JPS59152405A - 赤外伝送フアイバの製造方法 - Google Patents
赤外伝送フアイバの製造方法Info
- Publication number
- JPS59152405A JPS59152405A JP58026279A JP2627983A JPS59152405A JP S59152405 A JPS59152405 A JP S59152405A JP 58026279 A JP58026279 A JP 58026279A JP 2627983 A JP2627983 A JP 2627983A JP S59152405 A JPS59152405 A JP S59152405A
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- JP
- Japan
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- fiber
- temp
- infrared transmission
- ionic
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- Pending
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- Optical Fibers, Optical Fiber Cores, And Optical Fiber Bundles (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、近赤外から中赤外の広い波長範囲に渡って透
明度のすぐれたイオン結晶性物質を用いて、低伝送損失
の赤外伝送ファイバを製造する方法に関する。
明度のすぐれたイオン結晶性物質を用いて、低伝送損失
の赤外伝送ファイバを製造する方法に関する。
ＣｓＢｒ、 ＫＣｌ１．ＫＲ３−５、ＫＲ８−６等のイ
オン結晶性物質は石英材製よりも長波長の赤外光を伝送
する光ファイバの素材として有用である。これら物質に
よる赤外伝送ファイ／くは低温物体力・ら輻射される長
波長の光波を伝送可能であること力・ら、５００°Ｃ以
下の低温物体からの熱放射光を伝送して、温度等を計測
するシステムに利用することかできる。
オン結晶性物質は石英材製よりも長波長の赤外光を伝送
する光ファイバの素材として有用である。これら物質に
よる赤外伝送ファイ／くは低温物体力・ら輻射される長
波長の光波を伝送可能であること力・ら、５００°Ｃ以
下の低温物体からの熱放射光を伝送して、温度等を計測
するシステムに利用することかできる。
石英ガラス等のガラス材は軟化点以上で大きな粘性を示
すために容易に線引き繊維化できるのに対し、前記イオ
ン結晶性物質は軟化点を持たず融点以上で液相になって
しまうため、細線状て加熱線引して繊維化を行うことが
できない。
すために容易に線引き繊維化できるのに対し、前記イオ
ン結晶性物質は軟化点を持たず融点以上で液相になって
しまうため、細線状て加熱線引して繊維化を行うことが
できない。
従って前記イオン結晶性物質を繊維化する方法の一例と
して、押出し成形等の塑性変形による方法などがある。
して、押出し成形等の塑性変形による方法などがある。
第１図は押出し成形法により多結晶の赤外伝送ファイバ
を製造する装置の一例を示す説明図である。同図におい
て、（１）は一端Ａに所定径のダイ（２）を設けたシリ
ンダ、（３）はシリンダ（１）内を往復動自在に形成さ
れたピストン、（４）はシリンダ（１）の外周壁に埋設
されたヒータ、（５）はシリンダ（１）内に収納された
ＫＲ８−５等のイオン結晶性物質であり、シリンダ（１
）内に収納されたイオン結晶性物質（５）かヒータ（４
）により所定温度に加熱され、かつピストン（３）がシ
リンダ（１）内に押入されることてより、イオン結晶性
物質（５）はグイ（２）から押出されてファイバ状に加
工され、多結晶の赤外伝送ファイバ（６）が形成される
。
を製造する装置の一例を示す説明図である。同図におい
て、（１）は一端Ａに所定径のダイ（２）を設けたシリ
ンダ、（３）はシリンダ（１）内を往復動自在に形成さ
れたピストン、（４）はシリンダ（１）の外周壁に埋設
されたヒータ、（５）はシリンダ（１）内に収納された
ＫＲ８−５等のイオン結晶性物質であり、シリンダ（１
）内に収納されたイオン結晶性物質（５）かヒータ（４
）により所定温度に加熱され、かつピストン（３）がシ
リンダ（１）内に押入されることてより、イオン結晶性
物質（５）はグイ（２）から押出されてファイバ状に加
工され、多結晶の赤外伝送ファイバ（６）が形成される
。
ヒータ（４）により加熱される温度はイオン結晶性物質
（５）の融点よりも低い温度、たとえばＫＨ２−５の場
合は融点４１４°Ｃよりも低い２００℃〜３００°Ｃに
加熱される。
（５）の融点よりも低い温度、たとえばＫＨ２−５の場
合は融点４１４°Ｃよりも低い２００℃〜３００°Ｃに
加熱される。
第２図は前記により形成されたＫＨ２−５製赤外フアイ
バの伝送特性図であり、１０μｍよりも長波長では比較
的低伝送損失であるがこれよりも短波長側では高伝送損
失である。
バの伝送特性図であり、１０μｍよりも長波長では比較
的低伝送損失であるがこれよりも短波長側では高伝送損
失である。
本発明者は前記赤外伝送ファイバにつき種々検討および
実験を重ねた結果、前記赤外伝送ファイバを加熱処理す
ることにより、第３図に示すように前記短波長側で伝送
損失が改善されることを発見した。第３図において、（
イ）、（ロ）、（ハ）の曲線は第２図に示す特性の光フ
ァイバを、温度１５０°Ｃにて１０分、４０分、１００
分間そ′れぞれ加熱処理したときの特性である。この際
、第４図に示すように、１００分以上の時間、上記加熱
処理をしても、それ以上の改善は認められない。
実験を重ねた結果、前記赤外伝送ファイバを加熱処理す
ることにより、第３図に示すように前記短波長側で伝送
損失が改善されることを発見した。第３図において、（
イ）、（ロ）、（ハ）の曲線は第２図に示す特性の光フ
ァイバを、温度１５０°Ｃにて１０分、４０分、１００
分間そ′れぞれ加熱処理したときの特性である。この際
、第４図に示すように、１００分以上の時間、上記加熱
処理をしても、それ以上の改善は認められない。
しかしながら、ＫＨ３−５等のイオン結晶性物質は高温
で加熱すると、結晶粒径が成長し、これに伴ってファイ
バの機械的強度が減少することか知られて−おり、単に
加熱処理を施すのみでは機械的強度が低下して実用に供
するような光ファイバを提供することができなかった。
で加熱すると、結晶粒径が成長し、これに伴ってファイ
バの機械的強度が減少することか知られて−おり、単に
加熱処理を施すのみでは機械的強度が低下して実用に供
するような光ファイバを提供することができなかった。
本発明はかかる点に鑑みなされたもので、イオン結晶性
物質を塑性加工により多結晶ファイバに加工し、その後
、該ファイバを結晶粒径の成長しない温度以下において
加熱処理することを特徴とする赤外伝送ファイバの製造
方法であり、゛これにより、低波長側で光伝送損失の改
善かなされ、しかも機械的強度が低下しない赤外伝送フ
ァイバを提供できる。
物質を塑性加工により多結晶ファイバに加工し、その後
、該ファイバを結晶粒径の成長しない温度以下において
加熱処理することを特徴とする赤外伝送ファイバの製造
方法であり、゛これにより、低波長側で光伝送損失の改
善かなされ、しかも機械的強度が低下しない赤外伝送フ
ァイバを提供できる。
以下本発明の一例を第５〜６図により説明する。第５図
において、（１） （２） ｆ３） （４） （５）
（６）はそれぞれ第１図に示す場合と同様に、シリンダ
、グイ、ピストン、ヒータ、イオン結晶性物質、多結晶
の赤外伝送ファイバであり、（７）は赤外伝送ファイバ
（６）を結晶粒径の成長しない温度以下（常温を超える
温度板−ヒ）で加熱処理するだめの加熱炉である。赤外
伝送ファイバ（６）は、第１図の場合と同様て、ヒータ
（４）てよりイオン結晶性物質（５）を加熱しながらピ
ストン（３）をシリンダ＋１＋内に挿入して、イオン結
晶性物質（５）をグイ（２）から押出することにより形
成される。第６図はイオン結晶性物質（５）をＫＨ２−
５、グイ（２）からの押出速度を７０ｍｍ１分、加熱炉
（７）の長さを２ｍとしたときて、加熱炉（７）の温度
を５０″Ｃ１１００”ｃ、１５０℃にそれぞれ変化させ
たときの赤外伝送ファイバ（６）の光伝送損失を示す特
性図である。
において、（１） （２） ｆ３） （４） （５）
（６）はそれぞれ第１図に示す場合と同様に、シリンダ
、グイ、ピストン、ヒータ、イオン結晶性物質、多結晶
の赤外伝送ファイバであり、（７）は赤外伝送ファイバ
（６）を結晶粒径の成長しない温度以下（常温を超える
温度板−ヒ）で加熱処理するだめの加熱炉である。赤外
伝送ファイバ（６）は、第１図の場合と同様て、ヒータ
（４）てよりイオン結晶性物質（５）を加熱しながらピ
ストン（３）をシリンダ＋１＋内に挿入して、イオン結
晶性物質（５）をグイ（２）から押出することにより形
成される。第６図はイオン結晶性物質（５）をＫＨ２−
５、グイ（２）からの押出速度を７０ｍｍ１分、加熱炉
（７）の長さを２ｍとしたときて、加熱炉（７）の温度
を５０″Ｃ１１００”ｃ、１５０℃にそれぞれ変化させ
たときの赤外伝送ファイバ（６）の光伝送損失を示す特
性図である。
この時、赤外伝送ファイバ（６）が７０ｍｍ７分で押出
形成され、加熱炉（７）の長さが２ｍであることから、
赤外ファイバ（６）は加熱炉（刀で約２９分間加熱処理
を受ける。第６図から明らかなように、加熱処理を一定
時間施した場合は、加熱温度の高いときの方がより多く
特性が改善される。ｏしかしながら、ＫＨ２−５を使用
した場合は、１５０°Ｃよりも高い温度で加熱処理を施
すと、赤外ファイバ（６）の結晶粒径が成長して大径に
なり、機械的強度が低下してしまう。結晶粒径が成長し
ない最高温度はそれぞれ物質毎に異なる。加熱処理時間
の変化による特性改善は、図示していないが、加熱処理
時間を多くずればする１・削どある程度まで改善される
。しかしながら時間の経。
形成され、加熱炉（７）の長さが２ｍであることから、
赤外ファイバ（６）は加熱炉（刀で約２９分間加熱処理
を受ける。第６図から明らかなように、加熱処理を一定
時間施した場合は、加熱温度の高いときの方がより多く
特性が改善される。ｏしかしながら、ＫＨ２−５を使用
した場合は、１５０°Ｃよりも高い温度で加熱処理を施
すと、赤外ファイバ（６）の結晶粒径が成長して大径に
なり、機械的強度が低下してしまう。結晶粒径が成長し
ない最高温度はそれぞれ物質毎に異なる。加熱処理時間
の変化による特性改善は、図示していないが、加熱処理
時間を多くずればする１・削どある程度まで改善される
。しかしながら時間の経。
過とともに改善される割合が少なくなり、所定値以上に
改善することができない。
改善することができない。
なお本発明の一実施例は特性改善のための加熱処理を赤
外伝送ファイバの形成とタンデムに行う場合のみを説明
しているが、本発−萌は赤外伝送ファイバの形成と切り
離して行うこともできる。また赤外伝送ファイバの形成
は押出し成形による場合の外に、圧延方法を採用するこ
ともできる。
外伝送ファイバの形成とタンデムに行う場合のみを説明
しているが、本発−萌は赤外伝送ファイバの形成と切り
離して行うこともできる。また赤外伝送ファイバの形成
は押出し成形による場合の外に、圧延方法を採用するこ
ともできる。
本発明は以上詳述したように、イオン結晶性物質を塑性
加工により多結晶ファイバに加工し、その後、該ファイ
バを結晶粒径の゛成長しない温度以下（（オ６いて加熱
処理することを特徴とする赤外伝送ファイバの製造方法
である。このため短波長波で光伝送損失を少なくするこ
とかでき、しかも得られる赤外伝送ファイバは機械的強
度か低下しないものとなるすぐれた効果がある。
加工により多結晶ファイバに加工し、その後、該ファイ
バを結晶粒径の゛成長しない温度以下（（オ６いて加熱
処理することを特徴とする赤外伝送ファイバの製造方法
である。このため短波長波で光伝送損失を少なくするこ
とかでき、しかも得られる赤外伝送ファイバは機械的強
度か低下しないものとなるすぐれた効果がある。
第１図は従来法を説明するための一例を示す概略図、第
２図は従来法により製造された赤外ファイバの伝送損失
特性図、第３〜４図は加熱処理を施したときの伝送損失
を示す特性図、第５図は本発明の詳細な説明するための
装置の概略図、第６図は第５図て示す装置により得られ
た赤外伝送ファイバの特性図である。 （１）はンリング、（２）はダイ、（３）はピストン、
（４）はヒータ、（５）はイオン結晶性物質、（６）は
多結晶の赤外伝送ファイバ、（６）は加熱炉。 特許出願人 工業技術院長 石 坂 誠 −第１図 第２図 ＷＡＶＥ ＬＥＮＧＴＨＬ Ｐｍ］ 第３図 Ｗハ■ヒＬｌ＝、Ｎｂ１Ｍ Ｌｌ、Ｌｍｊ笛４図 ＡＮＮＥＡＬＩＮＧ ＴＩＭＥ Ｃｍｉｎ］第５図
２図は従来法により製造された赤外ファイバの伝送損失
特性図、第３〜４図は加熱処理を施したときの伝送損失
を示す特性図、第５図は本発明の詳細な説明するための
装置の概略図、第６図は第５図て示す装置により得られ
た赤外伝送ファイバの特性図である。 （１）はンリング、（２）はダイ、（３）はピストン、
（４）はヒータ、（５）はイオン結晶性物質、（６）は
多結晶の赤外伝送ファイバ、（６）は加熱炉。 特許出願人 工業技術院長 石 坂 誠 −第１図 第２図 ＷＡＶＥ ＬＥＮＧＴＨＬ Ｐｍ］ 第３図 Ｗハ■ヒＬｌ＝、Ｎｂ１Ｍ Ｌｌ、Ｌｍｊ笛４図 ＡＮＮＥＡＬＩＮＧ ＴＩＭＥ Ｃｍｉｎ］第５図
Claims (2)
- （１） イオン結晶性物質を塑性加工法により多結晶
ファイバに加工し、その後、該ファイバを結晶粒径の成
長しない温度以下において加熱処理することを特徴とす
る赤外伝送ファイバの製造方法。 - （２） イオン結晶性の物質がＫＲ３−５であり、加
熱処理の温度が１５０℃以下である特許請求の範囲第１
項記載の赤外伝送ファイバの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58026279A JPS59152405A (ja) | 1983-02-21 | 1983-02-21 | 赤外伝送フアイバの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58026279A JPS59152405A (ja) | 1983-02-21 | 1983-02-21 | 赤外伝送フアイバの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59152405A true JPS59152405A (ja) | 1984-08-31 |
Family
ID=12188840
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58026279A Pending JPS59152405A (ja) | 1983-02-21 | 1983-02-21 | 赤外伝送フアイバの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59152405A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6267506A (ja) * | 1985-09-20 | 1987-03-27 | Agency Of Ind Science & Technol | 赤外伝送フアイバの製造方法 |
| JPH03288804A (ja) * | 1990-04-05 | 1991-12-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 赤外光ファイバとその製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57124309A (en) * | 1981-01-26 | 1982-08-03 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Manufacture for infrared ray optical fiber |
-
1983
- 1983-02-21 JP JP58026279A patent/JPS59152405A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57124309A (en) * | 1981-01-26 | 1982-08-03 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Manufacture for infrared ray optical fiber |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6267506A (ja) * | 1985-09-20 | 1987-03-27 | Agency Of Ind Science & Technol | 赤外伝送フアイバの製造方法 |
| JPH03288804A (ja) * | 1990-04-05 | 1991-12-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 赤外光ファイバとその製造方法 |
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