JPS59146978A - 高周波用誘電体磁器組成物 - Google Patents
高周波用誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JPS59146978A JPS59146978A JP58020367A JP2036783A JPS59146978A JP S59146978 A JPS59146978 A JP S59146978A JP 58020367 A JP58020367 A JP 58020367A JP 2036783 A JP2036783 A JP 2036783A JP S59146978 A JPS59146978 A JP S59146978A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- high frequency
- dielectric ceramic
- dielectric
- ceramic composition
- porcelain
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- Granted
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は高周波用の誘電体磁器組成物に関するもので
ある。
ある。
マイクロ波やミリ波などの高周波領域において、誘電体
ｍ、器は誘電体共搬器やＭＩＣ用誘電体基板などに広く
利用源れている。
ｍ、器は誘電体共搬器やＭＩＣ用誘電体基板などに広く
利用源れている。
従来、この種の誘電体磁器としては、例えばＺｒＯ２−
５ｎ０２−’Ｉ’ｉＯ□系材料、Ｂａ２Ｔｉｇ ０２ｏ
・（Ｂａ、５ｒ）（Ｚｒ、Ｔｉ）０３系材料、Ｂａ（Ｚ
ｎ、Ｔａ）０３糸材料などがある。
５ｎ０２−’Ｉ’ｉＯ□系材料、Ｂａ２Ｔｉｇ ０２ｏ
・（Ｂａ、５ｒ）（Ｚｒ、Ｔｉ）０３系材料、Ｂａ（Ｚ
ｎ、Ｔａ）０３糸材料などがある。
これらの各種材料は、マイクロ波帯での誘電率（εｒ）
が２０〜４０、Ｑが４０００〜８０００、共振周波数の
温度係数（τｆ）がＯｐｐｍ／”Ｃ付近の特性を有する
ものであると報告されている。
が２０〜４０、Ｑが４０００〜８０００、共振周波数の
温度係数（τｆ）がＯｐｐｍ／”Ｃ付近の特性を有する
ものであると報告されている。
このうち、Ｂ ａ （Ｚ ｎ ＋ Ｔａ ） ０３糸材
料はこの発明の好適な従来例である。このＢａ （Ｚｎ
’、’Ｔａ ） ０３ 系材料については特開昭５８
−８５４５４号 公報にその詳細な説明がなされている
。
料はこの発明の好適な従来例である。このＢａ （Ｚｎ
’、’Ｔａ ） ０３ 系材料については特開昭５８
−８５４５４号 公報にその詳細な説明がなされている
。
その詳細な税５明によると、１３６０〜１４６０°Ｃの
温度範囲で２時間空電中で焼成して誘電体磁器を得、そ
の大きさを直径５朋、欅み２Ｍとして共振周波数（はぼ
１１ＧＨｚ）と的、径から誘電率（εｒ）、１だ帯域反
射法により無負荷Ｑ、さらに−３０°Ｃ〜＋７０°Ｃの
温度範囲で共振周波数の温度係数（τｆ）を測定したと
ころ、ε、については２５〜３０、Ｑについては３５２
０〜８７８０ 、τｆについては５〜２０ ｐｐｒｎ／
’Ｃの特性を示すとしている。
温度範囲で２時間空電中で焼成して誘電体磁器を得、そ
の大きさを直径５朋、欅み２Ｍとして共振周波数（はぼ
１１ＧＨｚ）と的、径から誘電率（εｒ）、１だ帯域反
射法により無負荷Ｑ、さらに−３０°Ｃ〜＋７０°Ｃの
温度範囲で共振周波数の温度係数（τｆ）を測定したと
ころ、ε、については２５〜３０、Ｑについては３５２
０〜８７８０ 、τｆについては５〜２０ ｐｐｒｎ／
’Ｃの特性を示すとしている。
また最近ではこのＢａ（Ｚｎ、 Ｔａ） ０３糸材料に
ついて次のような報告がなされている。
ついて次のような報告がなされている。
つ捷り、Ｂａ（Ｚｎ、 Ｔａ ） ０３について、普通
焼成法により誘電体磁器を焼成したものであるが、その
焼成条件を最高温度１６５０°Ｃ，焼成時間を２〜１２
０時間の範囲としてその結果を検討している。
焼成法により誘電体磁器を焼成したものであるが、その
焼成条件を最高温度１６５０°Ｃ，焼成時間を２〜１２
０時間の範囲としてその結果を検討している。
それによれば、１２０時間焼成した磁器では、導波管内
で測定したＱ値が１４．０００の値を示し、１だ２時間
焼成した磁器を同様の方法で測定したところ（１２ＧＩ
ｉｚ） １００００〜１１０００のＱ値を示すとしてい
る。
で測定したＱ値が１４．０００の値を示し、１だ２時間
焼成した磁器を同様の方法で測定したところ（１２ＧＩ
ｉｚ） １００００〜１１０００のＱ値を示すとしてい
る。
そして、この焼成時間によるＱ値の変化については、次
のようなことをその理由としている。
のようなことをその理由としている。
〜まず、Ｂａ （Ｚｎ ｙ３ Ｎｂ Ｈ） ０３は”
Ｏｒｄｅｒｉｎｇ １ｎＯｏ＋ｎｐｏｕｎｄｓ ｏｆ
ｔ、ｈｅ Ａ（Ｂ’０．３３ＴａＯ，６７） ０３ ’
ｒｙｐｅ ”、Ｆ 、Ｇａ１ａｓｓｏ ａｎｄ Ｊ
、 Ｐｙｔｅ 、 Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ Ｃ
ｈｅｍｉｓｔｒｙ 。
Ｏｒｄｅｒｉｎｇ １ｎＯｏ＋ｎｐｏｕｎｄｓ ｏｆ
ｔ、ｈｅ Ａ（Ｂ’０．３３ＴａＯ，６７） ０３ ’
ｒｙｐｅ ”、Ｆ 、Ｇａ１ａｓｓｏ ａｎｄ Ｊ
、 Ｐｙｔｅ 、 Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ Ｃ
ｈｅｍｉｓｔｒｙ 。
Ｖ０１２、志３、Ｐ４８２〜４８４に紹介されているよ
うに、ＡＢＯ，、からなる立方晶（Ｃｕｂｉｃ ）の複
合ペロブスカイト構造を有しており、その結晶構造はＺ
ｎとＴａが規則配列することにより六方晶（Ｉｉｅｘａ
ｇＯｎａｌ ）の超格子を形成しでいる。
うに、ＡＢＯ，、からなる立方晶（Ｃｕｂｉｃ ）の複
合ペロブスカイト構造を有しており、その結晶構造はＺ
ｎとＴａが規則配列することにより六方晶（Ｉｉｅｘａ
ｇＯｎａｌ ）の超格子を形成しでいる。
第１図はこのＢａ （Ｚｎ １／？３Ｔａ ２ｘｄ ）
０３の結晶構造を示したものであり、Ｂ位置の２０１
とＴａ ２が１＝２で秩序配列している。なお３ばＢａ
、４はＯを示すものである。
０３の結晶構造を示したものであり、Ｂ位置の２０１
とＴａ ２が１＝２で秩序配列している。なお３ばＢａ
、４はＯを示すものである。
ところが、この秩序構造は焼成条件によって犬きく変化
するものであるとしている。即ち、第２図に示すように
焼成温度を１３５０°Ｃとし、磁器のＸ線回担において
（４２２）、 （２２６）反射図形の焼成時間の依存性
を検討したところ、２時間程度の焼成時間ではＺｕとｆ
ａの秩序配列の形成が不十分であり、一方１２０時間の
焼成時間ではＺｎとＴａ が十分に秩序配列しており
、これがＱ値の向上に結ひつくものであると説明してい
る。
するものであるとしている。即ち、第２図に示すように
焼成温度を１３５０°Ｃとし、磁器のＸ線回担において
（４２２）、 （２２６）反射図形の焼成時間の依存性
を検討したところ、２時間程度の焼成時間ではＺｕとｆ
ａの秩序配列の形成が不十分であり、一方１２０時間の
焼成時間ではＺｎとＴａ が十分に秩序配列しており
、これがＱ値の向上に結ひつくものであると説明してい
る。
しかしながら、Ｑ値の高い磁器を得るために、焼成時間
を１２０時間も維持することは生産性を向上させるうえ
で大きな障害であり、コストアップにつながる。
を１２０時間も維持することは生産性を向上させるうえ
で大きな障害であり、コストアップにつながる。
また焼成炉を高温で１２０時間もの長時間稼動させるこ
とは焼成炉の寿命を短くすることになってし１い、これ
もまた製品のコストアップにつながることになる。
とは焼成炉の寿命を短くすることになってし１い、これ
もまた製品のコストアップにつながることになる。
し７かして最近では使用する周波数領域がさらに高くな
ってきており、これに対応してさらに高いＱ値を有する
材料が要求されている。
ってきており、これに対応してさらに高いＱ値を有する
材料が要求されている。
本発明者らは、上記の点に鑑みて鋭意研究の結果、長時
間に及ぶ焼成時間を要することなく、高周波領域におい
て高い誘電率を有するとともにＱ値が高く、共］展層波
数の温度係数もＯｐｐｍ／°ｃを中心に任意の飼゛を得
ることのできる高周波用誘電体磁器組成物全見出したの
である。
間に及ぶ焼成時間を要することなく、高周波領域におい
て高い誘電率を有するとともにＱ値が高く、共］展層波
数の温度係数もＯｐｐｍ／°ｃを中心に任意の飼゛を得
ることのできる高周波用誘電体磁器組成物全見出したの
である。
即ち、この発明の要旨とするところは、Ｂａｄ。
ｙ、ｚが０゜０２≦Ｘ≦０．１８，０．２８≦ｙ≦０．
８８゜０．５９≦２≦０．６５（但し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１
）の範囲にあり、かつＺｎの７０原子％以下がＮｉ 、
Ｃｏの何れか一方ブたけ双方により置換されたものを
主成分とし、これにランクニド糸酸化物をＭｅ２Ｏ３の
形で表わしたとき、このＭｅ２Ｏ３のうち少なくとも１
種を０．１〜１０，０モル％添加含有してなる高周波用
誘電体磁器組成物である。
８８゜０．５９≦２≦０．６５（但し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１
）の範囲にあり、かつＺｎの７０原子％以下がＮｉ 、
Ｃｏの何れか一方ブたけ双方により置換されたものを
主成分とし、これにランクニド糸酸化物をＭｅ２Ｏ３の
形で表わしたとき、このＭｅ２Ｏ３のうち少なくとも１
種を０．１〜１０，０モル％添加含有してなる高周波用
誘電体磁器組成物である。
ここでＢａ （ＺｒｘＺｎ Ｔａ２） ０７／２−Ｖ２
−８／２において、ｘ＊ｙｑｚ全それぞれト達した範囲
に限定したのは次のような理由からである。
−８／２において、ｘ＊ｙｑｚ全それぞれト達した範囲
に限定したのは次のような理由からである。
即ち、Ｘを０．０２〜０．１３の範囲としたのは、Ｘが
０．０２未満ではＱか低下することになり、寸だ０１３
を越えると、共振周波数の温良係数が正側で大さくなる
からである。
０．０２未満ではＱか低下することになり、寸だ０１３
を越えると、共振周波数の温良係数が正側で大さくなる
からである。
ｙｉｏ、２８〜０３３としたのは、これが０゜２８未満
、１７こけ０．３３を越えると、何れも焼結が困難とな
るからである８ Ｚを０．５９〜０６５としたのは、Ｚが０．５９未満に
なり、寸だ０．６５を越えると、何れも焼結が困難とな
るからである。
、１７こけ０．３３を越えると、何れも焼結が困難とな
るからである８ Ｚを０．５９〜０６５としたのは、Ｚが０．５９未満に
なり、寸だ０．６５を越えると、何れも焼結が困難とな
るからである。
１だＢａ（Ｚｒｘ ｚｎＴａ２ ）０７／２１２３Ｙ／
２のＺｎｋ Ｎ ｔ ｓＣｏの何れか一方一または双方
で置換する場合、その置換量を７０原子％以下としたの
は、７０原子％をこえると、共振周波数の温度係数が負
側で太きくなりすぎるためである。
２のＺｎｋ Ｎ ｔ ｓＣｏの何れか一方一または双方
で置換する場合、その置換量を７０原子％以下としたの
は、７０原子％をこえると、共振周波数の温度係数が負
側で太きくなりすぎるためである。
次に上記の主成分に対して添加するランタニド１０．０
モル％以上では誘電率およびＱ（的が低下するだめであ
る。
モル％以上では誘電率およびＱ（的が低下するだめであ
る。
以■この発明Ｉｔ： ′＊Ｍｐ例にて訂卸１に説明する
。
。
実施例
ＩＩ料として高純物のＢａＧ ０３ ＋ Ｚ ｒ０２．
１ｒｒｏ 。
１ｒｒｏ 。
Ｔａ Ｏ、ＮｉＯ，Ｃｏ２Ｏ３，Ｌａ２Ｕ３．Ｕｅ０２
． Ｓｍ、、０３゜５ Ｄｙ、、０３． ｎｏ２（Ｊ３． Ｐｒ２Ｏ３を用い、
第１表に示す組成比率の磁器が得られるように秤量し、
秤量原料をゴム内張りしたボールミルにめのう石、純水
とともに入れ、２１１に間服式混合した。次いでこの混
合物を脱水、乾燥したのち、１．２００℃で２時１ｆＪ
Ｊ仮焼し、この仮焼物をホールミルにめのう石、純水、
’（−ｊ機ハインタとともに入れて、２時間溝式粉砕し
た。
． Ｓｍ、、０３゜５ Ｄｙ、、０３． ｎｏ２（Ｊ３． Ｐｒ２Ｏ３を用い、
第１表に示す組成比率の磁器が得られるように秤量し、
秤量原料をゴム内張りしたボールミルにめのう石、純水
とともに入れ、２１１に間服式混合した。次いでこの混
合物を脱水、乾燥したのち、１．２００℃で２時１ｆＪ
Ｊ仮焼し、この仮焼物をホールミルにめのう石、純水、
’（−ｊ機ハインタとともに入れて、２時間溝式粉砕し
た。
次いでこの粉砕物を乾燥したのち、５０メソシユの網を
、ｉｎｌ シて造粒し、得られた粉末を２０００ｋｇ１
ｃ誘の圧力で１２闘φ×６闘もの寸法からなる円板に成
形１〜た。さらにこの円板を１４５０°Ｃ１４時間の条
件で焼成して磁器試ｇを得た。
、ｉｎｌ シて造粒し、得られた粉末を２０００ｋｇ１
ｃ誘の圧力で１２闘φ×６闘もの寸法からなる円板に成
形１〜た。さらにこの円板を１４５０°Ｃ１４時間の条
件で焼成して磁器試ｇを得た。
得られた磁器試別について、周波数７ＧＨｚにおける拘
４ｙ李（ε）、Ｑおよび共振周波数の温度係数（τ［）
を誘電体共振器法にて測定し、その結果を第１表に示し
た。
４ｙ李（ε）、Ｑおよび共振周波数の温度係数（τ［）
を誘電体共振器法にて測定し、その結果を第１表に示し
た。
なし・第１表中※印はこの発明の軸回外のものであり、
それしノ外はすべてこの発明範囲ｉ内のものである。
それしノ外はすべてこの発明範囲ｉ内のものである。
第１表において、試料番号１．４９．５２．５５はＺｎ
の一部をＮｉ、Ｃｏの何れか一方または双方で置換して
いない組成からなるものであり、この発明えた例であり
、共振周波数（τｆ）が負側で大きくなる傾向にあるた
め、との発明範囲から除外したものである。
の一部をＮｉ、Ｃｏの何れか一方または双方で置換して
いない組成からなるものであり、この発明えた例であり
、共振周波数（τｆ）が負側で大きくなる傾向にあるた
め、との発明範囲から除外したものである。
ｄ式才・１ ＃−号 １２、３、１０、１６、１７、２
３、２９、３０．３６．４２．４３．４９．５２．５５
はランタニド糸Ｉ俊化物（ｙ、ｅ２０３） ’ｃ添加し
ていない例であり、この発明の範囲外である。
３、２９、３０．３６．４２．４３．４９．５２．５５
はランタニド糸Ｉ俊化物（ｙ、ｅ２０３） ’ｃ添加し
ていない例であり、この発明の範囲外である。
次に試料番号９．１５．２２．２８．３５．４１．４８
はΔ１ｅ２０３を１０モル％以上添加した例であり、誘
電率、およびＱ値が低下するためこの発明の範υｔ１か
ら除外したものである。
はΔ１ｅ２０３を１０モル％以上添加した例であり、誘
電率、およびＱ値が低下するためこの発明の範υｔ１か
ら除外したものである。
さらに試料番号４９〜５７はＢａ（ＺｒｘＺｎ、Ｔａ、
）０？／２−Ｘ／２−３ｙ／２のｘ＋ Ｙ ＋ Ｚの
値がこの発明の範囲から外れているものであり、焼結が
困難か特性が低下しているものである。
）０？／２−Ｘ／２−３ｙ／２のｘ＋ Ｙ ＋ Ｚの
値がこの発明の範囲から外れているものであり、焼結が
困難か特性が低下しているものである。
試料番号４９．５０．５２．５３については、特性を示
していないがこれは十分に焼結した磁器が得られず、特
性の測定の不可能であったためである。
していないがこれは十分に焼結した磁器が得られず、特
性の測定の不可能であったためである。
なおこの英施例ではＭ、ｅ２（Ｊ３即ちランクニド糸酸
化物としてＬａ２Ｏ３，ＣｅＯ２，Ｓｍ２Ｏ３，Ｄｙ２
Ｏ３，ＨＯ□０３゜Ｐｒ２Ｏ３について説明したが、そ
の仙のランクニド糸酸化物を用いても同様な結果を示す
ことは確認した。
化物としてＬａ２Ｏ３，ＣｅＯ２，Ｓｍ２Ｏ３，Ｄｙ２
Ｏ３，ＨＯ□０３゜Ｐｒ２Ｏ３について説明したが、そ
の仙のランクニド糸酸化物を用いても同様な結果を示す
ことは確認した。
以北詳述したようにこの１ｉ明によれば、高誘電率を冶
するとともにランタニド糸酸化物の添加によって従来得
られなかった高いＱ働を示す高周波用誘電体磁器組成物
が得られるのである。才だＺｎの一部全Ｎｉ、Ｃｏの何
れか一方またけ双方で置換する量全過宣選択することに
よって共振周波数の温度係数も０［Ｊρｎｒ、’Ｑ全中
心に正側、負側に任意の値のものが得られるのである。
するとともにランタニド糸酸化物の添加によって従来得
られなかった高いＱ働を示す高周波用誘電体磁器組成物
が得られるのである。才だＺｎの一部全Ｎｉ、Ｃｏの何
れか一方またけ双方で置換する量全過宣選択することに
よって共振周波数の温度係数も０［Ｊρｎｒ、’Ｑ全中
心に正側、負側に任意の値のものが得られるのである。
従ってこの発明によれば誘電体共振器、誘電体調整棒、
ＭＩＣ用誘電体基板などの用途に有用な冒周波用誘電体
磁器組成物を提供することができるのでるる。
ＭＩＣ用誘電体基板などの用途に有用な冒周波用誘電体
磁器組成物を提供することができるのでるる。
第１図はＢａ （Ｚｎ ｙＢ Ｔａ ２．ｙＢ ） ０
３の結晶槽ａ’ｅ示す図、第２図はＢａ （Ｚｎ ｉ／
８ Ｔａ ２７Ｂ ）０３にツいて焼成時間との関連で
示したＸ線回折図である。 パ ζ） 代理人 弁理士和１）昭 手続ネ甫正書（自発） １ｉ（和５８年４月２２Ｅｌ 昭和５８年特許願第２０３６７号 ２、発明の名称 高周波用誘電体磁器組成物 ３．７市正をり−る当 事件との関係 特許出願人 明細俗の［発明の詳細な説明」の欄 ６、補正の内容 別紙の通り 補正の内容 １、明細心第２頁２行目 ｒ １３ａ、Ｔｂ、Ｏ，、Ｔ （Ｂａ 、 Ｓｒ ）
Ｊを「Ｂａ、ＴＬ、Ｏ，、、（Ｅｔａ 、 Ｓｒ ）
Ｊと訂正しまづ。 ２、同第１８頁３行目 「測定の１を 「測定かＡと訂正します。
３の結晶槽ａ’ｅ示す図、第２図はＢａ （Ｚｎ ｉ／
８ Ｔａ ２７Ｂ ）０３にツいて焼成時間との関連で
示したＸ線回折図である。 パ ζ） 代理人 弁理士和１）昭 手続ネ甫正書（自発） １ｉ（和５８年４月２２Ｅｌ 昭和５８年特許願第２０３６７号 ２、発明の名称 高周波用誘電体磁器組成物 ３．７市正をり−る当 事件との関係 特許出願人 明細俗の［発明の詳細な説明」の欄 ６、補正の内容 別紙の通り 補正の内容 １、明細心第２頁２行目 ｒ １３ａ、Ｔｂ、Ｏ，、Ｔ （Ｂａ 、 Ｓｒ ）
Ｊを「Ｂａ、ＴＬ、Ｏ，、、（Ｅｔａ 、 Ｓｒ ）
Ｊと訂正しまづ。 ２、同第１８頁３行目 「測定の１を 「測定かＡと訂正します。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｊ３ａＯ，ＺｒＯ２，ＺｎＯ，Ｔａ２０５からなり、こ
れを一般式％式％ ） の範囲にあり、かつＺｎの７０原子％以下がＮ１゜Ｃｏ
の何れか一方または双方により置換されたものを主成分
とし、これにランクニド糸酸化物をＭｅ２Ｏ３の形で表
わしたとき、このＭｅ２Ｏ３のうち少なくとも１種ヲ０
．１〜１０．０モル％添加含有してなる高周波用誘電体
磁器組成物。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58020367A JPS59146978A (ja) | 1983-02-09 | 1983-02-09 | 高周波用誘電体磁器組成物 |
| US06/527,762 US4485180A (en) | 1982-09-06 | 1983-08-30 | High frequency dielectric ceramic compositions |
| DE3331610A DE3331610A1 (de) | 1982-09-06 | 1983-09-01 | Dielektrische keramische zusammensetzung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58020367A JPS59146978A (ja) | 1983-02-09 | 1983-02-09 | 高周波用誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59146978A true JPS59146978A (ja) | 1984-08-23 |
| JPS6346024B2 JPS6346024B2 (ja) | 1988-09-13 |
Family
ID=12025104
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58020367A Granted JPS59146978A (ja) | 1982-09-06 | 1983-02-09 | 高周波用誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59146978A (ja) |
-
1983
- 1983-02-09 JP JP58020367A patent/JPS59146978A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6346024B2 (ja) | 1988-09-13 |
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