JPS59149456A - ２次元画像読取装置 - Google Patents
２次元画像読取装置Info
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- JPS59149456A JPS59149456A JP58024307A JP2430783A JPS59149456A JP S59149456 A JPS59149456 A JP S59149456A JP 58024307 A JP58024307 A JP 58024307A JP 2430783 A JP2430783 A JP 2430783A JP S59149456 A JPS59149456 A JP S59149456A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は画像読取装置に係り、將に２゛次元に渡ってセ
ンサエレメント全配置した２次元画像読取装置に関する
。
ンサエレメント全配置した２次元画像読取装置に関する
。
（ｒｊｆｉ来技術〉
従来、ファクシミリ等の装［１ツに於いて画像音読み出
す装置として、Ｍ ＯＳ型イメージセンサ、ｃ ＣＩ）
センサ、密着型イメージセンザ等カ１に案されている。
す装置として、Ｍ ＯＳ型イメージセンサ、ｃ ＣＩ）
センサ、密着型イメージセンザ等カ１に案されている。
Ｍ ＯＳ型イメージセンサ＆Ｊ、入射ブ（′、像全全光
電変換素子電気借上に変換し、ＭＯ８ＩＣで切り換え走
査する装置ｆ−，ｌで、またＣＣＤセンザＣよ冗（・ζ
よ−、ンて光電変換１６りに生じ／ζζ電荷ケミ結合素
子（ＣＣｆ））を用いて転送する装置である。−１−記
ＭＯ８型イメージセンサ或いはＣＣＤセンサは、中結晶
基板をベースにしてこの基板にＩＣの技術を用いて作成
する為、広いｔｉｉ ４ｐのセンサを製造することは、
性能的にもコスト的にも不利になる。従って、一般には
光学レンズを用い、原稿の側合センサ上に縮小結像させ
使用している。しかし、この方法では光学レンズを用い
るため光路長が長くなり装置の小型化が困難になる。
電変換素子電気借上に変換し、ＭＯ８ＩＣで切り換え走
査する装置ｆ−，ｌで、またＣＣＤセンザＣよ冗（・ζ
よ−、ンて光電変換１６りに生じ／ζζ電荷ケミ結合素
子（ＣＣｆ））を用いて転送する装置である。−１−記
ＭＯ８型イメージセンサ或いはＣＣＤセンサは、中結晶
基板をベースにしてこの基板にＩＣの技術を用いて作成
する為、広いｔｉｉ ４ｐのセンサを製造することは、
性能的にもコスト的にも不利になる。従って、一般には
光学レンズを用い、原稿の側合センサ上に縮小結像させ
使用している。しかし、この方法では光学レンズを用い
るため光路長が長くなり装置の小型化が困難になる。
上記のような縮小結像型のイメージセンサに対し、装置
を小型化する目的で原稿と同じ大きさのセンサを用い、
オプティカルファイバーで原稿と等倍の像を結像させる
密着型イメージセンサが考案されている。密着型イメー
ジセンサは原稿と同じ大きさの光電変換部が必要で、広
い面積にわたって均一な膜の形成が要求される。現在密
着型イメージセンサとしてはＣｄＳ光導電層全島状に分
割した一次元密着型イメージセン→ノーが提案されてい
るが、光導電層全分割して作製しなけハばならすまた各
光導電層に夫々電極を設けねばならず、構造が複雑であ
り、更に読取速度は、光導電層の光応答速度によって制
限されるという問題がある。
を小型化する目的で原稿と同じ大きさのセンサを用い、
オプティカルファイバーで原稿と等倍の像を結像させる
密着型イメージセンサが考案されている。密着型イメー
ジセンサは原稿と同じ大きさの光電変換部が必要で、広
い面積にわたって均一な膜の形成が要求される。現在密
着型イメージセンサとしてはＣｄＳ光導電層全島状に分
割した一次元密着型イメージセン→ノーが提案されてい
るが、光導電層全分割して作製しなけハばならすまた各
光導電層に夫々電極を設けねばならず、構造が複雑であ
り、更に読取速度は、光導電層の光応答速度によって制
限されるという問題がある。
特にＣｄｓ等の光導電層は光応答速度に問題があり、−
次元イメージセンサとして、かなり制限を受ける。
次元イメージセンサとして、かなり制限を受ける。
更にアモルファスシリコン等を利用して連続した帯状の
光導電体を用いた密着型センサも提案されているが、こ
のような１次元センサ全角いて２次元両像を読取ろうと
すれば、センサを繰返して使用しなければならず、その
ために同じセンサ部分をある周期で電圧印加し、信号の
読取りを行なうため、゛明″ミ“′暗゛′の照度変化に
対する電流の変化、即ち立ち上がり立ち下がり特性が直
接信号に影響金及ぼし、読取り速度に制限１え２次元イ
メージセンサとして実用化するには問題があった。
光導電体を用いた密着型センサも提案されているが、こ
のような１次元センサ全角いて２次元両像を読取ろうと
すれば、センサを繰返して使用しなければならず、その
ために同じセンサ部分をある周期で電圧印加し、信号の
読取りを行なうため、゛明″ミ“′暗゛′の照度変化に
対する電流の変化、即ち立ち上がり立ち下がり特性が直
接信号に影響金及ぼし、読取り速度に制限１え２次元イ
メージセンサとして実用化するには問題があった。
〈発明の目的〉
本発明ｔｒｉ−、１−ｒｔｅ従来のイメージセンサがも
つ問題点に鑑みてなされたもので、新規な構造からなる
２次元画像読取装置ｉ２ｔ’ｘ提供するもので、密着型
イメージセンサとしてたけではなく通常の光学系を用い
た２次元イメージセンサとしても利用することができる
読取装置である。
つ問題点に鑑みてなされたもので、新規な構造からなる
２次元画像読取装置ｉ２ｔ’ｘ提供するもので、密着型
イメージセンサとしてたけではなく通常の光学系を用い
た２次元イメージセンサとしても利用することができる
読取装置である。
〈実施例１〉
第１図（ａ）は本発明による一実施例の画像読取装置に
おけるセンサｌの構造を示す剰視図である。
おけるセンサｌの構造を示す剰視図である。
センサ１は、少なくとも読取るべき２次元画像面と同程
度の面積をもったガラス等の絶縁板全基板２とし、該基
板２の一方の表面にＡｔ等を蒸着して形成したＸ電極３
が一定のピッチで平行に設けられている。各Ｙ電極３の
幅及びピッチはセンサ１の解像度に影響するが、後述す
る所望膜厚の光導電層が示す光出力特性が許す範囲で細
かいことが望ましい。
度の面積をもったガラス等の絶縁板全基板２とし、該基
板２の一方の表面にＡｔ等を蒸着して形成したＸ電極３
が一定のピッチで平行に設けられている。各Ｙ電極３の
幅及びピッチはセンサ１の解像度に影響するが、後述す
る所望膜厚の光導電層が示す光出力特性が許す範囲で細
かいことが望ましい。
Ｘ電極３が形成された基板２上には重ねて光導電層４が
作成されている。該光導電層４は樹脂中に主としてＣｄ
Ｓからなる光導電体粉末を混合分散させてなり、基板２
、ｈ ′ｆ：被って２次元平面全域に均質な膜厚に形
成されている。光導電層４上に更にＸ電極５が、」−記
Ｙ電極３と直交する方向にほぼ同程度のピッチで形成さ
れている。該Ｘ電極５は画像の読取りを可能にするため
透明電極材料によって作１戊されている。尚基板２を透
明絶縁制料で形成し、Ｘ電極３を透明電極材料とする場
合には基板３側を画像入力側とし、Ｘ電極５はＡｔ等で
作成することもできる。ここで光導電層４を挾んで位置
するＸ’Ｙ両電極間の距離りと互いのＹ電極３間の肉１
１間距離りとの間ひよＬ）Ｄに設泪される。本実施例で
はＬ＝５０ ｔｔｍ Ｉ）−２０μｎ］の光導電素子を
・用いた。
作成されている。該光導電層４は樹脂中に主としてＣｄ
Ｓからなる光導電体粉末を混合分散させてなり、基板２
、ｈ ′ｆ：被って２次元平面全域に均質な膜厚に形
成されている。光導電層４上に更にＸ電極５が、」−記
Ｙ電極３と直交する方向にほぼ同程度のピッチで形成さ
れている。該Ｘ電極５は画像の読取りを可能にするため
透明電極材料によって作１戊されている。尚基板２を透
明絶縁制料で形成し、Ｘ電極３を透明電極材料とする場
合には基板３側を画像入力側とし、Ｘ電極５はＡｔ等で
作成することもできる。ここで光導電層４を挾んで位置
するＸ’Ｙ両電極間の距離りと互いのＹ電極３間の肉１
１間距離りとの間ひよＬ）Ｄに設泪される。本実施例で
はＬ＝５０ ｔｔｍ Ｉ）−２０μｎ］の光導電素子を
・用いた。
−１−２記電極構造をもつセンサに画像が照射されるが
、今Ｘ電極５とＹＮ−１’ ”Ｎ’ ＹＮ−１−１電極
との断面を第１図（ｂ）に示し、Ｎ番目のＹＮ電極部で
のみ′“暗゛の画像が照射されているとする。もし」シ
記各距離ｉ−，ｒ）の間においてＬ （Ｄであるとする
と斜方向すの経路を通って流れる電流が大きくなる。
、今Ｘ電極５とＹＮ−１’ ”Ｎ’ ＹＮ−１−１電極
との断面を第１図（ｂ）に示し、Ｎ番目のＹＮ電極部で
のみ′“暗゛の画像が照射されているとする。もし」シ
記各距離ｉ−，ｒ）の間においてＬ （Ｄであるとする
と斜方向すの経路を通って流れる電流が大きくなる。
そのため暗部になっているＹ電極にも近傍の明るさにに
ってかなりの電流が流れることになり、ＸＹ電極交差点
での画像の読取り精度が著しく損われる。しかし本実施
例のようＫ Ｌ ＞ Ｉ）の場合には、距離りが小ざい
ことから斜方向すに流れる電流（弓。
ってかなりの電流が流れることになり、ＸＹ電極交差点
での画像の読取り精度が著しく損われる。しかし本実施
例のようＫ Ｌ ＞ Ｉ）の場合には、距離りが小ざい
ことから斜方向すに流れる電流（弓。
はとんど無視できる。従ってこの場合には電極１１の画
像情報を正確に電気信号に変えることができる。
像情報を正確に電気信号に変えることができる。
２次ｊ］二に連続した光導電層４を挾んでＹ電極３及び
Ｘ電極５が形成された一Ｉ−記セン→ノ」は、ｙ’ｇ極
３とＸ電極５とが相対向する位置にある光導電層によっ
てできるセンサエレメントがマトリックスに配置された
ものに相当し、各エレメントｕ第２図の等価回路に示す
如く容量Ｃと抵抗Ｒの並列回路で表わすことができ、こ
のような並列回路がマトリックに配列された構成になる
。」二記センサ１のＸ及（トＹ電極は、画イダ読取りに
あたって各電極を走査するためのスイッチング素子６，
７を介して電源に接続され、Ｙ電極３に接続されたスイ
ッチング素子６０オン・オフ動作は、垂直走査回路８で
形成された制御信号によって行われる。
Ｘ電極５が形成された一Ｉ−記セン→ノ」は、ｙ’ｇ極
３とＸ電極５とが相対向する位置にある光導電層によっ
てできるセンサエレメントがマトリックスに配置された
ものに相当し、各エレメントｕ第２図の等価回路に示す
如く容量Ｃと抵抗Ｒの並列回路で表わすことができ、こ
のような並列回路がマトリックに配列された構成になる
。」二記センサ１のＸ及（トＹ電極は、画イダ読取りに
あたって各電極を走査するためのスイッチング素子６，
７を介して電源に接続され、Ｙ電極３に接続されたスイ
ッチング素子６０オン・オフ動作は、垂直走査回路８で
形成された制御信号によって行われる。
上記センサ１は、センサ表面に画像情報を取り込むため
、例えば第３図に示すように光学系９と結合される。該
光学系９は、原稿面１０をライン状に集光して照明する
反射面を備えた光源ＩＩと、原稿ｉＭＴ １０からの反
射光ケ、透明電極材利金用いた直線状のＸ電極５．Ｊ−
に導くためのファイバーオプテックレンズ１２とからな
り、ファイバーオプテソクレンズＩ２がＮ番目のｘＮ電
極の真上にあるとき、Ｎ番目のＸＮ’Ｘ極だけがスイッ
チング素子７Ｎのオン動作を介して電源に接続される。
、例えば第３図に示すように光学系９と結合される。該
光学系９は、原稿面１０をライン状に集光して照明する
反射面を備えた光源ＩＩと、原稿ｉＭＴ １０からの反
射光ケ、透明電極材利金用いた直線状のＸ電極５．Ｊ−
に導くためのファイバーオプテックレンズ１２とからな
り、ファイバーオプテソクレンズＩ２がＮ番目のｘＮ電
極の真上にあるとき、Ｎ番目のＸＮ’Ｘ極だけがスイッ
チング素子７Ｎのオン動作を介して電源に接続される。
Ｘ電極３に接続されたスイッチング素子７０オン・オフ
動作は、第２図中に示した位置検出回路１３でに記ファ
イバーオブテツクレンズ１２とセンサｌとの対向位ｊ１
゛≦を関係を検出し、検出され／ζ位１１′１検出回路
１３からの信号は」−ｊ犯スイ、７チング素子７を含ん
で構成されるスイッチングコントローラ７゜に力えられ
、ファイバーオプテックレンズ１２の面下に位１１（ｔ
するＸｉ 電極のスイッチング素子７１ケ′屯源に接続
する。電圧は第５図（ａ）（ｂ）の等価回路に示すよう
にアースに対し正又は負の電圧を印加し、出力信号１は
光導電層とアース間に挿入した負荷抵抗Ｒ、’ ＊介し
て取り出される。この時第２図のように電圧を印力Ｉ
ＬでいないＸ電極、Ｙ′ｒＬ極は垂直スイッチング素子
６或いは水平スイッチング素子７を介してアースに接続
される。
動作は、第２図中に示した位置検出回路１３でに記ファ
イバーオブテツクレンズ１２とセンサｌとの対向位ｊ１
゛≦を関係を検出し、検出され／ζ位１１′１検出回路
１３からの信号は」−ｊ犯スイ、７チング素子７を含ん
で構成されるスイッチングコントローラ７゜に力えられ
、ファイバーオプテックレンズ１２の面下に位１１（ｔ
するＸｉ 電極のスイッチング素子７１ケ′屯源に接続
する。電圧は第５図（ａ）（ｂ）の等価回路に示すよう
にアースに対し正又は負の電圧を印加し、出力信号１は
光導電層とアース間に挿入した負荷抵抗Ｒ、’ ＊介し
て取り出される。この時第２図のように電圧を印力Ｉ
ＬでいないＸ電極、Ｙ′ｒＬ極は垂直スイッチング素子
６或いは水平スイッチング素子７を介してアースに接続
される。
原稿１（）の２次元画像を読取るために原稿１０及びセ
ンサ１に対して光学系９ケ相対的に移動させるが、本実
施例では光学系９をＸ１電極からｘＮ−１−１電極に向
って速度Ｖで移動させており、該光学系９の移動速度■
に対してＹ′電極は（Ｍ＋ｌ）倍（Ｍ−１−１：Ｙ電極
本数）以上の走査速度で自動的に走査され、結局ファイ
バーオプテソクレンズ１２に対向した電極部分に写され
た画像が電気信号に変換され、該電気信号は光導電エレ
メントの読取り信号として′電極間から取り出される。
ンサ１に対して光学系９ケ相対的に移動させるが、本実
施例では光学系９をＸ１電極からｘＮ−１−１電極に向
って速度Ｖで移動させており、該光学系９の移動速度■
に対してＹ′電極は（Ｍ＋ｌ）倍（Ｍ−１−１：Ｙ電極
本数）以上の走査速度で自動的に走査され、結局ファイ
バーオプテソクレンズ１２に対向した電極部分に写され
た画像が電気信号に変換され、該電気信号は光導電エレ
メントの読取り信号として′電極間から取り出される。
光学系９の移動に同期して次のタイミングには隣りのＸ
電極」二の画像信号が読取られ、順次Ｘ電極５（！−切
換えることによってセンサ１の全体に入射された２次元
の原稿を読取ることができる。光学系９を移動させる代
りに、原稿ｌＯ及びセンサＩ（ｉｌ−同方向に同じ速さ
で動かして２次元走査しても全く同様である。
電極」二の画像信号が読取られ、順次Ｘ電極５（！−切
換えることによってセンサ１の全体に入射された２次元
の原稿を読取ることができる。光学系９を移動させる代
りに、原稿ｌＯ及びセンサＩ（ｉｌ−同方向に同じ速さ
で動かして２次元走査しても全く同様である。
ここで光導電層４は光照射によって導通するが、この種
の光導電体は周囲の暗部分では抵抗値が非常に大きく、
従ってたとえ本実施例のように各エレメント毎に分割す
ることなく２次元平面全体に連続して光導電層全形成し
ても読取り動作が損われることはない。さらに前記のよ
うに電圧印加電極以外の端子をアースに接続することで
マトリックス配線によるクロストーク電流全防ぐことが
できる。
の光導電体は周囲の暗部分では抵抗値が非常に大きく、
従ってたとえ本実施例のように各エレメント毎に分割す
ることなく２次元平面全体に連続して光導電層全形成し
ても読取り動作が損われることはない。さらに前記のよ
うに電圧印加電極以外の端子をアースに接続することで
マトリックス配線によるクロストーク電流全防ぐことが
できる。
例えばＡ４原稿サイズの読取りセンサとして、８本／ｍ
ｍの密度で形成した上記構造の２次元イメージセンサ［
３２ｏ（Ｘ方向）Ｘ２３０（Ｙ方向） Ｉｎｎ ＋２５
６０本（×電極）Ｘ１８４．０本（Ｙ電極）〕を、光学
系移動速度Ｖ＝ ２５０ｍｍ１ ｓ ｅ ｃ、 Ｙ電極
のスイッチング周波数４ Ｍ Ｈｚ即ちΔ４原稿を約１
秒の時間（０，５ｍｓ ｅ ｃ／ライン）で走査しても
十分なＳ／Ｎ比で画像を読取ることができた。また」二
足読取センサに於いて電Ｌ［印加電極以外の端子をアー
スに接続することで、アースに接続しない時に比へｄ［
６れ′眠流孕３ケタ小さくでき、Ｓ／Ｎ 比を向」うさ
せることができた。尚同−月オ」の光導電層金円いた１
次ｊＬ：センサの場合、上］尼センサと同程度のＳ／Ｎ
比を得るためには５０ｍ５ｅｃ／ライン以上の読取り時
間が必要になり、画像読取りが非′畠に遅い。しかし１
−足裏流側のようにセンサ部全２次元に形成し、画像を
読取るセン→Ｊ゛位ｊｉ＜ｔｆ順次移動させてセンサ面
を走査することにより、光導電層の光電、答特性の影響
を無視でき、読取りの高速化が図れる。
ｍの密度で形成した上記構造の２次元イメージセンサ［
３２ｏ（Ｘ方向）Ｘ２３０（Ｙ方向） Ｉｎｎ ＋２５
６０本（×電極）Ｘ１８４．０本（Ｙ電極）〕を、光学
系移動速度Ｖ＝ ２５０ｍｍ１ ｓ ｅ ｃ、 Ｙ電極
のスイッチング周波数４ Ｍ Ｈｚ即ちΔ４原稿を約１
秒の時間（０，５ｍｓ ｅ ｃ／ライン）で走査しても
十分なＳ／Ｎ比で画像を読取ることができた。また」二
足読取センサに於いて電Ｌ［印加電極以外の端子をアー
スに接続することで、アースに接続しない時に比へｄ［
６れ′眠流孕３ケタ小さくでき、Ｓ／Ｎ 比を向」うさ
せることができた。尚同−月オ」の光導電層金円いた１
次ｊＬ：センサの場合、上］尼センサと同程度のＳ／Ｎ
比を得るためには５０ｍ５ｅｃ／ライン以上の読取り時
間が必要になり、画像読取りが非′畠に遅い。しかし１
−足裏流側のようにセンサ部全２次元に形成し、画像を
読取るセン→Ｊ゛位ｊｉ＜ｔｆ順次移動させてセンサ面
を走査することにより、光導電層の光電、答特性の影響
を無視でき、読取りの高速化が図れる。
〈実施例２〉
第４図は本発明による他の実施例を示すセンサ部の模式
図である。本実施例も前記実施例１と同様に絶縁性の基
板１上に、光導電層４懐侠んで互いに直交する方向に延
びるＹ電極３及びＸ電極５が形成されているが、光導電
層４′は２次元平面全体に連続して作成したものではな
く、Ｘ−Ｙ電極が対向するマＩ−Ｕックスの各エレメン
ト部分に不連続に光導電層４′を形７ｊｌた構造である
。
図である。本実施例も前記実施例１と同様に絶縁性の基
板１上に、光導電層４懐侠んで互いに直交する方向に延
びるＹ電極３及びＸ電極５が形成されているが、光導電
層４′は２次元平面全体に連続して作成したものではな
く、Ｘ−Ｙ電極が対向するマＩ−Ｕックスの各エレメン
ト部分に不連続に光導電層４′を形７ｊｌた構造である
。
本実施例においてもＹ電極３を走査し、Ｘ電極５を順次
リノ換えることによって前記実施例と同じ（同様に２次
元イメージセンサとして画像読取り信号全導出すること
ができる。尚本実施例では各エレメントの光導電層ｒユ
分離されているため、光導電層全通して近接電極に漏れ
る電流はなく、従・）″ｒ上述のような距離におけるＬ
）Ｄの条件に厳しく制約されることはない。葦だ実施例
１と同様電圧を印加していない電＋ｉｔすべて接地する
ことでクロストーク電流を防ぐことができる。
リノ換えることによって前記実施例と同じ（同様に２次
元イメージセンサとして画像読取り信号全導出すること
ができる。尚本実施例では各エレメントの光導電層ｒユ
分離されているため、光導電層全通して近接電極に漏れ
る電流はなく、従・）″ｒ上述のような距離におけるＬ
）Ｄの条件に厳しく制約されることはない。葦だ実施例
１と同様電圧を印加していない電＋ｉｔすべて接地する
ことでクロストーク電流を防ぐことができる。
実施例１及び実施例２は光導電層としてｃｄｓを用いた
もの全説明したが、安定した亦導電特性金広い面積に渡
って容易に作成することかできるアモルファスＳ１、ア
モルファスＳｅ及びＳｅ化合物、翁機半導体等感光体金
用いた同じ横木のセン→ノーにおいても同様の良好な読
取り動作を行わせることができた。また密着型センサに
限ることなく、通常の縮小レンズ等を用いたイメージセ
ンサにも適用することができることはいうまでもない。
もの全説明したが、安定した亦導電特性金広い面積に渡
って容易に作成することかできるアモルファスＳ１、ア
モルファスＳｅ及びＳｅ化合物、翁機半導体等感光体金
用いた同じ横木のセン→ノーにおいても同様の良好な読
取り動作を行わせることができた。また密着型センサに
限ることなく、通常の縮小レンズ等を用いたイメージセ
ンサにも適用することができることはいうまでもない。
〈効果〉
以上本発明によれば、広い２次元面積上にセンサエレメ
ントケもつ読取装置１９ヲ得ることができ、センサ面の
ＸＹ電極全走査して１杭取るため光導電ｊ−の光に対す
る応答が悪くてもほとんど問題はなく、従来の一次元セ
ンサ全用いる場合に比へ読取り速度を著しく高速化する
ことができる。またセン−１７−、ｔにほぼ等倍像を作
成して読取る／乙め、電極サイズ等を比較的大きく役割
することができ、センサ自体の構造の中綿性と併せて装
置の製造が非常に容易で、経済性にすくれた２次元画像
読取装置を得ることがでメる。
ントケもつ読取装置１９ヲ得ることができ、センサ面の
ＸＹ電極全走査して１杭取るため光導電ｊ−の光に対す
る応答が悪くてもほとんど問題はなく、従来の一次元セ
ンサ全用いる場合に比へ読取り速度を著しく高速化する
ことができる。またセン−１７−、ｔにほぼ等倍像を作
成して読取る／乙め、電極サイズ等を比較的大きく役割
することができ、センサ自体の構造の中綿性と併せて装
置の製造が非常に容易で、経済性にすくれた２次元画像
読取装置を得ることがでメる。
第１図（ａ）は本発明による一実施例のセンサ部を示す
斜視図、第１図（ｂ）ｕ同センサ部の断面図、第２図は
本発明による一実施例を示す回路図、第３図は同実施例
の光学系との結合を示す模式図、第４図は本発明による
他の実施例のセンサ部を示す同第５図（ａ）（ｂ）は本
発明のセンサエレメントの等価回路図である。 １：センサ ２：基板 ３：Ｙ電極 ４：光導電層 ５
：ｙ電極 ７：スイッチング素子 ８：垂直走査回路
９：光学系 １２：ファイバーオブテックレンズ １３
°位首検出回路
斜視図、第１図（ｂ）ｕ同センサ部の断面図、第２図は
本発明による一実施例を示す回路図、第３図は同実施例
の光学系との結合を示す模式図、第４図は本発明による
他の実施例のセンサ部を示す同第５図（ａ）（ｂ）は本
発明のセンサエレメントの等価回路図である。 １：センサ ２：基板 ３：Ｙ電極 ４：光導電層 ５
：ｙ電極 ７：スイッチング素子 ８：垂直走査回路
９：光学系 １２：ファイバーオブテックレンズ １３
°位首検出回路
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｌ）絶縁基板上に複数本の導体が互いに平行に形成され
たＸ電極と、該Ｘ電極と間隙を隔てて直交する関係に形
成された複数のＸ電極と、両電極間の間隙に介挿された
光導電層とを備え、」二記電極の少なくとも一方の電極
を透明電極で形成したセンサと、 読取るべき画像情報を」−記センサ面に導く光学系と、 該光学系を介してセンサ而に画像を導く動作に連動して
」二記各電極を切換えて光導電層定走査する制御回路と 選択今れた光導電層部分に電圧全印加する電源回路とを
備えてなることを特徴とする２次元画像読取装置。 ２）前記光導電層は、Ｘ及びＸ電極の複数の対向点に一
体的に介挿されてなることを特徴とする請求の範囲第１
項記載の２次元画像読取装置。 ３）前記光導電層は、Ｘ及びＸ電極の対向点毎に独立し
て介挿されていること全特徴とする請求の範囲第１項記
載の２次元画像読取装置。 ４）前記光学系は一次元オプティ力ルファイバーからな
ることを特徴とする請求の範囲第１項、第２項又は第３
項記載の２次元画像読取装置。 ５）前記対向電極間１に介挿された光導電層の厚さＤと
電極間の離間距離りはｒＬ）ＤＪの関係に形成されてい
ることを特徴とする請求の範囲第２項記載の２次元画像
読取装置。 ６）前記電源回路は選択された電極に、アースに対し、
正又は負の電圧を印加し、電圧印加する電極以外のＸ電
極、Ｘ電極のうち、Ｘ電極又はＸ電極のいづれかを接地
するか或いは、Ｘ７両電極を接地すると同時に、正又は
負の電圧を印加した光導電層を流れる電流全光導電層と
アース間に挿入した負荷抵抗ＲＬを介して出力電圧とし
て取り出すこと’ｔ％徴とする請求範囲第１項、第２項
、第３項、第４項又は第５項記載の２次元画像読取装置
ｉ１１．。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58024307A JPS59149456A (ja) | 1983-02-15 | 1983-02-15 | ２次元画像読取装置 |
| EP84300990A EP0119742B2 (en) | 1983-02-15 | 1984-02-15 | Two-dimensional image readout device |
| DE8484300990T DE3478779D1 (en) | 1983-02-15 | 1984-02-15 | Two-dimensional image readout device |
| US06/580,386 US4541015A (en) | 1983-02-15 | 1984-02-15 | Two-dimensional image readout device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58024307A JPS59149456A (ja) | 1983-02-15 | 1983-02-15 | ２次元画像読取装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59149456A true JPS59149456A (ja) | 1984-08-27 |
Family
ID=12134515
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58024307A Pending JPS59149456A (ja) | 1983-02-15 | 1983-02-15 | ２次元画像読取装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59149456A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5313055A (en) * | 1991-09-30 | 1994-05-17 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Two-dimensional image read/display device |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52134319A (en) * | 1976-05-06 | 1977-11-10 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | I/o system for video information |
| JPS54139341A (en) * | 1978-04-20 | 1979-10-29 | Canon Inc | Information processing unit |
| JPS558184A (en) * | 1978-07-05 | 1980-01-21 | Canon Inc | Original reading device |
| JPS57207475A (en) * | 1981-06-16 | 1982-12-20 | Nec Corp | Flat type picture input sensor |
-
1983
- 1983-02-15 JP JP58024307A patent/JPS59149456A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52134319A (en) * | 1976-05-06 | 1977-11-10 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | I/o system for video information |
| JPS54139341A (en) * | 1978-04-20 | 1979-10-29 | Canon Inc | Information processing unit |
| JPS558184A (en) * | 1978-07-05 | 1980-01-21 | Canon Inc | Original reading device |
| JPS57207475A (en) * | 1981-06-16 | 1982-12-20 | Nec Corp | Flat type picture input sensor |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5313055A (en) * | 1991-09-30 | 1994-05-17 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Two-dimensional image read/display device |
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