JPS59161032A - 感光性ウエハ上に画像を形成するための投影装置で使用する薄膜カバ−ユニツトの製法 - Google Patents
感光性ウエハ上に画像を形成するための投影装置で使用する薄膜カバ−ユニツトの製法Info
- Publication number
- JPS59161032A JPS59161032A JP2208284A JP2208284A JPS59161032A JP S59161032 A JPS59161032 A JP S59161032A JP 2208284 A JP2208284 A JP 2208284A JP 2208284 A JP2208284 A JP 2208284A JP S59161032 A JPS59161032 A JP S59161032A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- thin film
- thin
- polymer
- cover unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
- G03F1/64—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof characterised by the frames, e.g. structure or material, including bonding means therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の関連する技術分野
本発明は投影印刷装置、評言すればマスク及び／又はウ
ェハをカバーする薄膜を有する上記形式の装置に関する
。本発明による装置は他の可能な用途のうちでも集積回
路の製造においてフォトレジスト被覆半導体ウェハの露
光を実施するために特に適当である。
ェハをカバーする薄膜を有する上記形式の装置に関する
。本発明による装置は他の可能な用途のうちでも集積回
路の製造においてフォトレジスト被覆半導体ウェハの露
光を実施するために特に適当である。
この出願は本願と同時に出願した特願（１）［感光性ウ
ェハ上に画像を形成するための投影装置で使用する薄膜
カバーユニットの製法」及び特願（ろ）「感光性被覆ウ
ェハ上に画像を形成するための投影印刷装置」に緊密に
関連したものである。
ェハ上に画像を形成するための投影装置で使用する薄膜
カバーユニットの製法」及び特願（ろ）「感光性被覆ウ
ェハ上に画像を形成するための投影印刷装置」に緊密に
関連したものである。
発明の背影
感光性基体又はウェハ上に画像を形成するための投影印
刷装置は、一般に一方の表面に形成された不透明領域と
透明領域とから成るパターンを有する透明な基体を有す
るマスクと、放射エネルギーのビーム例えば光又はＵＶ
線を′マスクを透過して感光性基体又はウェハに向ける
照明装置と、感光性基体上にマスクパターンの焦点の合
った画像を形成する光学部材と、マスクの表面上の任意
の汚染粒子の画像を焦点外に保持する薄膜カバーとから
成る。薄膜カバーは一般に基体に接着されかつ完全にマ
スクパターンをおおっている。このような装置は米国特
許第４．０６３，８１’２号、同第４，２４６，０５４
号及び同第４．１’ ３ Ｌ３’ ６３号明細書及び５
ＰＩＦ 、第２７５巻” Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ
Ｍｉｃｒｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ Ｖｌ”（１９８
１年）第２３頁に発表されたロン・ハーシエ／ｌ／ （
Ｒｏｎ Ｈｅｒｓｈｅｌ ）著ｒ′’ Ｐｅ１ｌｉｃｌ
ｅＰｒｏｔｅｃｔｉｏｎ ｏｆ Ｉｎｔｅｇｒａｔ
ｅｄ Ｃ１ｒｃｕｉｔｓ （ＩＣ）Ｍａｓｋｓ ”に
記載されている。
刷装置は、一般に一方の表面に形成された不透明領域と
透明領域とから成るパターンを有する透明な基体を有す
るマスクと、放射エネルギーのビーム例えば光又はＵＶ
線を′マスクを透過して感光性基体又はウェハに向ける
照明装置と、感光性基体上にマスクパターンの焦点の合
った画像を形成する光学部材と、マスクの表面上の任意
の汚染粒子の画像を焦点外に保持する薄膜カバーとから
成る。薄膜カバーは一般に基体に接着されかつ完全にマ
スクパターンをおおっている。このような装置は米国特
許第４．０６３，８１’２号、同第４，２４６，０５４
号及び同第４．１’ ３ Ｌ３’ ６３号明細書及び５
ＰＩＦ 、第２７５巻” Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ
Ｍｉｃｒｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ Ｖｌ”（１９８
１年）第２３頁に発表されたロン・ハーシエ／ｌ／ （
Ｒｏｎ Ｈｅｒｓｈｅｌ ）著ｒ′’ Ｐｅ１ｌｉｃｌ
ｅＰｒｏｔｅｃｔｉｏｎ ｏｆ Ｉｎｔｅｇｒａｔ
ｅｄ Ｃ１ｒｃｕｉｔｓ （ＩＣ）Ｍａｓｋｓ ”に
記載されている。
小型化が進むにつれ、パターン素子はパターン分解能が
光の波長によって制限される程度まで一層小さくなって
来た。従って、Ｕｖスペクトルの短波長が使用されるよ
うになった。
光の波長によって制限される程度まで一層小さくなって
来た。従って、Ｕｖスペクトルの短波長が使用されるよ
うになった。
従来使用されたマスクカバーの１つの欠点は、これらが
４０００オングストロ一ム以上の範囲で使用するために
のみ適当であるにすぎないことにある。
４０００オングストロ一ム以上の範囲で使用するために
のみ適当であるにすぎないことにある。
従って、本発明の目的は、薄膜を製造する新規のかつ改
良された方法を提供すること、また２０００オングスト
ロ一ム以上で使用するために適当であるポリマーを使用
することであった発明の要約 以下に、前記目的のために従来使用されたマスクカバー
に比較して、本発明のマスクカバーの前記利点及び別の
利点を明らかにする。
良された方法を提供すること、また２０００オングスト
ロ一ム以上で使用するために適当であるポリマーを使用
することであった発明の要約 以下に、前記目的のために従来使用されたマスクカバー
に比較して、本発明のマスクカバーの前記利点及び別の
利点を明らかにする。
要約すれば、所望の結果を得るために、本発明は感光性
ウェハ上に画像を形成するための投影印刷系で使用する
薄膜カバーユニットを製造する新規のかつ改良された方
法を提供し、該方法は薄い均一なポリマーフィルムを基
体例えばシリコンウェハの研磨した表面に施し、該ポリ
マーを硬化させ、フィルムの周囲を取巻く切欠きを設け
、こうして被覆した基体を水中でソーキングし、剥離リ
ングをフィルム表面に取付け、フィルムを剥離しかつ該
フィルムに支持リングを取付けることより成る。
ウェハ上に画像を形成するための投影印刷系で使用する
薄膜カバーユニットを製造する新規のかつ改良された方
法を提供し、該方法は薄い均一なポリマーフィルムを基
体例えばシリコンウェハの研磨した表面に施し、該ポリ
マーを硬化させ、フィルムの周囲を取巻く切欠きを設け
、こうして被覆した基体を水中でソーキングし、剥離リ
ングをフィルム表面に取付け、フィルムを剥離しかつ該
フィルムに支持リングを取付けることより成る。
上記には、以下に記載する本発明の詳細な説明を理解し
やすくしかつ本発明の当該技術分野に対する貢献を認識
しやすくするために、本発明の重要な特徴を概略的に示
した。もちろん、本発明は以下に説明しかつ特許請求の
範囲の従属請求項を成している付加的特徴を具備してい
る。轟業者にとっては、本発明の基本思想が本発明の若
干の目的を実施するために別の系を構成する基礎として
即座に利用されうろことは自明なことである。従って、
特許請求の範囲は本発明の思想から逸脱しない相当する
方法も包含するものと見なされるべきである。
やすくしかつ本発明の当該技術分野に対する貢献を認識
しやすくするために、本発明の重要な特徴を概略的に示
した。もちろん、本発明は以下に説明しかつ特許請求の
範囲の従属請求項を成している付加的特徴を具備してい
る。轟業者にとっては、本発明の基本思想が本発明の若
干の目的を実施するために別の系を構成する基礎として
即座に利用されうろことは自明なことである。従って、
特許請求の範囲は本発明の思想から逸脱しない相当する
方法も包含するものと見なされるべきである。
第１図には、感光性ウェハ上に画像を形成するための投
影印刷装置が示されており、該装置は一方の表面上に形
成された不透明な領域と透明な領域とから成るパターン
を有する透明な基体を有するマスク１０を備えている。
影印刷装置が示されており、該装置は一方の表面上に形
成された不透明な領域と透明な領域とから成るパターン
を有する透明な基体を有するマスク１０を備えている。
照明装置が設けられており、該装置は光源１２と、光線
をマスク１０を透過して感光性ウェハ素子１６に向ける
コンデンサレンズ系１４とから成る。
をマスク１０を透過して感光性ウェハ素子１６に向ける
コンデンサレンズ系１４とから成る。
ウェハ上にマスクパターンの焦点の合った画像を形成す
るために光学系１８が設けられている０マスク１０上に
は支持リング２２の介在下に薄膜カバーユニット２０が
取付けられている。
るために光学系１８が設けられている０マスク１０上に
は支持リング２２の介在下に薄膜カバーユニット２０が
取付けられている。
その結果、さもなければマスク表面上に位置することに
なる引掻き傷又は特殊な汚染物２４は今や薄膜の表面上
に位置し、従って第１図に２６で示されているように焦
点面から焦点深度の数千倍離れた位置に結像される。こ
れらの影は画像領域上では消散しかつレジスト画像に影
響しない。
なる引掻き傷又は特殊な汚染物２４は今や薄膜の表面上
に位置し、従って第１図に２６で示されているように焦
点面から焦点深度の数千倍離れた位置に結像される。こ
れらの影は画像領域上では消散しかつレジスト画像に影
響しない。
本発明によれば、薄膜ユニットを製造する新規のかつ改
良された方法が提供される。該方法はまず薄い均一なポ
リマ一層又はフィルム２８を第２図に示されているよう
に基体３０の研磨表面３０上に施す工程から成る。任意
の適当なポリマーフィルムを使用することができる。適
当な材料は例えばＰＭＭＡとして公知のポリメチルメタ
クリレートである。基体の任意の適当な研磨表面として
は例えばシリコンウェハを使用することができる。基体
にポリマーフィルムを施す特に適当な方法は、慣用のス
ピニング技術を用いる方法である。
良された方法が提供される。該方法はまず薄い均一なポ
リマ一層又はフィルム２８を第２図に示されているよう
に基体３０の研磨表面３０上に施す工程から成る。任意
の適当なポリマーフィルムを使用することができる。適
当な材料は例えばＰＭＭＡとして公知のポリメチルメタ
クリレートである。基体の任意の適当な研磨表面として
は例えばシリコンウェハを使用することができる。基体
にポリマーフィルムを施す特に適当な方法は、慣用のス
ピニング技術を用いる方法である。
この方法における次の工程はポリマーの硬化工程であり
、該条件はポリマー次第である。例えばＰＭＭＡは１７
０°Ｃで１時間焼付けるべきである。次いで、かみそり
の刃又は同種のものを用いて、第６図に３２で示されて
いるようにフィルムの周囲を取巻く環状欠切きを設ける
。この切取りは第６図に３４で示されているようにポリ
マ一層２８を貫通し、ウェハ３０が露出するように行な
う。これにより液体がポリマーフィルムとウェハ３０と
の間に流入することができるエツジが形成される。
、該条件はポリマー次第である。例えばＰＭＭＡは１７
０°Ｃで１時間焼付けるべきである。次いで、かみそり
の刃又は同種のものを用いて、第６図に３２で示されて
いるようにフィルムの周囲を取巻く環状欠切きを設ける
。この切取りは第６図に３４で示されているようにポリ
マ一層２８を貫通し、ウェハ３０が露出するように行な
う。これにより液体がポリマーフィルムとウェハ３０と
の間に流入することができるエツジが形成される。
こうして被覆したウェハを次いで脱イオン水中で適当な
時間ソーキングする。この際、重合体は水中で膨潤しか
つウェハ表面に対する付着力又は結合力をある程度は弱
める、それにより引続いての工程でポリマ一層は基体又
はウェハ３０から除去されやすくなる。
時間ソーキングする。この際、重合体は水中で膨潤しか
つウェハ表面に対する付着力又は結合力をある程度は弱
める、それにより引続いての工程でポリマ一層は基体又
はウェハ３０から除去されやすくなる。
次いで、フレキシブルな、薄い、平坦な剥離リング３５
有利にはアルミニウムを第４図に３６で示されて（・る
よ５にフィルム表面に取付ける。この取付けのためには
、例えば両面接着テープを使用するのが有利である。
有利にはアルミニウムを第４図に３６で示されて（・る
よ５にフィルム表面に取付ける。この取付けのためには
、例えば両面接着テープを使用するのが有利である。
次に、フィルム２８を剥離リング３５と共にウェハ３０
から剥離する。
から剥離する。
薄膜カバーユニット２０を完成させるために次いで上記
フィルム２８を適当な薄膜支持リング２２に取付ける、
該リングの形状は使用露光装置次第である。適当な接着
剤はエポキシ系接着剤である。
フィルム２８を適当な薄膜支持リング２２に取付ける、
該リングの形状は使用露光装置次第である。適当な接着
剤はエポキシ系接着剤である。
従って、本発明は確かに新規のかつ改良された薄膜ユ・
二“居を提−することは明らかであり、該薄膜ユニット
は約２４００〜約８ｏｏｏオングストロームの範囲で高
い透過率、低い光散乱性及び厚さの均一性を有し、かつ
損傷を受けることなく取扱いかつ清掃するために十分に
堅牢である。ここまで特殊な実施例を示しかつ説明・し
て来たが、専ら前記特許請求の範囲によって制限される
べき発明の範囲から逸脱することなく多種多様な変更が
可能でることは、当業者にとっては自明なことである。
二“居を提−することは明らかであり、該薄膜ユニット
は約２４００〜約８ｏｏｏオングストロームの範囲で高
い透過率、低い光散乱性及び厚さの均一性を有し、かつ
損傷を受けることなく取扱いかつ清掃するために十分に
堅牢である。ここまで特殊な実施例を示しかつ説明・し
て来たが、専ら前記特許請求の範囲によって制限される
べき発明の範囲から逸脱することなく多種多様な変更が
可能でることは、当業者にとっては自明なことである。
第１図は本発明と関連して構成した感光性ウェハ上に画
像を形成するための投影印刷装置の略示構成図及び第２
図〜第４図は本発明に基づく薄膜カバーユニットを形成
する方法の各工程を示す該ユニットの側面図である。 １０・・・マスク １２・光源 １４・・コンデンサレ
ンズ系 １６・感光性ウェハ素子 １８−・・レンズ系
２０・・薄膜カバーユニット ２２・・支持リング
２４・・汚染物 ２６ ・汚染物の画像 ２８・・ポリ
マーフィルム ３０ 基体 ３２・切欠き ３４ ・ウ
ェハの露出面 ３６・・接着面
像を形成するための投影印刷装置の略示構成図及び第２
図〜第４図は本発明に基づく薄膜カバーユニットを形成
する方法の各工程を示す該ユニットの側面図である。 １０・・・マスク １２・光源 １４・・コンデンサレ
ンズ系 １６・感光性ウェハ素子 １８−・・レンズ系
２０・・薄膜カバーユニット ２２・・支持リング
２４・・汚染物 ２６ ・汚染物の画像 ２８・・ポリ
マーフィルム ３０ 基体 ３２・切欠き ３４ ・ウ
ェハの露出面 ３６・・接着面
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 王 感光性ウェハ上に画像を形成するための投影装置で
使用する薄膜カバーユニットを製造する方法において、
基体の研磨した表面に薄い均一なポリマーフィルムを施
し、該ポリマーを硬化させ、フィルムの外周を取巻く切
欠きを設け、こうしてコーチングした基体を水中でソー
キングし、フィルム面に剥離リングを取付け、フィルム
を該剥離リングと一緒に剥離しかつ該フィルムに薄膜支
持リングを取付けることにより上記薄膜カバーユニット
を製造することを特徴とする、感光性ウェハ上に画像を
形成するだめの投影装置で使用する薄膜カバーユニット
の製法。 ２ 基体がシリコンウェハである、特許請求の範囲第１
項記載の方法。 ６、ポリマーフィルムがポリメチルメタクリレートから
成る、特許請求の範囲第１項記載の方法。 ４ ポリマーの硬化工程を約１７０°Ｃで約１時間実施
する、特許請求の範囲第６項記載の方法。 ５、 コーチングした基体の水中でのソーキング工程が
コーチングした基体の脱イオン化水中でのソーキング工
程である、特許請求の範囲第１項記載の方法。 ６、剥離リングをフィルム表面に取付ける工程がフレキ
シブルな、薄い、平坦な剥離リングを両面粘着テープに
よってフィルム表面に接着する工程から成る、特許請求
の範囲第１項記載の方法。 Ｚ 薄膜支持リングをフィルムに数例げる工程が薄膜支
持リングをフィルムにエポキシ系樹脂で接着する工程か
ら成る、特許請求の範囲第１項記載の方法。 ８、薄い均一なポリマーフィルムをシリコンウエバの研
磨表面にスピニングによってコーチングし、該ポリマー
フィルムがポリメチルメタクリレートから成り、該ポリ
マーフィルムを約１７０℃で約１時間硬化させ、フィル
ムの周囲を取巻く切欠きを設け、こうしてコーチングし
た基体を脱イオン化水でソーキングし、該表面に剥離リ
ングを取付け、フィルムを剥離リングと一緒に剥離し、
該フィルムを薄膜支持リングにエポキシ系接着剤で接着
することにより薄膜カバーユニットを製造する特許請求
の範囲第１項記載の方法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US46626983A | 1983-02-14 | 1983-02-14 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59161032A true JPS59161032A (ja) | 1984-09-11 |
Family
ID=23851136
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2208284A Pending JPS59161032A (ja) | 1983-02-14 | 1984-02-10 | 感光性ウエハ上に画像を形成するための投影装置で使用する薄膜カバ−ユニツトの製法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0119387B1 (ja) |
| JP (1) | JPS59161032A (ja) |
| DE (1) | DE3473184D1 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4828640A (en) * | 1987-05-28 | 1989-05-09 | Mitsui Petrochemical Industries, Ltd. | Method of producing films using a peeling jig |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4254174A (en) * | 1979-03-29 | 1981-03-03 | Massachusetts Institute Of Technology | Supported membrane composite structure and its method of manufacture |
| US4246054A (en) * | 1979-11-13 | 1981-01-20 | The Perkin-Elmer Corporation | Polymer membranes for X-ray masks |
-
1984
- 1984-01-10 EP EP84100194A patent/EP0119387B1/en not_active Expired
- 1984-01-10 DE DE8484100194T patent/DE3473184D1/de not_active Expired
- 1984-02-10 JP JP2208284A patent/JPS59161032A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0119387B1 (en) | 1988-08-03 |
| EP0119387A1 (en) | 1984-09-26 |
| DE3473184D1 (en) | 1988-09-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100353659B1 (ko) | 사진석판술에서 포토마스크의 방진 보호용으로 사용되는 프레임 지지된 펠리클 | |
| KR101762957B1 (ko) | 펠리클 및 그 부착 방법, 그리고 펠리클 부착 마스크 및 마스크 | |
| US4063812A (en) | Projection printing system with an improved mask configuration | |
| US4579616A (en) | Method of fabrication of an optically flat membrane | |
| EP0119310B1 (en) | Method of fabricating a pellicle cover for projection printing system | |
| JPH0142133B2 (ja) | ||
| US4384919A (en) | Method of making x-ray masks | |
| US4523974A (en) | Method of fabricating a pellicle cover for projection printing system | |
| JPS5922050A (ja) | ホトマスク | |
| JPS59161032A (ja) | 感光性ウエハ上に画像を形成するための投影装置で使用する薄膜カバ−ユニツトの製法 | |
| US7271950B1 (en) | Apparatus and method for optimizing a pellicle for off-axis transmission of light | |
| JPS59161822A (ja) | 感光性被覆ウエハ上に画像を形成する投影印刷装置 | |
| JP2000227653A (ja) | リソグラフィー用ペリクル | |
| JP2002323752A (ja) | ペリクル | |
| EP0068012A1 (en) | PHOTOMASK AND MANUFACTURING METHOD. | |
| KR100771409B1 (ko) | 포토리소그래피용 펠리클 | |
| TWM577595U (zh) | Complementary metal oxide semiconductor photosensitive element and protective glass module therefor | |
| JPH08123013A (ja) | ペリクルおよびその接着方法 | |
| JP2005524862A (ja) | 石英基板からなる光学素子を製造する方法 | |
| JPH08179495A (ja) | ペリクル及びその製造方法 | |
| JPS6053871B2 (ja) | 露光方法 | |
| JP3136759B2 (ja) | スタンパ、その製造方法、及び光記録媒体 | |
| JP2783582B2 (ja) | フォトマスク | |
| KR0158559B1 (ko) | 스핀코팅을 이용한 칩 부착방법 | |
| KR100871384B1 (ko) | 반도체 패키지의 제조 방법 |