JPS59165476A - ガリウム燐赤色発光ダイオ−ド - Google Patents
ガリウム燐赤色発光ダイオ−ドInfo
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- JPS59165476A JPS59165476A JP58040169A JP4016983A JPS59165476A JP S59165476 A JPS59165476 A JP S59165476A JP 58040169 A JP58040169 A JP 58040169A JP 4016983 A JP4016983 A JP 4016983A JP S59165476 A JPS59165476 A JP S59165476A
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- emitting diode
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Links
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- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 title abstract 3
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/305—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table characterised by the doping materials
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ）産業上の利用分野
本発明はＰ層濃度を補償により低濃度化して発光効率を
高めたガリウム燐赤色発光ダイオードに関する。
高めたガリウム燐赤色発光ダイオードに関する。
口】従来技術
従来第１図に示すようなガリウム燐赤色発光ダイオード
（■において発光効率を高める方法として、ジャーナル
・オプ・アプライド・フィジックス第４５巻８号にＲ，
Ｎ、Ｂｈａｒｇａｖａ等が示ｔ７ているように、亜鉛と
酸素を含むＰｎ接合（２）のＰ層へｎ型不純物であるテ
ルルをドーピングする事で補償し、Ｐ層不純物濃度を低
下させて注入効率を上げるものがある。
（■において発光効率を高める方法として、ジャーナル
・オプ・アプライド・フィジックス第４５巻８号にＲ，
Ｎ、Ｂｈａｒｇａｖａ等が示ｔ７ているように、亜鉛と
酸素を含むＰｎ接合（２）のＰ層へｎ型不純物であるテ
ルルをドーピングする事で補償し、Ｐ層不純物濃度を低
下させて注入効率を上げるものがある。
ところでｎ型不純物な徐冷式液相エピタキシャル成長法
でＰ層にドープしていくと、その濃度は成長と共に上昇
することがわかった。従って第２図に示すようにＰ層内
において、亜鉛による不純物濃度（ＮＺｎ）は一定であ
るのに、テルルによる不純物濃度（ＮＴｅ）は成長と共
に増加するから不純物濃度（ＮＡ−ＮＤ）は成長と共に
低下し、ついにはｎ型に反転してしまう（Ａ点］。この
時Ｐｎ接合（２）の表面側層（３）としてＰ層を成長さ
せた場合にはＰ層の表面濃度が低下しすぎて表面が黒ず
んだり、オーミック電極（５）のオーミック電極が得ら
れなかったりして不都合である。またＰｎ接合（２）の
基板側層（４）としてＰ層を形成させると、Ｐｎ接合面
が単一平面とならないので好ましくない。
でＰ層にドープしていくと、その濃度は成長と共に上昇
することがわかった。従って第２図に示すようにＰ層内
において、亜鉛による不純物濃度（ＮＺｎ）は一定であ
るのに、テルルによる不純物濃度（ＮＴｅ）は成長と共
に増加するから不純物濃度（ＮＡ−ＮＤ）は成長と共に
低下し、ついにはｎ型に反転してしまう（Ａ点］。この
時Ｐｎ接合（２）の表面側層（３）としてＰ層を成長さ
せた場合にはＰ層の表面濃度が低下しすぎて表面が黒ず
んだり、オーミック電極（５）のオーミック電極が得ら
れなかったりして不都合である。またＰｎ接合（２）の
基板側層（４）としてＰ層を形成させると、Ｐｎ接合面
が単一平面とならないので好ましくない。
ハ）発明の目的
本発明は上述の欠点をあらためるためになされるもので
ある。
ある。
ニ〕発明の構成
第３図は本発明の実施にあたってガリウム燐２層にｎ型
不純物のテルルとイオウをドーピングし、偏析係数の温
度依存性を調べた特性図である。成長開始時にｌＸ１０
ｎ の不純物濃度になるよう調整した融液により１０
５０’Ｃから９００″Ｃまで降温してエピタキシャル成
長をさせたところ、Ｐ層表面でテルルの不純物濃度はイ
オウの２．２倍の濃度であった。本発明においてはこの
結果がら明らかとなったような、偏析係数の温度依存性
の少ない不純物を用いる事でＰ層の表面濃度を１×１０
ａ 以上に保つもので、以下本発明を実施例に基づいて
詳細に説明する。
不純物のテルルとイオウをドーピングし、偏析係数の温
度依存性を調べた特性図である。成長開始時にｌＸ１０
ｎ の不純物濃度になるよう調整した融液により１０
５０’Ｃから９００″Ｃまで降温してエピタキシャル成
長をさせたところ、Ｐ層表面でテルルの不純物濃度はイ
オウの２．２倍の濃度であった。本発明においてはこの
結果がら明らかとなったような、偏析係数の温度依存性
の少ない不純物を用いる事でＰ層の表面濃度を１×１０
ａ 以上に保つもので、以下本発明を実施例に基づいて
詳細に説明する。
ホ）実施例
第４図は本発明実施例のガリウム燐赤色発光ダイオード
のＰ層の濃度分布図である。Ｐ型不純物として亜鉛を用
い、その不純物濃度（ＮＺ、ｎ）を６ｘｌＯｃｎ とし
た。またｎ型不純物としてイオウを用い、その初期の不
純物濃度（Ｎｓ）をｌＸ１０傭 とした。モして液相エ
ピタキシャル成長法（二より５０ ／Ｉ ｎｓ Ｐ層を
成長させたところ、その表高くすることができ、結晶が
黒ずんだリオーミブクがとれないという不都合は生じな
かった。またこの発光ダイオードはＰ層をｎ型不純物で
補償しないものに比べ、ロフト乎均で約１．１８倍の発
光効率となった。
のＰ層の濃度分布図である。Ｐ型不純物として亜鉛を用
い、その不純物濃度（ＮＺ、ｎ）を６ｘｌＯｃｎ とし
た。またｎ型不純物としてイオウを用い、その初期の不
純物濃度（Ｎｓ）をｌＸ１０傭 とした。モして液相エ
ピタキシャル成長法（二より５０ ／Ｉ ｎｓ Ｐ層を
成長させたところ、その表高くすることができ、結晶が
黒ずんだリオーミブクがとれないという不都合は生じな
かった。またこの発光ダイオードはＰ層をｎ型不純物で
補償しないものに比べ、ロフト乎均で約１．１８倍の発
光効率となった。
へ）発明の効果
以上の如く本発明は亜鉛と酸素を含むＰｎ接合を有した
ガリウノ・燐赤色発光ダイオードのＰｎ接合近傍のＰ層
に偏析係数の温度依存性の少ないｎ型不純物を添加した
ガリウム燐赤色発光ダイオードであるから、発光効率は
向上し、素子特性も安定したものが得られる。
ガリウノ・燐赤色発光ダイオードのＰｎ接合近傍のＰ層
に偏析係数の温度依存性の少ないｎ型不純物を添加した
ガリウム燐赤色発光ダイオードであるから、発光効率は
向上し、素子特性も安定したものが得られる。
第１図はガリウム燐赤色発光ダイオードの正面図、第２
図は従来のＰ層の濃度分布図、第３図は不純物の特性図
、第４図は本発明実施例のガリウム燐赤色発光ダイオー
ドのＰ層の濃度分布図である。 第２図 第４図 成長方向 １図 ３図 八長３句
図は従来のＰ層の濃度分布図、第３図は不純物の特性図
、第４図は本発明実施例のガリウム燐赤色発光ダイオー
ドのＰ層の濃度分布図である。 第２図 第４図 成長方向 １図 ３図 八長３句
Claims (1)
- １）亜鉛と酸素を含むＦ’ｎ接合を有したガリウム燐赤
色発光ダイオードのＰｎ接合近傍のＰ層に偏析係数の温
度依存性の少ないｎ型不純物を添加した事を特徴とした
ガリウム燐赤色発光ダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58040169A JPS59165476A (ja) | 1983-03-10 | 1983-03-10 | ガリウム燐赤色発光ダイオ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58040169A JPS59165476A (ja) | 1983-03-10 | 1983-03-10 | ガリウム燐赤色発光ダイオ−ド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59165476A true JPS59165476A (ja) | 1984-09-18 |
Family
ID=12573259
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58040169A Pending JPS59165476A (ja) | 1983-03-10 | 1983-03-10 | ガリウム燐赤色発光ダイオ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59165476A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5300792A (en) * | 1991-10-15 | 1994-04-05 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Gap red light emitting diode |
-
1983
- 1983-03-10 JP JP58040169A patent/JPS59165476A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5300792A (en) * | 1991-10-15 | 1994-04-05 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Gap red light emitting diode |
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