JPS5917532B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS5917532B2 JPS5917532B2 JP54144387A JP14438779A JPS5917532B2 JP S5917532 B2 JPS5917532 B2 JP S5917532B2 JP 54144387 A JP54144387 A JP 54144387A JP 14438779 A JP14438779 A JP 14438779A JP S5917532 B2 JPS5917532 B2 JP S5917532B2
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- Japan
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- wafer
- semiconductor
- pellets
- support plate
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体装置の製造方法に関し、特に半導体ウ
ェハを化学的に切断してメサ型ベベルペレットを得ると
き効率よ＜形成できるように改良された方法の提供を目
的とするものである。
ェハを化学的に切断してメサ型ベベルペレットを得ると
き効率よ＜形成できるように改良された方法の提供を目
的とするものである。
従来化学的に処理して半導体ウェハを切断しメサ型ベベ
ルペレットを製造するには次のようにして行なわれてい
た。すなわち電極付けの終つた半導体ウェハ、たとえば
シリコンウエノ、の主面全面にマスクを介して耐酸性の
レジストインキ（たとえば太陽インキ社製ＨＦレジスト
ＮＱ３等）をスクリーンプリンタを用いて印刷し被覆層
を形成する。このレジストインキをベーキングしてのち
他の主面を接着剤（たとえぱイエロ−ワックス（日化精
、 工社製）等）を介してベーク板などから成る支持板
に貼り付ける。次いで半導体用のエッチング液（弗酸：
硝酸：酢酸の混酸）を用いて切断して行〈。所定の切断
を行なつたシリコンウェハから有機溶剤たとえばトリク
レンを用いて前記の被覆層’０ および接着剤を除去し
、シリコンウェハを支持板から剥離すると共に洗浄して
ベベル型のペレットを得る。しかしながらこの方法では
次のような欠点がある。すなわち１、ウェハを支持板に
貼りつけろ工程が繁雑であり、したがつて貼りつけの自
動１５化がむつかしい、２、ウェハを支持板に貼りつけ
るとき、支持板とウェハとの間に気泡が発生しやすぐ、
ペレットの形成について歩留の低下を来たすことが多い
。３、ウェハを切断してペレットを形成するにあたり、
ウェハの表面から裏面に切断が進ｍ 行して行〈とき、
その終了点の判別がむつかし＜、したがつてペレットの
サイズのばらつきが大となる。
ルペレットを製造するには次のようにして行なわれてい
た。すなわち電極付けの終つた半導体ウェハ、たとえば
シリコンウエノ、の主面全面にマスクを介して耐酸性の
レジストインキ（たとえば太陽インキ社製ＨＦレジスト
ＮＱ３等）をスクリーンプリンタを用いて印刷し被覆層
を形成する。このレジストインキをベーキングしてのち
他の主面を接着剤（たとえぱイエロ−ワックス（日化精
、 工社製）等）を介してベーク板などから成る支持板
に貼り付ける。次いで半導体用のエッチング液（弗酸：
硝酸：酢酸の混酸）を用いて切断して行〈。所定の切断
を行なつたシリコンウェハから有機溶剤たとえばトリク
レンを用いて前記の被覆層’０ および接着剤を除去し
、シリコンウェハを支持板から剥離すると共に洗浄して
ベベル型のペレットを得る。しかしながらこの方法では
次のような欠点がある。すなわち１、ウェハを支持板に
貼りつけろ工程が繁雑であり、したがつて貼りつけの自
動１５化がむつかしい、２、ウェハを支持板に貼りつけ
るとき、支持板とウェハとの間に気泡が発生しやすぐ、
ペレットの形成について歩留の低下を来たすことが多い
。３、ウェハを切断してペレットを形成するにあたり、
ウェハの表面から裏面に切断が進ｍ 行して行〈とき、
その終了点の判別がむつかし＜、したがつてペレットの
サイズのばらつきが大となる。
この発明は前記のような不具合を除去するためになされ
たもので、支持板に半導体ウエ・・を貼り２５つけるこ
とな＜、化学的切断を行なうことのできる方法を提供す
るものである。
たもので、支持板に半導体ウエ・・を貼り２５つけるこ
とな＜、化学的切断を行なうことのできる方法を提供す
るものである。
すなわち半導体ウエノ、の裏面にコート剤を塗布して半
導体ウェハを損傷な〈形状が保持できるようにし、エッ
チング液を用いて所定通りのベベル型ペレットを能率よ
３０く、また形状のばらつき少なぐ、歩留よ〈形成でき
ることを特徴とするものである。前記のコート剤は化学
的のエッチングを行なうときの反応熱に耐える耐熱性と
、化学的のエッチング液の反応に耐える耐酸性と、半導
体ウェハに３５対する高接着性と密着性と、有機溶剤に
対する溶解性のよいこと、支持板の役割を果たす形状保
持性とを持つものであつて、合成ゴムや天然ゴムなどよ
りなるネガテイブ型のフオトレジストを溶剤に溶かした
ものと、テルベン系重合体を溶剤に溶かしたものを混合
してなるものである。
導体ウェハを損傷な〈形状が保持できるようにし、エッ
チング液を用いて所定通りのベベル型ペレットを能率よ
３０く、また形状のばらつき少なぐ、歩留よ〈形成でき
ることを特徴とするものである。前記のコート剤は化学
的のエッチングを行なうときの反応熱に耐える耐熱性と
、化学的のエッチング液の反応に耐える耐酸性と、半導
体ウェハに３５対する高接着性と密着性と、有機溶剤に
対する溶解性のよいこと、支持板の役割を果たす形状保
持性とを持つものであつて、合成ゴムや天然ゴムなどよ
りなるネガテイブ型のフオトレジストを溶剤に溶かした
ものと、テルベン系重合体を溶剤に溶かしたものを混合
してなるものである。
以下この発明の実施例について説明する。
第１図に示すように電極付けの行なわれたシリコンウエ
ハ１の１主面２にマスクを介して耐酸性のインキ、たと
えば日化精工製のブラツクマスクをスクリーンプリンタ
を用いて印刷塗布し所定のパターンの被覆層３を形成す
る。１００℃で２０分間ベーキングして、インキ中の溶
剤を揮発させる。
ハ１の１主面２にマスクを介して耐酸性のインキ、たと
えば日化精工製のブラツクマスクをスクリーンプリンタ
を用いて印刷塗布し所定のパターンの被覆層３を形成す
る。１００℃で２０分間ベーキングして、インキ中の溶
剤を揮発させる。
このウエハをスピンナに配置し、フオトレジストとして
合成ゴムからなるウエイコートＳＣ（ハント社製）とテ
ルペン系重合体としてのスカイコートＢＲ（日化精工製
）とをそれぞれ溶剤に溶力・し、１：１の割合に混合し
たコート剤をウエハの他の主面（裏面）４土に十分に滴
下しながら２００ｒ−ｐ−Ｍ．で１０秒間回転させる。
次いで１００℃で３０分間ベーキングして溶剤を揮発さ
せ、０．５〜２ｍ厚さのほぼ透明な膜５を形成する。こ
の膜５はウエハ１の支持板の役目をするのでウエハを支
持板に保持させる必要はない。このようにしたウエハを
浮上防止手段をほどこしてテフロン製のウエハ載置器に
１０〜３０枚セツトする。
合成ゴムからなるウエイコートＳＣ（ハント社製）とテ
ルペン系重合体としてのスカイコートＢＲ（日化精工製
）とをそれぞれ溶剤に溶力・し、１：１の割合に混合し
たコート剤をウエハの他の主面（裏面）４土に十分に滴
下しながら２００ｒ−ｐ−Ｍ．で１０秒間回転させる。
次いで１００℃で３０分間ベーキングして溶剤を揮発さ
せ、０．５〜２ｍ厚さのほぼ透明な膜５を形成する。こ
の膜５はウエハ１の支持板の役目をするのでウエハを支
持板に保持させる必要はない。このようにしたウエハを
浮上防止手段をほどこしてテフロン製のウエハ載置器に
１０〜３０枚セツトする。
これを弗酸、硝酸、酢酸の混酸からなるエツチング液に
浸漬して化学エツチングする。ウエハは裏面に形成され
た膜によつて良好に保持されかつこの膜を形成したコー
ト剤は透明であるので、コート剤塗布面から見て容易に
エツチングの終了点の判別ができる。その終了点でエツ
チングをやめ（第２図）、十分に水洗いしてのちトリク
レンで表面のインキ被覆層３と裏面のコート剤５とを除
去して、形状のよいベベル型のペレットが得られる。前
記のウエイコートＳＣは柔軟性を保たせることができる
ので、半導体ウエハの割れを防止し、スカイコートＢＲ
は形状保持性があるので、半導体ウエハの彎曲を防ぐこ
とができ、ウエハ裏面にコート剤を塗布して形成された
膜がウエハの支持板ともなる。
浸漬して化学エツチングする。ウエハは裏面に形成され
た膜によつて良好に保持されかつこの膜を形成したコー
ト剤は透明であるので、コート剤塗布面から見て容易に
エツチングの終了点の判別ができる。その終了点でエツ
チングをやめ（第２図）、十分に水洗いしてのちトリク
レンで表面のインキ被覆層３と裏面のコート剤５とを除
去して、形状のよいベベル型のペレットが得られる。前
記のウエイコートＳＣは柔軟性を保たせることができる
ので、半導体ウエハの割れを防止し、スカイコートＢＲ
は形状保持性があるので、半導体ウエハの彎曲を防ぐこ
とができ、ウエハ裏面にコート剤を塗布して形成された
膜がウエハの支持板ともなる。
したがつて支持板にとりつけなくても前記のコート剤を
ウエハの主面に塗布すれば、所定の化学エツチングを行
なうことができて、所望のベベ斗型ペレットが歩留りよ
く得られる。な卦前記ウエイコートＳＣのスカイコート
ＢＲとはそれぞれ粘度が１００〜４５０ｃ．ｐ．，１０
０〜２００ｃ．Ｐ．の範囲のものがよく、その配合割合
は１：０．２〜５の範囲が好ましい。半導体ウエハに塗
布するコート剤は前記したもののほか、ネガテイブ型の
フオトレジストとしてはＫＴＦＲ，凰（１）Ｒ（コダン
ク社製）、０ＭＲ８１，０ＭＲ８３（東京応化社製）な
どを溶剤に溶かしたものが用いられ、テルベン系重合体
としても他の種々のテルベン系重合体を溶剤に溶かした
ものが用いられて、同じようなすぐれた効果を示すもの
である。
ウエハの主面に塗布すれば、所定の化学エツチングを行
なうことができて、所望のベベ斗型ペレットが歩留りよ
く得られる。な卦前記ウエイコートＳＣのスカイコート
ＢＲとはそれぞれ粘度が１００〜４５０ｃ．ｐ．，１０
０〜２００ｃ．Ｐ．の範囲のものがよく、その配合割合
は１：０．２〜５の範囲が好ましい。半導体ウエハに塗
布するコート剤は前記したもののほか、ネガテイブ型の
フオトレジストとしてはＫＴＦＲ，凰（１）Ｒ（コダン
ク社製）、０ＭＲ８１，０ＭＲ８３（東京応化社製）な
どを溶剤に溶かしたものが用いられ、テルベン系重合体
としても他の種々のテルベン系重合体を溶剤に溶かした
ものが用いられて、同じようなすぐれた効果を示すもの
である。
このようにこの発明の方法は、半導体ウエハの主面にき
わめて容易にコート剤を塗布することができて、エッチ
ング液により化学的切断を行なつて前記の半導体ウエハ
から所望のペレットを効率よく形成することのできる方
法であつて、従米の方法の欠点を除去したきわめて工業
的に有用なものである。
わめて容易にコート剤を塗布することができて、エッチ
ング液により化学的切断を行なつて前記の半導体ウエハ
から所望のペレットを効率よく形成することのできる方
法であつて、従米の方法の欠点を除去したきわめて工業
的に有用なものである。
な卦この方法はガラス被覆したものの溝をエツチングに
よつで形成するときなど、種々の方面にも利用すること
ができるものである。
よつで形成するときなど、種々の方面にも利用すること
ができるものである。
第１図はこの発明のシリコンウエハ上に被覆層の形成さ
れた状態を示す断面図、第２図は第１図のシリコンウエ
ハが化学エツチングされた状態を示す断面図である。 １゛・・・・・・シリコンウエハ、２・・・・・・シリ
コンウエハの一主面（表面）、４・・・・・・シリコン
ウエハの他の主面（裏面）、３・・・・・・インキの塗
布されてなる被覆層、５・・・・・・コート剤が塗布さ
れてなる膜。
れた状態を示す断面図、第２図は第１図のシリコンウエ
ハが化学エツチングされた状態を示す断面図である。 １゛・・・・・・シリコンウエハ、２・・・・・・シリ
コンウエハの一主面（表面）、４・・・・・・シリコン
ウエハの他の主面（裏面）、３・・・・・・インキの塗
布されてなる被覆層、５・・・・・・コート剤が塗布さ
れてなる膜。
Claims (1)
- １ 半導体ウェハの表面に所定のパターンの耐酸性の被
覆層を形成し化学処理して所定の形状の半導体ペレット
に切断するにあたり、前記半導体ウェハの裏面にネガテ
イブ型のフォトレジストとテルペン系重合体とをそれぞ
れ溶剤に溶かして混合したコート剤を塗布してのち、半
導体ペレットに切断することを特徴とする半導体装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54144387A JPS5917532B2 (ja) | 1979-11-09 | 1979-11-09 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54144387A JPS5917532B2 (ja) | 1979-11-09 | 1979-11-09 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5667935A JPS5667935A (en) | 1981-06-08 |
| JPS5917532B2 true JPS5917532B2 (ja) | 1984-04-21 |
Family
ID=15360948
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP54144387A Expired JPS5917532B2 (ja) | 1979-11-09 | 1979-11-09 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5917532B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006028445A1 (en) | 2004-09-02 | 2006-03-16 | Lawrence Tannas E Jr | Apparatus and methods for resizing electronic displays |
-
1979
- 1979-11-09 JP JP54144387A patent/JPS5917532B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006028445A1 (en) | 2004-09-02 | 2006-03-16 | Lawrence Tannas E Jr | Apparatus and methods for resizing electronic displays |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5667935A (en) | 1981-06-08 |
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