JPS59153152A - 二重収束ｘ線分光結晶及び該結晶を具えるｘ線検査装置 - Google Patents
二重収束ｘ線分光結晶及び該結晶を具えるｘ線検査装置Info
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- JPS59153152A JPS59153152A JP59017218A JP1721884A JPS59153152A JP S59153152 A JPS59153152 A JP S59153152A JP 59017218 A JP59017218 A JP 59017218A JP 1721884 A JP1721884 A JP 1721884A JP S59153152 A JPS59153152 A JP S59153152A
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- G01N23/20—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by using diffraction of the radiation by the materials, e.g. for investigating crystal structure; by using scattering of the radiation by the materials, e.g. for investigating non-crystalline materials; by using reflection of the radiation by the materials
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＸ線検査装置におけるＸ線放射を単色化すると
共に収束する二重収束Ｘ＃分光結晶及び斯る結晶を具え
たＸ線分析装置に関するものである。
共に収束する二重収束Ｘ＃分光結晶及び斯る結晶を具え
たＸ線分析装置に関するものである。
斯るｘ！ｆＩ＄分光結晶は英国特許第１０８９７１４号
明細書から既知である。これに記載されている分光結晶
は二重集束を得るために２方向に異なる曲率半径で湾曲
さねでいる。結晶をこのような形に湾曲させる方法はか
なり健かしく、既知の方法では結晶が破損し易く、また
後の変形のために曲率が所望の最適曲率からずれる問題
がある。事実。
明細書から既知である。これに記載されている分光結晶
は二重集束を得るために２方向に異なる曲率半径で湾曲
さねでいる。結晶をこのような形に湾曲させる方法はか
なり健かしく、既知の方法では結晶が破損し易く、また
後の変形のために曲率が所望の最適曲率からずれる問題
がある。事実。
結晶は絶えず力が加えられた状態にあり、その結果とし
て動作中例えば温度変化や老化現象により変形が生じ易
い。史に、結晶の後面がでこぼこであると結晶のモノク
ロメータとしての動作が悪影響を受けるので結晶の後面
がでこほこにならないようにすることが重要である。
て動作中例えば温度変化や老化現象により変形が生じ易
い。史に、結晶の後面がでこぼこであると結晶のモノク
ロメータとしての動作が悪影響を受けるので結晶の後面
がでこほこにならないようにすることが重要である。
本発明の目的はこねらの欠点を除去することにあり、本
発明ｘｌＩ４分光結晶は片側面が凹面状に削られ目つ反
対但１の精密仕上げ表面をジグの精密仕上げ四ｍ１内に
装着して成る単−結晶であることを特徴とする。
発明ｘｌＩ４分光結晶は片側面が凹面状に削られ目つ反
対但１の精密仕上げ表面をジグの精密仕上げ四ｍ１内に
装着して成る単−結晶であることを特徴とする。
極めて厳格なブラッグ条件を有すると共に高い反射率を
有する１４′ｉ−結晶を収束用にその能動結晶面を球面
状に変形させて使用すると、非変形性の棲めて有効な結
晶を比較的簡単に製造し得ることが確かめられた。
有する１４′ｉ−結晶を収束用にその能動結晶面を球面
状に変形させて使用すると、非変形性の棲めて有効な結
晶を比較的簡単に製造し得ることが確かめられた。
本発明の好適例では、結晶とジグの凹面は球面状にする
。結晶をジグ内に配置する前に結晶の背面のでこぼこを
例えば機械的処理及び／又はエツチングにより除去すれ
ば、ジグの保護作用により結晶背面かでこぼこになるの
を永久に防止することができる。
。結晶をジグ内に配置する前に結晶の背面のでこぼこを
例えば機械的処理及び／又はエツチングにより除去すれ
ば、ジグの保護作用により結晶背面かでこぼこになるの
を永久に防止することができる。
本発明の好適例では、結晶を接着剤を吸収する多孔性の
材料から成るジグ内に接着剤で固着する。
材料から成るジグ内に接着剤で固着する。
特に、ジグの球面状凹面は曲率半径２Ｒを有し、結晶の
能動結晶表面は曲率半径Ｒを有するものとする。製造に
当ってＧゴ、平面結晶をジグ内に装着し、次いでその能
動表面を所望の曲率に研削することができ、また最初に
結晶に曲率をつけ、斯る後に結晶をジグ内に装着するこ
ともでき、この場合には結晶に最初に付ける曲率はこの
結晶をジグ内に装着したときジグの曲率と相まって所望
の曲率になる値にする。更に、結晶の非能動表面上には
金属Ｎ全役けることができ、この金属層は例えば蒸着、
スパッタリング又はスピニングにより極めて均一な厚さ
の層に被着することができる。この金属層を接合中間層
として設けた場合には結晶をジグ内に、例えばはんだ付
は又は拡散により固着することができ、この場合にはジ
グを多孔質材料にする必要はない。或は又、この金属層
は金が箔の形態に被着することもでき、こねはもろく低
強度の結晶材料を使用する場合に特に好適である。
能動結晶表面は曲率半径Ｒを有するものとする。製造に
当ってＧゴ、平面結晶をジグ内に装着し、次いでその能
動表面を所望の曲率に研削することができ、また最初に
結晶に曲率をつけ、斯る後に結晶をジグ内に装着するこ
ともでき、この場合には結晶に最初に付ける曲率はこの
結晶をジグ内に装着したときジグの曲率と相まって所望
の曲率になる値にする。更に、結晶の非能動表面上には
金属Ｎ全役けることができ、この金属層は例えば蒸着、
スパッタリング又はスピニングにより極めて均一な厚さ
の層に被着することができる。この金属層を接合中間層
として設けた場合には結晶をジグ内に、例えばはんだ付
は又は拡散により固着することができ、この場合にはジ
グを多孔質材料にする必要はない。或は又、この金属層
は金が箔の形態に被着することもでき、こねはもろく低
強度の結晶材料を使用する場合に特に好適である。
例えば燐青銅の金属箔を被着すわばもろく低強度の結晶
材料の場合でも高強度の極めてフレキシブルな結晶素子
を得ることができる。更に、結晶の背面を結晶が最終的
に少くとも略々均一な厚さになるように形成することも
できる。結晶の背面側の表面は、この表面にでこぼこが
あると結晶の動作が悪影響を受けるので栖めて平らにす
る必要がある。
材料の場合でも高強度の極めてフレキシブルな結晶素子
を得ることができる。更に、結晶の背面を結晶が最終的
に少くとも略々均一な厚さになるように形成することも
できる。結晶の背面側の表面は、この表面にでこぼこが
あると結晶の動作が悪影響を受けるので栖めて平らにす
る必要がある。
本発明の他の例では、結晶を転移の少ないシリコン又は
ゲルマニウムの単一結晶とし、こねをジグ内に装着して
弾性的にのみ変形されたものとする。この場合、この単
一結晶は例えば（１２４）結晶面に沿ってカットしたス
ライスとする。これを球形に変形した後に、その（１２
４）結晶面の曲率中心がローランド球上に位置するよう
にして（１１１１、（０２２）及び（１１８）結晶面の
ような順次小さい面間隔を有する仲の結晶面もこの珠玉
に近似的に位置するようにする。このように構成′する
と、この単一結晶を分光計に用いることにより、分析す
べき試料中に原子番号１５〜４０を有する元素が存在す
るか否かを例えばにα線で検出し得ると共に、４０以上
の原子番号を有する元素の存在をＬα線で検出すること
ができる。
ゲルマニウムの単一結晶とし、こねをジグ内に装着して
弾性的にのみ変形されたものとする。この場合、この単
一結晶は例えば（１２４）結晶面に沿ってカットしたス
ライスとする。これを球形に変形した後に、その（１２
４）結晶面の曲率中心がローランド球上に位置するよう
にして（１１１１、（０２２）及び（１１８）結晶面の
ような順次小さい面間隔を有する仲の結晶面もこの珠玉
に近似的に位置するようにする。このように構成′する
と、この単一結晶を分光計に用いることにより、分析す
べき試料中に原子番号１５〜４０を有する元素が存在す
るか否かを例えばにα線で検出し得ると共に、４０以上
の原子番号を有する元素の存在をＬα線で検出すること
ができる。
本発明の好適例では、本発明による分光結晶をｘ ｍ分
析装置のモノクロメータとして用い、この場合には試料
を固定６１置し、分光結晶の２つの位置で、検出器によ
り各−回の円弧走査をするだけで完全な分析を行なうこ
とができる。この場合には分解能及び信号対雑音比を実
質的に改善することもできる。
析装置のモノクロメータとして用い、この場合には試料
を固定６１置し、分光結晶の２つの位置で、検出器によ
り各−回の円弧走査をするだけで完全な分析を行なうこ
とができる。この場合には分解能及び信号対雑音比を実
質的に改善することもできる。
本発明による分光結晶は更に、例えば集中ＣＵ−にα、
線ビームを用いるｘ１１ｉＩｉ！回折計に有効に使用す
ることができると共に応力検査用又は組織検査用装置に
も有効に使用することができる。
線ビームを用いるｘ１１ｉＩｉ！回折計に有効に使用す
ることができると共に応力検査用又は組織検査用装置に
も有効に使用することができる。
以下、本発明の数個の実施例を図面を参照して詳細に説
明する。
明する。
第１図は能動表面８が球５の一部を形成し個々の結晶面
の曲率中心７が球５上に位置するシリコン単一結晶１を
示す。この図には結晶面（１２４１に平行な材料片から
成る結晶の結晶面（１２４１゜（１１３）、（０２２１
及びｆｕｌｌ ）の曲率中心を示してあり、結晶面（１
２４）の曲率中心は球面上に正確に位旨し、他の結晶面
の曲率中心は球面上に近似的に位置する。球５（ローラ
ンド球としても示しである）は結晶の位置及び曲率半径
と曲率中心ｆ１２４）とにより決まる。結晶面（１１８
１、（０２２）及び（１１１）の曲率中心は球面上に近
似的に次のように位置する。即ち、結晶面（１１，１）
及び（０２２）の曲率中心は結晶面（１２４）の曲率中
心とともに球５の中心１１を通る円９の円周上に位置す
ると共に、結晶面（１１１）の曲率中心は曲率中心ｆ１
２４ ）とともに円９と直角を成す中心１１を通る円１
８の円周上に位置する。
の曲率中心７が球５上に位置するシリコン単一結晶１を
示す。この図には結晶面（１２４１に平行な材料片から
成る結晶の結晶面（１２４１゜（１１３）、（０２２１
及びｆｕｌｌ ）の曲率中心を示してあり、結晶面（１
２４）の曲率中心は球面上に正確に位旨し、他の結晶面
の曲率中心は球面上に近似的に位置する。球５（ローラ
ンド球としても示しである）は結晶の位置及び曲率半径
と曲率中心ｆ１２４）とにより決まる。結晶面（１１８
１、（０２２）及び（１１１）の曲率中心は球面上に近
似的に次のように位置する。即ち、結晶面（１１，１）
及び（０２２）の曲率中心は結晶面（１２４）の曲率中
心とともに球５の中心１１を通る円９の円周上に位置す
ると共に、結晶面（１１１）の曲率中心は曲率中心ｆ１
２４ ）とともに円９と直角を成す中心１１を通る円１
８の円周上に位置する。
斯る結晶は第２図、につき以下に説明する方法で形成す
る。先ず、出発材料として第２Ａ図に示す転移の少ない
単結晶シリコンのスライス１５を準備する。本例ではこ
の結晶の平行表面１７及び１９は結晶面（１２４）に平
行で、図には結晶中に結晶面（０２２）及び（１１８）
を線図的に示しである。次いで、この結晶の表面１７を
例えば研削により削り、第２Ｂ図に示す曲率半径２Ｒを
有する球面２１を形成する。
る。先ず、出発材料として第２Ａ図に示す転移の少ない
単結晶シリコンのスライス１５を準備する。本例ではこ
の結晶の平行表面１７及び１９は結晶面（１２４）に平
行で、図には結晶中に結晶面（０２２）及び（１１８）
を線図的に示しである。次いで、この結晶の表面１７を
例えば研削により削り、第２Ｂ図に示す曲率半径２Ｒを
有する球面２１を形成する。
第２Ｃ図に示す本例では多孔質材料から成るジグ２８の
一側も同様に削って例えば同様に曲率半径２Ｒを有する
球面２５を形成する。例いで、研削した結晶１５を接着
剤層２７を介してジグ２３内に押圧する。この目的のた
めに、ここでは気体圧力又は液体圧力により結晶表面２
１に抑圧される隔膜を用いて結晶表面２１に略々一様な
押圧力を加える。この処理中、良好な接着を得るためＧ
ここの組立体を例えば１８０°Ｃに加熱し、圧力は冷却
後にのみ除去するのが好適である。温度は接着剤に適合
させることかできる。余分な接着剤は多孔質のジグによ
り吸収される。このように形成された結晶とジグの組立
体８０はＸ線分析装置用の使い易い堅牢な分光素子を構
成、する。その結晶の能動表面２１はジグと組合せたこ
とにより第１図の球５の曲率半径に一致する曲率半径Ｒ
になる。
一側も同様に削って例えば同様に曲率半径２Ｒを有する
球面２５を形成する。例いで、研削した結晶１５を接着
剤層２７を介してジグ２３内に押圧する。この目的のた
めに、ここでは気体圧力又は液体圧力により結晶表面２
１に抑圧される隔膜を用いて結晶表面２１に略々一様な
押圧力を加える。この処理中、良好な接着を得るためＧ
ここの組立体を例えば１８０°Ｃに加熱し、圧力は冷却
後にのみ除去するのが好適である。温度は接着剤に適合
させることかできる。余分な接着剤は多孔質のジグによ
り吸収される。このように形成された結晶とジグの組立
体８０はＸ線分析装置用の使い易い堅牢な分光素子を構
成、する。その結晶の能動表面２１はジグと組合せたこ
とにより第１図の球５の曲率半径に一致する曲率半径Ｒ
になる。
組立体８０を形成するには他の方法を用いることもでき
る。但し、結〜晶をジグ内に少くともその全周縁部に沿
って、好適には非能動表面１９の全面に亘って接着して
取付ける必要がある。この結果として、後で変形が生ず
る惧れは著しく減少する。既に述べたように、結晶はジ
グ内に、金属層を介してはんだ付けにより取付けること
もできるが、この場合には・はんだ材料の層厚が不均一
になるのを避けることができる。
る。但し、結〜晶をジグ内に少くともその全周縁部に沿
って、好適には非能動表面１９の全面に亘って接着して
取付ける必要がある。この結果として、後で変形が生ず
る惧れは著しく減少する。既に述べたように、結晶はジ
グ内に、金属層を介してはんだ付けにより取付けること
もできるが、この場合には・はんだ材料の層厚が不均一
になるのを避けることができる。
第８図はこのように形成されたシリコン単一結晶１５を
用いて試料８１を分析するＸ＠装置の光跡を示す。第８
ａ図は曲率中心（０２２１゜（１２４）及び（１１８１
を有する第１図の円９を示し、第８ｂ図は曲率中心（１
２４）及び（１１１−）を有する第１図の円１Ｂを示す
。装置、から見て、第８ａ図と第８ｂ図との光路の違い
は結晶１５を曲率中心（１２４）を通る軸を中心に９０
°回転させることにより生ずる。試料で発生したＸ線の
波長に応じて結晶により捕促さねた円錐ビームは結晶に
より円周上に線状に集まる。この円錐は関連する結晶面
に対するブラッグの条件を満足する光線の交点から結晶
の円周を見た立体角により決まる。これがため、例えば
第８ａ図において、亜鉛元素に対しては円錐８８がらの
この元素に特有の波長のＸ線が関連する結晶面（本例で
は（１１８１面）により円錐ビーム８４として収束され
円９上の位置３５に線状に収束される。
用いて試料８１を分析するＸ＠装置の光跡を示す。第８
ａ図は曲率中心（０２２１゜（１２４）及び（１１８１
を有する第１図の円９を示し、第８ｂ図は曲率中心（１
２４）及び（１１１−）を有する第１図の円１Ｂを示す
。装置、から見て、第８ａ図と第８ｂ図との光路の違い
は結晶１５を曲率中心（１２４）を通る軸を中心に９０
°回転させることにより生ずる。試料で発生したＸ線の
波長に応じて結晶により捕促さねた円錐ビームは結晶に
より円周上に線状に集まる。この円錐は関連する結晶面
に対するブラッグの条件を満足する光線の交点から結晶
の円周を見た立体角により決まる。これがため、例えば
第８ａ図において、亜鉛元素に対しては円錐８８がらの
この元素に特有の波長のＸ線が関連する結晶面（本例で
は（１１８１面）により円錐ビーム８４として収束され
円９上の位置３５に線状に収束される。
この位置に検出器を配置することによりこのビームの強
度及び従って試料中の亜鉛含有量を測定することができ
る。同様に、円錐８７がらのチタンに特有の波長のＸ線
は結晶の［０２２１結晶面により円錐ビーム３８として
収束さね円９上の位置３９に線状に集束される。第８ｂ
図には、結晶を９００回転すると円錐４１からの燐元素
に特有のＸ線が（１１１）結晶面により円錐ビーム４２
として収束されて円１８上の位置４８に線状に集中され
ることを示Ｔ。これがため、１５以上の原子番号を有す
る凡ゆる元素を２つの結晶位置で分析することができる
。この場合、（’＝１１８１ 。
度及び従って試料中の亜鉛含有量を測定することができ
る。同様に、円錐８７がらのチタンに特有の波長のＸ線
は結晶の［０２２１結晶面により円錐ビーム３８として
収束さね円９上の位置３９に線状に集束される。第８ｂ
図には、結晶を９００回転すると円錐４１からの燐元素
に特有のＸ線が（１１１）結晶面により円錐ビーム４２
として収束されて円１８上の位置４８に線状に集中され
ることを示Ｔ。これがため、１５以上の原子番号を有す
る凡ゆる元素を２つの結晶位置で分析することができる
。この場合、（’＝１１８１ 。
（０２２１及び（ｌｕｌｌ’結晶面での回折が利用され
る。比較的低い原子番号を有する元素Ｇこ対しては例え
ばにα１線を使用し、高い原子番号を有する元素に対し
てはＬα１線を使用する。これがため、（０’ｊ、２１
結晶面で回折さｔ１４にαｌ ｇノｃａ （２０１〜Ｇ
ｏ （２７１に対する焦線は点８９の両側に位Ｗする。
る。比較的低い原子番号を有する元素Ｇこ対しては例え
ばにα１線を使用し、高い原子番号を有する元素に対し
てはＬα１線を使用する。これがため、（０’ｊ、２１
結晶面で回折さｔ１４にαｌ ｇノｃａ （２０１〜Ｇ
ｏ （２７１に対する焦線は点８９の両側に位Ｗする。
同様のことか（０２２＋結晶面で回折さねたＬα□ｌ＋
ノｓｎ （５１１〜Ｔｍ （６９）に対する焦線にも言
える。
ノｓｎ （５１１〜Ｔｍ （６９）に対する焦線にも言
える。
同様に、（１１８１結晶面で回折されたにα、線により
Ｎ１ｆ２８） 〜Ｚｒ（４０１を測定ｆることができる
と共に、（１１８）結晶面で回折されたＬα□Ｍニより
Ｙｂｆ７０１−Ｕ（９２１ｔｌ−測定することができる
。この場合、装置の構成配置をこわら焦線の重複が生じ
ないように選択する。それでも斯る重複が生ずる場合に
は元素間の旅別は例、えばこねら元素の一つについて他
の波長のＸ線（例えばにβ線Ｘこより第２の測定を行な
うことにより行なうことができる。
Ｎ１ｆ２８） 〜Ｚｒ（４０１を測定ｆることができる
と共に、（１１８）結晶面で回折されたＬα□Ｍニより
Ｙｂｆ７０１−Ｕ（９２１ｔｌ−測定することができる
。この場合、装置の構成配置をこわら焦線の重複が生じ
ないように選択する。それでも斯る重複が生ずる場合に
は元素間の旅別は例、えばこねら元素の一つについて他
の波長のＸ線（例えばにβ線Ｘこより第２の測定を行な
うことにより行なうことができる。
第４図は本発明によるＸ線粉末回折計を線図的に示した
もので、Ｘ＋１ｊｊｌ＃＋５１（例えばＸ線管内の７メ
ードのターゲット）と、球面状に湾曲させた単一結晶５
８と、透過位置に画かれた試料５５と、反射位置Ｇこ瞳
かねた試料５７を具える。Ｘ線源５１と結晶５３はロー
ランド球６０上に置かれ、結晶５８により収束されたＸ
線ビーム６４の焦Ａ６２もこの球６０上に位置する。放
射Ｘ線は例えばにα、線とする。図示の種類の装置にお
いては、試料５５の各別の結晶面で回折された透過ｘｆ
／Ｎは焦点法６６の円周上に各別の焦線６１及び６８と
して収束されると共に試料５７の各別の結晶面で回折さ
れた反射Ｘ線は焦点法６８の円周上に焦線６５及び６７
として収束される。この場合、こねら円周に沿って移動
する検出器６９又はこれら円周上に装着さねた位置感度
検出器により透過回折線及び反射回折線の局部的強度を
同時に測定する、ことができる。本願と同日出願された
本願人に係る特願昭 号に記載された移動機構
によれば、試料をビーム路内を正しい位Ｕ関係で球６６
の直径の２倍に等しい距離に亘って移動させることがで
きる。
もので、Ｘ＋１ｊｊｌ＃＋５１（例えばＸ線管内の７メ
ードのターゲット）と、球面状に湾曲させた単一結晶５
８と、透過位置に画かれた試料５５と、反射位置Ｇこ瞳
かねた試料５７を具える。Ｘ線源５１と結晶５３はロー
ランド球６０上に置かれ、結晶５８により収束されたＸ
線ビーム６４の焦Ａ６２もこの球６０上に位置する。放
射Ｘ線は例えばにα、線とする。図示の種類の装置にお
いては、試料５５の各別の結晶面で回折された透過ｘｆ
／Ｎは焦点法６６の円周上に各別の焦線６１及び６８と
して収束されると共に試料５７の各別の結晶面で回折さ
れた反射Ｘ線は焦点法６８の円周上に焦線６５及び６７
として収束される。この場合、こねら円周に沿って移動
する検出器６９又はこれら円周上に装着さねた位置感度
検出器により透過回折線及び反射回折線の局部的強度を
同時に測定する、ことができる。本願と同日出願された
本願人に係る特願昭 号に記載された移動機構
によれば、試料をビーム路内を正しい位Ｕ関係で球６６
の直径の２倍に等しい距離に亘って移動させることがで
きる。
第５図は本発明による結晶を具え、例えば加工片内のマ
クロ的応力を測定するように設計したＸ線分析装置を示
し、この装置はＸ線源７ｏ、、球状分光結晶７２、例え
ば結晶面７６を有する試料７４及び検出器７８、例えば
偏向角の関数としてＸ線強度を測定し得る位置感度検出
器７８を具える。ｘｍ源７０、結晶７２及びＸ線ビーム
８２の焦点８０はローランド球８４上に位置する。同様
に、ビーム焦点８０．照射試料表面８６及び回折ビーム
９２の焦線８８はｐ−ランド球９６上に位置する。焦線
８８は例えばマクロ的応力が存在しない試料に対応し、
マクロ的応力が存在する試料に対しては焦線９ｏにシフ
トする。焦線８８と焦線９０との間の弧長は所宇の方向
に測定した試料内のマクロ的応力の値に比例する。この
値は試料を交換して測定することができ、例えば焦ｍ８
８の位置を決めるために先ず最初に無応力試料を測定し
、次いで未知のマクロ的応力を有する試料を測定するこ
とができる。更に、試料を測定前に回転させ、追加の測
定又は反復測定を行なって無応力測定の焦線の位置をこ
れらの測定結果から決めることもできる。
クロ的応力を測定するように設計したＸ線分析装置を示
し、この装置はＸ線源７ｏ、、球状分光結晶７２、例え
ば結晶面７６を有する試料７４及び検出器７８、例えば
偏向角の関数としてＸ線強度を測定し得る位置感度検出
器７８を具える。ｘｍ源７０、結晶７２及びＸ線ビーム
８２の焦点８０はローランド球８４上に位置する。同様
に、ビーム焦点８０．照射試料表面８６及び回折ビーム
９２の焦線８８はｐ−ランド球９６上に位置する。焦線
８８は例えばマクロ的応力が存在しない試料に対応し、
マクロ的応力が存在する試料に対しては焦線９ｏにシフ
トする。焦線８８と焦線９０との間の弧長は所宇の方向
に測定した試料内のマクロ的応力の値に比例する。この
値は試料を交換して測定することができ、例えば焦ｍ８
８の位置を決めるために先ず最初に無応力試料を測定し
、次いで未知のマクロ的応力を有する試料を測定するこ
とができる。更に、試料を測定前に回転させ、追加の測
定又は反復測定を行なって無応力測定の焦線の位置をこ
れらの測定結果から決めることもできる。
第１図は本発明による二重収束ＸＭ４分光結晶を該結晶
の各別の結晶面の曲率中心が位置する球の一部として示
した線図、 第２図は本発明による二重収束分光結晶の順次の製造工
程を示す図、 第８ａ及び８ｂ図は本発明による二重収束分光結晶を具
えるＸ線分析装置の一例の光路を示す同第４図は本発明
による二重収束分光結晶を具えるＸ線粉末回折計を示す
線図、 第５図は本発明による二重収束分光結晶を具える応力検
査装置を示す線図である。 ｌ・・・二重収束Ｘ線分光用単一結晶 、５・・・ローランド球 ７−（１２４１，（１１８１，’（０２２１及び（１１
１）結晶面の曲率中心 ９、１８・・・ローランド円 １５・・・分光用単一結
晶１７、１９・・・（１２４）結晶面に平行な平行表面
２１・・・球面 ２８・・・ジグ２５・・
・球面 ２７・・・接着剤層８０・・・組
立体 ８１・・・試料８８、８４・・・亜鉛
の特性Ｘ線ビーム８７、’８８・・・チタンの特性Ｘ１
ｍビーム８５、８９・・・焦ｍ ４１，４２
・・・燐の特性Ｘｍビーム４８・・・焦ｆｉ１５１・・
・Ｘ線源 ５８・・・湾曲分光用単一結晶 ５５、５７・・・試料 ６ｏ・・・ローランド
球６４・・・Ｘ線ビーム ６６、６８・・・焦Ａ
Ｍ６１、６８．６５．６７・・・焦線 ６９・・・位置感度検出器 ７ｏ・・・ＸＩｓ源７２
・・・球面分光結晶 ７４・・・試料７６・・・結
晶面 ７８・・・位置感度検出器８０・・・
ビーム類Ａ ８２・・・Ｘｍビーム、８４・・
・ローランド球 ８６・・・被照射面８８、９０・
・・焦＃ｉｌ ９２．９４・・・回折ビーム
９６・・・ローランド球。 第１頁の続き １＝ 明 者 ヨセフ・フランツ・カロル・シエイセ
ン オランダ国５６２１ベーアー・アイ ンドーフエン・フルーネヴアウ′ ツウエツハＩ Ｍ 明 者 マシアス・ペトルス・アントニウス・フ
イエヘルス オランダ国５６２１ベーアー・アイ ンドーフエン・フルーネヴアウ ツウエツハ１
の各別の結晶面の曲率中心が位置する球の一部として示
した線図、 第２図は本発明による二重収束分光結晶の順次の製造工
程を示す図、 第８ａ及び８ｂ図は本発明による二重収束分光結晶を具
えるＸ線分析装置の一例の光路を示す同第４図は本発明
による二重収束分光結晶を具えるＸ線粉末回折計を示す
線図、 第５図は本発明による二重収束分光結晶を具える応力検
査装置を示す線図である。 ｌ・・・二重収束Ｘ線分光用単一結晶 、５・・・ローランド球 ７−（１２４１，（１１８１，’（０２２１及び（１１
１）結晶面の曲率中心 ９、１８・・・ローランド円 １５・・・分光用単一結
晶１７、１９・・・（１２４）結晶面に平行な平行表面
２１・・・球面 ２８・・・ジグ２５・・
・球面 ２７・・・接着剤層８０・・・組
立体 ８１・・・試料８８、８４・・・亜鉛
の特性Ｘ線ビーム８７、’８８・・・チタンの特性Ｘ１
ｍビーム８５、８９・・・焦ｍ ４１，４２
・・・燐の特性Ｘｍビーム４８・・・焦ｆｉ１５１・・
・Ｘ線源 ５８・・・湾曲分光用単一結晶 ５５、５７・・・試料 ６ｏ・・・ローランド
球６４・・・Ｘ線ビーム ６６、６８・・・焦Ａ
Ｍ６１、６８．６５．６７・・・焦線 ６９・・・位置感度検出器 ７ｏ・・・ＸＩｓ源７２
・・・球面分光結晶 ７４・・・試料７６・・・結
晶面 ７８・・・位置感度検出器８０・・・
ビーム類Ａ ８２・・・Ｘｍビーム、８４・・
・ローランド球 ８６・・・被照射面８８、９０・
・・焦＃ｉｌ ９２．９４・・・回折ビーム
９６・・・ローランド球。 第１頁の続き １＝ 明 者 ヨセフ・フランツ・カロル・シエイセ
ン オランダ国５６２１ベーアー・アイ ンドーフエン・フルーネヴアウ′ ツウエツハＩ Ｍ 明 者 マシアス・ペトルス・アントニウス・フ
イエヘルス オランダ国５６２１ベーアー・アイ ンドーフエン・フルーネヴアウ ツウエツハ１
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｉ Ｘ線分析装置におけるＸｍを単色化及び収束する二
重収束Ｘｌ／Ｍ分光結晶において、該結晶（１５）は片
側面（２１）が凹面状に削られ且つ反対側の精密仕上げ
表面（１９）側をジグ（２３）の精密仕上は凹面（２５
）内に装着して成る単一結晶であることを特徴とする二
重収束Ｘ線分光結晶。 ２、特許請求の範囲ｌ記載の二重収束Ｘ線分光結晶にお
いて、該結晶の四面とジグの凹面は球面であることを特
徴とする二重収束Ｘ線分光結晶。 ＆ 特許請求の範囲１記載の二重収束Ｘ線分光結晶にお
いて、該結晶は接着剤吸収特性を有するジグ内に少くと
もその略々全表面に亘って接着剤で固着したことを特徴
とする二重収束Ｘ線分光結晶。 ｔ 特許請求の範凹ＩＶ載の二重収束Ｘ線分光結晶にお
いて、該結晶は該結晶上に設けらねた精密に規定された
厚さを有する金属層を介して前記ジグ内に、固着したこ
とを特徴とする二重収束Ｘ線分光結晶。 丘 特許請求の範囲２．８又は４記個の二重収束Ｘ線分
光結晶において、前記ジグの球面状凹面はその中に固着
される結晶の球面状凹面の曲率半径の少くとも略々２倍
に等しい曲率半径を有することを特徴と・する二重収束
Ｘ線分光、結晶。 ６ 特許請求の範囲１〜５の何ねかに記載の二重収束分
光結晶において、該結晶は１移の少ないシリコン又はゲ
ルマニウムの平行表面スライスであって、その平行表面
が（１２４）結晶面と平行なスライスから成ることを特
徴とする二重収束Ｘ線分光結晶。 ７、 特許請求の範囲１〜６０何ねかに記載の二重収束
分光結晶において、該結晶の反対側表面をジグ内に配置
された結晶が少くとも略々一様な厚さになるように形成
したことを特徴とする二重収束Ｘ線分光結晶。 ８ 特許請求の範囲１〜７の何ねかに１値された二重収
束Ｘ線分光結晶から成るモノクロメータを具えたことを
特徴とするＸ線同析計。 ９ 特許請求の範囲１〜７の何ねかに記ｌ１ｌｋさねた
二重収束Ｘ線分光結晶を具λたことを特徴とするＸ線分
光計。 ｌＯ特許請求の範囲１〜７の何１かに記載ざねた二重収
束Ｘ線分光結晶全具えたことを特徴とする材料内のマク
ロ的応力を測定するＸ線分析装置。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8300421A NL8300421A (nl) | 1983-02-04 | 1983-02-04 | Roentgen onderzoek apparaat met dubbel focusserend kristal. |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59153152A true JPS59153152A (ja) | 1984-09-01 |
| JPH0557536B2 JPH0557536B2 (ja) | 1993-08-24 |
Family
ID=19841350
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59017218A Granted JPS59153152A (ja) | 1983-02-04 | 1984-02-03 | 二重収束ｘ線分光結晶及び該結晶を具えるｘ線検査装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0115892B1 (ja) |
| JP (1) | JPS59153152A (ja) |
| CA (1) | CA1222075A (ja) |
| DE (1) | DE3465519D1 (ja) |
| NL (1) | NL8300421A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62141730U (ja) * | 1986-02-28 | 1987-09-07 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL8501181A (nl) * | 1985-04-24 | 1986-11-17 | Philips Nv | Kristal voor een roentgenanalyse apparaat. |
| WO1996034274A2 (en) * | 1995-04-26 | 1996-10-31 | Philips Electronics N.V. | Method of manufacturing an x-ray optical element for an x-ray analysis apparatus |
| CN1332399C (zh) | 2002-06-19 | 2007-08-15 | 谢诺思公司 | 用于x射线应用的光学装置 |
| FR2841371B1 (fr) * | 2002-06-19 | 2004-10-22 | Xenocs | Ensemble optique et procede associe |
| CN107024493A (zh) * | 2017-03-20 | 2017-08-08 | 中国工程物理研究院电子工程研究所 | 一种碳化硅单晶晶片基平面弯曲的测试方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS454549Y1 (ja) * | 1968-10-11 | 1970-03-02 | ||
| JPS5023994A (ja) * | 1973-07-02 | 1975-03-14 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL6410514A (ja) * | 1964-09-10 | 1966-03-11 | ||
| US3927319A (en) * | 1974-06-28 | 1975-12-16 | Univ Southern California | Crystal for X-ray crystal spectrometer |
| US4078175A (en) * | 1976-09-20 | 1978-03-07 | Nasa | Apparatus for use in examining the lattice of a semiconductor wafer by X-ray diffraction |
| DD149420A1 (de) * | 1980-03-03 | 1981-07-08 | Reinhard Arnhold | Roentgendiffraktometer |
-
1983
- 1983-02-04 NL NL8300421A patent/NL8300421A/nl not_active Application Discontinuation
-
1984
- 1984-02-01 EP EP19840200132 patent/EP0115892B1/en not_active Expired
- 1984-02-01 DE DE8484200132T patent/DE3465519D1/de not_active Expired
- 1984-02-01 CA CA000446511A patent/CA1222075A/en not_active Expired
- 1984-02-03 JP JP59017218A patent/JPS59153152A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS454549Y1 (ja) * | 1968-10-11 | 1970-03-02 | ||
| JPS5023994A (ja) * | 1973-07-02 | 1975-03-14 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62141730U (ja) * | 1986-02-28 | 1987-09-07 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0115892A1 (en) | 1984-08-15 |
| JPH0557536B2 (ja) | 1993-08-24 |
| DE3465519D1 (en) | 1987-09-24 |
| EP0115892B1 (en) | 1987-08-19 |
| CA1222075A (en) | 1987-05-19 |
| NL8300421A (nl) | 1984-09-03 |
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