JPS5917252A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS5917252A JPS5917252A JP57125632A JP12563282A JPS5917252A JP S5917252 A JPS5917252 A JP S5917252A JP 57125632 A JP57125632 A JP 57125632A JP 12563282 A JP12563282 A JP 12563282A JP S5917252 A JPS5917252 A JP S5917252A
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- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
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- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は耐湿性を向上させた半導体装置の製造方法に関
する。
する。
一般に半導体ベレット上の配線材料としては、電気的性
能、経済性、加工性等の観点からアルミニウムが用いら
れているが、その最大の弱点は湿度による腐食である。
能、経済性、加工性等の観点からアルミニウムが用いら
れているが、その最大の弱点は湿度による腐食である。
特に経済性の点から多く用いられている樹脂封止品にお
いては、外部からの水分の侵入によるアルミニウム腐食
が重要な問題となる。このため、第1図に示すように従
来半導体素子の電気的特性の安定化を図る目的とあわせ
て、アルミニウム配線膜1上にガラス絶縁保護膜2が施
されて来た。しかしこのガラス絶縁保護膜2は、半導体
ペレットと外部リードフレーム3との電気的接続を行う
ために、金属ワイヤ4による接続が必要であり、このた
め上記ガラス絶縁保護膜2は金属ワイヤ4の接続前にあ
らかじめ所定の領域が開口され、アルミニウム配線膜1
はポンディングパッド部5として一部露出する。上記ポ
ンディングパッド部5は金属ワイヤ4の接続によっても
完全に棟れることはない。また前記ガラス絶縁保護膜2
は完全無欠陥に製造することは困難であり、ピンホール
やクラックが存在し、アルミニウム配線膜1の一部が露
出する。従来の半導体装置の製造方法では、上記した様
にアルミニウムの一部が露出したまま刺止を行っていた
ので、侵入水分によるアルミニウム腐食不良が発生する
という欠点があった。
いては、外部からの水分の侵入によるアルミニウム腐食
が重要な問題となる。このため、第1図に示すように従
来半導体素子の電気的特性の安定化を図る目的とあわせ
て、アルミニウム配線膜1上にガラス絶縁保護膜2が施
されて来た。しかしこのガラス絶縁保護膜2は、半導体
ペレットと外部リードフレーム3との電気的接続を行う
ために、金属ワイヤ4による接続が必要であり、このた
め上記ガラス絶縁保護膜2は金属ワイヤ4の接続前にあ
らかじめ所定の領域が開口され、アルミニウム配線膜1
はポンディングパッド部5として一部露出する。上記ポ
ンディングパッド部5は金属ワイヤ4の接続によっても
完全に棟れることはない。また前記ガラス絶縁保護膜2
は完全無欠陥に製造することは困難であり、ピンホール
やクラックが存在し、アルミニウム配線膜1の一部が露
出する。従来の半導体装置の製造方法では、上記した様
にアルミニウムの一部が露出したまま刺止を行っていた
ので、侵入水分によるアルミニウム腐食不良が発生する
という欠点があった。
この様な従来方法の欠点を無くするために。
種々の提案が行われてきた。その主なものには陽極酸化
、高温純水中浸演、純水煮沸等によりアルミニウム表面
に酸化膜もしくは水酸化アルミニウムを形成させる方法
がある。しかし、これらはいずれもいわゆる”wet”
プロセスであり、半導体ペレット表面の汚染や、異物付
着が懸念されろという欠点があった。
、高温純水中浸演、純水煮沸等によりアルミニウム表面
に酸化膜もしくは水酸化アルミニウムを形成させる方法
がある。しかし、これらはいずれもいわゆる”wet”
プロセスであり、半導体ペレット表面の汚染や、異物付
着が懸念されろという欠点があった。
本発明の目的は5判乙導体ベレ7ト上の露出したアルミ
ニウム表面に、“dry”プロセスによりアルミニウム
酸化被膜を形成する方法を提供することにある。
ニウム表面に、“dry”プロセスによりアルミニウム
酸化被膜を形成する方法を提供することにある。
本発明は、半導体ペレットと、外部IJ −fl−L′
とを金属ワイヤで接続した後に、酸素プラズマにより、
半導体ベレット上のアルミニウムの露出部および、上記
金属ワイヤがアルミニウムの場合は、このアルミニウム
ワイヤの表面にアルミニウム酸化被膜を形成し、しかる
後に刺止を行うこと罠よって、耐湿信頼性を向上させる
よ5にしたことを特徴とする半導体装置の製造方法であ
る。
とを金属ワイヤで接続した後に、酸素プラズマにより、
半導体ベレット上のアルミニウムの露出部および、上記
金属ワイヤがアルミニウムの場合は、このアルミニウム
ワイヤの表面にアルミニウム酸化被膜を形成し、しかる
後に刺止を行うこと罠よって、耐湿信頼性を向上させる
よ5にしたことを特徴とする半導体装置の製造方法であ
る。
以下1、本発明の実施例を第2図に基づき説明する。ま
ず半導体ペレット上のポンディングパッド部5と外部リ
ードフレーム6とを金属ワイヤ4によって接続し、その
後酸素プラズマ中に所定の時間放置し、半導体ベレット
上のアルミニウム露出部にアルミニウム酸化被膜6を形
成する。しかる後に樹脂7で刺止する。
ず半導体ペレット上のポンディングパッド部5と外部リ
ードフレーム6とを金属ワイヤ4によって接続し、その
後酸素プラズマ中に所定の時間放置し、半導体ベレット
上のアルミニウム露出部にアルミニウム酸化被膜6を形
成する。しかる後に樹脂7で刺止する。
上記酸素プラズマの灸件(酸素流量、プラズマ発生パワ
ー、時間等)はプラズマ装置及び所望のアルミニウム酸
化被膜厚さによって適宜設定される。
ー、時間等)はプラズマ装置及び所望のアルミニウム酸
化被膜厚さによって適宜設定される。
尚、本実施例ではプラスチック樹脂でモールドされた場
合を示しているが、本発明はこれに限定されるものでは
ない。
合を示しているが、本発明はこれに限定されるものでは
ない。
本発明によれば、半導体ベレット上の露出したアルミニ
ウム上にアルミニウム酸化被膜を形成できるので、水分
によるアルミニウム腐食を阻止することができる。また
金属ワイヤがアルミニウムの場合は、アルミニウムワイ
ヤの表面にもアルミニウム酸化被膜が形成され、水分圧
よるアルミニウムワイヤ腐食を阻止することができる。
ウム上にアルミニウム酸化被膜を形成できるので、水分
によるアルミニウム腐食を阻止することができる。また
金属ワイヤがアルミニウムの場合は、アルミニウムワイ
ヤの表面にもアルミニウム酸化被膜が形成され、水分圧
よるアルミニウムワイヤ腐食を阻止することができる。
また本発明による方法は、”dry”プロセスであるた
め、半導体ペレットの汚染、異物付着を極力少な(する
ことができる。
め、半導体ペレットの汚染、異物付着を極力少な(する
ことができる。
第1図は従来の製造方法による半導体装置の縦断面図、
第2図は本発明の一実施例の製造方法を用いた半導体装
置の縦断面図である。 1・・・アルミニウム配線膜 2・・・ガラス絶縁保護膜 3・・・外部リードフレーム 4・・・金属ワイヤ 5・・・ポンディングパッド部 6・・・アルミニウム酸化被膜 7・・・樹脂 8・・8i酸化膜 9・・・8皿 第1図 第2 図
第2図は本発明の一実施例の製造方法を用いた半導体装
置の縦断面図である。 1・・・アルミニウム配線膜 2・・・ガラス絶縁保護膜 3・・・外部リードフレーム 4・・・金属ワイヤ 5・・・ポンディングパッド部 6・・・アルミニウム酸化被膜 7・・・樹脂 8・・8i酸化膜 9・・・8皿 第1図 第2 図
Claims (1)
- 1 半導体ペレット上のアルミニウムにより形成さ扛た
ポンディングパッドと、外部リードフレームとを金属ワ
イヤで接続した後、酸素プラズマにより、露出して(・
るアルミニウム膜表面にアルミニウム酸化被膜を形成す
ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57125632A JPS5917252A (ja) | 1982-07-21 | 1982-07-21 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57125632A JPS5917252A (ja) | 1982-07-21 | 1982-07-21 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5917252A true JPS5917252A (ja) | 1984-01-28 |
Family
ID=14914845
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57125632A Pending JPS5917252A (ja) | 1982-07-21 | 1982-07-21 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5917252A (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US8656888B2 (en) | 2011-07-28 | 2014-02-25 | Pratt & Whitney Canada Corp. | Rotary internal combustion engine with variable volumetric compression ratio |
US8893684B2 (en) | 2011-07-28 | 2014-11-25 | Pratt & Whitney Canada Corp. | Rotary internal combustion engine with exhaust purge |
US9038594B2 (en) | 2011-07-28 | 2015-05-26 | Pratt & Whitney Canada Corp. | Rotary internal combustion engine with pilot subchamber |
US9528434B1 (en) | 2011-07-28 | 2016-12-27 | Pratt & Whitney Canada Corp. | Rotary internal combustion engine with pilot subchamber |
US10544732B2 (en) | 2011-07-28 | 2020-01-28 | Pratt & Whitney Canada Corp. | Rotary internal combustion engine with removable subchamber insert |
US10557407B2 (en) | 2011-07-28 | 2020-02-11 | Pratt & Whitney Canada Corp. | Rotary internal combustion engine with pilot subchamber |
US10801394B2 (en) | 2017-11-29 | 2020-10-13 | Pratt & Whitney Canada Corp. | Rotary engine with pilot subchambers |
US11215110B2 (en) | 2017-10-10 | 2022-01-04 | Pratt & Whitney Canada Corp. | Rotary engine and method of combusting fuel |
-
1982
- 1982-07-21 JP JP57125632A patent/JPS5917252A/ja active Pending
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JPH0827461B2 (ja) * | 1987-03-18 | 1996-03-21 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示パネル及びその製造方法 |
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