JPS59135701A - 炭素系セラミツク抵抗体 - Google Patents
炭素系セラミツク抵抗体Info
- Publication number
- JPS59135701A JPS59135701A JP58009343A JP934383A JPS59135701A JP S59135701 A JPS59135701 A JP S59135701A JP 58009343 A JP58009343 A JP 58009343A JP 934383 A JP934383 A JP 934383A JP S59135701 A JPS59135701 A JP S59135701A
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- Japan
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- ceramic
- resistor
- carbon
- ceramic resistor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は炭素系セラミック抵抗体（以下単にセラミック
抵抗体という）、特に高電圧電流回路に使用されるセラ
ミック抵抗体に関する。
抵抗体という）、特に高電圧電流回路に使用されるセラ
ミック抵抗体に関する。
従来よりセラミック抵抗体は、オームの法則に従う電圧
重流特性を有し、加えて他種抵抗器に優る耐電圧電流性
、耐熱性と更に、高値の注入エネルギー１ｌｉｉ−１景
を有するため、大電流高電圧装置の抵抗、コンデンサー
の充放電抵抗、サイリスタインバータ等のサージエネル
ギー吸収抵抗等、苛酷な条件の用途に広（使用されてむ
り。従来の炭素系セラミック抵抗体は、炭素を導電材と
し、これにアルミナ等を骨材として、セラミック質結合
利を加え焼結させたものを素体とし、その表面にシリコ
ーン系樹脂などをコーチングして絶縁層を形成していた
。しかしこの絶縁構造は、シリコーン系樹脂の耐熱性、
耐電圧性が劣ることに加え、亀裂発生等の欠点もあって
従来より問題視されていた。
重流特性を有し、加えて他種抵抗器に優る耐電圧電流性
、耐熱性と更に、高値の注入エネルギー１ｌｉｉ−１景
を有するため、大電流高電圧装置の抵抗、コンデンサー
の充放電抵抗、サイリスタインバータ等のサージエネル
ギー吸収抵抗等、苛酷な条件の用途に広（使用されてむ
り。従来の炭素系セラミック抵抗体は、炭素を導電材と
し、これにアルミナ等を骨材として、セラミック質結合
利を加え焼結させたものを素体とし、その表面にシリコ
ーン系樹脂などをコーチングして絶縁層を形成していた
。しかしこの絶縁構造は、シリコーン系樹脂の耐熱性、
耐電圧性が劣ることに加え、亀裂発生等の欠点もあって
従来より問題視されていた。
本出願人は、上記欠点を改良し、より優れた耐電圧電流
性、耐熱性を有するセラミック抵抗体の製造方法を、特
許願５４−７９７３７で出願した。
性、耐熱性を有するセラミック抵抗体の製造方法を、特
許願５４−７９７３７で出願した。
これはセラミック抵抗体の素体を、酸化雰囲気で焼成す
るか、または、焼成前に酸化雰囲気で熱処理するかして
、該抵抗体の表面に自己セラミック質絶縁層を形成する
ことにより、苛酷な条件でも安定性を有するセラミック
質抵抗体の製造法を提供したものである。
るか、または、焼成前に酸化雰囲気で熱処理するかして
、該抵抗体の表面に自己セラミック質絶縁層を形成する
ことにより、苛酷な条件でも安定性を有するセラミック
質抵抗体の製造法を提供したものである。
上記以外のセラミック絶縁層を形成する方法としては例
えば、 １）素体を非酸化雰囲気で焼成後、表面にセラミックコ
ーチング材をコーチングする方法。具体的には、セラミ
ック絶縁物の粉末溶射法、あるいは低温硬化型セラミッ
ク絶縁ペーストを塗布する方法等。
えば、 １）素体を非酸化雰囲気で焼成後、表面にセラミックコ
ーチング材をコーチングする方法。具体的には、セラミ
ック絶縁物の粉末溶射法、あるいは低温硬化型セラミッ
ク絶縁ペーストを塗布する方法等。
２）セラ１ミツク絶縁物が外周に、セラミック抵抗物が
内部になるような二重成形方法。
内部になるような二重成形方法。
等が知られている。
上記のような製法によるセラミック抵抗体の特徴は、セ
ラミック絶縁層が気密質でなく、５〜３５％の気孔率を
もつ多孔質体であるため通気性があり、従って大気中で
は、吸湿や有害ガスの吸着により電気特性が変化しやす
く、長期間の大気中での使用には不適当である事と、更
に通気性による素体内の炭素の酸化開始温度が約３５０
℃であることから、特許願５４−７９７３１（７１）自
己セ５ ミック質絶縁層をもってしても、最高使用温度
は前記温度が限度である事である。
ラミック絶縁層が気密質でなく、５〜３５％の気孔率を
もつ多孔質体であるため通気性があり、従って大気中で
は、吸湿や有害ガスの吸着により電気特性が変化しやす
く、長期間の大気中での使用には不適当である事と、更
に通気性による素体内の炭素の酸化開始温度が約３５０
℃であることから、特許願５４−７９７３１（７１）自
己セ５ ミック質絶縁層をもってしても、最高使用温度
は前記温度が限度である事である。
従って長期間にわたって安定した電気特性、即ち特に電
気抵抗値を有し、更に使用温度を向上させたセラミック
抵抗体が要望されていた。
気抵抗値を有し、更に使用温度を向上させたセラミック
抵抗体が要望されていた。
本発明の目的は、前記の、セラミック絶縁層を形成した
セラミック抵抗体において、長期間大気中で使用しても
、電気抵抗値の変化率の少ない、加えて大気中での最高
使用温度を更に向上させたセラミック抵抗体を提供する
ことにある。
セラミック抵抗体において、長期間大気中で使用しても
、電気抵抗値の変化率の少ない、加えて大気中での最高
使用温度を更に向上させたセラミック抵抗体を提供する
ことにある。
即ち、本発明は、炭素、アルミナ、粘土を主成分とする
セラミック抵抗体の表面に炭素を含まないセラミック絶
縁層を形成し、更に該絶縁層の表面に気密質耐熱絶縁ガ
ラス層を形成してなる抵抗体を特徴とする。
セラミック抵抗体の表面に炭素を含まないセラミック絶
縁層を形成し、更に該絶縁層の表面に気密質耐熱絶縁ガ
ラス層を形成してなる抵抗体を特徴とする。
次に本発明の効果を助長するセラミック絶縁層の必要比
について説明する。例えば、非酸化雰囲気中で焼成した
セラミック抵抗体、即ち素体表面にセラミック絶縁層が
形成されないセラミック抵抗体の表面に、気密質の耐熱
絶縁ガラス層を直接溶着した場合、該抵抗体表面の炭素
とガラスが反応し、炭酸ガスが発生して、該抵抗体の表
面に均一に耐熱絶縁ガラス層を形成させることは不可能
である。従って前記の欠点を解消するには、まずセラミ
ック抵抗体の表面に炭素を含まないセラミック絶縁層を
、前記の方法例えば、酸化雰囲気で焼成してセラミック
絶縁層を形成させ、次に該抵抗体の表面に絶縁ガラス層
を全面均一に形成させることによって二重の各層が有す
る効果を、相乗的に発揮することができる。
について説明する。例えば、非酸化雰囲気中で焼成した
セラミック抵抗体、即ち素体表面にセラミック絶縁層が
形成されないセラミック抵抗体の表面に、気密質の耐熱
絶縁ガラス層を直接溶着した場合、該抵抗体表面の炭素
とガラスが反応し、炭酸ガスが発生して、該抵抗体の表
面に均一に耐熱絶縁ガラス層を形成させることは不可能
である。従って前記の欠点を解消するには、まずセラミ
ック抵抗体の表面に炭素を含まないセラミック絶縁層を
、前記の方法例えば、酸化雰囲気で焼成してセラミック
絶縁層を形成させ、次に該抵抗体の表面に絶縁ガラス層
を全面均一に形成させることによって二重の各層が有す
る効果を、相乗的に発揮することができる。
以下本発明の実施例を図面により説明する。第１図は本
発明のセラミック抵抗体の断面図である。
発明のセラミック抵抗体の断面図である。
即ちセラミック抵抗体素体（１）はアルミナ、カオリン
、粘土、炭素、炭酸マグネシウムからなり、直径３．７
ｖｇ （２１、長さ２５鰭の棒状体を酸化雰囲気焼成
して、該棒状体の表面に、厚み０．３−の酸化層即ち、
炭素を含まない均一な自己セラミ・ツク絶縁層（２）を
形成し、次に両端の電極部（４）に、端部の一部と断面
にアルミニウムを溶射し、該面に二・ンケル合金例えば
、コバールの力・ツブ状の端子金具を圧入してなる栴遺
体とし更に、気密質耐熱絶縁ガラス層（３）で全面を溶
着包被した抵抗体である。尚上記ガラス層は、例えば市
販の軟化点６７０℃の結晶化ガラスからなる外径５．３
ｍｕ￥ｊ、内径４．５ ｆｌω、長さ３３ｍｍの耐熱
絶縁ガラス層くイブを前記抵抗体の外周に挿着し、加熱
して゛溶融軟化させ、セラミック抵抗体の全表面に均一
に溶着させることにより形成し得る。
、粘土、炭素、炭酸マグネシウムからなり、直径３．７
ｖｇ （２１、長さ２５鰭の棒状体を酸化雰囲気焼成
して、該棒状体の表面に、厚み０．３−の酸化層即ち、
炭素を含まない均一な自己セラミ・ツク絶縁層（２）を
形成し、次に両端の電極部（４）に、端部の一部と断面
にアルミニウムを溶射し、該面に二・ンケル合金例えば
、コバールの力・ツブ状の端子金具を圧入してなる栴遺
体とし更に、気密質耐熱絶縁ガラス層（３）で全面を溶
着包被した抵抗体である。尚上記ガラス層は、例えば市
販の軟化点６７０℃の結晶化ガラスからなる外径５．３
ｍｕ￥ｊ、内径４．５ ｆｌω、長さ３３ｍｍの耐熱
絶縁ガラス層くイブを前記抵抗体の外周に挿着し、加熱
して゛溶融軟化させ、セラミック抵抗体の全表面に均一
に溶着させることにより形成し得る。
表１及び表２は本発明によるセラミック抵抗体の耐久性
を示す。即ち表１はセラミック抵抗体の表面温度が２５
０℃になるような電力を印加した場合の、電気抵抗の時
間的変化率−を示す。
を示す。即ち表１はセラミック抵抗体の表面温度が２５
０℃になるような電力を印加した場合の、電気抵抗の時
間的変化率−を示す。
上記の表１は本発明品と、特許願５４−７９７３７によ
るセラミック抵抗体、即ち気密質耐熱絶縁ガラス層がな
い抵抗体とを、同時に測定して比較した。表１のように
本発明品は７０００時間で２．５％と安定な状態が続き
、寿命が大幅に延長される事が確認し得た。
るセラミック抵抗体、即ち気密質耐熱絶縁ガラス層がな
い抵抗体とを、同時に測定して比較した。表１のように
本発明品は７０００時間で２．５％と安定な状態が続き
、寿命が大幅に延長される事が確認し得た。
次に表２は大気中１００〜６００℃の温度で５時間加熱
した場合の、電気抵抗値の変化率を示す。
した場合の、電気抵抗値の変化率を示す。
即ち表１と同様、本発明品と特許願５４−７９７３７に
よる抵抗体とを測定して比較した。
よる抵抗体とを測定して比較した。
上記表２により、先願品は約３００℃までが耐熱限度で
あるのに対し、本発明品は約６００℃高温でも異常なく
実用に耐える事が確認された。
あるのに対し、本発明品は約６００℃高温でも異常なく
実用に耐える事が確認された。
以上のように本発明により、寿命、耐熱性が飛躍的に改
良されたセラミック抵抗体を得た事は、これまで不可能
とされた高温領域における、新たな用途開発を助長し、
各種の大′電圧電流装置えの、技術的実用的効果は極め
て大なるものがある。
良されたセラミック抵抗体を得た事は、これまで不可能
とされた高温領域における、新たな用途開発を助長し、
各種の大′電圧電流装置えの、技術的実用的効果は極め
て大なるものがある。
第１図は本発明によるセラミック抵抗体の断面図である
。 １・・・・セラミック抵抗体素体 ２・・・・炭素を含まない多孔質セラミック絶糾層３・
・・・気密質耐熱絶縁ガラス層 ４・・・・電極部 特許出願人 東海高熱工業株式会社
。 １・・・・セラミック抵抗体素体 ２・・・・炭素を含まない多孔質セラミック絶糾層３・
・・・気密質耐熱絶縁ガラス層 ４・・・・電極部 特許出願人 東海高熱工業株式会社
Claims (1)
- 炭素、アルミナ、粘土を主成分とする炭素系セラミック
抵抗体の素体の表面に、炭素を含まないセラミック絶縁
層を形成し、更に該絶縁層の表面に気密質耐熱絶縁ガラ
ス層を形成したことを特徴とする炭素系セラミック抵抗
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58009343A JPH0228241B2 (ja) | 1983-01-25 | 1983-01-25 | Tansokeiseramitsukuteikotai |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58009343A JPH0228241B2 (ja) | 1983-01-25 | 1983-01-25 | Tansokeiseramitsukuteikotai |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59135701A true JPS59135701A (ja) | 1984-08-04 |
| JPH0228241B2 JPH0228241B2 (ja) | 1990-06-22 |
Family
ID=11717822
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58009343A Expired - Lifetime JPH0228241B2 (ja) | 1983-01-25 | 1983-01-25 | Tansokeiseramitsukuteikotai |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0228241B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61161638A (ja) * | 1985-01-09 | 1986-07-22 | Tokai Kounetsu Kogyo Kk | 電子銃放電抑制用抵抗体 |
| JPS62202444A (ja) * | 1986-02-28 | 1987-09-07 | Sony Corp | 電子管装置 |
-
1983
- 1983-01-25 JP JP58009343A patent/JPH0228241B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61161638A (ja) * | 1985-01-09 | 1986-07-22 | Tokai Kounetsu Kogyo Kk | 電子銃放電抑制用抵抗体 |
| JPS62202444A (ja) * | 1986-02-28 | 1987-09-07 | Sony Corp | 電子管装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0228241B2 (ja) | 1990-06-22 |
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