JPS59151526A - Switching circuit - Google Patents

Switching circuit

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JPS59151526A
JPS59151526A JP58020586A JP2058683A JPS59151526A JP S59151526 A JPS59151526 A JP S59151526A JP 58020586 A JP58020586 A JP 58020586A JP 2058683 A JP2058683 A JP 2058683A JP S59151526 A JPS59151526 A JP S59151526A
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JP
Japan
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transistor
current
diode
emitter
switching circuit
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JP58020586A
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Japanese (ja)
Inventor
Yorimichi Sasada
笹田 従通
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/60Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors
    • H03K17/64Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors having inductive loads
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02PCONTROL OR REGULATION OF ELECTRIC MOTORS, ELECTRIC GENERATORS OR DYNAMO-ELECTRIC CONVERTERS; CONTROLLING TRANSFORMERS, REACTORS OR CHOKE COILS
    • H02P7/00Arrangements for regulating or controlling the speed or torque of electric DC motors
    • H02P7/03Arrangements for regulating or controlling the speed or torque of electric DC motors for controlling the direction of rotation of DC motors
    • H02P7/04Arrangements for regulating or controlling the speed or torque of electric DC motors for controlling the direction of rotation of DC motors by means of a H-bridge circuit

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Abstract

PURPOSE:To reduce the current at the inverse mode without losing the switching time at the forward mode by inserting a resistor and a diode in series between the base and emitter of a switching transistor (TR). CONSTITUTION:Resistors R1-R4 and Schottky barrier diodes D11-D14 are inserted in series between the base and emitter of TRs Q1-Q4. When the TRs Q1, Q4 are turned from ON to OFF and a flywheeling current flows to diodes D2, D3 in this constitution, since the diodes D12, D14 are inserted reversely between the base and emitter of the TRs Q2, Q3, the base current hardly flows. Thus, the current value and period in the reverse direction as those of the current at the inverse mode required to flow the next forward mode are made respectively small sufficiently.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明はたとえばモータ等の誘導性負荷をスイッチン
グ駆動するスイッチング回路に関し、フリーホイリング
動作を必要とするスイッチング回路に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field of the Invention] The present invention relates to a switching circuit that switches and drives an inductive load such as a motor, and more particularly to a switching circuit that requires freewheeling operation.

〔発明の技術的背景〕[Technical background of the invention]

誘導性負荷たとえば直流モータ全スイッチング駆動する
場合、従来では第1図に示すようなスイッチング回路が
用いられている。第1図のスイッチング回路では、直流
電源を圧■。、印加点と基準電圧印加点(アース)との
間に2個のスイッチング用のNPN )ランジスタQl
、 Q2を直列接続するとともに、同じ<vcc印加点
とアースとの間にもう2個のスイッチング用のNPN 
)ランジスタQ8.Q4を直列接続し、上記トランジス
タQ1.(hの直列接続点AとトランジスタQ3.Q4
の直列接続点Bとの相互間に直流モータMを接続するよ
うにしている。また上記トランジスタQ1〜Q4のコレ
クタ、エミッタ間には、アノードをエミック側に向けて
フリーホイリング用のPN接合ダイオードD1〜D4が
それぞれ接続され、かつ上記トランジスタQ1〜Q4の
ペース、エミッタ間には、トランジスタQl−Q4の蓄
積キャリア吸収用の抵抗R1〜R4がそれぞれ接続され
ている。
When driving an inductive load, such as a DC motor, by switching entirely, a switching circuit as shown in FIG. 1 has conventionally been used. In the switching circuit shown in Figure 1, the DC power source is voltage ■. , two switching NPN) transistors Ql between the application point and the reference voltage application point (earth).
, Q2 is connected in series, and two more switching NPNs are connected between the same <vcc application point and ground.
)Ran resistor Q8. Q4 are connected in series, and the transistors Q1. (h series connection point A and transistors Q3 and Q4
A DC motor M is connected between the series connection point B and the series connection point B. Furthermore, free-wheeling PN junction diodes D1 to D4 are connected between the collectors and emitters of the transistors Q1 to Q4, respectively, with their anodes facing the emic side, and between the paces and emitters of the transistors Q1 to Q4 are connected. , resistors R1 to R4 for absorbing accumulated carriers of transistors Ql to Q4 are connected, respectively.

すなわち、第1図に示すスイッチング回路では、各トラ
ンジスタQ1〜Q4.各ダイオードDl” D4および
各抵抗R1〜R4からなる単位スイッチング回路を4つ
設けて構成される。
That is, in the switching circuit shown in FIG. 1, each of the transistors Q1 to Q4 . It is constructed by providing four unit switching circuits each including a diode Dl'' D4 and each resistor R1 to R4.

このような構成でなるスイッチング回路において、直流
モータMを一定方向に所定回転数で回転させる場合には
たとえばトランジスタQ1とQ4を所定周波数信号でス
イッチング制御する。
In the switching circuit having such a configuration, when the DC motor M is rotated in a fixed direction at a predetermined rotation speed, the switching of transistors Q1 and Q4 is controlled using a predetermined frequency signal, for example.

また、これと逆方向に回転させるにはトランジスタQ3
とQ2とを所定周波数信号でスイッチング制御する。い
ま仮にトランジスタQ1とQ4とがオン状態になってお
シ、直流モータMには第1図中の矢印イで示すような電
流が一流れている状態から、次にこの両トランジスタQ
1とQ4がオフ状態になる。するといままで直流モータ
Mに流れていた電流は、今度は矢印口で示すように2個
のフリーホイリング用のダイオードD2゜D3を介して
流れることになる。
Also, to rotate in the opposite direction, transistor Q3
and Q2 are switched and controlled by a predetermined frequency signal. Now suppose that transistors Q1 and Q4 are in the on state, and a current flows through the DC motor M as shown by arrow A in Figure 1, then both transistors Q
1 and Q4 are turned off. Then, the current that has been flowing through the DC motor M will now flow through the two freewheeling diodes D2 and D3, as shown by the arrows.

〔背景技術の問題点〕[Problems with background technology]

ところで、トランジスタQ1〜Q4の各ペース。 By the way, each pace of transistors Q1 to Q4.

エミッタ間に接続されている抵抗R1−R4は、各トラ
ンジスタQ1〜Q4がそれぞれオン状態からオフ状態に
移る際に各ペース領域に蓄積されているキャリアを吸収
することによってフォワードモード時のスイッチング時
間を速めるために設けられている。したがって、上記ス
イッチング時間をよシ速めるためには抵抗R1−R4の
値はよシ小さい方が好ましい。
Resistors R1-R4 connected between the emitters absorb carriers accumulated in each pace region when each transistor Q1-Q4 changes from an on state to an off state, thereby reducing the switching time in forward mode. It is designed to speed up the process. Therefore, in order to further speed up the switching time, it is preferable that the values of the resistors R1 to R4 be much smaller.

一方、フリーボイリング動作時のことを考えると上記抵
抗R,〜R4の値はよシ大きい方が好ましい。たとえば
トランジスタQl 、Q4がオフした後に上記矢印pで
示す方向に電流が流れるフリーボイリング動作時のトラ
ンジスタQ2に着目する。いまこのトランジスタQ2の
コレクタ。
On the other hand, considering the free boiling operation, it is preferable that the values of the resistors R, to R4 be larger. For example, attention will be paid to the transistor Q2 during a free boiling operation in which a current flows in the direction indicated by the arrow p after the transistors Ql and Q4 are turned off. Now the collector of this transistor Q2.

エミッタ間に接続されているダイオードD2には順方向
電流が流れている。このときにトランジスタQ2のペー
スには抵抗R2を介して電流が流れるので、このトラン
ジスタQ2のエミッタからコレクタに向かっても電流が
流れる。すなわち、トランジスタQ2にはいわゆるイン
バースモード時の電流が流れ、この電流の値は抵抗R2
の値が小さな程、よシ太@ガものとなる。次に再びトラ
ンジスタQ】がオンする場合、インバースモード時のト
ランジスタQ2をオフさせるにはこのトランジスタQ2
にいままで流れていた電流とは逆方向の電流を流さなけ
ればならず、その値および期間もインバースモード時の
電流値に対応して大きくあるいは長くなる。すなわちイ
ンバースモード時の電流値が大きければトランジスタQ
I Kはよシ大きなフォワード電流を長時間流す必要が
生じ、トランジ。スタQ1そのものの大電力化およびそ
のペース入力信号の大電力化が必要となる。したがって
、インバースモード時のことを考えると、抵抗R1〜R
4の値はよシ大きい方が好ましい。
A forward current flows through the diode D2 connected between the emitters. At this time, a current flows through the resistor R2 to the transistor Q2, so a current also flows from the emitter to the collector of the transistor Q2. That is, a so-called inverse mode current flows through the transistor Q2, and the value of this current is determined by the resistor R2.
The smaller the value, the more difficult it is. Next, when the transistor Q] is turned on again, in order to turn off the transistor Q2 in the inverse mode, this transistor Q2 is turned on again.
In this case, it is necessary to flow a current in the opposite direction to the current that has been flowing so far, and its value and period become larger or longer depending on the current value in the inverse mode. In other words, if the current value in inverse mode is large, transistor Q
IK requires a large forward current to flow for a long time, so it is a transistor. It is necessary to increase the power of the star Q1 itself and the pace input signal thereof. Therefore, considering the inverse mode, the resistors R1 to R
It is preferable that the value of 4 be larger.

このようにスイッチング用トランジスタのペース、エミ
ッタ間に抵抗を接続する従来のスイッチング回路では、
フォワードモード時とインバースモード時とでこの抵抗
の値の設定による効果が相反す不ため、フォワードモー
ド時のスイッチング時間の短縮化およびスイッチング用
トランジスタ自体の小電力化とそのペース入力信号の小
電力化をともに満足することができないという欠点があ
る。
In this way, in a conventional switching circuit that connects a resistor between the pace and emitter of a switching transistor,
Since the effect of setting the value of this resistor in forward mode and inverse mode is contradictory, it is possible to shorten the switching time in forward mode, reduce the power of the switching transistor itself, and reduce the power of the pace input signal. The disadvantage is that it is not possible to satisfy both.

〔発明の目的〕 この発明は上記のような事情を考慮してなされたもので
、その目的はフォワードモード時のスイッチング時間を
損なうことなしに、インバ−スモード時の電流を低減せ
しめてスイッチング用トランジスタの小電力化およびそ
のペース入力信号の小電力化を図、ることかできるスイ
ッチング回路を提供することにある。
[Object of the Invention] The present invention has been made in consideration of the above-mentioned circumstances, and its purpose is to reduce the current in the inverse mode without impairing the switching time in the forward mode, thereby improving the efficiency of switching transistors. An object of the present invention is to provide a switching circuit that can reduce the power consumption of the pace input signal and the pace input signal thereof.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

この発明によれば、スイッチング用トランジスタノペー
ス、エミッタ間に抵抗とダイオードとを直列挿入するよ
うにしたスイッチング回路が提供されている。
According to the present invention, a switching circuit is provided in which a resistor and a diode are inserted in series between a switching transistor node and an emitter.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

以下図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。第
2図はこの発明を第1図と同様に直流モータをスイッチ
ング駆動するスイッチング回路に実施した場合の回路構
成図であシ、第1図と対応する箇所には同一の参照符号
を付してその説明は省略する。この実施例回路では、ト
ラフ ) 7.りQ1〜Q4のベース、エミッタ間に前
記抵抗R1〜R4それぞれを挿入するとともに、トラン
ジスタQ1〜Q4のベース9.エミッタ間にそれぞれの
カンードがエミッタ側となるようにショットキーバリア
・ダイオードI)tt〜D14 を抵抗R1〜R4に対
し、て直列に挿入するようにしたものである。すなわち
、各7甘ツトキーノ々リア・ダイオードI)it〜D1
4 はトランジスタQ1〜Q4のベース、エミッタ間の
PN接合に対して逆方向に挿入されている。また、上記
ショットキーバリア・ダイオードDll〜014  の
各順方向電圧vFとトランジスタQ1〜Q4の各ベース
、エミッタ間電圧’YBEとの間にはVBE>vFなる
関係が成立しテオシ(りとえばV、、 :0.7V 、
 V、#0.4〜0.5V)、さらにショットキーバリ
ア・ダイオードDll〜D14  の各逆回復時間tr
rとトランジスタQ1〜Q4の各キャリア蓄積時間ts
tgとの間にはtrr<tBtgなネ関係が成立してい
るものとする。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 2 is a circuit configuration diagram when this invention is implemented in a switching circuit for switching driving a DC motor in the same way as in FIG. 1, and parts corresponding to those in FIG. 1 are given the same reference numerals. The explanation will be omitted. In this example circuit, the trough) 7. The resistors R1 to R4 are inserted between the bases and emitters of transistors Q1 to Q4, respectively, and the bases 9. Schottky barrier diodes I)tt to D14 are inserted in series with the resistors R1 to R4 between the emitters so that each cand is on the emitter side. That is, each of the 7 sweet rear diodes I) it ~ D1
4 is inserted in the opposite direction to the PN junction between the base and emitter of the transistors Q1 to Q4. Further, a relationship such as VBE>vF is established between each forward voltage vF of the Schottky barrier diode Dll~014 and each base-emitter voltage 'YBE of each transistor Q1~Q4, ,, :0.7V,
V, #0.4~0.5V), and each reverse recovery time tr of Schottky barrier diodes Dll~D14
r and each carrier accumulation time ts of transistors Q1 to Q4
It is assumed that the relationship trr<tBtg holds true between tg and tg.

なお、上記のような関係は通常のショットキーバリア拳
ダイオードにおいて容易に達成することができる。
Note that the above relationship can be easily achieved in a normal Schottky barrier fist diode.

このような構成において、トランジスタQ!+Q4がオ
ン状態からオフ状態に移シ、フリーホイリング電流がダ
イオードD2.D3に流れているときを考える。この場
合、トランジスタQ2.Q3のベース、エミッタ間には
逆方向に各ショットキーバリア骨ダイオードD12 *
 D13が挿入されているので、ベース電流はほとんど
流れることがない。したがって、トランジスタQ2.Q
3のインバースモード時における電流は漏れ電流のみの
極めて小さな値となシ、次のフォワードモード時に流す
必要のあるインバースモード時の電流と逆方向の電流の
値および期間はそれぞれ充分にl」・さくすることがで
きる。またトランジスタQl、Q4のインバースモード
時でも同様である。この結果、各トランジスタQ8〜Q
4自体の大電力化およびそのベース入力信号の大電力化
は不要であシ、ともに小さなものとすることができる。
In such a configuration, the transistor Q! +Q4 transitions from the on state to the off state, and the freewheeling current flows through the diode D2. Consider when it is flowing to D3. In this case, transistor Q2. Between the base and emitter of Q3 are each Schottky barrier bone diode D12 in the opposite direction *
Since D13 is inserted, almost no base current flows. Therefore, transistor Q2. Q
The current in the inverse mode shown in step 3 should be an extremely small leakage current, and the value and duration of the current in the opposite direction to the current in the inverse mode that needs to flow in the next forward mode should be sufficiently small. can do. The same holds true when the transistors Ql and Q4 are in the inverse mode. As a result, each transistor Q8~Q
It is not necessary to increase the power of 4 itself and its base input signal, and both can be made small.

一方、各トランジスタQ1〜Q4のフォワードモード時
におけるスイッチング時間を考えると、抵抗R1〜R4
の値が従来と同一である場合にはショットキーバリア・
ダイオードI)st〜D14を挿入した分だけ長くなる
。ところが、各抵抗R1〜R4の値はインバースモード
時を考慮することなく自由に低く設定することができる
ので、このフォワー ドモード時におけるスイッチング
時間は従来にくらべて損なわれる恐れはない。
On the other hand, considering the switching time of each transistor Q1 to Q4 in the forward mode, the resistors R1 to R4
If the value of is the same as before, the Schottky barrier
The length is increased by the insertion of the diodes I)st to D14. However, since the values of each of the resistors R1 to R4 can be freely set to a low value without considering the inverse mode, there is no fear that the switching time in the forward mode will be impaired compared to the conventional one.

また上記したような電圧の関係VB!、〉vFが成立す
る必要性は、各トランジスタQ1〜Q4ヲオン状態にす
る際に充分なベース電流を供給するためにあ)、さらに
時間の関係trr<t、tgが成立する必要性は、各ト
ランジスタQl−Q4の蓄積キャリアが各ショットキー
バリア・ダイオードDIl〜D14  ’に介して各抵
抗R1”−R4で吸収されるためにある。
Also, the voltage relationship VB as described above! , > vF is necessary to supply sufficient base current when turning on each transistor Q1 to Q4), and the time relationship trr<t, tg is necessary to hold for each transistor Q1 to Q4. This is because the accumulated carriers of the transistors Ql-Q4 are absorbed by the respective resistors R1''-R4 via the respective Schottky barrier diodes DIl-D14'.

次にこの発明に係るスイッチング回路と従来のものとの
特性比較試験を実際に行なった場合の結果について説明
する。第3図はその試験回路を示す。図において、直流
電源Vccの正極側には300μHの値を有するコイル
Cの一端が接続され、このコイルCの他端にはスイッチ
ング用のNPN )ランジスタQ8のコレクタが接続さ
れ、さらにこのトランジスタQ8のエミッタは上記直流
電源vccの負極側に接続されている。また上記コイル
Cの両端には、第4図(4)に示すような従来の単位ス
イッチング回路おるいは第4図(B)に示すようなこの
発明に係る単位スイッチング回路におけるトランジスタ
Q1のコレクタ、エミッタ間がそれぞれ接続される。
Next, the results of an actual characteristic comparison test between the switching circuit according to the present invention and a conventional one will be explained. FIG. 3 shows the test circuit. In the figure, one end of a coil C having a value of 300 μH is connected to the positive side of the DC power supply Vcc, the collector of a switching NPN transistor Q8 is connected to the other end of the coil C, and the collector of this transistor Q8 is connected to the other end of the coil C. The emitter is connected to the negative electrode side of the DC power supply vcc. Further, at both ends of the coil C, there is a collector of a transistor Q1 in a conventional unit switching circuit as shown in FIG. 4(4) or a unit switching circuit according to the present invention as shown in FIG. 4(B). The emitters are connected to each other.

い1このような試験回路において、トランジスタQをオ
ン状態に設定してコイルCに所定電流を流し、次にこの
トランジスタQ8をオフ状粋にしたときの電流の変化を
示すのが第5図の特性図である。なお抵抗R1の値は0
.10にそれぞれ設定されている。第5図(4)はコイ
ルCに対して第4図(4)に示すような従来の単位スイ
ッチング回路を接続したときのものである。このとき、
■ocは50Vに設定されている。第5図(4)に示す
ように、フォワードモード時の電流IFが8Aに設定さ
れている場合、インバースモード時にトランジスタQl
およびダイオードD1にともに流れる電流工、のピーク
値は80Aにも達ししかもこの電流が流れている期間は
3μsもある。これに対して第5図CB)はコイルCに
対して第4図■)に示すようなこの発明の単位スイッチ
ング回路を接続したときのものであシ、■ccは300
vに設定されている。第5図(B)に示すように、IF
が5OAに設定されている場合、へのピーク値は55’
Aであシしかも電流が流れている期間はわずか05μs
である。このようにこの発明のものの方が、インバース
モード時における電流の値および期間はそれぞれ従来に
くらべて充分に小さくすることができる。
(1) In such a test circuit, Figure 5 shows the change in current when the transistor Q is turned on and a predetermined current is passed through the coil C, and then the transistor Q8 is turned off. It is a characteristic diagram. Note that the value of resistor R1 is 0.
.. Each is set to 10. FIG. 5(4) shows a case where a conventional unit switching circuit as shown in FIG. 4(4) is connected to the coil C. At this time,
■oc is set to 50V. As shown in FIG. 5 (4), when the current IF in the forward mode is set to 8A, the transistor Ql in the inverse mode
The peak value of the current flowing through the diode D1 reaches as high as 80 A, and the period during which this current flows is as long as 3 μs. On the other hand, Fig. 5 CB) shows the case where the unit switching circuit of this invention as shown in Fig. 4 ■) is connected to the coil C, and cc is 300.
It is set to v. As shown in FIG. 5(B), if
If is set to 5OA, the peak value to is 55'
In addition, the period during which the current flows is only 05 μs.
It is. As described above, in the present invention, the current value and period in the inverse mode can be made sufficiently smaller than in the conventional case.

第6図および第7図はそれぞれこの発明の変形例を示す
回路図である。上記第2図に示す実施例回路では各NP
N )ランジスタQ1〜Q4のみで直流モータMを駆動
する場合について説明したが、これは第6図に示すよう
にトラ/−)スタ(h Oペースとコレクタ間にNチャ
ネルMO8) ランジスタQ21のドレイン、ソース間
を挿入し、このMOS )ランジスタQ21  のダー
トに入力信号を供給するようにしてもよい。この場合、
ダイオードD1に7リーホイリング電流が流れる際に、
ショットキーバリアΦダイオードDllが存在しなけれ
ばMOS )ランジスタQ21のソース、ドレイン間に
寄住的に発生するダイオードにも電流が流れてしまう。
FIGS. 6 and 7 are circuit diagrams showing modified examples of the invention, respectively. In the example circuit shown in FIG. 2 above, each NP
We have explained the case where the DC motor M is driven only by N ) transistors Q1 to Q4, but in this case, as shown in FIG. , and the source, and an input signal may be supplied to the dart of this MOS transistor Q21. in this case,
When a 7 Lee wheeling current flows through the diode D1,
If the Schottky barrier Φ diode Dll does not exist, current will also flow through the diode parasitically generated between the source and drain of the MOS transistor Q21.

ところが、ダイオードDIfを設けることによってこの
電流も阻止することができる。また第7図のものはNP
N )ランジスタQlをダーリントン接続された2個の
トランジスタQalr Q41  で構成し、出力側の
トランジスタQ41  のベース、エミッタ間に抵抗R
1とショットキーバリア・ダイオードDllを直列挿入
するようにしたものである。
However, by providing a diode DIf, this current can also be blocked. Also, the one in Figure 7 is NP
N) The transistor Ql is composed of two Darlington-connected transistors Qalr Q41, and a resistor R is connected between the base and emitter of the transistor Q41 on the output side.
1 and a Schottky barrier diode Dll are inserted in series.

第8図はこの発明の他の実施例の回路構成図である。第
2図の実施例はこの発明を直流モータを駆動するための
回路に実施した場合のものであるが、これは第8図に示
すように単位スイッチング回路を2個追加して6個の単
位スイッチング回路でインダクションモータIMを駆動
するようにしたものである。
FIG. 8 is a circuit diagram of another embodiment of the present invention. The embodiment shown in Fig. 2 is a case where the present invention is implemented in a circuit for driving a DC motor, but this is a case where two unit switching circuits are added to make six units as shown in Fig. 8. The induction motor IM is driven by a switching circuit.

なお、この発明は上記実施例に限定されるものではない
。たとえは上記実施例ではこの発明全直流モータやイン
ダクシ目ンモータを駆動する回路に実処した場合につい
て説明したが、これはこの他の誘導性負荷を駆動する場
合に実施可能であることはいうまでもなく、たとえばト
ランスの1次側コイルをスイッチング駆動するような定
電圧一定周波数装置樽にも実施が可能である。
Note that this invention is not limited to the above embodiments. For example, in the above embodiment, the case where this invention is applied to a circuit that drives an all-DC motor or an inductor motor is described, but it goes without saying that this invention can be implemented when driving other inductive loads. For example, it can be implemented in a constant voltage constant frequency device such as a switching drive for the primary coil of a transformer.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したようにこの発明によれば、フォワードモー
ド時のスイッチング時間を損なうことなしに、インバー
スモード時の電流を低減せシメてスイッチング用トラン
ジスタの小電力化およびそのペース入力信号の小電力化
を図ることができるスイッチング回路が提供できる。
As explained above, according to the present invention, the current in the inverse mode is reduced without impairing the switching time in the forward mode, thereby reducing the power of the switching transistor and the pace input signal thereof. It is possible to provide a switching circuit that can achieve

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は従来のスイッチング回路の構成図、第2図はこ
の発明の一実施例の回路構成図、第3図はこの発明を説
明するだめの試験回路を示す図、第4図はこの試験回路
に用いられる供試単位スイッチング回路を示す図、第5
図は第3図回路で得られる特性図、第6図および第7図
はそれぞれこの発明の変形例の回路図、第8図はこの発
明の他の実施例の回路構成図である。 Q1〜Q4・・・NPN )ランジスタ(パイボーラト
ランジスタ素子) 、DI −D4 ・・・PN接合ダ
イオード(第1のダイオード素子) 、R4−R4抵抗
(抵抗素子)、D11〜D14 用ショットキーバリア
・ダイオード(第2のダイオード素子)、M・・・直流
モータ(銹導性負荷)。 出願人代理人  弁理士 鈴 江 武 彦第1図 第2図 第3図 第5図 (A)       (B) 第6図     第7図
Fig. 1 is a block diagram of a conventional switching circuit, Fig. 2 is a circuit block diagram of an embodiment of the present invention, Fig. 3 is a diagram showing a test circuit for explaining the present invention, and Fig. 4 is a diagram showing a test circuit for this test. Figure 5 showing the unit switching circuit under test used in the circuit.
The figures are characteristic diagrams obtained with the circuit of FIG. 3, FIGS. 6 and 7 are circuit diagrams of modified examples of the present invention, and FIG. 8 is a circuit configuration diagram of another embodiment of the present invention. Q1-Q4...NPN) transistor (pybolar transistor element), DI-D4...PN junction diode (first diode element), R4-R4 resistor (resistance element), Schottky barrier for D11-D14 Diode (second diode element), M...DC motor (corrosive conductive load). Applicant's Representative Patent Attorney Takehiko Suzue Figure 1 Figure 2 Figure 3 Figure 5 (A) (B) Figure 6 Figure 7

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)誘導性負荷をスイッチング駆動するバイポーラト
ランジスタ素子と、このトランジスタ素子のエミッタ、
コレクタ間に挿入されるフリーホイリング動作用の第1
のダイオード素子と、上記トランジスタ素子のペース、
エミッタ間ニ挿入される抵抗素子と、上記トランジスタ
素子のペース、エミッタ間のPN接合に対して逆方向に
かつ上記抵抗素子に対して直列に挿入される第2のダイ
オード素子とを具備したことを特徴とするスイッチング
回路。
(1) A bipolar transistor element that switches and drives an inductive load, and an emitter of this transistor element,
The first for freewheeling operation inserted between the collectors.
the diode element and the pace of the transistor element,
A resistor element inserted between the emitters, and a second diode element inserted in a direction opposite to the PN junction between the transistor element and the emitter and in series with the resistor element. Characteristic switching circuit.
(2)前記第2のダイオード素子はその順方向電圧が前
記トランジスタ素子のペース、エミッタ間電圧よシも小
さくかつその逆回復時間が前記トランジスタ素子のキャ
リア蓄積時間よシも短かく設定されている特許請求の範
囲第1項に記載のスイッチング回路。
(2) The forward voltage of the second diode element is set to be smaller than the pace and emitter voltage of the transistor element, and its reverse recovery time is set to be shorter than the carrier accumulation time of the transistor element. A switching circuit according to claim 1.
(3)前記第2のダイオード素子がショットキーバリア
・ダイオードである特許請求の範囲第2項に記載のスイ
ッチング回路。
(3) The switching circuit according to claim 2, wherein the second diode element is a Schottky barrier diode.
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