気バブルを安定に静止、
保持できる磁気バブル装置に関する。
保持できる磁気バブル装置に関する。
（背景分野）
従来この棟装置の磁気バブル転送方式の主なものに、二
層導体電流駆動型すなわちバブル磁性膜上に相互絶縁し
て重ねられた第１導体層および第２導体層にパターン孔
を設け、各導体層に二相電流を流丁ことによりパターン
孔によってできる磁界勾配を利用して磁気バブルを転送
させる方式があり、他方フィールドアクセス型といわれ
る、バブル磁性膜上に形成したパーマロイパターンをＸ
。
層導体電流駆動型すなわちバブル磁性膜上に相互絶縁し
て重ねられた第１導体層および第２導体層にパターン孔
を設け、各導体層に二相電流を流丁ことによりパターン
孔によってできる磁界勾配を利用して磁気バブルを転送
させる方式があり、他方フィールドアクセス型といわれ
る、バブル磁性膜上に形成したパーマロイパターンをＸ
。
Ｙコイルによる回転磁界で磁化しその漏洩磁界の勾配で
磁気バブルを転送させる方式がある。
磁気バブルを転送させる方式がある。
しかしながら、これらはいずれも磁気バブルを移動させ
ている期間中は磁界勾配を発生させる前記二相電流ある
いは前記Ｘ、 Ｙコイル電流を断つことはできない。
ている期間中は磁界勾配を発生させる前記二相電流ある
いは前記Ｘ、 Ｙコイル電流を断つことはできない。
また、磁気バブルをなめらかに移動させるために前記電
流は正弦状に近い方がよ（、このためドライバの半導体
素子等はアナログ的な使い方となりここにおける消費電
力が太きい。さらに、磁気バブルを静止、保持させろ時
は前者の電流駆動型ではバブル磁性膜上に導体パターン
と同形状の微小な凹部を形成した時にできる磁界障壁を
利用したり、後者のフィールドアクセス型ではパーマロ
イ膜の存在によってできる磁界障壁を利用して磁気バブ
ルを静止、保持させているのがふつうである。しかしこ
れらの磁界障壁は磁気バブルを転送する時の磁界に（ら
べればほんのわずかな障壁にしかなり得す、バイアス磁
界の不均一による磁界勾配、外部じよう乱磁界による磁
界勾配等で容易に動き得る程度である。そのためバイア
ス磁界の均一度をかなりきびしく要求し、外乱磁界の大
きさをきびしく制限しているのが現状である。
流は正弦状に近い方がよ（、このためドライバの半導体
素子等はアナログ的な使い方となりここにおける消費電
力が太きい。さらに、磁気バブルを静止、保持させろ時
は前者の電流駆動型ではバブル磁性膜上に導体パターン
と同形状の微小な凹部を形成した時にできる磁界障壁を
利用したり、後者のフィールドアクセス型ではパーマロ
イ膜の存在によってできる磁界障壁を利用して磁気バブ
ルを静止、保持させているのがふつうである。しかしこ
れらの磁界障壁は磁気バブルを転送する時の磁界に（ら
べればほんのわずかな障壁にしかなり得す、バイアス磁
界の不均一による磁界勾配、外部じよう乱磁界による磁
界勾配等で容易に動き得る程度である。そのためバイア
ス磁界の均一度をかなりきびしく要求し、外乱磁界の大
きさをきびしく制限しているのが現状である。
（発明の課題）
本発明はこれらの欠点を除去するために、バブル磁性膜
上に半硬質磁性材料よりなる転送路を形成し、この半硬
質磁性膜を順次部分磁化することによって磁気バブルを
転送するもので以下に詳細に説明する。
上に半硬質磁性材料よりなる転送路を形成し、この半硬
質磁性膜を順次部分磁化することによって磁気バブルを
転送するもので以下に詳細に説明する。
（発明の構成および作用）
第１図は本発明による一実施例であって（ａ）は一部平
面図を示し、（１））は一部所面図を示す。
面図を示し、（１））は一部所面図を示す。
図においてバブル磁性膜１上に帯状に形成した半硬質磁
性材料よりなる磁性膜（以下磁化膜という）２、さらに
その上に前記磁化膜２と直角になるように形成した帯状
導体膜３３〜３ｄよりなる。
性材料よりなる磁性膜（以下磁化膜という）２、さらに
その上に前記磁化膜２と直角になるように形成した帯状
導体膜３３〜３ｄよりなる。
第２図は前記実施例の動作説明図で、（ａ）〜（ｄｌは
それぞれ導体膜３３〜３ｄに流す電流の組合わせによっ
て磁化膜２が磁化される方向（矢印２２で示す）、及び
磁化膜２の磁化による漏洩磁界によって磁気バブル２１
が安定する位置を示したものである。矢印２３はバイア
ス磁界の方向を示し矢印２４は磁化膜の磁化方向を示す
。
それぞれ導体膜３３〜３ｄに流す電流の組合わせによっ
て磁化膜２が磁化される方向（矢印２２で示す）、及び
磁化膜２の磁化による漏洩磁界によって磁気バブル２１
が安定する位置を示したものである。矢印２３はバイア
ス磁界の方向を示し矢印２４は磁化膜の磁化方向を示す
。
また導体膜３３〜３ｄの通電方向は図示の記号Ａ及びＢ
によって示し、前者は電流が紙面の表から裏方向、後者
はその逆方向とする。第３図は磁化膜２の１３− Ｈ特
性曲線を示し、直線３１は第２図のように磁化した時の
動作直線であり、ＴＴｄ、 Ｂｄが動作点ＰＫおける磁
界の大きさおよび磁束密度である。なおＴ−Ｔ ｓは飽
和磁界の大きさを示す。
によって示し、前者は電流が紙面の表から裏方向、後者
はその逆方向とする。第３図は磁化膜２の１３− Ｈ特
性曲線を示し、直線３１は第２図のように磁化した時の
動作直線であり、ＴＴｄ、 Ｂｄが動作点ＰＫおける磁
界の大きさおよび磁束密度である。なおＴ−Ｔ ｓは飽
和磁界の大きさを示す。
次にこれの動作を説明する。第２図（ａ）に示すように
導体膜３３〜３ｄに電流を図示のように流すと、通電に
よる磁界の犬ぎさが図３のＩ−１ｓ以上であれば、磁化
膜２は矢印２２の方向に磁化されろ。
導体膜３３〜３ｄに電流を図示のように流すと、通電に
よる磁界の犬ぎさが図３のＩ−１ｓ以上であれば、磁化
膜２は矢印２２の方向に磁化されろ。
（３゛）
一担磁化膜２が磁化されれば導体膜３ａ〜３ｄに流す電
流は不要となり、磁化膜２の残留磁束密度Ｂｄによる漏
洩磁界によって磁気バブル２１は第２図（ａ）の位置に
安定される。なんとなれば磁化２２の漏洩磁界はバブル
磁性膜１に対して第２図（ａ）の位置のみがバイアス磁
界を減じる方向であり、この位置が磁気バブル２１にと
ってエネルギ的に最小の位置である。
流は不要となり、磁化膜２の残留磁束密度Ｂｄによる漏
洩磁界によって磁気バブル２１は第２図（ａ）の位置に
安定される。なんとなれば磁化２２の漏洩磁界はバブル
磁性膜１に対して第２図（ａ）の位置のみがバイアス磁
界を減じる方向であり、この位置が磁気バブル２１にと
ってエネルギ的に最小の位置である。
次に導体膜３ａ〜３ｄに第２図（ｂ）の向きに通電する
と磁化膜２の磁化方向は同図の２２の方向となるから、
磁気バブル２１は前と同様の原理で図示の位置に引きよ
せられる。同様にして第２図（Ｃ）および（ｄ）のよう
な通電方向と磁化方向によって磁気バブル２１は紙面圧
から右へと転送されろこととなり、第２図（ａ）〜（ｄ
）をくり返すことにより磁気バブル２１を磁化膜２に沿
って任意の位置まで転送することができる。
と磁化膜２の磁化方向は同図の２２の方向となるから、
磁気バブル２１は前と同様の原理で図示の位置に引きよ
せられる。同様にして第２図（Ｃ）および（ｄ）のよう
な通電方向と磁化方向によって磁気バブル２１は紙面圧
から右へと転送されろこととなり、第２図（ａ）〜（ｄ
）をくり返すことにより磁気バブル２１を磁化膜２に沿
って任意の位置まで転送することができる。
以上説明したように磁気バブルの転送は半硬質磁性材料
よりなる磁化膜の部分磁化によって達成されるから、導
体膜に流す電流は磁化膜を磁化す（４） ろに要する大きさと磁化膜の磁化反転に要する時間のみ
でよい。一般に半硬質磁性材料を磁化反転させるに要す
る時間は、電流の立ち上りを高速にすることによってか
なり小さくできる。
よりなる磁化膜の部分磁化によって達成されるから、導
体膜に流す電流は磁化膜を磁化す（４） ろに要する大きさと磁化膜の磁化反転に要する時間のみ
でよい。一般に半硬質磁性材料を磁化反転させるに要す
る時間は、電流の立ち上りを高速にすることによってか
なり小さくできる。
また磁気バブルを静止、保持させておく磁界障壁は、磁
気バブルを転送させる磁界と同じ大きさであるからバイ
アス磁界の不均一や外乱磁界によって磁気バブルが勝手
な方向へ移動してしまうことはない。
気バブルを転送させる磁界と同じ大きさであるからバイ
アス磁界の不均一や外乱磁界によって磁気バブルが勝手
な方向へ移動してしまうことはない。
従って消費電力の小さい、耐外乱磁界に優れた磁気バブ
ル装置が得られる。
ル装置が得られる。
第４図は本発明による第２の実施例で、導体膜３ａ’〜
３ｄ／を導体膜３ａ〜３ｄの電流帰還路としたもので、
こうすることにより磁化膜２を磁化する電流は第１の実
施例に（らべて１／２でよくさらに低消費電力化が可能
である。
３ｄ／を導体膜３ａ〜３ｄの電流帰還路としたもので、
こうすることにより磁化膜２を磁化する電流は第１の実
施例に（らべて１／２でよくさらに低消費電力化が可能
である。
（発明の効果）
本発明は半硬質磁性材料よりなる磁化膜を順次部分磁化
することにより磁気バブルを転送するもので、通電々流
は磁化膜が磁化反転する時間のみでよ（、また磁気バブ
ルの静止保持が安定的に行なえろ利点がある。
することにより磁気バブルを転送するもので、通電々流
は磁化膜が磁化反転する時間のみでよ（、また磁気バブ
ルの静止保持が安定的に行なえろ利点がある。
第１図（ａ）及び（ｂ）は本発明の一実施例の一部平面
図及び断面図、第２図（ａ）〜（ｄ）は実施例における
動作説明図、第３図は磁化膜のＢ −１−Ｔ特性曲線、
第４図は他の実施例による一部断面図を示す。 １・・・バブル磁性膜 ２・・・磁化膜３３〜３ｄ・・
・導体膜 ２１〜２４・・・磁化方向を示す矢印３１・
・・動作直線 ３ ａ ／〜３ｄ’・・・導体膜特
許出願人 沖電気工業株式会社 特許出願代理人 弁理士 山 本 恵 − （７）
図及び断面図、第２図（ａ）〜（ｄ）は実施例における
動作説明図、第３図は磁化膜のＢ −１−Ｔ特性曲線、
第４図は他の実施例による一部断面図を示す。 １・・・バブル磁性膜 ２・・・磁化膜３３〜３ｄ・・
・導体膜 ２１〜２４・・・磁化方向を示す矢印３１・
・・動作直線 ３ ａ ／〜３ｄ’・・・導体膜特
許出願人 沖電気工業株式会社 特許出願代理人 弁理士 山 本 恵 − （７）
Claims (1)
- バブル磁性膜上に帯状に形成した半硬質磁性材料よりな
る磁性膜と、該磁性膜上に帯状にしかも該磁性膜と直角
となるように形成した導体膜より構成され、前記導体膜
を選択的に通電することにより前記磁性膜を磁化方向が
相互に逆方向となるように部分磁化し、その磁化の配列
が前記導体膜の通電をきりかえることにより順次一方向
へ移動するようにしたことを特徴とする磁気バブル装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58052619A JPS59178676A (ja) | 1983-03-30 | 1983-03-30 | 磁気バブル装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58052619A JPS59178676A (ja) | 1983-03-30 | 1983-03-30 | 磁気バブル装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59178676A true JPS59178676A (ja) | 1984-10-09 |
Family
ID=12919815
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58052619A Pending JPS59178676A (ja) | 1983-03-30 | 1983-03-30 | 磁気バブル装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59178676A (ja) |
-
1983
- 1983-03-30 JP JP58052619A patent/JPS59178676A/ja active Pending
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