JPS59175123A - ウエハ検出装置 - Google Patents
ウエハ検出装置Info
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- JPS59175123A JPS59175123A JP4882283A JP4882283A JPS59175123A JP S59175123 A JPS59175123 A JP S59175123A JP 4882283 A JP4882283 A JP 4882283A JP 4882283 A JP4882283 A JP 4882283A JP S59175123 A JPS59175123 A JP S59175123A
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- 235000015067 sauces Nutrition 0.000 claims 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、ウェハ検出装置に供り、特にドライプロセス
にてウェハに所定の処理を施二す半導体製造装置の処理
室に内設された電極でのウェハ載置有無を検出するのに
好適なウェハ検出装置に関するものである。
にてウェハに所定の処理を施二す半導体製造装置の処理
室に内設された電極でのウェハ載置有無を検出するのに
好適なウェハ検出装置に関するものである。
ドライエツチング装置、プラズマＣＶＤ装置。
スパッタリング装置等のドライプロセスにてウェハに所
定の処理を施こす半導体製造装置の処理室に内設された
電極でのウェハ載置有無を検出する従来の装置では、処
理室を介して光源と光検知器とを対向して配置し、ウェ
ハ載置台な兼ねる電極のウェハ載置位置に光源から発せ
られた光が透過可能な細孔を穿設して、細孔と、光検知
器に対向して処理室の底壁に設けられた透過窓とを透過
する光を光検知器で検知し、増中器を介して信号処理装
置で電極上にウェハが載置されているか否かを検出して
いたが、次のような欠点があった。
定の処理を施こす半導体製造装置の処理室に内設された
電極でのウェハ載置有無を検出する従来の装置では、処
理室を介して光源と光検知器とを対向して配置し、ウェ
ハ載置台な兼ねる電極のウェハ載置位置に光源から発せ
られた光が透過可能な細孔を穿設して、細孔と、光検知
器に対向して処理室の底壁に設けられた透過窓とを透過
する光を光検知器で検知し、増中器を介して信号処理装
置で電極上にウェハが載置されているか否かを検出して
いたが、次のような欠点があった。
（１）電極のウェハ載置位置に穿設された細孔の内部で
異常放電が生じ、それによりプラズマが不安定になるた
め、エツチング、薄膜形成の精度イ止 がヂ下する。
異常放電が生じ、それによりプラズマが不安定になるた
め、エツチング、薄膜形成の精度イ止 がヂ下する。
（２）処理室の底壁に設けた透過窓の表面に、反応生成
物が落下、堆積するよう（こなるため、光検知器での受
光状態が不安定となり、ウェハ検知機能が阻害される。
物が落下、堆積するよう（こなるため、光検知器での受
光状態が不安定となり、ウェハ検知機能が阻害される。
本発明の主な目的は、電極のウェハ載置位置での細孔を
不用奮こすることで、プラズマを安定化しエツチング、
薄膜形成の精度を向上できるウェハ検出装置を提供する
ことにある。
不用奮こすることで、プラズマを安定化しエツチング、
薄膜形成の精度を向上できるウェハ検出装置を提供する
ことにある。
本発明は、ウェハ検出装置を、レーザ発振器と、このレ
ーザ発振器から発射されるレーザ光をスキャニングする
反射鏡と、この反射鏡でスキャニングされるレーザ光を
処理室晋こ内股された電極のウェハ載置位置１こ向って
入射させると共にウェハ載置位置で反射されるレーザ光
を透過させる半透鏡と、ウェハ載置位置で反射され半透
鏡を透過するレーザ光を検出し、このレーザ光の強弱を
電気信号に変換する光検知器と、この光検知器からの電
気信号を処理する信号処理装置とで構成したことを特徴
とするもので、電極のウェハ載置位置で反射されるレー
ザ光の強弱によりウェハ載置位置でのウェハの有無を検
出できるようにし、ウェハ載置位置での細券を不用にし
ようとしたものである。
ーザ発振器から発射されるレーザ光をスキャニングする
反射鏡と、この反射鏡でスキャニングされるレーザ光を
処理室晋こ内股された電極のウェハ載置位置１こ向って
入射させると共にウェハ載置位置で反射されるレーザ光
を透過させる半透鏡と、ウェハ載置位置で反射され半透
鏡を透過するレーザ光を検出し、このレーザ光の強弱を
電気信号に変換する光検知器と、この光検知器からの電
気信号を処理する信号処理装置とで構成したことを特徴
とするもので、電極のウェハ載置位置で反射されるレー
ザ光の強弱によりウェハ載置位置でのウェハの有無を検
出できるようにし、ウェハ載置位置での細券を不用にし
ようとしたものである。
本発明の一実施例を図面により説明する。
図面は、本発明蕃こよるウェハ検出装置を平行平板型半
導体製造装置に適用した例で、減圧排気され、反応ガス
が導入される処理室１０にウェハ載置台を兼ね高周波電
源１１が接続された電極１２と対向し、その上方に内設
されアースされた対向電極１３には、電極１２のウェハ
載置位置に対応して穴１４が穿設され、処理室１０の頂
壁には、穴１４１こ対応した位置で透過窓１５が設けら
れている。処理室ｌＯの外側には、レーザ発振器頷と、
レーザ発振器頷から発射されるレーザ先金スキャニング
する反射鏡２１とが設けられ、また、反射鏡２１でスキ
ャニングさく以下、反射光と略）を透過させる半透鏡ｎ
が透過窓１５に対応して設けられている。また、半透鏡
ｎを透過した反射光の光軸上には、光検知器ｎが設けら
れ、光検知器ｎは、増幅器Ｕを介して信号処理袋［２５
に接続されている。
導体製造装置に適用した例で、減圧排気され、反応ガス
が導入される処理室１０にウェハ載置台を兼ね高周波電
源１１が接続された電極１２と対向し、その上方に内設
されアースされた対向電極１３には、電極１２のウェハ
載置位置に対応して穴１４が穿設され、処理室１０の頂
壁には、穴１４１こ対応した位置で透過窓１５が設けら
れている。処理室ｌＯの外側には、レーザ発振器頷と、
レーザ発振器頷から発射されるレーザ先金スキャニング
する反射鏡２１とが設けられ、また、反射鏡２１でスキ
ャニングさく以下、反射光と略）を透過させる半透鏡ｎ
が透過窓１５に対応して設けられている。また、半透鏡
ｎを透過した反射光の光軸上には、光検知器ｎが設けら
れ、光検知器ｎは、増幅器Ｕを介して信号処理袋［２５
に接続されている。
レーザ発振皿頭から発射されるレーザ光は反射鏡２１で
スキャニングされる。このスキャニングされるレーザ光
は、半透鏡ｎにより透過窓１５．穴１４を経て電＠稔の
ウェハ載置位置に入射される。その後、この入射された
レーザ光はウェハ載置位置で反射され、反射光は、穴１
４．透過窓１５．半透鏡ｎを経て光検知皿回で検知され
電気信号に変換される。この電気信号は、増幅器Ｕを介
して信号処理装置５に入力され処理される。
スキャニングされる。このスキャニングされるレーザ光
は、半透鏡ｎにより透過窓１５．穴１４を経て電＠稔の
ウェハ載置位置に入射される。その後、この入射された
レーザ光はウェハ載置位置で反射され、反射光は、穴１
４．透過窓１５．半透鏡ｎを経て光検知皿回で検知され
電気信号に変換される。この電気信号は、増幅器Ｕを介
して信号処理装置５に入力され処理される。
まず、電、１ｉｉ１２のウェハ載置位置に載置されてい
るウェハ蜀に透明なパターンが形成されている場合は、
透明なパターンでの干渉により反射光に強弱が生じるた
め、光検知器ｎで変換され、信号処理装置５で処理され
る電気信号曇こ強弱が生じ、その結果、電極１２のウェ
ハ載置位置にウェハ（資）が載置されていることが検出
される。また、電極計のウェハ載置位置に載置されてい
るウェハ加に不透明なパターンが形成されている場合は
、パターンの断面形状により反射光に強弱が生じるため
、光検知器部で変換され信号処理装置５で処理される電
気信号に強弱が生じ、その結果、電［ｊ１２のウェハ載
置位置にウェハ（資）が載置されていることが検出され
る。更に、電極１２のウェハ載置位置にウェハ（ト）が
載置されていない場合は、電極１２の表面が鏡面に研磨
されており、したがって、反射光に変化を生じないため
、光検知器久で変換され信号処理装置５で処理される電
気信号にも変化が生ぜず、その結果、電極刊のウェハ載
置位置にウェハ（資）が載置されていないことが検出さ
れる。
るウェハ蜀に透明なパターンが形成されている場合は、
透明なパターンでの干渉により反射光に強弱が生じるた
め、光検知器ｎで変換され、信号処理装置５で処理され
る電気信号曇こ強弱が生じ、その結果、電極１２のウェ
ハ載置位置にウェハ（資）が載置されていることが検出
される。また、電極計のウェハ載置位置に載置されてい
るウェハ加に不透明なパターンが形成されている場合は
、パターンの断面形状により反射光に強弱が生じるため
、光検知器部で変換され信号処理装置５で処理される電
気信号に強弱が生じ、その結果、電［ｊ１２のウェハ載
置位置にウェハ（資）が載置されていることが検出され
る。更に、電極１２のウェハ載置位置にウェハ（ト）が
載置されていない場合は、電極１２の表面が鏡面に研磨
されており、したがって、反射光に変化を生じないため
、光検知器久で変換され信号処理装置５で処理される電
気信号にも変化が生ぜず、その結果、電極刊のウェハ載
置位置にウェハ（資）が載置されていないことが検出さ
れる。
本実施例のようなウェハ検出装置では、次のような効果
が得られる。
が得られる。
（１）電極のウェハ載置位置での細孔を不用にできるの
で、異常放電が生じるのを防止でき、それによりプラズ
マが安定になるため、エツチング。
で、異常放電が生じるのを防止でき、それによりプラズ
マが安定になるため、エツチング。
薄膜形成の精度が向上する。
（２）処理室の底壁に透過窓を設ける必要がないので、
反応生成物によりウェハ検出機能が阻害されることがな
い。
反応生成物によりウェハ検出機能が阻害されることがな
い。
本発明は、以上説明したように、ウェハ検出装置を、レ
ーザ発振器と、このレーザ発振器から発射されるレーザ
光をスキャニングする反射鏡と、この反射鏡でスキャニ
ングされるレーザ光を電極のウェハ載置位置に向って入
射させると共に、反射光を透過させる半透鏡と、この半
透鏡を透過する反射光を検出し、この反射光の強弱を電
気信号にｍ変換する光検知器と、この光検知器〆の電気
信号を処理する信号処理装置とで構成したことで、電極
のウェハ載置位置での細孔を不用にできるので、プラズ
マを安定化でき、エツチング、薄膜形成の精度を向上で
きる効果がある。
ーザ発振器と、このレーザ発振器から発射されるレーザ
光をスキャニングする反射鏡と、この反射鏡でスキャニ
ングされるレーザ光を電極のウェハ載置位置に向って入
射させると共に、反射光を透過させる半透鏡と、この半
透鏡を透過する反射光を検出し、この反射光の強弱を電
気信号にｍ変換する光検知器と、この光検知器〆の電気
信号を処理する信号処理装置とで構成したことで、電極
のウェハ載置位置での細孔を不用にできるので、プラズ
マを安定化でき、エツチング、薄膜形成の精度を向上で
きる効果がある。
図面は、本発明によるウェハ検出装置の一実施例を示す
もので平行平板型半導体製造装置に適用した場合の構成
図である。 】０・・・・・・処理室、１２・・・・・・電極、加・
・・・・・レーザ発振器、２１・・・・・・反射鏡、ｎ
・・・・・・半透鏡、ｎ・・・・・・光検知、７゜
もので平行平板型半導体製造装置に適用した場合の構成
図である。 】０・・・・・・処理室、１２・・・・・・電極、加・
・・・・・レーザ発振器、２１・・・・・・反射鏡、ｎ
・・・・・・半透鏡、ｎ・・・・・・光検知、７゜
Claims (1)
- １、 レーザ発振器と、該発振器から発射されるレーザ
光をスキャニングする反射鏡と、該反射鏡でスキャニン
グされるレーザ光を処理室に内設された電極のウェハ載
置に向って入射させると共醤こ該載置位置で反射される
レーザ光を透過させる半透鏡と、該半透鏡を透過するレ
ーザ光を検出し該レーザ光の強弱を電気信号に変換する
光検知器と、該光検出器からの電気信号を処理する信号
処理装置とで構成したことを特徴とするウェハ検出装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4882283A JPS59175123A (ja) | 1983-03-25 | 1983-03-25 | ウエハ検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4882283A JPS59175123A (ja) | 1983-03-25 | 1983-03-25 | ウエハ検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59175123A true JPS59175123A (ja) | 1984-10-03 |
Family
ID=12813911
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4882283A Pending JPS59175123A (ja) | 1983-03-25 | 1983-03-25 | ウエハ検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59175123A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61187335A (ja) * | 1985-02-15 | 1986-08-21 | Matsushita Electronics Corp | プラズマ処理装置 |
| JPH02310383A (ja) * | 1989-05-08 | 1990-12-26 | Applied Materials Inc | 磁気的に強化された半導体処理用プラズマ反応システム |
-
1983
- 1983-03-25 JP JP4882283A patent/JPS59175123A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61187335A (ja) * | 1985-02-15 | 1986-08-21 | Matsushita Electronics Corp | プラズマ処理装置 |
| JPH02310383A (ja) * | 1989-05-08 | 1990-12-26 | Applied Materials Inc | 磁気的に強化された半導体処理用プラズマ反応システム |
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