JPS59164731A - エチリデンノルボルネンの製造方法 - Google Patents

エチリデンノルボルネンの製造方法

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JPS59164731A
JPS59164731A JP4009483A JP4009483A JPS59164731A JP S59164731 A JPS59164731 A JP S59164731A JP 4009483 A JP4009483 A JP 4009483A JP 4009483 A JP4009483 A JP 4009483A JP S59164731 A JPS59164731 A JP S59164731A
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JP
Japan
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butadiene
cyclopentadiene
dicyclopentadiene
reaction
ethylidene norbornene
Prior art date
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Pending
Application number
JP4009483A
Other languages
English (en)
Inventor
Hironobu Shinohara
弘信 篠原
Yasuo Hara
康夫 原
Yoshinori Yoshida
吉田 淑則
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JSR Corp
Nippon Synthetic Chemical Industry Co Ltd
Original Assignee
Nippon Synthetic Chemical Industry Co Ltd
Japan Synthetic Rubber Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Synthetic Chemical Industry Co Ltd, Japan Synthetic Rubber Co Ltd filed Critical Nippon Synthetic Chemical Industry Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はシクロペンタジェンと1.2−ブタジェンとか
らエチリデンノルボルネンを製造する方法に関する。さ
らに詳しくは、ジシクロペンタジェンと1.2−ブタジ
ェンとを出発原料とし特定の条件下で反応することによ
り一段で効率良くエチリデンノルボルネンを製造する方
法に関する。
耐熱性、耐候性等に優れたエチレン・プロピレン共重合
体ゴムは、その製造において内部に不飽和結合をもたせ
るために、第三成分としてジエン単量体を通常用いる。
現在のところこの第三成分としてはエチリデンノルボル
ネンがそれを用いたゴムの加硫速度が速い等の有利な特
性を持つ故に最も広く使用されている。
従来、エチリデンノルボルネンはシクロペンタジェンと
1.3−ブタジェンとをディールスアルダー反応により
二量化してビニルノルボルネンとしこれをさらに異性化
してエチリデンノルボルネンとする鳳段の工程を経て製
造されていた(たとえば特公昭45−24138号、特
公昭45二23337号等)。したがって効率良くエチ
リデンノルボルネンを製造することができず、より生産
性の高いエチリデンノルボルネンの製造方法の開発が望
まれていた。一方、シクロペンタジェンとアレンとのデ
ィールス・アルダ−反応により一段でメチレンノルボル
ネンが得られる方法は知られている(たとえは米国特許
3214483号、米国特許3394198号)。米国
特許3214483号はシクロペンタジェンとアレンを
150〜250℃でディールス・アルダー反応させてメ
チレンノルボルネンを製造するものであり、米国特許3
394198号はP−ter・ブチルカテコールの存在
下に225〜325℃で反応させるものであるが、アレ
ンと構造の類似している1、2−ブタジェンとシクロペ
ンタジェンとの反応につぎ上記の方法に従って検討を行
なったところ、固体の生成物や高沸点の生成物が多(。
エチリデンノルボルネンを選択的に得ることはできなか
った。さらに、シクロペンクジエン過剰量存在下俗塵で
希釈してシクロペンタジェンと1.2−ブタジェンとを
反応させエチリデンノルボルネンを一段で製造する方法
についても提案されているが(特公昭49−39255
号)この方法では1,2− フp シ:r−ンニ対する
シクロペンクジエンのモル比か高くなるために、シクロ
ペンタジェン換算のエチリデンノルボルネンの収率が低
(なるばかりか、ディールス・アルダ−反応においてジ
エン成分として働(シクロペンタジェンが過剰量存在す
るために、シクロペンタジェンとジシクロペンタジェン
あるいはシクロペンタジェンと目的とする二量体である
エチリデンノルボルネンさえもディールス・アルダ−反
応をし時間の経過とともにこれら三量体の生成量が増加
し、エチリデンノルボルネンの選択率が著しく低下する
。またこれら三量体や更にシクロペンタジェンとディー
ルス・アルダ−反応し生成した高分子量生成物は工業的
に有用なものとなり得す、この方法は経済的に有利な方
法とは云い難いものであった。
本発明者りは上記問題点を解決しに工業的に有利な方法
を見いだすべく鋭意検討を進めたところ。
ジシクロペンタジェンと1.2−ブタジェンとを反応さ
せてエチリデンノルボルネンを製造する方法において、
未反応物として回収が容易である1、2−ブタジェンの
ジシクロペンタジェンに対するモル比を2.1〜10倍
と高めた状態で反応することで、シクロペンタジェン換
算のエチリデンノルボルネンの収率を向上させることが
でき、同時に三量体以上の高分子量化合物の生成を著し
く抑制できることを見出し本発明に到達するに至った。
すなわち2本発明は、シクロペンタジェンと1.2−ブ
タジェンとからエチリデンノルボルネンを製造する方法
において、シクロペンタジェンをジシクロペンタジェン
として供給シ、ジシクロペンタジェンに対する1、2−
ブタジェンのモル比を2.1〜10として170〜24
0℃で反応さ□せることを特徴とするエチリデンノルボ
ルネンの製造方法を提供するものである。
本発明における出発原料である1、2−ブタジェンは1
通常の石油化学プラントで得られる1、2−ブタジェン
含有留分を用いることができる。通常その中には沸点が
近接しているシス−2−ブテン等が含まれるが、これら
の成分は希釈成分として分離せずにそのまま用いること
もできる。しかしながらシクロペンタジェンあるいは1
.2−ブタジェンとの駅名性を■する成分については副
反応が起こり反応生成物に様々な副生成物を生じさせ。
エチリデンノルボルネンの収率あるいは選択率の低下を
招くので、できる限り1,2ブタジエン以外の成分を含
まない原料を用いることが望ましい。
しかし9%にこれに限定されるものではない。
5− も5−万の原料であるジシクロペンタジェンは。
工業的に装造される高純度物のジシクロペンタジェン音
用いても良いが2%に限定されるものではなく9反応全
阻害しない程度の不純物を含むものであってもよい。
また1本発明において1.2−ブタジェンをジシクロペ
ンタジェンに対して過剰量供給することは重要な技術的
手段であって、ジシクロペンタジェンに対する1、2−
ブタジェンのモル比が2.1〜10において効率良くエ
チリデンノルボルネンを製造することができる。即ち1
.2−ブタジェン/ジシクロペンタジェンのモル比が2
.1未満ではシクロペンタジェンの三量体あるいはそれ
以上の多量体。
あるいはシクロペンタジェンとエチリデンノルボルネン
の重合体等種々の高沸点化合物の生成が多(なり、エチ
リデンノルボルネンそのものの収率及び選択率が低下す
る。−万、1.2−ブタジェン/ジシクロペンタジェン
のモル比が10をこえると未反応の1,2−ブタジェン
量が増大して回収に費用がかかるはかりでなく、副反応
物が生成゛して6− くるため、収率が逆に低下してくる。したかつてジシク
ロペンタジェンに対する1、2−ブタジェンのモル比は
2.1〜10好ましくは2.2〜8.特に好ましくは2
.6〜4である。
反応温度は170〜240℃、好ましくは185〜21
0℃であり、170℃未満ではシクロペンタジェンと1
.2−ブタジェンのディールス・アンダー反応の反応速
度が小さく、逆に240℃をこえると高分子量の生成物
が増大して、共にエチリデンノルボルネンの収率が低下
する。
さらに9反応に際して溶媒を便用してもよい。
溶媒で希釈すると、各種高沸点化合物の生成が抑制され
、エチリデンノルボルネンの収率及び選択率が向上する
。溶媒の竜は希釈率が高(なる程高沸点化合物の生成か
抑制される傾向にはあるが。
エチリデンノルボルネンの生成速度も低下するため、1
.2−ブタジェンとジシクロペンタジェンの合計量と溶
媒との重量比が15:85〜60:40の範囲が好まし
い。溶媒としては、1.2−ブタジェン及びジシクロペ
ンタジェン(あるいはシクロペンタジェン)を浴解し、
1,2−ブタジェンあるいはシクロペンタジェンと反応
しないものであれば特に制限はない。これらの溶媒とし
て例えはペンタン、ヘキサン、ヘツタン、オクタンなど
の如きU& 肪族炭化水X 、 ヘンゼン、トルエン、
キシレンなどの如き芳香族炭化水素、シクロヘキサンな
どの如ぎ脂環族炭化水素等が挙げられる。
また1反応に際し9反応速度を高めたり重合反たとえは
t−ブチルカテコール、α−ナフトール。
ハイドロキノン等を適宜m 7711することもできる
本発明においては、特に反応方式について限定するもの
ではな(、連続反応方式あるいは回分式反応方式いずれ
でも良い。また1反応終了後、禾反応の単量体、溶媒は
容易に回収し再使用することができ、エチリデンノルボ
ルネンは分離精製した後エチレン−プロピレン共重合体
の第三成分等の用途に使用される。
以下に実施例を挙げて不発明の詳細について説明する。
実施例1 100 cc  のチタン合8:製オートクレーブを洗
浄、乾燥した後窒素童換し2表−1に示す割合で1.2
−ブタジェン、ジシクロペンタジェン及び溶媒としてn
−ペンタンを仕込む。次にこれヲ200Ctで昇温し、
3時間反応した。分析はガスクロマトグラフィーを用い
て実施し、三量体の量まで分析した。長井1表−111
?−す・ (1・を下倣い) 9− 10− 表−1より明らかな様に、ジシクロペンタジェンに対す
る1、2−ブタジェンのモル比が小さくなるにつれて反
応生成物中の三量体成分の量が増加しており更にそれ以
上の高分子量生成物とみられる固体状生成物も対照例(
実験番号−1,2)において認められた。fた。エチリ
デンノルボルネンの収率もジシクロペンタジェン過剰−
fl存在下においては著しく悪(なる。一方、1.2−
ブタジェン量が多くなりすぎるとエチリデンノルボルネ
ンの生成速度が遅(なり、エチリデンノルボルネンの収
率が低下する傾向にある。以上の結果より。
1、2− フタジエン/ジシクロペンタジェンのモル比
が2.1〜10が、エチリデンノルボルネンtOW効に
得るのに適しており、さらに2.6〜4がより好ましい
という事が明らかである。
実施例−2 実施例−1と同様にして1.2−ブタジェン、ジシクロ
ペンタジェン及びn−ペンタンe仕込み*反応温度を変
えて3時間反応した。経時的にサンプリングして分析し
、エチリデンノルボルネンの収率が最高の成績を示した
時の値を表−2に示す。
表−2 米1.3−ブタジェン/ジシクロペンタジェン=2.6
(モル比)**溶媒濃度 45%(重1%) 反応温度が低いと三量体成分の生成が抑えられるか、1
60Cになるとエチリデンノルボルネンの生成も著しく
遅くなる。−万1反反応度が250Cになると、エチリ
デンノルボルネンの生成速度も速いが、三量体成分の生
成も著しく9反応時間が長くなるとエチリデンノルボル
ネンがさらに反応して三量体となり、収率が低下してい
る0シタかって反応温度としては180〜240 t;
、好ましくは185〜210Cが適当である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1)シクロペンタジェンと1.2−ブタジェンとから紐
    西エチリデンノルボルネンを製造する方法において、シ
    クロペンタジェンをジシクロペンタジェンとして供給し
    、ジシクロペンタジェンに対する1、2−ブタジェンの
    モル比を2.1〜lOとして170〜240℃で反応さ
    せることを特徴とするエチリデンノルボルネンの製造方
    法。
JP4009483A 1983-03-11 1983-03-11 エチリデンノルボルネンの製造方法 Pending JPS59164731A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61286335A (ja) * 1985-06-14 1986-12-16 Idemitsu Petrochem Co Ltd 5−ビニル−2−ノルボルネンの製造法
US4777309A (en) * 1986-01-18 1988-10-11 Sumitomo Chemical Company, Limited Continuous process for producing 5-vinyl-2-norbornene

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4826748A (ja) * 1971-08-07 1973-04-09
JPS4839469A (ja) * 1971-09-29 1973-06-09

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