JPS59175045A - 光学システム - Google Patents
光学システムInfo
- Publication number
- JPS59175045A JPS59175045A JP58047152A JP4715283A JPS59175045A JP S59175045 A JPS59175045 A JP S59175045A JP 58047152 A JP58047152 A JP 58047152A JP 4715283 A JP4715283 A JP 4715283A JP S59175045 A JPS59175045 A JP S59175045A
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- JP
- Japan
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- laser
- semiconductor laser
- light
- information board
- optical information
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利゛用分野〕
本発明は、半導体レーザが使用された光学システムに関
するもので、特に、光学式ビデオプレーヤや光学式オー
テイオプレーヤ等に適した光学システムに関するもので
ある。
するもので、特に、光学式ビデオプレーヤや光学式オー
テイオプレーヤ等に適した光学システムに関するもので
ある。
半導体レーザが用いられた光学システムにおいては、信
号が記録された光学的情報盤からの反射光が半導体レー
ザに戻ると、半導体レーザがノイズを発生することがあ
る。このため、従来から、主として光学的手段により反
射光が半導体レーザに戻ることが防止されている。第１
図は、この従来例を示す構成図である。
号が記録された光学的情報盤からの反射光が半導体レー
ザに戻ると、半導体レーザがノイズを発生することがあ
る。このため、従来から、主として光学的手段により反
射光が半導体レーザに戻ることが防止されている。第１
図は、この従来例を示す構成図である。
第１図において、半導体レーザ１から発射された前方光
２ａ 、 ２ｂ 、 ２Ｃ、２ｄは、コリメートレンズ
３、ミラー４、集光レンズ５などからなる光学系を介し
て、光学的情報盤６上に集光される。
２ａ 、 ２ｂ 、 ２Ｃ、２ｄは、コリメートレンズ
３、ミラー４、集光レンズ５などからなる光学系を介し
て、光学的情報盤６上に集光される。
一般に、半導体レーザｌから発射されるレーザ光は直線
偏光であり、光路中に４分の１波長板７を配置すること
により、前方光２ｄは円偏光となり、光学的情報盤６か
らの反射光９ａは、再び４分の１波長板７を通過すると
偏光方向が前方光２ａ 、 ２ｂ 、 ２ｃと９０°異
なった直線偏光の反射光９ｂとなる。さらに、偏光ビー
ムスプリッタ８が、４分の１波長板７と半導体レーザ１
との間に配置されていると、反射光９ｂは偏光ビームス
プリッタ８により反射され、反射光９Ｃとなり、凸レン
ズ１０に入射され、凸レンズｌＯにより検出器１１上に
導ひかれる。処理回路１２は、反射光９ｃに含まれる情
報を処理する。処理回路１２の出力信号は映像信号処理
回路や音声信号処理回路（図示せず）に供給される。ま
た、半導体レーザ１より発射される後方光１３は、モニ
タ検出器１４に入射され、レーザ駆動回路１５にフィー
ドバック動作をさせ、半導体レーザの出力を一定に保つ
構成になっている。
偏光であり、光路中に４分の１波長板７を配置すること
により、前方光２ｄは円偏光となり、光学的情報盤６か
らの反射光９ａは、再び４分の１波長板７を通過すると
偏光方向が前方光２ａ 、 ２ｂ 、 ２ｃと９０°異
なった直線偏光の反射光９ｂとなる。さらに、偏光ビー
ムスプリッタ８が、４分の１波長板７と半導体レーザ１
との間に配置されていると、反射光９ｂは偏光ビームス
プリッタ８により反射され、反射光９Ｃとなり、凸レン
ズ１０に入射され、凸レンズｌＯにより検出器１１上に
導ひかれる。処理回路１２は、反射光９ｃに含まれる情
報を処理する。処理回路１２の出力信号は映像信号処理
回路や音声信号処理回路（図示せず）に供給される。ま
た、半導体レーザ１より発射される後方光１３は、モニ
タ検出器１４に入射され、レーザ駆動回路１５にフィー
ドバック動作をさせ、半導体レーザの出力を一定に保つ
構成になっている。
上記した従来例においては、半導体レーザ１の発光波長
と４分の１波長板７の誤差、光学的情報盤６におけるリ
ターディシ四ン、偏光ビームスプリッタ８の不完全性な
どにより、一般には微量の反射光が偏向ビームスプリッ
タ８を通過し、半導体レーザ１に戻ることは避けられず
、半導体レーザ１に戻った反射光９ｄのために半導体レ
ーザ１の出射光量が変動し、ノイズを発生することがあ
る。半導体レーザ１がノイズを発生すると、当然、処理
回路１２の出力信号にはノイズが含すれることになる。
と４分の１波長板７の誤差、光学的情報盤６におけるリ
ターディシ四ン、偏光ビームスプリッタ８の不完全性な
どにより、一般には微量の反射光が偏向ビームスプリッ
タ８を通過し、半導体レーザ１に戻ることは避けられず
、半導体レーザ１に戻った反射光９ｄのために半導体レ
ーザ１の出射光量が変動し、ノイズを発生することがあ
る。半導体レーザ１がノイズを発生すると、当然、処理
回路１２の出力信号にはノイズが含すれることになる。
本発明の目的は、上記した従来例の欠点をなくシ、仮に
光字的情報盤で反射された反射光が再び半導体レーザに
入射されても、その反射光の影響か実質的に生じない光
学システムを提供することにある。
光字的情報盤で反射された反射光が再び半導体レーザに
入射されても、その反射光の影響か実質的に生じない光
学システムを提供することにある。
上記した目的を達成するため、本発明においては、半導
体レーザの出力を高速で断続させるとともに、オン期間
中に出射した前方光が光学的情報盤により反射された後
、半導体レーザｌこ戻ってくる時間領域にあっては、当
該半導体レーザの動作を停止せしめる。すなわち、半導
体レーザと光学的情報盤の間の光路長と半導体レーザの
出力を断続する周期および１周ル」中における半導体レ
ーザをオン状態にする期間の長さを適当に設定し、半導
体レーザに戻る反射光の影響をなくす。
体レーザの出力を高速で断続させるとともに、オン期間
中に出射した前方光が光学的情報盤により反射された後
、半導体レーザｌこ戻ってくる時間領域にあっては、当
該半導体レーザの動作を停止せしめる。すなわち、半導
体レーザと光学的情報盤の間の光路長と半導体レーザの
出力を断続する周期および１周ル」中における半導体レ
ーザをオン状態にする期間の長さを適当に設定し、半導
体レーザに戻る反射光の影響をなくす。
以下、本発明を実施例にもとづき説明する。
第２図は、本発明による光学システムの構成図である。
半導体レーザ１、コリメートレンズ３ミラー４、集光レ
ンズ５などの光学系は従来例とほぼ同等のものが使用さ
れる。４分の１波長板は除かれてもよく、この場合偏光
ビームスプリッタの位置ｌこはハーフミラ−１６が配ｔ
ｇれる。
ンズ５などの光学系は従来例とほぼ同等のものが使用さ
れる。４分の１波長板は除かれてもよく、この場合偏光
ビームスプリッタの位置ｌこはハーフミラ−１６が配ｔ
ｇれる。
また、半導体レーザ１は、その後方光１３をモニタ検出
器１４ヲ介し７てフィードバックされるレー／ ザ駆動回路１５により直流的に駆動され平均的な出力が
一定に保たれると同時に、高周波発振回路１７により、
交流的に駆動され、半導体レーザ１７Ｊ１ら発射される
レーザ光は高速で断続される。
器１４ヲ介し７てフィードバックされるレー／ ザ駆動回路１５により直流的に駆動され平均的な出力が
一定に保たれると同時に、高周波発振回路１７により、
交流的に駆動され、半導体レーザ１７Ｊ１ら発射される
レーザ光は高速で断続される。
第３図に、不発明における半導体レーザ１の断続の様子
と、元の進す方を、時間ｔを横軸として示す。第３図（
ａ）は、半導体レーザ位ｙ！ｔを位置０１光学的情報盤
位置を５χ直りとした光路を示し、第３図（ｂ）は半導
体レーザの断続を、オン状態３よびオン状態の２値で示
したものである。
と、元の進す方を、時間ｔを横軸として示す。第３図（
ａ）は、半導体レーザ位ｙ！ｔを位置０１光学的情報盤
位置を５χ直りとした光路を示し、第３図（ｂ）は半導
体レーザの断続を、オン状態３よびオン状態の２値で示
したものである。
時効ｔｏにおいて半導体レーザ１から発射されたレーザ
光２ａは、光速Ｃで進み、半導体レーザｌから光路長Ｉ
の距離にある光学的情報盤６で反射され、一部はハーフ
ミラ−１６で反射され反射光ｇ／ ｃとなり、残りは反
射光ｇ／ｄとなり時刻ｔ３半導体レーザ１から反射され
るレーザ光２／ ａの断続の周波数を周波数ｆ１１周期
に対するオン期間の割合をａ（Ｑ（ａ≦０．５）とすれ
ば、レーあり、この時刻ｔ２に出射した光は、同様に時
刻た断続周波数か周波数ｆであり、半導体レーザ１がオ
フ状態の期間は時刻ｔｌから時刻ｔ４（：＋：＋）・ま
で継続するので、次式（す、（２）が成立すれは、。
光２ａは、光速Ｃで進み、半導体レーザｌから光路長Ｉ
の距離にある光学的情報盤６で反射され、一部はハーフ
ミラ−１６で反射され反射光ｇ／ ｃとなり、残りは反
射光ｇ／ｄとなり時刻ｔ３半導体レーザ１から反射され
るレーザ光２／ ａの断続の周波数を周波数ｆ１１周期
に対するオン期間の割合をａ（Ｑ（ａ≦０．５）とすれ
ば、レーあり、この時刻ｔ２に出射した光は、同様に時
刻た断続周波数か周波数ｆであり、半導体レーザ１がオ
フ状態の期間は時刻ｔｌから時刻ｔ４（：＋：＋）・ま
で継続するので、次式（す、（２）が成立すれは、。
戻り光９’ｄが半導体レーザ１に入射する時には半導体
レーザ１はオフ状態となる。
レーザ１はオフ状態となる。
８２タ
ーく− ・・・（１１
−ｃ
ａ ２１ １
了十−ε−≦了＝−（２）
但しＯ’＜ａ≦０．５
式（りおよび式（２）を整理すると、式（３）（１−ａ
）Ｃ −≦１≦ ２ｆ ・・・（３） ｆ 但し０＜ａ≦０．５ となる。ちなみに、ａ＝０．５、ｆ ＝６００ＭＨｚと
すると、１１ ＝１２．５ｃｍとなり、実用上、光学シ
ステムとしての構成に適当な光路長となる。
）Ｃ −≦１≦ ２ｆ ・・・（３） ｆ 但し０＜ａ≦０．５ となる。ちなみに、ａ＝０．５、ｆ ＝６００ＭＨｚと
すると、１１ ＝１２．５ｃｍとなり、実用上、光学シ
ステムとしての構成に適当な光路長となる。
式（３）を満足する条件のもとて光路長を設定し、高周
波で半導体レーザｌから発射されるレーザ光を断続した
場合、半導体レーザ１は、笑質上戻り元９’ｄの影響を
受けず、光学的情報盤６のリターデイシ冒ンの変化など
によりノイズレベルが上昇することがなくなる。第２図
に示された例においては、ハーフミラ−１６を用いてい
るため、第１図（こ示した従来例と比較して、検出器１
１に到達する光量は略４分の１、すなわち−１２ｄＢと
なるが、従来においては戻り光９ｄによるレーザノイズ
の上昇は２ＱｄＢ以上に達する場合もあるため、従来例
と比較ｒれば本発明は実用上、支障にはなら１よい。
波で半導体レーザｌから発射されるレーザ光を断続した
場合、半導体レーザ１は、笑質上戻り元９’ｄの影響を
受けず、光学的情報盤６のリターデイシ冒ンの変化など
によりノイズレベルが上昇することがなくなる。第２図
に示された例においては、ハーフミラ−１６を用いてい
るため、第１図（こ示した従来例と比較して、検出器１
１に到達する光量は略４分の１、すなわち−１２ｄＢと
なるが、従来においては戻り光９ｄによるレーザノイズ
の上昇は２ＱｄＢ以上に達する場合もあるため、従来例
と比較ｒれば本発明は実用上、支障にはなら１よい。
なお、上記の実′１Ｍ例においては、４分の１波長板が
除かれ、偏光ビームスグリツタに代えてハーフミラ−１
６が使用されたが、従来同様４分の１波長板及び偏光ビ
ームスプリッタが使用されてもよく、この場合には、従
来のものよりさらに性能が向上することはもちろんであ
る。
除かれ、偏光ビームスグリツタに代えてハーフミラ−１
６が使用されたが、従来同様４分の１波長板及び偏光ビ
ームスプリッタが使用されてもよく、この場合には、従
来のものよりさらに性能が向上することはもちろんであ
る。
また、半導体レーザｌの筐筒０及び光学的情報盤６の位
置りとの距離が上記光路長１の３倍に選ばれた場合にお
いては、戻り光９′ｄが時刻ｔ５から時刻ｔ８の間の時
刻ｔ６から時刻ｔ７の間に再び半導体レーザ１に戻って
くる。時刻ｔ５から時刻ｔ８の間においでも、半導体レ
ーザ１はオフ状態にあり、それ故、子導体レーザ１は戻
り光ｇ／ｄの影響を受けな−）。
置りとの距離が上記光路長１の３倍に選ばれた場合にお
いては、戻り光９′ｄが時刻ｔ５から時刻ｔ８の間の時
刻ｔ６から時刻ｔ７の間に再び半導体レーザ１に戻って
くる。時刻ｔ５から時刻ｔ８の間においでも、半導体レ
ーザ１はオフ状態にあり、それ故、子導体レーザ１は戻
り光ｇ／ｄの影響を受けな−）。
それ故、一般的に光路Ｈ１ｔ、周波数ｆ１１周期におけ
るオン期間の割合ａが（４）式のような関係に選ばれれ
ば、戻り元ｇ／ｄの影響がｌＡ くなる（ ｎ＝１．２
，３．４・・・〕 第４図に、本発明の他の実施例を示す。この実施例では
半導体レーザ１から発射された前方光２は、コリメート
レンズ３、ミラー４、集光レンズ５を介して光学的情報
盤６に到る。反射光９ａは上記した経路を逆に通って、
オフ期間中の半導体レーザ１の端−丁に集光される。こ
の場合、半導体レーザ１は、高屈折率の光ガイドとして
機能し、反射光９’ｄの一部は半導体レーザ１の後方を
こ導η）れる。したがって、・陵方光Ｊ３は高周波で断
続する光に、光学的情報盤６（こおける反射の際に受け
る情報をもった戻り光９’ｄが重畳されたものとなる。
るオン期間の割合ａが（４）式のような関係に選ばれれ
ば、戻り元ｇ／ｄの影響がｌＡ くなる（ ｎ＝１．２
，３．４・・・〕 第４図に、本発明の他の実施例を示す。この実施例では
半導体レーザ１から発射された前方光２は、コリメート
レンズ３、ミラー４、集光レンズ５を介して光学的情報
盤６に到る。反射光９ａは上記した経路を逆に通って、
オフ期間中の半導体レーザ１の端−丁に集光される。こ
の場合、半導体レーザ１は、高屈折率の光ガイドとして
機能し、反射光９’ｄの一部は半導体レーザ１の後方を
こ導η）れる。したがって、・陵方光Ｊ３は高周波で断
続する光に、光学的情報盤６（こおける反射の際に受け
る情報をもった戻り光９’ｄが重畳されたものとなる。
光学的情報盤６のトラック（図示せず）に平行な境界線
で２領域に分割されたモニタ検出器１４．ａ、１４ｂの
２クリ出力１目号は、加算回路１８により加算され、直
流成分はレーザ駆動回路１５にフィードバックされると
ともに、筒周波成分（凡）″帝城成刀）は、１６Ｆ処理
回路１９に供給される。また、２つのモニタ検出器１４
ａ、１４ｂの出力信号は差動回路２０を介してトラッキ
ング制御（ロ）路に供給され、集ブＣレンス５のトラッ
キング制御として使用される。
で２領域に分割されたモニタ検出器１４．ａ、１４ｂの
２クリ出力１目号は、加算回路１８により加算され、直
流成分はレーザ駆動回路１５にフィードバックされると
ともに、筒周波成分（凡）″帝城成刀）は、１６Ｆ処理
回路１９に供給される。また、２つのモニタ検出器１４
ａ、１４ｂの出力信号は差動回路２０を介してトラッキ
ング制御（ロ）路に供給され、集ブＣレンス５のトラッ
キング制御として使用される。
なお、化５図は、このように分割された受光領域をもつ
モニタ検出器１４ａ、１４ｂを使用する場合の、更に好
適な回路ｆｌｌを六すブロック図である。本回路例にお
いては、第４因の実施例と略同−の構成におい゛Ｃ１高
周波発振回路１７の出力を反転回路２２により反転し、
ＲＦ処理回路１９およびトラッキング制御回路２１の前
段に挿入されたゲート回路２３および２４をスイツチン
グする。
モニタ検出器１４ａ、１４ｂを使用する場合の、更に好
適な回路ｆｌｌを六すブロック図である。本回路例にお
いては、第４因の実施例と略同−の構成におい゛Ｃ１高
周波発振回路１７の出力を反転回路２２により反転し、
ＲＦ処理回路１９およびトラッキング制御回路２１の前
段に挿入されたゲート回路２３および２４をスイツチン
グする。
本構成によれば、ＲＦ信号処理回路１９Ｊｊよびトラツ
キンク処理回路２１への入力信号は、ケート回路２３
、２４により選択され半導体レーザｌがオフ状態の場合
の後方光１３からのみ与えられる信号だけとなるため、
良好な信号処理が可能となる。
キンク処理回路２１への入力信号は、ケート回路２３
、２４により選択され半導体レーザｌがオフ状態の場合
の後方光１３からのみ与えられる信号だけとなるため、
良好な信号処理が可能となる。
以上、説明したごとく、本発明によれば、光学的情報盤
からの戻り光による半導体レーザに対する悪影響がなく
なり、これによるレーザソイズの発生が防止できる。
からの戻り光による半導体レーザに対する悪影響がなく
なり、これによるレーザソイズの発生が防止できる。
第６図に、高周波発振回路の一実施例を示す図において
、３０は電圧制御回路、１７は、本発明に好適な高周波
発振回路で、一般的な短縮入／２形共振器を用いたベー
ス接地のクラップ形発振回路である。３１は結合コンデ
ンサであり、半導体レーザ１に結合されている。モニタ
検出器１４は、半導体レーザ１の後方光１３ヲ検出し、
チリ−クコイル３２ｂを介してレーザ駆動回路１５を制
御し、その出力はチ目−クコイル３２ａ−ｉ介して半導
体レーザ１を直流的に駆動する。
、３０は電圧制御回路、１７は、本発明に好適な高周波
発振回路で、一般的な短縮入／２形共振器を用いたベー
ス接地のクラップ形発振回路である。３１は結合コンデ
ンサであり、半導体レーザ１に結合されている。モニタ
検出器１４は、半導体レーザ１の後方光１３ヲ検出し、
チリ−クコイル３２ｂを介してレーザ駆動回路１５を制
御し、その出力はチ目−クコイル３２ａ−ｉ介して半導
体レーザ１を直流的に駆動する。
第１図は光ヘッドの従来例における構成図、第２図は本
発明による構成図、第３図は高周波による半導体レーザ
の断続と大略との時間関係を示す説明図、第４図は本発
明の第２の実施例の構成図、第５図は、第２の実施例に
おける回路構成の他の例を示す構成図である。 なお第６図は本発明の実施に好適な高周波発振回路の回
路図である。 １・・・半導体レーザ ６・・・光学的情報盤１１
・・・検出器 ′７ １４・・・モニタ検出器１５
・・・レーザ駆動回路 １７・・・高周波発振回路（レーザ光制御手段）第 ７
図 （（） 茅 ２図 に ′１− オ ス 第４２ 第 ６ 図 ２５９−
発明による構成図、第３図は高周波による半導体レーザ
の断続と大略との時間関係を示す説明図、第４図は本発
明の第２の実施例の構成図、第５図は、第２の実施例に
おける回路構成の他の例を示す構成図である。 なお第６図は本発明の実施に好適な高周波発振回路の回
路図である。 １・・・半導体レーザ ６・・・光学的情報盤１１
・・・検出器 ′７ １４・・・モニタ検出器１５
・・・レーザ駆動回路 １７・・・高周波発振回路（レーザ光制御手段）第 ７
図 （（） 茅 ２図 に ′１− オ ス 第４２ 第 ６ 図 ２５９−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 レーザ光を発射する半導体レーザと、半導体レーザに接
続され、半導体レーザから発射されるレーザ光をオン、
オフするレーザ光制御手段と、半導体レーザから発射さ
れたレーザ光を光学的情報盤上に集光する光学装置と、
光学的情報盤上に集光され、光学的情報盤で反射された
レーザ光を検出する検出器を備え、半導体レーザから光
学的情報盤までの光学的距離Ｉが次式により与えられて
いることを特徴とする半導体レーザが使用された光学シ
ステム。 ｆ・・・半導体レーザから発射されるレーザ光をオン、
オフするくり返し周波数 ａ・・・レーザ光がオン、オフされる周期におけるオン
期間の割合（０＜ａ≦０．５）Ｃ・・・空気中における
レーザ光の速度ｎ・・・１以上の値の任意の整数
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58047152A JPS59175045A (ja) | 1983-03-23 | 1983-03-23 | 光学システム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58047152A JPS59175045A (ja) | 1983-03-23 | 1983-03-23 | 光学システム |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5226848A Division JP2661518B2 (ja) | 1993-09-13 | 1993-09-13 | 光学的情報処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59175045A true JPS59175045A (ja) | 1984-10-03 |
| JPH0466059B2 JPH0466059B2 (ja) | 1992-10-22 |
Family
ID=12767116
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58047152A Granted JPS59175045A (ja) | 1983-03-23 | 1983-03-23 | 光学システム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59175045A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60101735A (ja) * | 1983-11-09 | 1985-06-05 | Hitachi Ltd | 光ピツク・アツプ装置 |
| JPH01105336A (ja) * | 1987-07-29 | 1989-04-21 | Hitachi Ltd | 光学式情報記録再生装置 |
| JPH01232544A (ja) * | 1988-03-10 | 1989-09-18 | Sony Corp | 光学記録媒体の再生装置 |
| JP2007522594A (ja) * | 2004-02-09 | 2007-08-09 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 最適化された外部キャビティを使用する光データ記録再生システムで緩和発振によりフィードバックノイズを低減させるためのシステム |
-
1983
- 1983-03-23 JP JP58047152A patent/JPS59175045A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60101735A (ja) * | 1983-11-09 | 1985-06-05 | Hitachi Ltd | 光ピツク・アツプ装置 |
| JPH01105336A (ja) * | 1987-07-29 | 1989-04-21 | Hitachi Ltd | 光学式情報記録再生装置 |
| JPH01232544A (ja) * | 1988-03-10 | 1989-09-18 | Sony Corp | 光学記録媒体の再生装置 |
| JP2007522594A (ja) * | 2004-02-09 | 2007-08-09 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 最適化された外部キャビティを使用する光データ記録再生システムで緩和発振によりフィードバックノイズを低減させるためのシステム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0466059B2 (ja) | 1992-10-22 |
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