JPS59149038A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS59149038A JPS59149038A JP58024342A JP2434283A JPS59149038A JP S59149038 A JPS59149038 A JP S59149038A JP 58024342 A JP58024342 A JP 58024342A JP 2434283 A JP2434283 A JP 2434283A JP S59149038 A JPS59149038 A JP S59149038A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- powder
- fluorine resin
- amount
- resin composition
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置に関するものである。
従来工０．ＬＳＩの如き半導体素子は、エポキシ樹脂組
成物等の熱硬化性樹脂組成物により被覆モールドされて
使用されるのが一般的である。
成物等の熱硬化性樹脂組成物により被覆モールドされて
使用されるのが一般的である。
しかしながらこのようにして樹脂封止された半導体装置
においては、装置の耐湿性に劣る欠点を有していた。
においては、装置の耐湿性に劣る欠点を有していた。
本発明はこのような欠点を改良してなるもので、フッ素
樹脂粉末を全組成物基準で０．３〜３重ｔ％含有してな
る熱硬化性樹脂組成物により、半導体素子を被覆モール
ドしてなる半導体装置に関するものである。
樹脂粉末を全組成物基準で０．３〜３重ｔ％含有してな
る熱硬化性樹脂組成物により、半導体素子を被覆モール
ドしてなる半導体装置に関するものである。
熱硬化性樹脂組成物としては特にエポキシ樹脂 ′組
成物が好適で、粉末組成物の形態で提供されるのが一般
的である。
成物が好適で、粉末組成物の形態で提供されるのが一般
的である。
本発明の半導体装置は、前記粉末組成物を用いて半導体
素子を低圧トランスファーモルトすることにより得るこ
とができる。
素子を低圧トランスファーモルトすることにより得るこ
とができる。
エポキシ樹脂粉末組成物は公知であり、通常は熱硬化性
樹脂、硬化剤、無機質充填剤、着色剤等を均一混合して
得ることができる。
樹脂、硬化剤、無機質充填剤、着色剤等を均一混合して
得ることができる。
このような粉末組成物は、たとえば特開昭５６−９４７
６１号、特開昭５６−２３７６２号、特開昭５６−９２
０１１号等に記載されている。
６１号、特開昭５６−２３７６２号、特開昭５６−９２
０１１号等に記載されている。
本発明においてフッ素樹脂粉末の粒径は、好ましくは０
，２μ〜２μ程度であり、フッ素樹脂の材質としては特
にポリテトラフルオロエチレンを挙げることができる。
，２μ〜２μ程度であり、フッ素樹脂の材質としては特
にポリテトラフルオロエチレンを挙げることができる。
フッ素樹脂粉末の使用量を全組成物基準で０．１〜３重
量％と限定した理由は、この数値範囲外では、得られる
半導体装置の耐湿性が不良となると共に熱的特性、機械
的特性の劣化を招くからであ本発明において用いられる
フッ素樹脂粉末入りのエポキシ樹脂粉末組成物はたとえ
ば次のようにして製造できる。
量％と限定した理由は、この数値範囲外では、得られる
半導体装置の耐湿性が不良となると共に熱的特性、機械
的特性の劣化を招くからであ本発明において用いられる
フッ素樹脂粉末入りのエポキシ樹脂粉末組成物はたとえ
ば次のようにして製造できる。
一ボキシ樹月６び酸無水物もしくはフ・ノー−樹脂等の
硬化剤に促進剤、充填剤、離型剤、着色剤及び難燃剤等
の原料組成分を所定の組成比に選び、これにフッ素樹脂
粉末を、全組成物基準で０．１〜３重量部含有させた後
、例えばミキサーによって充分混合させる。更に熱ロー
ルによる溶融混合処理、またはニーダ−などによる混合
処理を加えた後、冷却後粉砕機により微粉砕することに
より容易にフッ素樹脂粉末入りのエポキシ樹脂粉末組成
物を得ることが出来る。
硬化剤に促進剤、充填剤、離型剤、着色剤及び難燃剤等
の原料組成分を所定の組成比に選び、これにフッ素樹脂
粉末を、全組成物基準で０．１〜３重量部含有させた後
、例えばミキサーによって充分混合させる。更に熱ロー
ルによる溶融混合処理、またはニーダ−などによる混合
処理を加えた後、冷却後粉砕機により微粉砕することに
より容易にフッ素樹脂粉末入りのエポキシ樹脂粉末組成
物を得ることが出来る。
またフッ素樹脂粉末添加量（重量％）は次式により求め
られる。
られる。
本発明は、μ上の如く熱硬化性樹脂組成物中に特定量の
フッ素樹脂粉末を添加したので、この組成物を用いて半
導体素子を被覆モールドして得られる半導体装は耐湿性
にすぐれる。
フッ素樹脂粉末を添加したので、この組成物を用いて半
導体素子を被覆モールドして得られる半導体装は耐湿性
にすぐれる。
以下本発明を実施例により具体的に説明する。
なお例中の部は重量部である。
実施例
タレゾールノボラック樹脂 １００部Ｃエポ
キシ当景２ｌ０） フェノールノボラック樹脂 ５０部（フェノ
ール当量１１０） 第３級アミン促進剤 ０．５部カルナ
バワックス １部゛三酸化アン
チモン １部カーボンブランク
１部結晶性シリカ粉末
１５０部シランカップリング剤
０．３部ポリテトラフルオロエチレン粉末
２部（粒径０，５μ） 上記配合物を１２０℃の熱ロールで５分間混練し、冷却
後粉砕して１０メソシ、バスの粉末組成物とした。
キシ当景２ｌ０） フェノールノボラック樹脂 ５０部（フェノ
ール当量１１０） 第３級アミン促進剤 ０．５部カルナ
バワックス １部゛三酸化アン
チモン １部カーボンブランク
１部結晶性シリカ粉末
１５０部シランカップリング剤
０．３部ポリテトラフルオロエチレン粉末
２部（粒径０，５μ） 上記配合物を１２０℃の熱ロールで５分間混練し、冷却
後粉砕して１０メソシ、バスの粉末組成物とした。
この組成物を用いて半導体素子（蒸着によりアルミニュ
ーム配線を表面上に施したシリコンチップ）を圧カフ
０ ｋｇｌｃｌ 、温度１８０℃、２分の条件でトラン
ス７１−モールドし半導体装置を得たＯ得られた半導体
装置の耐湿性試験結果を下記第１表に示す。
ーム配線を表面上に施したシリコンチップ）を圧カフ
０ ｋｇｌｃｌ 、温度１８０℃、２分の条件でトラン
ス７１−モールドし半導体装置を得たＯ得られた半導体
装置の耐湿性試験結果を下記第１表に示す。
比較例
゛実施例においてポリテトラフルオロエチレン粉末を用
いなか、た以外は、すべて実施例と同様の方法（でより
、半導体装置を得た。
いなか、た以外は、すべて実施例と同様の方法（でより
、半導体装置を得た。
得られた半導体装置の耐湿性試験結果を下記第１表に示
す。
す。
第 １ 表
耐湿性試験は、上記各側により得られた半導体装置を、
１２１℃、２気圧の水蒸気密閉容器内に放置することに
より行ない、チップ上のアルミ配線の抵抗値が１０００
をこえたものを不良とした。
１２１℃、２気圧の水蒸気密閉容器内に放置することに
より行ない、チップ上のアルミ配線の抵抗値が１０００
をこえたものを不良とした。
上記第１表では、上記各側で得られた半導体装置を各々
５０ケづつ用意し、これを用いて前記の耐湿性試験を行
なった結果の不良個数を記載した。
５０ケづつ用意し、これを用いて前記の耐湿性試験を行
なった結果の不良個数を記載した。
特許出願人
日東電気工業株式会社
代表者土方三部
Claims (1)
- フッ素樹脂粉末を全組成物基準で０．１〜３重量％含有
してなる熱硬化性樹脂組成物により、半導体素子を被覆
モールドしてなる半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58024342A JPS59149038A (ja) | 1983-02-15 | 1983-02-15 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58024342A JPS59149038A (ja) | 1983-02-15 | 1983-02-15 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59149038A true JPS59149038A (ja) | 1984-08-25 |
Family
ID=12135507
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58024342A Pending JPS59149038A (ja) | 1983-02-15 | 1983-02-15 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59149038A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0632059A2 (en) * | 1993-06-30 | 1995-01-04 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Interpenetrating networks from unsaturated monomers and thermosetting resins |
| JP2013014663A (ja) * | 2011-07-01 | 2013-01-24 | Fuji Electric Co Ltd | ポリマーナノコンポジット樹脂組成物 |
| US9456513B2 (en) | 2009-02-25 | 2016-09-27 | 3M Innovative Properties Company | Article with gasket having moisture transmission resistivity and method |
-
1983
- 1983-02-15 JP JP58024342A patent/JPS59149038A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0632059A2 (en) * | 1993-06-30 | 1995-01-04 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Interpenetrating networks from unsaturated monomers and thermosetting resins |
| EP0632059A3 (en) * | 1993-06-30 | 1996-04-17 | Sumitomo Chemical Co | Interpenetrating networks of unsaturated monomers and thermosetting resins. |
| US9456513B2 (en) | 2009-02-25 | 2016-09-27 | 3M Innovative Properties Company | Article with gasket having moisture transmission resistivity and method |
| JP2013014663A (ja) * | 2011-07-01 | 2013-01-24 | Fuji Electric Co Ltd | ポリマーナノコンポジット樹脂組成物 |
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