JPS59143607A - Dicing device - Google Patents

Dicing device

Info

Publication number
JPS59143607A
JPS59143607A JP58017354A JP1735483A JPS59143607A JP S59143607 A JPS59143607 A JP S59143607A JP 58017354 A JP58017354 A JP 58017354A JP 1735483 A JP1735483 A JP 1735483A JP S59143607 A JPS59143607 A JP S59143607A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
blade
dicing
cutting
pellet
polishing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP58017354A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
保 宇佐美
厚 本多
孝志 三輪
功治 中村
寛治 大塚
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP58017354A priority Critical patent/JPS59143607A/en
Publication of JPS59143607A publication Critical patent/JPS59143607A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体ウエーノ・を複数個のペレットに切断分
離するためのダイシング装置に関するものであるー 半導体集積回路装置の製造工程において、半導体ウェー
ハに形成された複数個の素子は夫々に切断9分離されて
微小方形の素子ペレットとして構成される。この切断に
は所請ダイシング装置が使用されており、半導体ウェー
ハの片面に粘着性テープを貼り付けてこれをテーブルに
固定する一方、高速回転するダイヤモンドブレード(ダ
イシングソー)を半導体ウェーハの表面上でX方向、Y
方向に移動することにより、半導体ウェーハを桝目状に
切断l〜方形の素子ペレットを形成している。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a dicing device for cutting and separating a semiconductor wafer into a plurality of pellets. are each cut into 9 parts to form minute rectangular element pellets. A custom dicing machine is used for this cutting, and while adhesive tape is pasted on one side of the semiconductor wafer and fixed to a table, a diamond blade (dicing saw) rotating at high speed is placed on the surface of the semiconductor wafer. X direction, Y
By moving in the direction, the semiconductor wafer is cut into squares to form rectangular element pellets.

ところで、このダイシングでは、半導体クエーハの結晶
方向に無関係に切断を行なっているために、結晶の健闘
を利用したダイヤモンドスクライビングよりも平滑な切
断面を得へことができるが、前記夕°イシングソーは通
常10’00(5〜70000rpmの高速で回転され
ているので切断衝撃による若干の欠陥が切断面に生じる
ことは防止できない。そして、第1図に示すように、こ
の欠陥2はペレット1の細切断面1aの略全域にわたっ
て生じるが、特にベレットの上縁や下縁に掛かるような
欠陥2a、2bが生じるとこの欠陥を起点としてペレッ
トにクラックが生じ易くなり、ベレット不良が発生して
しまう。
By the way, in this dicing method, since the semiconductor wafer is cut regardless of the crystal direction, it is possible to obtain a smoother cut surface than in diamond scribing, which takes advantage of the strength of the crystal. Since it is rotated at a high speed of 10'00 (5 to 70,000 rpm), it is impossible to prevent some defects from occurring on the cut surface due to the cutting impact.As shown in Fig. 1, this defect 2 is due to the fine cutting of the pellet 1. Defects 2a and 2b occur over almost the entire area of surface 1a, but especially when defects 2a and 2b occur on the upper and lower edges of the pellet, cracks are likely to occur in the pellet starting from these defects, resulting in pellet failure.

したがって本発明の目的はペレットの細切断面に欠陥が
生じろことがなく、これによりペレットへのクラック発
生を防止して信頼性の向上を図ることができるダイシン
グ装置を提供することにある。
Therefore, it is an object of the present invention to provide a dicing apparatus that does not cause defects on the finely cut surfaces of the pellets, thereby preventing the occurrence of cracks in the pellets and improving reliability.

この目的を達成するために本発明はダイシングソーを直
列配置した2枚以上のブレードにて構成し、先頭のブし
・−ドを切断用に、後側のブレードを研磨用に夫々構成
したものである。
In order to achieve this object, the present invention comprises a dicing saw with two or more blades arranged in series, with the leading blade used for cutting and the rear blade used for polishing. It is.

以下、本発明を図示の実施例により説明する。Hereinafter, the present invention will be explained with reference to illustrated embodiments.

第2図は本発明装置の一実施例であり、図において10
は複数個のペレットに切断1分離される半導体ウェーハ
で、その表面部には所定の回路パターンの素子を桝目状
に配列形成し7ており、粘着チー ブ11によりホルタ
゛12内に支持している。
FIG. 2 shows an embodiment of the device of the present invention, and in the figure, 10
is a semiconductor wafer that is cut into a plurality of pellets, on the surface of which elements with a predetermined circuit pattern are arranged in a grid pattern 7, and supported in a holster 12 by an adhesive tube 11. .

このホルダ12はダイシングテーブル13上に位置決め
されて一体的に固定され、テーブル13と共に前記ウェ
ーハ10をX方向に間欠的に、即ち切断形成するベレッ
ト寸法と等しいピッチで移動する。
This holder 12 is positioned and integrally fixed on a dicing table 13, and moves the wafer 10 together with the table 13 in the X direction intermittently, that is, at a pitch equal to the size of the pellet to be cut and formed.

一方、14はダイシングソーであり、Y方向の一直線上
(図示左右方向)に直列配置した2枚のダイヤモンドブ
レード15.16からなる。これらダイヤモンドブレー
ド15.16はY方向に往復移動する支持体17かも突
設した回転軸18゜19に夫々支持しており、支持体1
7と一体にY方向に往復移動されると共に両ブレードは
一体に或いは独立して高速回転される。そして、前記各
ブレード15.16の中、図示左側の先頭のブレード1
5はダイヤモンド砥粒な従来のブレードと同じにして半
導体ウェーハの切断用として構成する一方、図示右側の
後側のブレード16はダイヤモンド砥粒を微細化して研
磨用として構成する。
On the other hand, 14 is a dicing saw, which consists of two diamond blades 15 and 16 arranged in series on a straight line in the Y direction (in the horizontal direction in the figure). These diamond blades 15 and 16 are respectively supported on rotary shafts 18 and 19 protruding from a support 17 that reciprocates in the Y direction.
The blades are reciprocated together with the blade 7 in the Y direction, and both blades are rotated at high speed either together or independently. Among the blades 15 and 16, the leading blade 1 on the left side in the figure
Reference numeral 5 is the same as a conventional blade with diamond abrasive grains, and is configured for cutting semiconductor wafers, while the blade 16 on the rear side on the right side in the figure is configured with fine diamond abrasive grains for polishing.

また、先頭のブレード15は第3図に示−1−ように、
その幅寸法t1を後側ブレード16の幅寸法t2よりも
若干小さくしている。
In addition, the leading blade 15 is as shown in FIG.
Its width t1 is slightly smaller than the width t2 of the rear blade 16.

以上の構成によれば、テーブル13をX方向に間欠移動
させながらその間欠時に支持体17をY方向に往復移動
させれば、ダイヤモンドブレード15.16は半導体ウ
ェーハ10上をY方向に移動してウェーハ10をY方向
に切断し、この繰返しによりウェーハ10をX方向に細
分化する。したがって、次にテーブル13上のウェーハ
10を90°方向を変えてセットし直せば、同様の作業
によってウェーハを桝目状に切断し、複数個のベレット
に切断2分離することができる。
According to the above configuration, if the table 13 is moved intermittently in the X direction and the support body 17 is intermittently moved back and forth in the Y direction, the diamond blades 15 and 16 will move over the semiconductor wafer 10 in the Y direction. The wafer 10 is cut in the Y direction, and by repeating this process, the wafer 10 is divided into pieces in the X direction. Therefore, next time, if the wafer 10 on the table 13 is changed in direction by 90 degrees and reset, the wafer can be cut into squares and divided into a plurality of pellets by the same operation.

このとき、ウェーハ10のY方向の切断に際しては、先
頭のブレード15で従来と同様の切断を行なった直後に
、これと一体重に移動させる後側のブレード16にて切
断面を研磨することになる。
At this time, when cutting the wafer 10 in the Y direction, immediately after cutting the wafer 10 in the same way as in the past with the leading blade 15, the cut surface is polished with the rear blade 16 that moves together with the leading blade 15. Become.

両ブレード15,16の幅寸法の差はその研磨化となる
。したがって、先頭のブレード15により切断面に従来
と同様の欠陥が生じても、後側のブレード16で切断面
を研磨することにより欠陥な削成−し、欠陥のない切断
面とすることができる。
The difference in the width dimensions of both blades 15 and 16 results in their polishing. Therefore, even if the leading blade 15 causes a defect similar to the conventional one, the cutting surface can be polished by the rear blade 16 to remove the defect and create a defect-free cut surface. .

これにより、形成されるべきペレットの細切断面の上縁
℃下縁に掛かるような欠陥が生じることもなく、ベレッ
トのクラックを確実に防止することができる。また、研
磨により切断面の平滑化が更に向上するので、後工程の
ペレットボンダ等の自動化に有効となる。
As a result, cracks in the pellet can be reliably prevented without causing defects such as the upper edge and the lower edge of the finely cut surface of the pellet to be formed. In addition, since polishing further improves the smoothness of the cut surface, it is effective in automating post-processes such as pellet bonding.

ここで、前記実施例は前後に2枚のダイヤモンドブレー
ドを直列配置した例を示しているが、切断用或いは研磨
用のブレード数を増やして3枚以上のブレード構成とし
てもよい。また、各ブレードを1個の支持台に一体に支
持しているが、各ブレードを別体に支持して独立に移動
できるようにしてもよい。更にブレードとウェーハはい
ずれか一方を固定して他方をX方向、Y方向に移動させ
ながらダイシングを行なう構成としてもよい。
Here, although the above embodiment shows an example in which two diamond blades are arranged in series at the front and rear, the number of cutting or polishing blades may be increased to provide a configuration with three or more blades. Moreover, although each blade is integrally supported on one support stand, each blade may be supported separately so that it can move independently. Furthermore, a configuration may be adopted in which one of the blade and the wafer is fixed while dicing is performed while the other is moved in the X direction and the Y direction.

以上のように本発明のダイシング装置によれば、ダイシ
ングソーを複数枚のブレードにて構成し、各ブレードを
切断用、研磨用として構成しているので、形成されたベ
レットの細切断面やその上。
As described above, according to the dicing apparatus of the present invention, the dicing saw is configured with a plurality of blades, and each blade is configured for cutting and polishing. Up.

下縁に欠陥が生じることを防止でき、これによりベレッ
トクランクの発生を防止してベレットの信頼性を向上す
ることができると共に、ペレット外観の向上や後工程の
自動化に有効となる等の効果を奏する。
It is possible to prevent defects from occurring on the lower edge, thereby preventing the occurrence of pellet cranks and improving the reliability of the pellet. It also has effects such as improving the appearance of the pellet and being effective in automating post-processing. play.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は従来の不具合を説明するためのペレットの一部
斜視図、 第2図は本発明装置の概略斜視図、 第3図はブレードの平面図である。 1・・・ペレット、2.2a、2b・・・欠陥、10・
・・半導体ウェーハ、13・・・ダイシングテーブル、
14・・・ダイシングソー、15・・夕゛イヤモンドブ
レード(先頭)、16・・・ダイヤモンドブレード(後
側)、17・・・支持体、1.、12・・ブレード幅寸
法。
FIG. 1 is a partial perspective view of a pellet for explaining the conventional problems, FIG. 2 is a schematic perspective view of the device of the present invention, and FIG. 3 is a plan view of the blade. 1... Pellet, 2.2a, 2b... Defect, 10.
... Semiconductor wafer, 13... Dicing table,
14...Dicing saw, 15...Diamond blade (front), 16...Diamond blade (rear side), 17...Support, 1. , 12...Blade width dimension.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、高速回転するダイヤモンドブレードをダイシングソ
ーとして備え、半導体ウェー・・をこのダイシングソー
により切断するダイシング装置において、前記夕゛イシ
ングソーを切断方向に直列配置した複数枚のブレードに
て構成し、かつ少なくとも先頭のブレードを切断用、後
側のブレードを研磨1用とl〜で夫々構成したことを特
徴とするダイシング装置。 2、研磨用のブレードはその砥粒な微小砥粒にて構成し
てなる特許請求の範囲第1項記載のダイシング装置。 3、切断用のブレードは研磨用ブレードよりもブレード
幅寸法を若干小さくしてなる特許11〜求の範囲第1項
又は第2項記載のタ′イシング装置。
[Claims] 1. In a dicing device that is equipped with a dicing saw that rotates at high speed and cuts a semiconductor wafer with the dicing saw, the dicing saw is connected to a plurality of blades arranged in series in the cutting direction. What is claimed is: 1. A dicing device comprising at least a leading blade for cutting and a rear blade for polishing 1. 2. The dicing apparatus according to claim 1, wherein the polishing blade is made of abrasive micro-abrasive grains. 3. The ticing device according to Patent No. 11-1-2, wherein the width of the cutting blade is slightly smaller than that of the polishing blade.
JP58017354A 1983-02-07 1983-02-07 Dicing device Pending JPS59143607A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58017354A JPS59143607A (en) 1983-02-07 1983-02-07 Dicing device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58017354A JPS59143607A (en) 1983-02-07 1983-02-07 Dicing device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS59143607A true JPS59143607A (en) 1984-08-17

Family

ID=11941706

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58017354A Pending JPS59143607A (en) 1983-02-07 1983-02-07 Dicing device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS59143607A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02303050A (en) * 1989-05-17 1990-12-17 Fujitsu Ltd Cutting of semiconductor wafer
JPH05253830A (en) * 1991-10-18 1993-10-05 Disco Abrasive Syst Ltd Blade processing method of tie-bar cutter
JP2003300135A (en) * 2002-04-08 2003-10-21 Disco Abrasive Syst Ltd Method and device for mirror processing cut face
JP2010245254A (en) * 2009-04-06 2010-10-28 Disco Abrasive Syst Ltd Method of processing wafer

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02303050A (en) * 1989-05-17 1990-12-17 Fujitsu Ltd Cutting of semiconductor wafer
JPH05253830A (en) * 1991-10-18 1993-10-05 Disco Abrasive Syst Ltd Blade processing method of tie-bar cutter
JP2003300135A (en) * 2002-04-08 2003-10-21 Disco Abrasive Syst Ltd Method and device for mirror processing cut face
JP2010245254A (en) * 2009-04-06 2010-10-28 Disco Abrasive Syst Ltd Method of processing wafer

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100624931B1 (en) Semiconductor wafer dividing method
JP2000353682A (en) Method for cutting semiconductor protecting tape
JP2000031099A (en) Fabrication of semiconductor wafer
JPS59143607A (en) Dicing device
JP2005109155A (en) Processing method of semiconductor wafer
JP4540421B2 (en) Dicing method
JP6967386B2 (en) Dressing method
JPS61106207A (en) Manufacture of wafer
JPH07169720A (en) Dicing device
JPH01310906A (en) Manufacture of semiconductor device
JPH06188308A (en) Dicing blade
JP3853873B2 (en) Method for dividing semiconductor wafer
JPH02303050A (en) Cutting of semiconductor wafer
JP3486154B2 (en) Cutting device and cutting method
JPS5994436A (en) Manufacture of semiconductor pellet
JP5809047B2 (en) Dressing board, dressing board manufacturing method and dressing method
JP2000031096A (en) Method for cutting substrate
CN108177096B (en) Processing technology of abrasive cloth wheel
JP2858705B2 (en) Method for manufacturing semiconductor device
JP2020116655A (en) Cutting device and dressing method of cutting blade
JPH04162647A (en) Semiconductor device
JP3326190B2 (en) Mirror chamfering method for semiconductor wafer
JP3590886B2 (en) Method for manufacturing filter member, method for cutting filter member, method for cutting out filter chip, and method for manufacturing filter chip
JP6624385B2 (en) Dicing apparatus and dressing method for dicing blade
JP3827862B2 (en) Edge finishing equipment for plate materials