JPS59157602A - ＬｉＮｂＯ↓３光導波路の製造方法 - Google Patents
ＬｉＮｂＯ↓３光導波路の製造方法Info
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- JPS59157602A JPS59157602A JP58032127A JP3212783A JPS59157602A JP S59157602 A JPS59157602 A JP S59157602A JP 58032127 A JP58032127 A JP 58032127A JP 3212783 A JP3212783 A JP 3212783A JP S59157602 A JPS59157602 A JP S59157602A
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- layer
- waveguide
- crystal plate
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-
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- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/13—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method
- G02B6/134—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by substitution by dopant atoms
- G02B6/1342—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by substitution by dopant atoms using diffusion
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技術分野
本発明は、Ｌ ｉ ＮｂＯ ｓの結晶板に金属を熱拡散
手段で埋込ませ九九導波路の製造方法に関する。
手段で埋込ませ九九導波路の製造方法に関する。
（ｂン 技術の背景
光変調益や光方向性結合器及び光スィッチ等において、
光の広が１二次元的に制御する導波路は、エツチング技
術を利用し導波路が基板の上面に矢出する深彫り壓とリ
ッジ型、及び導波路を基板内に拡散形成する堀込与屋等
がある。
光の広が１二次元的に制御する導波路は、エツチング技
術を利用し導波路が基板の上面に矢出する深彫り壓とリ
ッジ型、及び導波路を基板内に拡散形成する堀込与屋等
がある。
（ｃ） 従来技術と問題点
第１１娘ＬｉＮｂＯｓの結晶板に１゛ｉを辿択的に拡散
してなる光導波路の＠面図、第２図は前記光導波路を作
成する従来方法″４を説明するための図である０ 第１図において、１はＬｉＮｂＯｓの結晶板、２は結晶
板１にＴｉ １−熱拡散手段で埋込んだ光導波路であシ
、結晶板１よシ高屈折率を有する導波路２は、光波の広
が！Ｄｉ−２軸方向（図中の矢印Ｘ方向とｙ方向）に制
御し、図の紙面に垂直な方向へ伝搬するようになる０ このような導波路２は第２図に示す如く、マスク（図示
せず）′１に用いた蒸着法によシ結晶板１の導波路形成
域表面にＴｉの薄膜（金属Ｔｉ層）３を被着したのち、
熱拡散によＪ Ｔｉ拡散ｍ（導波路ン２を形成させる。
してなる光導波路の＠面図、第２図は前記光導波路を作
成する従来方法″４を説明するための図である０ 第１図において、１はＬｉＮｂＯｓの結晶板、２は結晶
板１にＴｉ １−熱拡散手段で埋込んだ光導波路であシ
、結晶板１よシ高屈折率を有する導波路２は、光波の広
が！Ｄｉ−２軸方向（図中の矢印Ｘ方向とｙ方向）に制
御し、図の紙面に垂直な方向へ伝搬するようになる０ このような導波路２は第２図に示す如く、マスク（図示
せず）′１に用いた蒸着法によシ結晶板１の導波路形成
域表面にＴｉの薄膜（金属Ｔｉ層）３を被着したのち、
熱拡散によＪ Ｔｉ拡散ｍ（導波路ン２を形成させる。
しかしこのような従来方法において、ＴＩ ’ｔ” Ｌ
ｉ−ＮｂＯ，に所定深さだけ拡散させるには、その拡散
係数が７Ｊ＼さいため１０００℃以上の高温雰囲気中で
数時間（例えば６時間ンも加熱する必要があシ生産性が
低い、空気又はＮ２ｉの拡散雰囲気に影響されて導波路
特性の再現性が悪い、ＬｉＮｂＯｓ （結晶板ンの露呈
面からＬｌが分帛放出されるとともに拡散用Ｔｉ層の輪
郭境界から結晶板内へ向けて局部的ダメージが発生し導
波路の断面形状が不規則にくずれる、光スィッチにおい
て２本の導波路が交差する部分の如き導波路の局部につ
いて断面形状を他の拡散領域と独立忙制御できない等の
欠点があった０ なお、第６図は前記光スィッチの平面図であシ、スイッ
チｌ１はＬｉＮｂＯ．の角形結晶板１２と、結晶板１２
を左右方向へ貫通する第１０光導波＆ｌ３と、適尚な角
度で導波路１３に交差する第２の導波路１４と、１対の
切換え電極１５を具えて栴取されている。そして、電＆
１５に電界を印加しないときは、等波路１３の左端に大
刀した光波Ａが導波路１３を直進伝播しその右端から出
刃する反面、電極ｌ５に所定の電界を印加すると、光波
Ａは導波路ｌ３と１４の某差部で偏向され導波路ｌ４の
右端から出力するようになる。
ｉ−ＮｂＯ，に所定深さだけ拡散させるには、その拡散
係数が７Ｊ＼さいため１０００℃以上の高温雰囲気中で
数時間（例えば６時間ンも加熱する必要があシ生産性が
低い、空気又はＮ２ｉの拡散雰囲気に影響されて導波路
特性の再現性が悪い、ＬｉＮｂＯｓ （結晶板ンの露呈
面からＬｌが分帛放出されるとともに拡散用Ｔｉ層の輪
郭境界から結晶板内へ向けて局部的ダメージが発生し導
波路の断面形状が不規則にくずれる、光スィッチにおい
て２本の導波路が交差する部分の如き導波路の局部につ
いて断面形状を他の拡散領域と独立忙制御できない等の
欠点があった０ なお、第６図は前記光スィッチの平面図であシ、スイッ
チｌ１はＬｉＮｂＯ．の角形結晶板１２と、結晶板１２
を左右方向へ貫通する第１０光導波＆ｌ３と、適尚な角
度で導波路１３に交差する第２の導波路１４と、１対の
切換え電極１５を具えて栴取されている。そして、電＆
１５に電界を印加しないときは、等波路１３の左端に大
刀した光波Ａが導波路１３を直進伝播しその右端から出
刃する反面、電極ｌ５に所定の電界を印加すると、光波
Ａは導波路ｌ３と１４の某差部で偏向され導波路ｌ４の
右端から出力するようになる。
（ｄ）発明の目的
本発明の目的は、上記問題を隙去したＬｉＮｂＯｓ光導
波路の製造方法を提供し、導波路特性の改善とさらには
生産性の向上を図ることである。
波路の製造方法を提供し、導波路特性の改善とさらには
生産性の向上を図ることである。
（ｅ） 発明の構成
上記目的は、金属の熱拡枢手段で光導波路をパターン形
成するＬｉＮｂＯａの厠晶板は少なくとも光導波路形成
表面域の周囲に熱拡散処理からＬｉＮｂ−０３を保謹す
る保護層を被着し、前記形成表面域に被着した金属層を
結晶板内へ熱拡散させることを特徴とするＬｉＮｂＯｓ
光導波路の製造方法によシ達成される。
成するＬｉＮｂＯａの厠晶板は少なくとも光導波路形成
表面域の周囲に熱拡散処理からＬｉＮｂ−０３を保謹す
る保護層を被着し、前記形成表面域に被着した金属層を
結晶板内へ熱拡散させることを特徴とするＬｉＮｂＯｓ
光導波路の製造方法によシ達成される。
（ｆ） 発明の実施例
以下、図面を用いて本発明方法の実施例を説明する。
第３脂は本発明方法の一実施例に係わる主要工程を説明
するための図、第４図は本発明方法の他の一実施例に係
わる主要工程全説明するための図、第５図は本発明方法
のさらに他の一実施例に係わる主要工程を説明するため
の図であシ、それぞれの主要工程は半製品の一部分を拡
大した断面図で示した。
するための図、第４図は本発明方法の他の一実施例に係
わる主要工程全説明するための図、第５図は本発明方法
のさらに他の一実施例に係わる主要工程を説明するため
の図であシ、それぞれの主要工程は半製品の一部分を拡
大した断面図で示した。
第３図の光導波路製造方法は、結晶板の光導波路形成表
面域に不活性ガス元素（例えはＨｅ，Ｎｅ）及び水素ガ
ス元素ｅｔ−単独又は組合せてイオン注入し、光導波路
形成用金属（例えばＴｉ，Ｎｉ，Ｖ）の拡散容易領域を
形成する方式であシ、図中の′符号２１はＬ・１ＮｂＯ
ｓの結晶板、２２はイオン注入用しンストパターン、２
３はＴｉ蒸着層を示す。
面域に不活性ガス元素（例えはＨｅ，Ｎｅ）及び水素ガ
ス元素ｅｔ−単独又は組合せてイオン注入し、光導波路
形成用金属（例えばＴｉ，Ｎｉ，Ｖ）の拡散容易領域を
形成する方式であシ、図中の′符号２１はＬ・１ＮｂＯ
ｓの結晶板、２２はイオン注入用しンストパターン、２
３はＴｉ蒸着層を示す。
第３図（イ）ｌｃオイて、ＬｉＮｂＯ３板２ｆの表面に
レジストパターン２２を選択的に被着し、導波路形成域
以外の前記表面をレジストパターン２２で覆ったのち、
ＬｉＮｂ０Ｂ板２１の露呈表面に例えばＨイオンを注入
すると、ＬｉＮｂ０．板２１にはイオン注入によるダメ
ージ領域２１′が形成される。
レジストパターン２２を選択的に被着し、導波路形成域
以外の前記表面をレジストパターン２２で覆ったのち、
ＬｉＮｂ０Ｂ板２１の露呈表面に例えばＨイオンを注入
すると、ＬｉＮｂ０．板２１にはイオン注入によるダメ
ージ領域２１′が形成される。
そこでレジストパターン２２ｆ：除去したのち、第３図
（ロ）に示す如く、ＬｉＮｂＯ５板２１の表板金１に金
属Ｔｉ層２３を蒸着する。
（ロ）に示す如く、ＬｉＮｂＯ５板２１の表板金１に金
属Ｔｉ層２３を蒸着する。
次いで、ＬｉＮｂ０ａにＴｉ ｆ拡散させる処理を施す
と第３図（ハ）に示す如＜、ＬｉＮｂＯ５板２１の表板
金１にＴｉが拡散するが、Ｔｉ拡散係数はダメージ領域
２１’で大きくなるため、光等波路２１“が形成される
。
と第３図（ハ）に示す如＜、ＬｉＮｂＯ５板２１の表板
金１にＴｉが拡散するが、Ｔｉ拡散係数はダメージ領域
２１’で大きくなるため、光等波路２１“が形成される
。
従って、第３図に示す方式で製造された光導波路２１“
は、拡散処理中にＬｉＮｂ０ａのＬｉが抜出けて導波路
２１“の形状を乱すことがなり、シかも予め形成させた
ダメージ領舅２１’にＴｉ ｆ拡散させるため拡散時間
が従来方法よシ短縮されることになる。と共に、イオン
注入する元素を複数種類組合せることにより注入ダメー
ジの分布を不均一にすれば、導波路２１・の局部冒制御
を可能にする・第４図の光導波路製造方法は、結晶板の
光等波路形成表面域に光導波路形成用金属を被着し、そ
の上にＳｔ、Ｎ、の保護層を被着して拡散処理する方式
であシ、図中の符号３１はＬｉＮｂＯ５の結晶板、３２
はＴｉ蒸着層、３３はＳｉ、Ｎ、保歇層を示す０第４図
（イ）において、ＬｉＮｂＯ３板３１の光板波１形成域
表面にＴｉ／１ｉｔ３２ｔ−パターン形成したのち、Ｔ
ｉ層３２を覆うＳ ｉ 、Ｎ４層３３ｔ−被着する。な
お、Ｓｉ、Ｎ４層３３はＳｉＨ＋ ＋ ＮＨ＋又はＳｉ
Ｈ番十Ｎ２によるＣＶＤ手段で被着可能である。
は、拡散処理中にＬｉＮｂ０ａのＬｉが抜出けて導波路
２１“の形状を乱すことがなり、シかも予め形成させた
ダメージ領舅２１’にＴｉ ｆ拡散させるため拡散時間
が従来方法よシ短縮されることになる。と共に、イオン
注入する元素を複数種類組合せることにより注入ダメー
ジの分布を不均一にすれば、導波路２１・の局部冒制御
を可能にする・第４図の光導波路製造方法は、結晶板の
光等波路形成表面域に光導波路形成用金属を被着し、そ
の上にＳｔ、Ｎ、の保護層を被着して拡散処理する方式
であシ、図中の符号３１はＬｉＮｂＯ５の結晶板、３２
はＴｉ蒸着層、３３はＳｉ、Ｎ、保歇層を示す０第４図
（イ）において、ＬｉＮｂＯ３板３１の光板波１形成域
表面にＴｉ／１ｉｔ３２ｔ−パターン形成したのち、Ｔ
ｉ層３２を覆うＳ ｉ 、Ｎ４層３３ｔ−被着する。な
お、Ｓｉ、Ｎ４層３３はＳｉＨ＋ ＋ ＮＨ＋又はＳｉ
Ｈ番十Ｎ２によるＣＶＤ手段で被着可能である。
次いで Ｔ ｉをＬｉＮｂＯ５に拡散させる処理を施す
と第４図（ロ）に示す如＜、ＴｉＭ３２を被着したＬｉ
ＮｂＯ５板３１内へＴｉが拡散し光導波路３１′が形成
される。
と第４図（ロ）に示す如＜、ＴｉＭ３２を被着したＬｉ
ＮｂＯ５板３１内へＴｉが拡散し光導波路３１′が形成
される。
従って、第４図に示す方式で製造された光等波路３１′
は、拡散処理中にＬ １ＮｂＯｓのＬｉが抜出すことを
Ｓｉ、Ｎ、層３３が抑止するため、導波路３１′の形状
が乱されないようになる。なお、Ｔｉ鳩３２をり７トオ
フ手段で形成するのに先立ち、１１層３２形成用レジス
トパターンをマスクとして、光導波路（３１’）形成域
に例えばＨイオンを注入しておくとＴｉ層３２の拡散を
容易化できる。
は、拡散処理中にＬ １ＮｂＯｓのＬｉが抜出すことを
Ｓｉ、Ｎ、層３３が抑止するため、導波路３１′の形状
が乱されないようになる。なお、Ｔｉ鳩３２をり７トオ
フ手段で形成するのに先立ち、１１層３２形成用レジス
トパターンをマスクとして、光導波路（３１’）形成域
に例えばＨイオンを注入しておくとＴｉ層３２の拡散を
容易化できる。
第５図の光導波路製造方法は、光等波路を形成させない
表面域にＳｉ３Ｎ４の保護層を被着し、その上に光導波
路形成用金属層を被着して拡散処理する方式であ）、図
中の符号４１はＬｉＮｂＯ５の結晶板、４２はＳｉ、Ｎ
、の保護層、４３はＴｉ蒸着層を示す。
表面域にＳｉ３Ｎ４の保護層を被着し、その上に光導波
路形成用金属層を被着して拡散処理する方式であ）、図
中の符号４１はＬｉＮｂＯ５の結晶板、４２はＳｉ、Ｎ
、の保護層、４３はＴｉ蒸着層を示す。
第５図（イ）において、ＬｉＮｂＯ３板４１の光板波１
を形成しない表面域Ｋ Ｓｉ、Ｎ、層４２を被着する。
を形成しない表面域Ｋ Ｓｉ、Ｎ、層４２を被着する。
次いで第５図（ロ）に示す如く、ＬｉＮｂ０ａ板４１が
露呈するＩ光導波路形成域を埋める１１層４３を被着し
たの％、ＬｉＮｂ０ａにＴｉ ｋ拡散させる処理を施す
と第５図（ハ）に示す如く光等波路４１’が形成される
。
露呈するＩ光導波路形成域を埋める１１層４３を被着し
たの％、ＬｉＮｂ０ａにＴｉ ｋ拡散させる処理を施す
と第５図（ハ）に示す如く光等波路４１’が形成される
。
従って、比５図に示す方式で製造された光導波路４１’
は、拡散処理中にＬｉＮｂＯ５のＬｉが抜出すことをＳ
ｉ 、Ｎ、層４２が抑止するため、導波路４１′の形
状は乱されることなく形成される。ただし、Ｓｉ、Ｎ、
層４２ｔ−マスクとして、光導波路（４１’ ）形成域
に例えばＨイオンを注入したのち、１１層４３を被着し
それを拡散させるようにすると、該拡散は容易化するよ
うになる。
は、拡散処理中にＬｉＮｂＯ５のＬｉが抜出すことをＳ
ｉ 、Ｎ、層４２が抑止するため、導波路４１′の形
状は乱されることなく形成される。ただし、Ｓｉ、Ｎ、
層４２ｔ−マスクとして、光導波路（４１’ ）形成域
に例えばＨイオンを注入したのち、１１層４３を被着し
それを拡散させるようにすると、該拡散は容易化するよ
うになる。
なお、第４図及び第５図において保護層３２及び４２は
５ｉＨＮ＋にてなるが、剥離し易いＳｉ３Ｎ４層を保護
するには５ｉｓＮｔ層の上に５ｉ（ｈ Ａｉｌを積層形
成させることが有効であシ、該５ｉ０１層はＳｉＨ４十
０２又はＳｉＨ，十Ｎ、ＯによるＣＶＤ法で形成可能で
ある。
５ｉＨＮ＋にてなるが、剥離し易いＳｉ３Ｎ４層を保護
するには５ｉｓＮｔ層の上に５ｉ（ｈ Ａｉｌを積層形
成させることが有効であシ、該５ｉ０１層はＳｉＨ４十
０２又はＳｉＨ，十Ｎ、ＯによるＣＶＤ法で形成可能で
ある。
は）発明の詳細
な説明した如く本発明方法は、光導波路を拡散形成する
ときにＬｉＮｂＯ５板のＬｉが抜出して該導波路の均一
性を損うことがないため光波伝播ロスが減少し、光導波
路形成の局部的制御を可能ならしめて光スィッチ等の機
能向上に貢献し、さらにＬｉＮｂＯ５板の光等波路形成
域に金属拡散係数を高めるダメージ（イオン注入）を作
る方式にあっては金属拡散時間が大幅に減少して生産性
を向上させた効果は極めて大きい。
ときにＬｉＮｂＯ５板のＬｉが抜出して該導波路の均一
性を損うことがないため光波伝播ロスが減少し、光導波
路形成の局部的制御を可能ならしめて光スィッチ等の機
能向上に貢献し、さらにＬｉＮｂＯ５板の光等波路形成
域に金属拡散係数を高めるダメージ（イオン注入）を作
る方式にあっては金属拡散時間が大幅に減少して生産性
を向上させた効果は極めて大きい。
第１図はＬｉＮｂＯ５の結晶板に金属Ｔｉを拡散させた
光導波路の断面図、８２図は前記導波路を作成する従来
方法を説明するための図、第３囚は本発明方法の一実施
例に係わる主要工程ｔ−説明するための図、第４図は本
発明方法の他の一実施例に係わる主要工程を説明するだ
めの図、第５図は本発明方法のさらに他の一実施例に係
わる主要工程を説明するための図、第６図は光スィッチ
の主要構成を示す平面図である。 なお図中において、１． １２． ２１． ３１，４１
はＬｉＮｂ０．の結晶板、２．１３．１４．２１“、
３１’、４１’は光導波路、３．２３．３２．４３はＴ
ｉ層、２１′はイオン注入によるダメージ域を示す。 寮５図 （イ） １聞 ７゜
光導波路の断面図、８２図は前記導波路を作成する従来
方法を説明するための図、第３囚は本発明方法の一実施
例に係わる主要工程ｔ−説明するための図、第４図は本
発明方法の他の一実施例に係わる主要工程を説明するだ
めの図、第５図は本発明方法のさらに他の一実施例に係
わる主要工程を説明するための図、第６図は光スィッチ
の主要構成を示す平面図である。 なお図中において、１． １２． ２１． ３１，４１
はＬｉＮｂ０．の結晶板、２．１３．１４．２１“、
３１’、４１’は光導波路、３．２３．３２．４３はＴ
ｉ層、２１′はイオン注入によるダメージ域を示す。 寮５図 （イ） １聞 ７゜
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１） ＬｉＮｂＯ５の結晶板に金属の熱拡散手段で
所望パターンの光導波路を形成する方法において、Ｌｉ
−Ｎｂ０．の結晶板は少なくとも光導波路形成表面域の
周囲に熱拡散処理からＬｉＮｂＯ５を保護する保護層を
被着し、前記形成表面域に被着した金属層を結晶板内へ
熱拡散させること全特徴とするＬｉＮｂｏ ｓ光導波路
の製造方法。 （２）前記保護層が拡散金属の層でおシ、前記結晶板は
前記光導波路形成表面域に不活性ガス又は水素ガスをイ
オン注入したのち、前記イオン注入域とそΩ周囲に前記
拡散金輌の層を被着し、拡散金属を結晶板内へ熱拡散さ
せることｔ−％徴とする前記特許請求の範囲第（１）項
に記載したＬｉＮｂＯ５光導波路の製造方法。 （３）前記保設層がＳ Ｌ ３Ｎ、であり、前記結晶板
は前記光導波路形成表面域に拡散金属の層ｔ−被着し、
その上を覆って５ｉｌＮ４の層を被着したのち、前記熱
拡散させることｔ−特徴とする前記特許請求の範囲第（
１）項に記載したＬｉＮｂ０．光導波路の製造方法０（
４）前記拡散金属層１７フトオ７手段でノ（ターン面に
前記イオン注入すること全特徴とする前記特許請求の範
囲第（３）項に記載したＬＩＮｂＯｓ光導波路の製造方
法０ （５）前記保護層がＳ ｉ ｓ Ｎ４であシ、前記結晶
板は前記光導波路形成表面域の周囲に５ｉｓＮ４の層を
被着し、前記表面域及びＳ ｉ Ｂ Ｎ４層の上に拡散
金属の層を被着したのち、前記熱拡散させることｔ−特
徴とする前記特許請求の範囲第（１）項に記載したＬｔ
ＮｂＯｓ光導波路の製造方法。 （６）被着した前記Ｓ ｉ Ｂ Ｎ４層をマスクとして
前記結晶板の露呈表面に前記゛イオン注入したのち、前
記拡散金属層を被着したことを特徴とする特許請求の範
囲ｇ（５）項に記載したＬｉＮｂ０３先導波路の製造方
法。 （７）前記Ｓ ｉ ＨＮ４層の上に５ｉｆｔ Ｍｌを積
層したことを特徴とする特許 項に記載したＬｉＮｂ０ｍ光導波路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58032127A JPS59157602A (ja) | 1983-02-28 | 1983-02-28 | ＬｉＮｂＯ↓３光導波路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58032127A JPS59157602A (ja) | 1983-02-28 | 1983-02-28 | ＬｉＮｂＯ↓３光導波路の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59157602A true JPS59157602A (ja) | 1984-09-07 |
Family
ID=12350216
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58032127A Pending JPS59157602A (ja) | 1983-02-28 | 1983-02-28 | ＬｉＮｂＯ↓３光導波路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59157602A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60143446U (ja) * | 1984-03-05 | 1985-09-24 | キヤノン株式会社 | 反射鏡を含む光学系 |
| FR2615006A1 (fr) * | 1987-05-04 | 1988-11-10 | Thomson Csf | Guide d'onde optique integre, son procede de fabrication, et son utilisation dans un modulateur electro-optique |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52123251A (en) * | 1976-04-06 | 1977-10-17 | Siemens Ag | Method of producing photoconductive structure with electrode |
| JPS52123250A (en) * | 1976-04-06 | 1977-10-17 | Siemens Ag | Method of producing photoconductive structure with electrode |
-
1983
- 1983-02-28 JP JP58032127A patent/JPS59157602A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52123251A (en) * | 1976-04-06 | 1977-10-17 | Siemens Ag | Method of producing photoconductive structure with electrode |
| JPS52123250A (en) * | 1976-04-06 | 1977-10-17 | Siemens Ag | Method of producing photoconductive structure with electrode |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60143446U (ja) * | 1984-03-05 | 1985-09-24 | キヤノン株式会社 | 反射鏡を含む光学系 |
| JPH0511560Y2 (ja) * | 1984-03-05 | 1993-03-23 | ||
| FR2615006A1 (fr) * | 1987-05-04 | 1988-11-10 | Thomson Csf | Guide d'onde optique integre, son procede de fabrication, et son utilisation dans un modulateur electro-optique |
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