JPS5915565B2 - 発振回路 - Google Patents
発振回路Info
- Publication number
- JPS5915565B2 JPS5915565B2 JP16147078A JP16147078A JPS5915565B2 JP S5915565 B2 JPS5915565 B2 JP S5915565B2 JP 16147078 A JP16147078 A JP 16147078A JP 16147078 A JP16147078 A JP 16147078A JP S5915565 B2 JPS5915565 B2 JP S5915565B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- field effect
- effect transistor
- oscillation circuit
- channel field
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K4/00—Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions
Landscapes
- Inverter Devices (AREA)
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は簡単な構成の発振回路に関する。
従来、簡単な構成の発振回路としてはトランスとトラン
ジスタとを組合わせた一方インバーク等が知られている
が、これらはいずれもトランジスタの飽和及び磁気飽和
を利用しているため一般に電力損失が大きい欠点があっ
た。
ジスタとを組合わせた一方インバーク等が知られている
が、これらはいずれもトランジスタの飽和及び磁気飽和
を利用しているため一般に電力損失が大きい欠点があっ
た。
従って、本発明の目的は、トランジスタを不飽和状態で
使用した非常に簡単な構成の発振回路を提供することで
ある。
使用した非常に簡単な構成の発振回路を提供することで
ある。
本発明を図示実症例を参照して以下に詳細に説明する。
第１図は本発明の発振回路の実施例を示す図である。
本実施例はＮ Ｐ Ｎ トランジスタＴｒ、Ｐチャンネ
ル電界効果トランジスタＦＥＴ（以下においては単に電
界効果トランジスタＦＥＴと略記する）、トランスＴ１
抵抗Ｒ、スイッチＳ及び直流電源から構成されている。
ル電界効果トランジスタＦＥＴ（以下においては単に電
界効果トランジスタＦＥＴと略記する）、トランスＴ１
抵抗Ｒ、スイッチＳ及び直流電源から構成されている。
トランジスタＴｒのベース及びコレクタはそれぞれ電界
効果トランジスタＦＥＴのドレイン及びゲートに接続さ
れ、電界効果トランジスタＦＥＴのソースも抵抗Ｒとト
ランスＴの１次側コイルＬ１とを介してトランジスタＴ
ｒのコレクタに接続されている。
効果トランジスタＦＥＴのドレイン及びゲートに接続さ
れ、電界効果トランジスタＦＥＴのソースも抵抗Ｒとト
ランスＴの１次側コイルＬ１とを介してトランジスタＴ
ｒのコレクタに接続されている。
直流電源からの直流電圧ｖＥはスイッチＳによりオン・
オフされ、それぞれ１次側コイルＬ１及び抵抗Ｒを介し
てトランジスタＴｒ及び電界効果トランジスタＦＥＴに
印加される。
オフされ、それぞれ１次側コイルＬ１及び抵抗Ｒを介し
てトランジスタＴｒ及び電界効果トランジスタＦＥＴに
印加される。
今、スイッチＳを閉じると直流電圧■Ｅにより抵抗Ｒと
電界効果トランジスタＦＥＴのソース・ドレイン間の抵
抗Ｒ８Ｄ とを介してトランジスタＴｒのベースからエ
ミッタに電流が流れ、これにより１次側コイルＬ１を介
してトランジスタＴｒのコレクタからエミッタに電流が
流れる。
電界効果トランジスタＦＥＴのソース・ドレイン間の抵
抗Ｒ８Ｄ とを介してトランジスタＴｒのベースからエ
ミッタに電流が流れ、これにより１次側コイルＬ１を介
してトランジスタＴｒのコレクタからエミッタに電流が
流れる。
このためトランジスタＴｒのコレクタ電位すなわちＣ点
の電位が下がり、トランジスタＴｒのエミッタ・ベース
間電圧降下ＶＢＥ と電界効果トランジスタＰＥＴのソ
ース・ドレイン間電圧降下ＶＳＤ との和〔ＶＢＥ＋■
ｓＤ〕よりもトランジスタＴｒのコレクタ・エミッタ間
電圧降下ＶＯＥ と電界効果トランジスタＦＥＴのソー
ス・ゲート間順方向電圧降下ＶＳＧとの和（ＶＯＥ＋Ｖ
ＳＧ）が小さくなると、電流は電界効果トランジスタＦ
ＥＴのソースからゲートを通ってトランジスタＴｒのコ
レクタに流れコレクタ電位が下がるのを抑えるように作
用し、これにより１次側コイルＬ１を流れる電流が減少
する。
の電位が下がり、トランジスタＴｒのエミッタ・ベース
間電圧降下ＶＢＥ と電界効果トランジスタＰＥＴのソ
ース・ドレイン間電圧降下ＶＳＤ との和〔ＶＢＥ＋■
ｓＤ〕よりもトランジスタＴｒのコレクタ・エミッタ間
電圧降下ＶＯＥ と電界効果トランジスタＦＥＴのソー
ス・ゲート間順方向電圧降下ＶＳＧとの和（ＶＯＥ＋Ｖ
ＳＧ）が小さくなると、電流は電界効果トランジスタＦ
ＥＴのソースからゲートを通ってトランジスタＴｒのコ
レクタに流れコレクタ電位が下がるのを抑えるように作
用し、これにより１次側コイルＬ１を流れる電流が減少
する。
コイルＬ１を流れる電流が減少するとコイルＬ１に起電
力が生じて、トランジスタＴｒのコレクタ電位が上昇し
、電界効果トランジスタＦＥＴのソース・ゲート間に逆
バイアスが加わり、このためベース電流が減少し、つい
に電界効果トランジスタＦＥＴがカットオフすると１次
側コイルＬ１のリアクタンスにより大きな逆起電力が発
生する。
力が生じて、トランジスタＴｒのコレクタ電位が上昇し
、電界効果トランジスタＦＥＴのソース・ゲート間に逆
バイアスが加わり、このためベース電流が減少し、つい
に電界効果トランジスタＦＥＴがカットオフすると１次
側コイルＬ１のリアクタンスにより大きな逆起電力が発
生する。
その後、１次側コイルＬ１のエネルギーがなくなると、
この発振回路は最初にスイッチＳがオンにされた状態に
戻り再びトランジスタＴｒのベースに電流が流れ前述の
現象を繰返してトランスＴの２次側コイルＬ２の両端間
に交流電圧Ｖｏを出力する。
この発振回路は最初にスイッチＳがオンにされた状態に
戻り再びトランジスタＴｒのベースに電流が流れ前述の
現象を繰返してトランスＴの２次側コイルＬ２の両端間
に交流電圧Ｖｏを出力する。
すなわち、本発明の発振回路は、トランジスタＴｒのベ
ースに直列接続された電界効果トランジスタＦＥＴによ
りトランジスタＴｒのベース電流を制御しかつこの電界
効果トランジスタＦＥＴのソース・ゲート間ＰＮ接合を
本来のＦＥＴの作用のみならずトランジスタＴｒを不飽
和状態で使用できるようにし、飽和時間帯の電力分だけ
損失を少なくするために利用したものである。
ースに直列接続された電界効果トランジスタＦＥＴによ
りトランジスタＴｒのベース電流を制御しかつこの電界
効果トランジスタＦＥＴのソース・ゲート間ＰＮ接合を
本来のＦＥＴの作用のみならずトランジスタＴｒを不飽
和状態で使用できるようにし、飽和時間帯の電力分だけ
損失を少なくするために利用したものである。
第２図は本発明の発振回路の出力交流電圧■。
の波形を示す図である。
本発明の発振回路の利点としては、一般の一方インバー
タにおけるように磁気飽和を使用していないのでこれに
伴なう電力損失を少なくできること、トランス以外は同
一半導体基板上に簡単に構成できるので極めて経済的な
発振回路が製作できること等がある。
タにおけるように磁気飽和を使用していないのでこれに
伴なう電力損失を少なくできること、トランス以外は同
一半導体基板上に簡単に構成できるので極めて経済的な
発振回路が製作できること等がある。
本実施例においてはＮＰＮ ｌ−ランジスタを用いた構
成になっているが、ＮＰＮ ｌ−ランジスタのかわりに
Ｎチャンネル電界効果トランジスタを用いても同様の発
振回路を構成できる。
成になっているが、ＮＰＮ ｌ−ランジスタのかわりに
Ｎチャンネル電界効果トランジスタを用いても同様の発
振回路を構成できる。
また、本発明の発振回路は磁気飽和型としても当然に発
振は可能である。
振は可能である。
本発明の発振回路は一般の発振回路として使用できるこ
とは当然であるが、特にガス点火装置、簡単なインバー
タ、蛍光灯点燈装置等に適用できる。
とは当然であるが、特にガス点火装置、簡単なインバー
タ、蛍光灯点燈装置等に適用できる。
第１図は本発明の発振回路の実施例を示す図である。
第２図は第１図の発振回路の出力交流電圧波形を示す図
である。 〔符号説明〕、Ｔｒ：ＮＰＮトランジスタ、ＦＥＴ：電
界効果トランジスタ、Ｓ：スイッチ、Ｒ：抵抗、Ｌ１ニ
ドランスＴの１次側コイル、Ｌ２ニドランスＴの２次側
コイル、■ｏ：出力交流電圧、■Ｅ：直流電圧。
である。 〔符号説明〕、Ｔｒ：ＮＰＮトランジスタ、ＦＥＴ：電
界効果トランジスタ、Ｓ：スイッチ、Ｒ：抵抗、Ｌ１ニ
ドランスＴの１次側コイル、Ｌ２ニドランスＴの２次側
コイル、■ｏ：出力交流電圧、■Ｅ：直流電圧。
Claims (1)
- １ 直流電源をスイッチ及びトランスの１次側コイルを
介してＮＰＮトランジスタのコレクタ（またはＮチャン
ネル電界効果トランジスタのドレイン）に接続し、この
ＮＰＮ ｌ−ランジスタのベース（またはＮチャンネル
電界効果トランジスタのゲート）にＰチでンネル電界効
果トランジスタのトレインを接続し、このＰチャンネル
電界効果トランジスタの゛ノースを抵抗を介して前記ス
イッチと１次側コイルとの接続点に接続して閉ループを
形成し、前記Ｐチャンネル電界効果トランジスタのゲー
トを前記ＮＰＮ トランジスタのコレクタ（またはＮチ
トンネル電界効果トランジスタのドレイン）に接続して
負帰還ループを形成して、前記スイッチによりＮＰＮ
トランジスタ（またはＮチャンネル電界効果トランジス
タ）に印加された直流電圧により前記トランスの２次側
コイルに交流電圧を発生することを特徴とする発振回路
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16147078A JPS5915565B2 (ja) | 1978-12-26 | 1978-12-26 | 発振回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16147078A JPS5915565B2 (ja) | 1978-12-26 | 1978-12-26 | 発振回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5588421A JPS5588421A (en) | 1980-07-04 |
| JPS5915565B2 true JPS5915565B2 (ja) | 1984-04-10 |
Family
ID=15735699
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16147078A Expired JPS5915565B2 (ja) | 1978-12-26 | 1978-12-26 | 発振回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5915565B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3257813B2 (ja) * | 1992-01-30 | 2002-02-18 | テルモ株式会社 | 光電変換器 |
-
1978
- 1978-12-26 JP JP16147078A patent/JPS5915565B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5588421A (en) | 1980-07-04 |
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