JPS59151480A - レ−ザダイオ−ド駆動回路 - Google Patents
レ−ザダイオ−ド駆動回路Info
- Publication number
- JPS59151480A JPS59151480A JP58025041A JP2504183A JPS59151480A JP S59151480 A JPS59151480 A JP S59151480A JP 58025041 A JP58025041 A JP 58025041A JP 2504183 A JP2504183 A JP 2504183A JP S59151480 A JPS59151480 A JP S59151480A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser diode
- pulse
- resistor
- diode
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/06209—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes in single-section lasers
- H01S5/06216—Pulse modulation or generation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
不発明は光ケーブル通信システムにおいて、光源として
使用されるレーザダイオードをパルス振幅変調するレー
ザダイオード駆動回路に関するものである。
使用されるレーザダイオードをパルス振幅変調するレー
ザダイオード駆動回路に関するものである。
一般に、レーザダイオードは印加電流パルスが零になっ
た後でも、注入されたキャリヤがキャリヤの寿命時間だ
け残っておシ、自然発光する０このキャリヤ蓄積効果は
引き続いて次のパルスを印加するときに、前のパルスで
蓄積されたキャリヤに加わって変調特性を変化させるい
わゆるパターン効果を生み出す原因となる。
た後でも、注入されたキャリヤがキャリヤの寿命時間だ
け残っておシ、自然発光する０このキャリヤ蓄積効果は
引き続いて次のパルスを印加するときに、前のパルスで
蓄積されたキャリヤに加わって変調特性を変化させるい
わゆるパターン効果を生み出す原因となる。
従来のレーザダイオード駆動回路として第′１図に示す
ように電流切換用の２つの駆動トラフ９フ月、２のエミ
ッタを共通にして定−流源３に接続し、一方のトランジ
スタ２の；レクタを接地し、他方のトランジスタ１コレ
クタ抵抗４を介してレーザダイオード５に接続したもの
がある・端子ａ。
ように電流切換用の２つの駆動トラフ９フ月、２のエミ
ッタを共通にして定−流源３に接続し、一方のトランジ
スタ２の；レクタを接地し、他方のトランジスタ１コレ
クタ抵抗４を介してレーザダイオード５に接続したもの
がある・端子ａ。
ｂにはパルス信号が入力し、トランジスタ１をＯＮ、Ｏ
ＦＦ してＶ−ザダイオード５へ電流パルスを印加し、
また端子ｃｌｌｃはレーザダイオード５の閾値電流Ｉｔ
ｈよシや＼小さい直流バイアス電流ＩＤＣを高周波阻１
用インダクタンス６を介してレーザダイオード５のパイ
プ、スとして印加する。金弟２図のように直流バイアス
電流ＩＤＣにパルス電流を重畳した電流波形が印加され
ると、トランジスタ１がＯＮ してレーザダイオード５
にパルス電流が流れたときに注入されたキャリヤは、第
２図（ｂ）Ｉｃ示すように、パルス電流がレーザダイオ
ードの閾値電流以下になった後でも、キャリヤの寿命時
間だけ残っておシ・このキャリヤ蓄積効果は引き続いて
次のパルスを印加するときに、前のパル゛ スで蓄積さ
れたキャリヤに加わって変調特性を変化させる、いわゆ
るパターン効果を生み出す原因となシ、レーザダイオー
ド出力は第２図（ｃ） Ｋ示すように前にパルスがある
かないかで光出力パルス幅が異外ってくる。
ＦＦ してＶ−ザダイオード５へ電流パルスを印加し、
また端子ｃｌｌｃはレーザダイオード５の閾値電流Ｉｔ
ｈよシや＼小さい直流バイアス電流ＩＤＣを高周波阻１
用インダクタンス６を介してレーザダイオード５のパイ
プ、スとして印加する。金弟２図のように直流バイアス
電流ＩＤＣにパルス電流を重畳した電流波形が印加され
ると、トランジスタ１がＯＮ してレーザダイオード５
にパルス電流が流れたときに注入されたキャリヤは、第
２図（ｂ）Ｉｃ示すように、パルス電流がレーザダイオ
ードの閾値電流以下になった後でも、キャリヤの寿命時
間だけ残っておシ・このキャリヤ蓄積効果は引き続いて
次のパルスを印加するときに、前のパル゛ スで蓄積さ
れたキャリヤに加わって変調特性を変化させる、いわゆ
るパターン効果を生み出す原因となシ、レーザダイオー
ド出力は第２図（ｃ） Ｋ示すように前にパルスがある
かないかで光出力パルス幅が異外ってくる。
このパターン効果を防止するため、従来は、レーザダイ
オードに印加するパルス電流のパルス振幅やパルス幅、
及びパルス電流に重畳する直流バイアス電流の値を変化
させてキャリヤ蓄積効果に起因するパターン効果の発生
率が最小となる動作点を設定していた。しかし、この方
法では、レーザダイオードの光出力電力や光出力パルス
のパルス幅が自由に設定できないという欠点があった。
オードに印加するパルス電流のパルス振幅やパルス幅、
及びパルス電流に重畳する直流バイアス電流の値を変化
させてキャリヤ蓄積効果に起因するパターン効果の発生
率が最小となる動作点を設定していた。しかし、この方
法では、レーザダイオードの光出力電力や光出力パルス
のパルス幅が自由に設定できないという欠点があった。
不発明の目的は、上記欠点を改善するもので、レーザダ
イオードにパルス電流管印加した直後に該パルス電流と
は極性が逆のパルスを加えることによシ、蓄積されたキ
ャリヤを放出して、レーザダイオードの光出力パルスの
パターン効果を防止するレーザダイオード駆動回路を提
供するととＫあるゆ 不発明によればレーザダイオードに駆動パルスを供給す
る駆動用トランジスタと、この駆動用トランジスタの出
力とレーザダイオードの間に接続される抵抗とを含み、
レーザダイオードにバイアス電流を供給しつつ上記駆動
パルスによって駆動するレーザダイオード駆動回路にお
いて、上記レーザダイオードと抵抗の直列回路に並列に
接続された抵抗とインダクタンス、又は直流レベルシフ
ト回路との直列回路を含むことを特徴とするレー・ザダ
イオード駆動回路が得られる。
イオードにパルス電流管印加した直後に該パルス電流と
は極性が逆のパルスを加えることによシ、蓄積されたキ
ャリヤを放出して、レーザダイオードの光出力パルスの
パターン効果を防止するレーザダイオード駆動回路を提
供するととＫあるゆ 不発明によればレーザダイオードに駆動パルスを供給す
る駆動用トランジスタと、この駆動用トランジスタの出
力とレーザダイオードの間に接続される抵抗とを含み、
レーザダイオードにバイアス電流を供給しつつ上記駆動
パルスによって駆動するレーザダイオード駆動回路にお
いて、上記レーザダイオードと抵抗の直列回路に並列に
接続された抵抗とインダクタンス、又は直流レベルシフ
ト回路との直列回路を含むことを特徴とするレー・ザダ
イオード駆動回路が得られる。
次に不発明の実施例について図面を参照して説明する。
第３・図は不発明の第１の実施例を示す回路図、第４図
（ａ） ＠ （ｂ） ｌ （ｅ）は第３図の回路の動作
に関し、（ａ）はレーザダイオードに印加される電流波
形図、（ｂ）はレーザダイオードに注入されるキャリヤ
の密度を示す線図、（Ｃ）はレーザダイオードの光出力
波形図である。
（ａ） ＠ （ｂ） ｌ （ｅ）は第３図の回路の動作
に関し、（ａ）はレーザダイオードに印加される電流波
形図、（ｂ）はレーザダイオードに注入されるキャリヤ
の密度を示す線図、（Ｃ）はレーザダイオードの光出力
波形図である。
第３図の駆動回路は、従来のレーザダイオード駆動回路
として第１図に示したレーザダイオード駆動回路におい
てレーザダイオード５と抵抗４の５− 直列回路に並列に抵抗７とインダクタンス８の直列回路
を接続したもので、端子ａ、ｂはパルス信号の入力端子
、端子Ｃは直流バイアス電流■Ｄｃの入力端子である。
として第１図に示したレーザダイオード駆動回路におい
てレーザダイオード５と抵抗４の５− 直列回路に並列に抵抗７とインダクタンス８の直列回路
を接続したもので、端子ａ、ｂはパルス信号の入力端子
、端子Ｃは直流バイアス電流■Ｄｃの入力端子である。
図において入力端子ａに高レベル、入力端子すに低レベ
ルの信号が入力されるとトランジスタ１が導通トランジ
スタ２が非導通となシ同図に■で示す経路に入力パルス
電流に対応してパルス電流（第４図中＊印の部分）が流
れて、レーザダイオード５が発光する。次に入力端子ａ
に低レベル入力端子すに高レベルの信号を加えるとトラ
ンジスタ１が非導通トランジスタ２が導通と々る。この
ときインダクタンスによって逆起電力が生じ、第３図に
■で示す経路に電流が流れる。
ルの信号が入力されるとトランジスタ１が導通トランジ
スタ２が非導通となシ同図に■で示す経路に入力パルス
電流に対応してパルス電流（第４図中＊印の部分）が流
れて、レーザダイオード５が発光する。次に入力端子ａ
に低レベル入力端子すに高レベルの信号を加えるとトラ
ンジスタ１が非導通トランジスタ２が導通と々る。この
ときインダクタンスによって逆起電力が生じ、第３図に
■で示す経路に電流が流れる。
すなわちレーザダイオード５にはパルス電流とは逆極性
の電流が流れて、この電流がレーザダイオード内に蓄積
されたキャリヤを放出しく第４図（ｂ））キャリヤ蓄積
に起因するパターン効果を抑圧する。
の電流が流れて、この電流がレーザダイオード内に蓄積
されたキャリヤを放出しく第４図（ｂ））キャリヤ蓄積
に起因するパターン効果を抑圧する。
したがって第４図（Ｃ）に示すようにパルス幅（ｔｌ）
の光出力が連続的に得られる。なお、抵抗７とインダク
タンス８の値はレーザダイオード５のキヤ６− リヤ蓄積時間を考慮して適切に設定する。
の光出力が連続的に得られる。なお、抵抗７とインダク
タンス８の値はレーザダイオード５のキヤ６− リヤ蓄積時間を考慮して適切に設定する。
第５図は不発明の第２実施例を示す回路図である。仁の
回路は第３図に示す上記第１の実施例の回路のインダク
タンス８と接地間に直流レベルシフト用ダイオード９と
１０を直列接続し、ヒれと並列に高周波バイパス用のコ
ンデンサ１１を挿入したものである。第３図の回路では
高周波阻止用のチョークコイル６を通して入力端子Ｃか
ら供給される直流バイアス電流は、レーザダイオード５
の他に抵抗４、抵抗７およびインダクタンス８にも流れ
る。この電流は、レーザダイオード５のバイアスレベル
を低下させるので、極力少ないことが望ましい◇したが
って第２の実施例ではレーザダイオード５の電圧降下と
はぼ同程度の電圧降下をダイオード９と１０によ多発生
させて、インダクタンス８と抵抗４，７を通じて流れる
電流を減少させるようにしている・ 以上の説明から明らか表ように不発明は、レーザダイオ
ードにレーザダイオードの印加電流パルスとは逆極性の
パルス電流を供給するので、蓄積されたキャリヤが放出
されレーザダイオードの光出力パルスのパターン効果を
なくす効果がある。
回路は第３図に示す上記第１の実施例の回路のインダク
タンス８と接地間に直流レベルシフト用ダイオード９と
１０を直列接続し、ヒれと並列に高周波バイパス用のコ
ンデンサ１１を挿入したものである。第３図の回路では
高周波阻止用のチョークコイル６を通して入力端子Ｃか
ら供給される直流バイアス電流は、レーザダイオード５
の他に抵抗４、抵抗７およびインダクタンス８にも流れ
る。この電流は、レーザダイオード５のバイアスレベル
を低下させるので、極力少ないことが望ましい◇したが
って第２の実施例ではレーザダイオード５の電圧降下と
はぼ同程度の電圧降下をダイオード９と１０によ多発生
させて、インダクタンス８と抵抗４，７を通じて流れる
電流を減少させるようにしている・ 以上の説明から明らか表ように不発明は、レーザダイオ
ードにレーザダイオードの印加電流パルスとは逆極性の
パルス電流を供給するので、蓄積されたキャリヤが放出
されレーザダイオードの光出力パルスのパターン効果を
なくす効果がある。
さらに不発明によれはレーザダイオードに直列接続され
る抵抗、およびこの直列回路に並列接続される抵抗及び
インダクタンスめ素子値を調整することによシバターン
効果の補正量を調整できる。
る抵抗、およびこの直列回路に並列接続される抵抗及び
インダクタンスめ素子値を調整することによシバターン
効果の補正量を調整できる。
したがってレーザダイオードの直流バイアス電流印加パ
ルス電流の振幅およびパルス幅を自由に設定でき、光出
力パルスの振幅やパルス幅の調整が容易となる。□
ルス電流の振幅およびパルス幅を自由に設定でき、光出
力パルスの振幅やパルス幅の調整が容易となる。□
第１図はパターン効果抑圧回路を付加していない従来の
レーザダイオード駆動回路の回路図、第２図（ａ） 、
（ｂ）および（Ｃ）は第１図の回路の動作に関する図
で、（ａ）はレーザダイオードに流れる電流の波形□図
、（ｂ）はレーザダイオードの内部に蓄積されるキャリ
ヤの密度、（Ｃ）はレーザダイオードの光出力の波形図
、第３図は本発明に係るレーザダイオード駆動回路の第
１の実施例を示す回路図、第４図は第３図の回路の動作
に関する図で、（ａ）はレーザダイオードに流れる電流
の波形図、（ｂ）はレーザダイオードに蓄積されるキャ
リヤ密度、（Ｃ）はレーザダイオード党出力の波形図、
第５図は不発明の第２実施例を示す回路図である。 ９− 第１図 第５図 □ ４０２−
レーザダイオード駆動回路の回路図、第２図（ａ） 、
（ｂ）および（Ｃ）は第１図の回路の動作に関する図
で、（ａ）はレーザダイオードに流れる電流の波形□図
、（ｂ）はレーザダイオードの内部に蓄積されるキャリ
ヤの密度、（Ｃ）はレーザダイオードの光出力の波形図
、第３図は本発明に係るレーザダイオード駆動回路の第
１の実施例を示す回路図、第４図は第３図の回路の動作
に関する図で、（ａ）はレーザダイオードに流れる電流
の波形図、（ｂ）はレーザダイオードに蓄積されるキャ
リヤ密度、（Ｃ）はレーザダイオード党出力の波形図、
第５図は不発明の第２実施例を示す回路図である。 ９− 第１図 第５図 □ ４０２−
Claims (2)
- （１）Ｙ−ザダイオード、と、前記レーザダイオードに
駆動パルスを供給する駆動用・トランジスタと、前記駆
動用トランジスタの出力と前記レーザダイオードの間に
接続される抵抗とを含み、前記レーザダイオ７ドにバイ
アス電流を供給しつつ前記駆動パルスによって駆動する
レーザダイオード駆動回路において、・前記レーザダイ
オードと前記抵抗の直列回路に並列に接続された抵抗と
インダクタンスと直列回路を含むことを特徴とするレー
ザダイオード駆動回路・ - （２） レーザダイオードと、前記レーザダイオード
に駆動パルスを供給する駆動用トランジスタと、前記駆
動用トランジスタの出力と前記レーザダイオードの間に
接続される抵抗とを含み、前記レーザダイオードにバイ
アス電流を供給しつつ前記駆動パルスによって駆動する
し、−ザダイオード駆：動回路において、前記レーザダ
イオードと前記抵抗の直列回路に並列に接続された抵抗
とインダクタンスと直流レベルシフト回路トの直列回路
を含むことを特徴とするレーザダイオード駆動回路・
・
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58025041A JPS59151480A (ja) | 1983-02-17 | 1983-02-17 | レ−ザダイオ−ド駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58025041A JPS59151480A (ja) | 1983-02-17 | 1983-02-17 | レ−ザダイオ−ド駆動回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59151480A true JPS59151480A (ja) | 1984-08-29 |
| JPH0254673B2 JPH0254673B2 (ja) | 1990-11-22 |
Family
ID=12154822
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58025041A Granted JPS59151480A (ja) | 1983-02-17 | 1983-02-17 | レ−ザダイオ−ド駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59151480A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6184890A (ja) * | 1984-10-03 | 1986-04-30 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ |
| JPS61158968U (ja) * | 1985-03-26 | 1986-10-02 | ||
| JPS61224385A (ja) * | 1985-03-29 | 1986-10-06 | Nec Corp | 半導体レ−ザ駆動回路 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57181244A (en) * | 1981-04-30 | 1982-11-08 | Fujitsu Ltd | Semiconductor laser modulating circuit |
-
1983
- 1983-02-17 JP JP58025041A patent/JPS59151480A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57181244A (en) * | 1981-04-30 | 1982-11-08 | Fujitsu Ltd | Semiconductor laser modulating circuit |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6184890A (ja) * | 1984-10-03 | 1986-04-30 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ |
| JPS61158968U (ja) * | 1985-03-26 | 1986-10-02 | ||
| JPS61224385A (ja) * | 1985-03-29 | 1986-10-06 | Nec Corp | 半導体レ−ザ駆動回路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0254673B2 (ja) | 1990-11-22 |
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