JPS59163829A - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPS59163829A JPS59163829A JP58037772A JP3777283A JPS59163829A JP S59163829 A JPS59163829 A JP S59163829A JP 58037772 A JP58037772 A JP 58037772A JP 3777283 A JP3777283 A JP 3777283A JP S59163829 A JPS59163829 A JP S59163829A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- pattern
- organic thin
- plasma
- organic matter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は有機物薄膜に」：るパターン形成方法に関する
ものである。
ものである。
従来例の（１−１成とその問題点
半導体素子の高集積化が進むにつれて微細パターンを形
成する技術が重要となっている。しかし、２、、。
成する技術が重要となっている。しかし、２、、。
現在量産ラインで用いられる光露光では、光による回折
のために微細化に限界がある。一方、電子ビーノ・露光
、Ｘ線露光は、回折による限界を無視できるが、スルー
プットや装置、マスクなどに問題があるため、特定の分
野製外は使うことができない。
のために微細化に限界がある。一方、電子ビーノ・露光
、Ｘ線露光は、回折による限界を無視できるが、スルー
プットや装置、マスクなどに問題があるため、特定の分
野製外は使うことができない。
発明の「１的
本発明は、光露光にＪ：っても十分に微細なパターンを
形成することができるパターン形成方法を提供するもの
である。
形成することができるパターン形成方法を提供するもの
である。
発明のｔ１１１Ｉｉ成
本発明は、基板」二に形成されたレジメ１−パターン−
１−に、プラスマデボジソションにより有機物薄膜を形
ｆｉＬｉ： した後、異方１１１．エツチンク全行うこ
とにより、前記レジスト開１１部の基板平担部」−の有
機物薄膜を除去することを特徴とするパターン形成方法
であり、これにより、微細パターン寸法の開１−１を有
する有機物薄膜が？■られる。
１−に、プラスマデボジソションにより有機物薄膜を形
ｆｉＬｉ： した後、異方１１１．エツチンク全行うこ
とにより、前記レジスト開１１部の基板平担部」−の有
機物薄膜を除去することを特徴とするパターン形成方法
であり、これにより、微細パターン寸法の開１−１を有
する有機物薄膜が？■られる。
実施例の説明
本発明の実施例を第１図〜第３図に示す工程順３ 、
、、。
、、。
断面図で詳しく説明する。始めに基板１上に光露光ヲ用
いてレジストパターン２を形成する（第１図）。ここで
たとえば開化部のパターン幅ｐ１を１μｍとする。次に
、このレジメ１−パターン上にプラズマ重合を用いて、
有機物薄膜３を形成する（第２図）。このプラズマ重合
有機物薄膜３は、真空装置内に有機ガスを導入し、たが
いに数、問１れた平行平板形電極に高周波（１３，５６
Ｍ ｌ１ｚ）を印加し、クロー放電により低温プラズマ
を発生させることにより形成することができる。たとえ
ばガスとしてエチレンを用い、圧力０．６Ｔｏｒｒ 、
ＲＦ出力１００Ｗの条件で、ポリエチレン膜を４゜ｎ
ｍ ／ ｍｉｎ の速度で成長させることができる。
いてレジストパターン２を形成する（第１図）。ここで
たとえば開化部のパターン幅ｐ１を１μｍとする。次に
、このレジメ１−パターン上にプラズマ重合を用いて、
有機物薄膜３を形成する（第２図）。このプラズマ重合
有機物薄膜３は、真空装置内に有機ガスを導入し、たが
いに数、問１れた平行平板形電極に高周波（１３，５６
Ｍ ｌ１ｚ）を印加し、クロー放電により低温プラズマ
を発生させることにより形成することができる。たとえ
ばガスとしてエチレンを用い、圧力０．６Ｔｏｒｒ 、
ＲＦ出力１００Ｗの条件で、ポリエチレン膜を４゜ｎ
ｍ ／ ｍｉｎ の速度で成長させることができる。
ＪＣ１〜で、この条件を８分持続して成長させると膜厚
は約０．３部１ｍとなる。成長濃度は室温〜１５０℃ぐ
らいなのでレジストパターン２の形状が変ることはない
。プラズマ重合の場合膜成長は等方的に行われるので、
レジスト開口部には第２図のようにプラズマ重合膜３が
形成され、ｆ１１口部のパターン幅１２は０．４１１ｍ
となる。
は約０．３部１ｍとなる。成長濃度は室温〜１５０℃ぐ
らいなのでレジストパターン２の形状が変ることはない
。プラズマ重合の場合膜成長は等方的に行われるので、
レジスト開口部には第２図のようにプラズマ重合膜３が
形成され、ｆ１１口部のパターン幅１２は０．４１１ｍ
となる。
次に、反応性イオンエツチング（ＲＩＥ）のような異方
性の強いエツチングを行うことにより、基板平担部およ
びレジスト平担部−１−二のプラズマ重合有機物薄膜３
を除去すれば、開「１部のプラズマ重合有機物薄膜４が
残り、開口部がそのプラズマ重合有機物薄膜４の厚み分
だけ縮少された微細パターンを形成することができる（
第３図）。たとえば、ＲＩＥ装置で、ＲＦ出力１００Ｗ
、０２ガヌｎ：力０．Ｉ Ｔｏｒｒ で、ポリエチレン
膜のエツチング速度は０．１ Ｂｍ ／ ｍｉｎであり
、３分でエツチングが完了する。
性の強いエツチングを行うことにより、基板平担部およ
びレジスト平担部−１−二のプラズマ重合有機物薄膜３
を除去すれば、開「１部のプラズマ重合有機物薄膜４が
残り、開口部がそのプラズマ重合有機物薄膜４の厚み分
だけ縮少された微細パターンを形成することができる（
第３図）。たとえば、ＲＩＥ装置で、ＲＦ出力１００Ｗ
、０２ガヌｎ：力０．Ｉ Ｔｏｒｒ で、ポリエチレン
膜のエツチング速度は０．１ Ｂｍ ／ ｍｉｎであり
、３分でエツチングが完了する。
なおここではポリエチレン膜について説明したが、ＰＭ
ＭＡ （ポリメチルメタクリレ−１−）など他の有機物
薄膜でもよいととはもちろんである。
ＭＡ （ポリメチルメタクリレ−１−）など他の有機物
薄膜でもよいととはもちろんである。
この方法では、開口部のパターン幅の制御は膜成長速度
に依存するので、１０ｎｍ稈度の制御性がある。丑だ、
パターンの超微細化が可能である。
に依存するので、１０ｎｍ稈度の制御性がある。丑だ、
パターンの超微細化が可能である。
さらにプラズマ重合によりピンホールのない膜を形成で
きるので〉１部導体ブ■７セスに適し７ている。その上
、最後に０２によるＲＩＥを行うので、レジ１ スト残さが表面に残るおそれもない。しかもレジストと
同じ有機物薄膜を用いてパターンを形成す。
きるので〉１部導体ブ■７セスに適し７ている。その上
、最後に０２によるＲＩＥを行うので、レジ１ スト残さが表面に残るおそれもない。しかもレジストと
同じ有機物薄膜を用いてパターンを形成す。
るので、基板を汚染するおそれがない。１だ、プラズマ
重合膜の形成とエツチングは、ガス、圧力。
重合膜の形成とエツチングは、ガス、圧力。
電極カッブリンクかどの条件を変えるだけで、同じ装置
で行うことができるので、工程簡略化に役立つ。
で行うことができるので、工程簡略化に役立つ。
発明の効果
以上に詳述したように、本発明によれば基板上に形成さ
れたレジストパターン上に、プラズマデポジノションに
より有機物薄膜を形成した後、異方性を持つドライエツ
チング装置を用いてエツチングを行うことにより、基板
平担部」二の有機物薄膜を除去してパターン形成を行な
うのでパターンの超微細化、高精度化が可能であり、ピ
ンホール。
れたレジストパターン上に、プラズマデポジノションに
より有機物薄膜を形成した後、異方性を持つドライエツ
チング装置を用いてエツチングを行うことにより、基板
平担部」二の有機物薄膜を除去してパターン形成を行な
うのでパターンの超微細化、高精度化が可能であり、ピ
ンホール。
汚染がなく、レジスト残さが表面に残らず、装置、工程
も比較的簡単である等の多くの長所を持つ。
も比較的簡単である等の多くの長所を持つ。
第１図〜第３図は本発明実施例の断面図である。
１・・・・・・半導体基板、２・・・・・・レジストパ
ターン、６ べ−Ｓ゛ ３・・・・・・プラズマ重合有機物薄膜、４・・・・・
・エツチング後の有機物薄膜。
ターン、６ べ−Ｓ゛ ３・・・・・・プラズマ重合有機物薄膜、４・・・・・
・エツチング後の有機物薄膜。
Claims (2)
- （１）、１１（板１−に形成された開ロ部ケ有するレジ
ヌトパターン１．に、プラズマデボジッションにより有
（幾物薄膜を形成した後、異方！ＩＥエツチングを行う
ことに」：す、前記レノスト開口部の基板下４Ｈ部−に
の有機物薄膜を除去することを植機とするパターン形成
方法。 - （２）有機物薄膜をプラズマ重合により形成することを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載のパターン形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58037772A JPS59163829A (ja) | 1983-03-08 | 1983-03-08 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58037772A JPS59163829A (ja) | 1983-03-08 | 1983-03-08 | パタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59163829A true JPS59163829A (ja) | 1984-09-14 |
Family
ID=12506758
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58037772A Pending JPS59163829A (ja) | 1983-03-08 | 1983-03-08 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59163829A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0304077A2 (en) * | 1987-08-20 | 1989-02-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of forming a fine pattern |
| EP0313814A2 (en) * | 1987-10-30 | 1989-05-03 | International Business Machines Corporation | Organic sidewall structures |
| US4838991A (en) * | 1987-10-30 | 1989-06-13 | International Business Machines Corporation | Process for defining organic sidewall structures |
| US4871630A (en) * | 1986-10-28 | 1989-10-03 | International Business Machines Corporation | Mask using lithographic image size reduction |
| EP0616573A1 (en) * | 1992-09-08 | 1994-09-28 | Ic Sensors, Inc. | Groove width trimming |
| US5618383A (en) * | 1994-03-30 | 1997-04-08 | Texas Instruments Incorporated | Narrow lateral dimensioned microelectronic structures and method of forming the same |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5562733A (en) * | 1978-11-03 | 1980-05-12 | Ibm | Method of forming narrow region on silicon substrate |
| JPS5629326A (en) * | 1979-08-17 | 1981-03-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of semiconductor device |
-
1983
- 1983-03-08 JP JP58037772A patent/JPS59163829A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5562733A (en) * | 1978-11-03 | 1980-05-12 | Ibm | Method of forming narrow region on silicon substrate |
| JPS5629326A (en) * | 1979-08-17 | 1981-03-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of semiconductor device |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US4871630A (en) * | 1986-10-28 | 1989-10-03 | International Business Machines Corporation | Mask using lithographic image size reduction |
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| US5032491A (en) * | 1987-08-20 | 1991-07-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of forming a fine pattern |
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| EP0616573A1 (en) * | 1992-09-08 | 1994-09-28 | Ic Sensors, Inc. | Groove width trimming |
| EP0616573A4 (en) * | 1992-09-08 | 1997-09-03 | Ic Sensors Inc | Groove width trimming. |
| US5618383A (en) * | 1994-03-30 | 1997-04-08 | Texas Instruments Incorporated | Narrow lateral dimensioned microelectronic structures and method of forming the same |
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