JPS59172257A - 半導体パツケ−ジ用ヒ−トシンク付ガラス端子の製造方法 - Google Patents
半導体パツケ−ジ用ヒ−トシンク付ガラス端子の製造方法Info
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- JPS59172257A JPS59172257A JP58046882A JP4688283A JPS59172257A JP S59172257 A JPS59172257 A JP S59172257A JP 58046882 A JP58046882 A JP 58046882A JP 4688283 A JP4688283 A JP 4688283A JP S59172257 A JPS59172257 A JP S59172257A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
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- H01L21/4878—Mechanical treatment, e.g. deforming
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はヒートシンクの半導体素子固定面たる垂直壁を
ポンチで平押しして位置決め精度を出す半導体パッケー
ジ用ヒートシンク付ガラス端子の製造方法に関する。
ポンチで平押しして位置決め精度を出す半導体パッケー
ジ用ヒートシンク付ガラス端子の製造方法に関する。
高出力の光半導体素子を搭載するガラス端子においては
、素子の熟成ｔ１ｋを図るべく、銅その他の熱伝導率の
高い素材を用いたヒートシンクに素子を固定している。
、素子の熟成ｔ１ｋを図るべく、銅その他の熱伝導率の
高い素材を用いたヒートシンクに素子を固定している。
このヒートシンクはコバール（Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金）
、Ｆｅ−Ｎｉ合金、軟鋼等を素材とするアイレット（金
属外環）の上面の所定位置に、銀や銀ろうなどの接合材
を用いて固着される。
、Ｆｅ−Ｎｉ合金、軟鋼等を素材とするアイレット（金
属外環）の上面の所定位置に、銀や銀ろうなどの接合材
を用いて固着される。
これらガラス端子はディジタルオーディオディスク等に
使用されるものであり、発振光の軸ずれの許容度は小さ
く、前記のヒートシンクはアイレット上面において、そ
の素子固定面たる垂直平面位置が高い位置決め精度で固
着されることが要求される。
使用されるものであり、発振光の軸ずれの許容度は小さ
く、前記のヒートシンクはアイレット上面において、そ
の素子固定面たる垂直平面位置が高い位置決め精度で固
着されることが要求される。
従来上記し−Ｉ・シンクをアイレット上面に固着するに
は、第１図に示すように、ヒートシンク１の挿入孔２を
有するカーボン治具３を用いて、該挿入孔２に落とし込
まれたヒートシンク１の上面に錘４を載せて加重し、所
定の炉内で約８００°Ｃに加熱してヒートシンク１をア
イシソ１−５上面に銀ろう６を用いてろう付けしていた
。ところで上記カーボン治具の熱膨張係数は４０×１０
−７／℃であ−２°（、ヒートシンク１の素材たる銅の
ｊ：ハ膨張係数２００ ｘ １０−７／’ｃよりも小さ
いことから、ろう付は時のヒートシンク１の膨張を考慮
して、１１ｉ記の挿入孔２の内径はヒートシンク１の外
径よりも大きく設定されている。そしてろうイ」ケの高
温時にはヒートシンク１が膨張して挿入孔２との間隙が
小となり、ヒートシンク１は挿入孔２に規制されてほぼ
所要の位置に位置決めされることとなる。しかしながら
上記にあってはヒートシンク１が冷却して収縮する際に
熱膨張率の差異により再び挿入孔２との間に隙間が生じ
、ヒートシンク１が収縮する際のアイレット５上面との
不均一な接触抵抗や固化するまでのろう材の流れの不均
一等に起因し、ヒートシンク１が挿入孔２内で動いてし
まい、その素子固定面たる垂直壁の要求される位置決め
精度が出ない難点がある。
は、第１図に示すように、ヒートシンク１の挿入孔２を
有するカーボン治具３を用いて、該挿入孔２に落とし込
まれたヒートシンク１の上面に錘４を載せて加重し、所
定の炉内で約８００°Ｃに加熱してヒートシンク１をア
イシソ１−５上面に銀ろう６を用いてろう付けしていた
。ところで上記カーボン治具の熱膨張係数は４０×１０
−７／℃であ−２°（、ヒートシンク１の素材たる銅の
ｊ：ハ膨張係数２００ ｘ １０−７／’ｃよりも小さ
いことから、ろう付は時のヒートシンク１の膨張を考慮
して、１１ｉ記の挿入孔２の内径はヒートシンク１の外
径よりも大きく設定されている。そしてろうイ」ケの高
温時にはヒートシンク１が膨張して挿入孔２との間隙が
小となり、ヒートシンク１は挿入孔２に規制されてほぼ
所要の位置に位置決めされることとなる。しかしながら
上記にあってはヒートシンク１が冷却して収縮する際に
熱膨張率の差異により再び挿入孔２との間に隙間が生じ
、ヒートシンク１が収縮する際のアイレット５上面との
不均一な接触抵抗や固化するまでのろう材の流れの不均
一等に起因し、ヒートシンク１が挿入孔２内で動いてし
まい、その素子固定面たる垂直壁の要求される位置決め
精度が出ない難点がある。
本発明は」二記難点に鑑めてなされ、その目的とすると
ころは、ビー１−シンクの素子固定面たる垂直壁が高い
位置決め精度で形成しうる、アイレットの上面にヒート
シンクを位置決めして固着する半導体パソゲージ用ヒー
トシンク付ガラスｅｌｊｌ、ｌ子の製造方法において、
前記ヒートシンクの半導体素子を固定する垂直壁が該半
導体素子を固定することとなる最終的な位置よりも若干
突出するように固着し、しかる後に前記垂直壁の所要箇
所をポンチで平押しして半導体素子固定面を所定位置に
形成することを特徴とする半導体パッケージ用ヒートシ
ンク付ガラス端子の製造方法を提供するにある。
ころは、ビー１−シンクの素子固定面たる垂直壁が高い
位置決め精度で形成しうる、アイレットの上面にヒート
シンクを位置決めして固着する半導体パソゲージ用ヒー
トシンク付ガラスｅｌｊｌ、ｌ子の製造方法において、
前記ヒートシンクの半導体素子を固定する垂直壁が該半
導体素子を固定することとなる最終的な位置よりも若干
突出するように固着し、しかる後に前記垂直壁の所要箇
所をポンチで平押しして半導体素子固定面を所定位置に
形成することを特徴とする半導体パッケージ用ヒートシ
ンク付ガラス端子の製造方法を提供するにある。
以下添付図面に基づき本発明の好適な実施例を詳細に説
明する。
明する。
第２図は組付は治具と組付は方法を示すものであり、第
１図の従来例とほぼ同様であるので同一部材は同一符号
をもって示し、その説明は省略する。相違する点は、挿
入孔２の位置が第１図に示すものに比して、挿入すべき
ヒートシンク１の垂直壁７方向に若干偏寄して設けられ
ていることのみである。
１図の従来例とほぼ同様であるので同一部材は同一符号
をもって示し、その説明は省略する。相違する点は、挿
入孔２の位置が第１図に示すものに比して、挿入すべき
ヒートシンク１の垂直壁７方向に若干偏寄して設けられ
ていることのみである。
しかして上記組付は治具３を用いて通常の条件でアイレ
ソｌ−５上面にピー１〜シンク１を固着すると、ヒート
シンク１の垂直壁７位置は、前述のように冷却過程てヒ
ートシンク１が挿入孔２内で動いたとしても、常に最終
的な１４導体素子固定面の位置よりも若干突出した状態
で固着されることとなる（挿入（′Ｌ２位置がそのよう
に設定されている）。
ソｌ−５上面にピー１〜シンク１を固着すると、ヒート
シンク１の垂直壁７位置は、前述のように冷却過程てヒ
ートシンク１が挿入孔２内で動いたとしても、常に最終
的な１４導体素子固定面の位置よりも若干突出した状態
で固着されることとなる（挿入（′Ｌ２位置がそのよう
に設定されている）。
続いてポンチでの平押し工程について説明する。
第３図において、８はアイレット載置台であり、」二面
にアイレット収容部９が凹設されている。１０はアイレ
ット固定具であり、アイレット収容部９に位置決め保持
されているアイレット５のフランジ部を挾圧してアイレ
ット５を固定するものである。アイレット固定具１０の
ｊｕｌ＋壁にはポンチを水平方向に案内する透孔１１が
所定高さ位置に透設されている。１２はポンチであり、
上記透孔１１からアイレット固定具１０内に水平に突入
可能になっており、下端膨出部１３がアイレット固定具
１０側壁に衝止することによってボンデ１２先端の押圧
面が、ヒートシンク１の垂直壁７の最終的な半導体素子
固定面の位置まで突入するように規制される。
にアイレット収容部９が凹設されている。１０はアイレ
ット固定具であり、アイレット収容部９に位置決め保持
されているアイレット５のフランジ部を挾圧してアイレ
ット５を固定するものである。アイレット固定具１０の
ｊｕｌ＋壁にはポンチを水平方向に案内する透孔１１が
所定高さ位置に透設されている。１２はポンチであり、
上記透孔１１からアイレット固定具１０内に水平に突入
可能になっており、下端膨出部１３がアイレット固定具
１０側壁に衝止することによってボンデ１２先端の押圧
面が、ヒートシンク１の垂直壁７の最終的な半導体素子
固定面の位置まで突入するように規制される。
しかして前記のごとくヒートシンク１をその垂直壁７が
半導体素子固定面の位置よりも若干突出するように固着
されたアイレット５をアイレット収容部９に収納すると
ともにアイレット固定具１０でそのフランジ部上面を挾
圧して固定し、透孔１１からポンチ１２を突入させるこ
とによって、ヒートシンク１の垂直壁７の所要箇所を塑
性変形させ、所定位置に素子固定面を形成することがで
きる。
半導体素子固定面の位置よりも若干突出するように固着
されたアイレット５をアイレット収容部９に収納すると
ともにアイレット固定具１０でそのフランジ部上面を挾
圧して固定し、透孔１１からポンチ１２を突入させるこ
とによって、ヒートシンク１の垂直壁７の所要箇所を塑
性変形させ、所定位置に素子固定面を形成することがで
きる。
第４図はこのようにして製造された半導体パ・７ケージ
用ヒートシンク付ガラス端子の実施例を示す。
用ヒートシンク付ガラス端子の実施例を示す。
表１に従来方法で！！！造したものと本発明方法を採用
したものとの比較試験結果を示す。
したものとの比較試験結果を示す。
表１
以」二のように本発明方法によれば、極めて容易かつ精
度よくピー１シンクの半導体素子固定面の位置を位置決
めでき、歩留まりよ＜製造が行え、生産性を向上させる
ことができるという著効を奏する。
度よくピー１シンクの半導体素子固定面の位置を位置決
めでき、歩留まりよ＜製造が行え、生産性を向上させる
ことができるという著効を奏する。
以上本発明につき好適な実施例を挙げて種々説明したが
、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、発明
の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を施し得るのは
もちろんのことである。
、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、発明
の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を施し得るのは
もちろんのことである。
第１図は従来のヒートシンクのろう付り方法を示す説明
図、第２図は本発明方法におけるヒートシンクのろう付
は方法を示す説明図、第３図はポンチでの乎押し工程を
示す説明図、第４図はガラス端子の説明図である。 １・・・ヒートシンク、 ２・・・挿入孔。 ３・・・カーボン治具、 ４・・・錘、 ５・・・
アイレット、６・・・銀ろう、 ７・・・垂直壁、
８・・・アイレソＩ−載置台、 ９・・・アイレッ
ト収容部、 １０・・・アイレット収容部、 １１
・・・透孔、 １２・・・ポンチ。 １３・・・下端膨出部。 特許出願人 新光電気工業株式会社 代表者光延丈喜夫 第１図 第２図 第３図 （ａ） （ｂ） ０
図、第２図は本発明方法におけるヒートシンクのろう付
は方法を示す説明図、第３図はポンチでの乎押し工程を
示す説明図、第４図はガラス端子の説明図である。 １・・・ヒートシンク、 ２・・・挿入孔。 ３・・・カーボン治具、 ４・・・錘、 ５・・・
アイレット、６・・・銀ろう、 ７・・・垂直壁、
８・・・アイレソＩ−載置台、 ９・・・アイレッ
ト収容部、 １０・・・アイレット収容部、 １１
・・・透孔、 １２・・・ポンチ。 １３・・・下端膨出部。 特許出願人 新光電気工業株式会社 代表者光延丈喜夫 第１図 第２図 第３図 （ａ） （ｂ） ０
Claims (1)
- １、アイレットの」−面にヒートシンクを位置決めして
固着する半導体パッケージ用ヒートシンク付ガラス端子
の製造方法において、前記ヒートシンクの半導体素子を
固定する垂直壁が該半導体素子を固定することとなる最
終的な位置よりも若干突出するように固着し、しかる後
に前記垂直壁の所要箇所をポンチで平押しして半導体素
子固定面を所定位置に形成することを特徴とする半導体
パッケージ用ヒートシンク付ガラス端子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58046882A JPS59172257A (ja) | 1983-03-19 | 1983-03-19 | 半導体パツケ−ジ用ヒ−トシンク付ガラス端子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58046882A JPS59172257A (ja) | 1983-03-19 | 1983-03-19 | 半導体パツケ−ジ用ヒ−トシンク付ガラス端子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59172257A true JPS59172257A (ja) | 1984-09-28 |
| JPS6410099B2 JPS6410099B2 (ja) | 1989-02-21 |
Family
ID=12759722
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58046882A Granted JPS59172257A (ja) | 1983-03-19 | 1983-03-19 | 半導体パツケ−ジ用ヒ−トシンク付ガラス端子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59172257A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009130185A (ja) * | 2007-11-26 | 2009-06-11 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 光半導体素子用ステムの製造方法 |
-
1983
- 1983-03-19 JP JP58046882A patent/JPS59172257A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009130185A (ja) * | 2007-11-26 | 2009-06-11 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 光半導体素子用ステムの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6410099B2 (ja) | 1989-02-21 |
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