JPS59134840A - オ−ミツク接続された金属電極の像および位置を照明により検知する方法およびシステム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は半導体チップの表面にオーミック接続された
金属電極の像と位置とを検知する方法およびシステムに
関し、とくにかかるオーミック接続された金属電極にリ
ード線をボンドするためにその像および位置を検知する
方法に関するものであり、上記チップはＧａＰのごとき
■−■族化合物半導体材料やＳｌのどとき■族のものや
ＣｄＳのごとき■−■族の材料から選ばれた赤外線ない
し可視光線を透過可能な半導体材料から作られるもので
ある。

半導体装置を最終的な電気部品に組み立てる工程は、た
とえば内部にｐｎ接合が形成されていて特定の機能を有
する半導体チップを、導電性の金属や非導電性ないしは
絶縁性のセラミックなどでつくられた”ステム”と呼ば
れる支持体上へ固定し；このチップ表面の所定位置にオ
ーミック配置された金属電極へリード線をボンドする段
階を含み、それらはその後において金属電極と外部の眠
気的装置または電子装置の端子との間に電気的接続を行
なうためのものである。

かかる製作工程は、とくに大量生産の場合には、精確に
しかも短時間で完成されることが必要である。このため
には金ｈＸ　ｍ極の位置、すなわちリード線がボンドさ
れるべき位置、を迅速かつ精確に特定する必要が生じる
。金属電極は、支持体すなわち０ステム”上に固定され
ている半導体チップの表面とオーミック接続されており
；そしてかかるオーミック接続の金属電極の像と位置と
の検知を行なうとともに”ワイヤ・ボンダー”のごとき
ボンディング装置を駆動する必要がある。

この位置発見およびボンディング作業に関しては、半導
体の使用目的や半導体チップを用いる装置の形式に依っ
てこれまでに種々の技術が開発されてきている。

ＧａＰのごとき■−■族化合物半導体材料を用いた半導
体装置の場合、とくに半導体材料が可視光線や赤外線の
波長領域の光線を吸収することの少ないことを特徴とす
るＧａＰ発光ダイオードにおけるように半導体材料が赤
外線や可視光線を透過するような場合においては、大量
生産方式のものではチップ表面においてリード線をボン
ドすべき特定の金属電極の位置を発見するために半導体
チップの表面を照明することが通常行なわれていたので
ある。

以下に、半導体チップの１例としてＧａＰ発光ダイオー
ドについての検知およびボンド方法をさらに詳細に説明
する。

ＧａＰ発光ダイオードは中にｐｎ接合が形成されている
半導体装置である。それは、ｐ型半導体領域に形成され
たオーミック接続の金属電極とｎ型半導体領域にオーミ
ック構成された金属電極との間に順方向にバイアスを印
加することによってｐｎ接合に順方向の電流を流してそ
こから発光させるように作動するものである。最も簡単
で通常のＧａＰ発光ダイオードの基本構造が第１図に縦
断面図で概略的に図示されている。

第１図において、ＧａＰ半導体チップ１０は基本的には
隣接する２つの半導体領域、すなわちｐ型領域６１とｎ
型領域３２とに分割されている。これら２つの領域６１
および６２の導電型は逆にしてもよいことは理解さるべ
きである。これら２つの領域６１および６２上には２つ
の金り↓電極１１および１２がそれぞれスーミック配殺
されている。

半導体１０の上面は発光区域１４を有している。

チップ１０の底面には、たとえば銀を有する導電性塗料
を介するかまたは低温で溶融する易融性の全屈はんだを
介して支持体（図示せず）上に固定装着された金属電極
１２がオーミック配設されている。

支持体上にチップ１０を固定装着したのちはチップ１０
の上面にオーミッタ配設されている金属電極１１ヘリー
ド線を熱圧着ボンディング技術または超音波熱圧着ボン
ディング技術によってボンド付けされる。チップ１０上
において金属電極の位置発見作業を容易にするためにこ
の表面は照明される。

照明により金属電極の位置発見を行なう操作は通例は下
記の技術によって行なわれてきた。装置構成の概略的斜
視図である第２図を参照してこれら従来技術を簡単に説
明する。

第２図（ａ）および（ｂ）は斜角照明を用いる技術を図
示する。光源１５からの光束は、半導体チップ１゜の上
表面１４のうち金属電極１１によって部分的にオーミッ
ク接続されがっこのオーミック接続部を除いて発光領域
表面１４として作用する部分へ斜めに当たるようにされ
ている。

第２図（ａ）および（ｂ）の場合には、たとえばイメー
ジ・センサのごとき検知器１６に入射する反射光Ｍのビ
ームはチップの粗い表面がら散乱して反射された光線の
一部をなすものである。これら２つの場合には、平滑表
面上で反射される鏡面的光線は除去されている。

第２図（Ｃ）は、チップ１０の上面が光源１５がら出た
斜めの光線ビームで照明されており、また平滑表面から
の鏡面的反射光線ビームは検知器１６へ進入する場合を
示す。この場合粗い表面部分によって散乱する光線は除
去されるので、この技術は鏡面的照明技術と称されるも
のである。

第２図（ｄ）は第２図（ａ）および（ｂ）の斜方向の照
明技術の変形態様を示すものである。光源１５から出る
光線ビームは鏡１７および１８によって鏡面的に反射さ
れて半導体チップの表面を照明する。

第２図（ｅ）は鏡面照明技術の変形態様である。光源１
５から出た光線ビームはたとえばハーフ＠ミラーのよう
な光ビームのスプリッタ１９によって鏡面的に反射され
、この反射光ビームは半導体チップ１０の平滑表面を照
明するために用いられる。

そして、この表面から鏡面的に反射される光ビームは光
ビームのスプリッタ１９を通過して検知器１６へ照射す
る。

ここで、金属電極領域の位置を半導体チップ表面の発光
領域に対してコントラストよく検知するためには、これ
ら２つの領域の像が検知器に同時に共に検知される必要
があることが理解さるべきである。しかし、上述したよ
うに、半導体チップを構成する例えばＧａＰのごとき半
導体材料は元来可視光および赤外線に対して透過性であ
る。従って、従来型のいかなる照明技術においても、Ｇ
ａＰ半導体チップの表面から反射されて検知器を照射す
る光線ビームは、半導体チップの上表面から反射された
光線の成分と、発光区域から半導体材料を通過してこの
チップの底部表面に設けられたψ金属電極１２その他の
金属層から反射して再びチップ上表面から出てゆく光線
の成分とからなっている。

従って、半導体チップの上表面にオーミック配設された
金属電極１１およびこのチップの底部に設けられた金属
電極１２は検知器によってほぼ同じ位置または形態で検
知されるわけである。従って、検知器は、半導体チップ
の上表面にオーミック配設された金属電極領域１１をこ
のチップ表面の発光区域の部分から充分に区別すること
はできないのである。

上記の理由によって、従来の照明技術は、半導体チップ
の上表面にオーミック配設された金属電極の位置を正確
に検知するのには長時間を要し、および／またはたとえ
性能が極めてすぐれた検知器を用いて検知された像であ
ってもこ４Ｌを解析するだめの回路構成は複雑化すると
いう不便ならびに欠点を有するのである。また、検知器
と連動するリード線のボンディング装置の作動は誤差を
生じることになる。

従って、この発明の１−目的は上述したような従来型の
照明技術の不都合および欠点を除去した新規な照明方法
を提供することにある。

この発明の別な１目的は、半導体材料の表面がら反射さ
れた光線の像と上記半導体材料の上表面に設けられた金
属電極から反射された光線の像との間のコントラストを
これら２種類の光線の強度を極端に変化させて向上させ
る、上述形式の照明方法を提供することにある。

この発明のさらに別な１目的は、比較的簡単な光学的ま
たは解析システムによって半導体チップの上表面にオー
ミッタ配設された金属電極の像ならびに位置の検知が可
能であり、それによって検知器と連動するリード線ボン
ディング装置の正確なボンディング作動を迅速に行なわ
せる、上記形式の照明方法およびシステムを提供するこ
とにある。

この発明のさらに別な１目的は、光のビームがチップ表
面を照射する際、半導体材料の各領域を通過する光に最
大の偏光を生じさせることによって、金属電極の像と位
置とをチップの半導体材料の各領域の像と位置とに対し
てコントラストよく検知する、上述したものと同様な形
式の照明方法およびシステムを提供することにある。こ
れは、光線ビームの軸とチップ表面に垂直な線との間に
画成されるブルースター角で光の照明ビームを投射する
とともに、偏光器を用いて金属電極から反射される光の
強度と半導体材料から反射される光の強度との値の間に
最大の差異を生せしめることによって行なわれる。

これを要するに、この発明は、半導体チップ表面に部分
的に設けられているオーミック接続の金属電極の像およ
び位置を検知する方法であって、上記チップ表面と垂直
な線に対してほぼブルースター角をなす斜角で光源ネ段
から発する光線ビームで上記チップ表面を照射して上記
半導体チップを通って反射される全ての光線のうちで直
線状に最大限度偏光された光線をとくに上記チップ表面
の半導体区域において通過させる段階を含み、上記光線
ビームは上記半導体チップの最大の光透過率に相当する
範囲の波長−を有しており；上記方法はさらに上記光線
ビームが光検知器へ到達する以前にこの光線ビームを偏
光手段を通過させることによってオーミック接続の金ｍ
電極区域からの反射ビームとこの金属電極に隣接する半
導体区域での反射光線との間の光線の強度に最大の差異
を生せしめる段階を含んでなる。

また、この発明は、支持手段上に固定装着された半導体
チップの表面に局部的に配設されたオーミック接と兜の
金属電極の位置発見をするためのシステムを含み、この
システムは二上記半導体チップの外部に設けられていて
その半導体チップの表面と垂直な線に対してほぼブルー
スター角をなす斜角で投光される光線ビームで上記チッ
プの成る表面を照明する光源手段と；ワイヤ・ボンディ
ング手段と作動的に連結されているとともに上記表面が
上記光源手段によって照明される際に、上記オーミック
接続の金Ｆ［極からの反射光線ビームと上記半導体チッ
プの表面からの反射光線ビームとを感知しうるように位
置づけられた検知手段と；上記光線ビームが上記検知手
段に到達する以前にこのビームを偏光させるために上記
半導体チップの外部に設けられた偏光手段と、を含む。

この発明の前記およびその他の利点は、この発明の好ま
しい実施態様が詳述されがっ添付図面に図示されている
以下の開示から明白になるはずである。構造上の特徴お
よび構成部品の配置における変化はこの発明の諸利点の
いずれがらも逸脱することなくまたそれらを何ら損なう
ことなく当業者には明らかであることが意図されている
。

半導体チップ上にオーミック配設された金属電極の像お
よび位置を照明によって検知するこの発明に係る方法は
一般にブルースター法則として知られている原理の応用
である。

周知のように、ブルースターの法則とは、電磁波（それ
はたとえば光線波や電波の如き進行波である）が第１の
媒質■を通過し、この第１の媒質と次の媒質■との境界
に入射ビームとして到達する場合に、その境界から反射
される光線と境界を通過する光線との間に生じる偏光に
は度合があると要約されうるのである。たとえば、入射
角θが噛θｎ−ｎｚ／　ｎｌ　（ここで、ｎ２およびｎ
ｌはそれぞれ指数■およびＩの屈折率である）の条件を
満足する角度θＢを有するものと仮定すると、偏光度合
は最大となり、反射光線は完全に直線偏光の電磁波とな
るのである。光はこの角度で入射するので、反射光の電
界ベクトルは入射平面においては成分をなんら有さない
。この角度θＢかブルースター角と呼ばれている。

一般にたとえば可視光線や電波のような電磁波の特性で
ある光線の上記光学的特性を巧妙に利用するこの発明の
照明方法はこの発明の基本および核芯をなすものである
。

この発明に従う照明方法を用いたシステムの基本的構成
は第３図（ａ）ないしくｅ）に図示されている。

第３図（ａ）および（ｂ）のそれぞれにおいて、光源１
５からの光ビームは入射軸に平行な光線として半導体チ
ップに対して斜めの方向で半導体チップ１０を照明して
いる。この光ビームは斜めの入射角で上記半導体チップ
１０上に照射されるが、その斜めの入射角は半導体材料
が有する屈折率旦がら得られるブルースター角にほぼ等
しい、すなわち−〇Ｂ−＝ｎの条件を満足する入射角θ
Ｂをもって照射する。

光源に近接した位置で入射光線の通路内に配置されてい
るフィルタ１７は光源１５からの光ビームを狭い周波数
の光ビームに変換する、すなわち光ビームの周波数を同
様にするためのものである。

このフィルタは、これを介在させることによってこの発
明の諸利点をさらに効果的に発揮させるうえで重要な役
割を果たすものである。しかし、状況の如何によっては
このフィルタは省略してもよい場合がある。

入射光の通路内に配置されている部材１８は偏光板の如
き偏光器であり、光ビームの偏光を惹起する。この偏光
器１８はこの発明の必須の構成部品をなすものである。

場合によっては反射光の通路内または検知器１６内にレ
ンズ１９を設けて半導体チップの像を検知器内に置かれ
たイメージ・センサの面に正確に焦点を結ばせることが
必要であるかもしれない。第３−図（ａ）は、偏光器１
８が入射光の通路内に配設された実施態様を示す。第３
図（ｂ）は、偏光器１８が反射光の通路内に配設された
場合を示す。第３図（Ｃ）は、偏光器１８が入射光およ
び反射光のそれぞれの通路内に配設された場合を示す。

第３図（ａ）ないしくＱ）を参照しつつ、半導体チップ
の材料としてＧａＰが用いられた場合についてこの発明
の照明システムにつき以下にさらに詳述する。

第３図（ａ）の構成の場合において、ＧａＰは赤色光に
対して極めて高い透過性を有することが理解さるべきで
ある。従って、光源１５からの光線が赤色ないし赤色を
示す領域の波長を有する光線であるならばこの発明には
好都合である。この入射光ビームは、ブルースター角に
ほぼ対応する入射角（ＧａＰの赤色領域におけるブルー
スター角は約７３°）で半導体チップ１０へ向けて照射
される。その際に、入射光ビームの平面はビームを偏光
器１８を通過させることによって成る特定の平面にセッ
トされる。ここで、特定の平面とは、入射光ビームの電
界ベクトルが入射平面内のみに存在するように入射光ビ
ームが偏光されて入射光ビームの偏光平面が入射平面と
平行になることを意味する。

入射光ビームを上記のごとき偏光された光ビームにする
ことによって、この光ビームは金属電極の表面での反射
が反射光となり、他方オーミック接読を含まないＧａＰ
半導体チップ表面への入射光ビームは何ら反射を生じな
いままにすべて半導体材料を通過する。半導体チップの
底面に設けられた金属層における反射効果の詳細につい
ては後述する。

従って、イメージ・センサ１６に入射するところの金属
電極の像は光の強度が極めて高いものであり、他方、半
導体チップの像（この場合には発光区域の像）はその光
強度が極めて弱いわけである。かくして、金属電極の像
および位置は、他の区域に対してコントラストが極めて
良好となるので正確に検知されうるのである。

第３図（ｂ）に示される構成の場合には、照明の基本的
態様は第３図（ａ）に示したものと同じである。

しかし、半導体チップからの反射光線、とくにこの半導
体チップの表面からの反射光線は、完全に偏光された光
線であり；そしてこれらの光線は、反射光線の電界ベク
トルが入射光線の平面と平行な成分を何ら有しないとこ
ろの偏光面内において直線的に偏光された光線であるこ
とに留意すべきである。従って、光線を偏光面に垂直な
方向に偏光させるような偏光器１８を反射光の通路内に
配置ずれば、第３図（ａ）の例において得られた結果と
同一な良好なコントラストをもって金員電極の像と位置
との検知が達成されうるのである。

上述の例において、たとえ半導体チップを通過したあと
でこのチップの底面から反射される光線が多少あるとし
ても、かかる光線は臨界角を超えて半導体材料の表面へ
達するわけである。従って、これらの光線は半導体材料
の内部でのみ反射され、これらの反射光線は検知器によ
って検知されることはないのである。

第３図（Ｃ）の配置は第３図（ａ）と（ｂ）とのそれぞ
れの特徴を組み合わせたものである。２個の偏光器１８
および１８ａの各偏光方向は互いに対して垂直であるこ
とに留意されたい。この例におけるシステム自体は多少
複雑になってはいるが、第３図（ａ）および（ｂ）の例
と比較した場合に半導体チップの表面区域の像とこのチ
ップ頂面にオーミック配設された金属電極の像とのコン
トラストを最大限まで調節できるという利便と利点とが
ある。第３図（ａ）および（ｂ）のシステムにおいても
、コントラストの調節は偏光器を幾分回転させることに
よって達成されうるが、第３図（Ｃ）の例のように２個
の偏光器を設けることによって、半導体材料および金属
電極の表面のいずれか一方または双方の平滑さの変化に
対する適合が一層容易に行ないうるという利便が得られ
るのである。従って、たとえ入射角がブルースター角か
ら多少外れた場合でも、偏光器を回転させて調節を行な
うことによって半導体チップの発光区域と金属電極との
間における像のコントラストの向上が充分に達成されう
るのである。

この発明を採用することによって、半導体チップ表面に
オーミック配設された金属電極の位置の個所、大きさお
よび形状・を明確に認識することが可能になるので、た
とえばイメージ−センサのごとき検知器と連動しかつ同
期するワイヤ・ボンダーによる正確かつ迅速なボンディ
ング作業を行なうことが可能になるのである。

第４図を参照すると、そこにはブルースター角を用いた
この発明による照明方法を採用した場合における金り電
極の像および位置を検知するシステムが模式的に示され
ている。ここでは、支持体２０は、放物線状の反射器で
あって、それは放物線状の内表面を有するリード・フレ
ームであり、ＬＥＤｌ　０用に用いられることがしばし
ばである０レンズ２１およびイメージ・センサ２２は検
知器１６内に設けられている。偏光器１８は光源１５に
隣接している。

ここで、半導体チップが固定的に装着されていおよび位
置の検知に対する影響について以下に若干の検討を行な
う。

第５図（ａ）は、支持体が放物線形状の反射器２６であ
る場合において、入射光線がチップ表面および反射器で
反射されたときのその入射光線の方向を模式的に示すも
のである。この例において、検知器へ向かって進む反射
光線は半導体チップ１０の上面から反射された光線のみ
であり、その他の光線は放物線形状の反射器２６の湾曲
内側表面によって他所へ向けて反射される。従って、チ
ップ表面の像は明瞭なコントラストをもって検知器へ投
射される。

他方、支持体２４の表面が第５図（ｂ）に示すように平
坦である場合には、半導体チップの上面１４から反射さ
れる光線のみならずチップを囲む平坦な金属電極表面か
ら反射される光線もまた同様に検知器へ向かって進む。

従って、第５図（ｉ）に示す例と比較すると若干の違い
が生じる。場合によっては、第１図とは異なってチップ
の電極構造がオーミック電極接続によって発光区域が取
り囲まれているようになっている場合、すなわちオーミ
ック電極がチップの辺縁部に存在する溝成の場合には、
フンタク′トがチップの像の辺縁部において局部的に不
良になる可能性が生じることがある。従って、パターン
認識型の検知器は光度検知型のものよりもさらに好適で
あろう。

別態様の方法として、光の入射ビームの直径はチップの
寸法にほぼ相当するビームのサイズまで減小してもよく
、またはチップ上に設けた金属電極はチップの辺縁部の
少し内側に位置させてチップの辺縁部において半導体の
表面を僅かに露出させてもよく；または半導体チップの
裏側に位置する支持体の平坦表面部分はこれにたとえば
サンド・プラストをかけて粗面化して反射光を種々の方
向に散乱させるようにしてもよく、またはこれらの技術
を組み合わせて、得られるコントラストの度合の低下を
なんら生じさせないようにしてもよい。

この発明に係る照明方式によれば、理論的にいえば、金
属電極のみの像を生成させることができるので、それは
デジタル拳パターン認識方式や光度検知方式のいずれと
も両立できることも留意さるべきである。従って、この
発明の照明方法をたとえば光度検知ユニットと組み合わ
せれば所望のシステムが形成されるわけである。

この発明においては、第６図に示したビデオ・カメラ（
イメージ−センサ）やプレ・プロセッサやデジタル・プ
ロセッサなどを組み込んだ、複雑度の高い従来技術のも
のと比べて簡単なダイオード・アレイのカメラとプロセ
ッシング用電子装置とが使用できる。光度検知方式はパ
ターン認識方式の形態抽出型のものよりもおそらく低廉
で迅速であろう。また電極の区域の解析によってチップ
がリード・フレーム内で反転しているが否か（すなわち
、大表面区域がカソードで小表面区域がアノードである
か）を光度検知方式は決定することが可能であろうこと
も想定しうる。

この発明に係る照明方法は、半導体チップを照明する際
の入射光の角度をブルースター角としがつ偏光器を少な
くとも入射光線の通路内または反射光線の通路内に挿入
する構成となっている。従って、検知器内に進入する光
信号は基本的には金属電極のみの偉の信号なのである。

さて、実施の際にはチ、ツブの高さが１つのチップと他
のチップとでは幾らか相違し、そのために照明用の光ビ
ームが照射するチップ表面上の個所に変化を生じる場合
が起こりうる。かかる不都合は、たとえば後述するよう
なもう１つの検知システムを付加的に配設することによ
って克服できる。

第７図に示すように、互いに異なる空間座標上に位置す
る２つのチップ１０および１０′は視斜角の入射光で照
明され、その際の入射角はブルースター角となっている
。各チップはそれぞれ特定の高さ位置で異なった！−７
位置にあってもこれらのチップは同じｘ−ｙ位置および
高さにあるように見える。チップ１０は位置ｘｌ　Ｉ　
７ｔ　ｌ　ｚｌ　に置かれ、またチップ１０′は位ｉｆ
　ｘｚ　＋　ｙｚ、ｚ２に置かれているものとすると；
すなわち、光は双方の表面から反射して検知器上の像は
正確に同一の場所に形成されるものが示されている。生
産における代表的な高さの変化に関する精確な情報は得
られないが、この特性に対する修正は生産装置に包含さ
れるべきことは予見されるものである。

この場合には、それぞれ直角に（Ｘおよびｙ軸に沿って
）位置する同一の２つの検知システムを用いた方式によ
って通常の高さの変化は補正されるであろう。チップ電
極の精確な位置はこの方式では２段段の過程であろう；
すなわち真のＸ軸の位置が決定され、次いで真のｙ軸の
位置が決定されるであろう。

この発明の詳細をＧａＰ発光ダイオードについて記述し
た。しかし、この発明で用いられる半導体材料はＧａＰ
に限られるものではなく、たとえばＧａＡａ、ＩｎＰお
よびＧａＡＬＡａのごとき■−ｖ族化合物半導体であっ
てもよく、またはたとえばＳｌおよびＧｏのごとき■族
半導体であってもよく、またはＣｄＳやＣｄＴｅのごと
き■−■族化合物半導体であってもよいことが理解され
るはずである。これらの半導体材料を用いた場合におけ
る唯一の相違点はこれらの半導体材料を通過する光線の
波長の相違である。用いられる材料によっては、通過光
は可視光線か赤外線かになりうる。ブルースター角も用
いられる半導体材料によって変化しうる。

この発明を好ましい実−施態様について特定して記述し
たが、ここに開示された構想に関して種々の具体例、態
様の変更および変化をなしうろことは当業者にとって明
らかであろう。かかる変化および変更はこの発明の範囲
および特許請求の範囲内に含まれるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は典型的なＧａＰ発光ダイオードの基本的構成を
説明するための模式的な縦断面図である。 第２図（ａ）ないしくｅ）は半導体チップの上面にオー
ミック配設された金属電極の像と位置とを検知するため
の従来技術における各種の照明技術をそれぞれ模式的に
示す図である。 第３図（ａ）ないしくｅ）はこの発明に係る照明方式の
幾つかの基本的構成を示す模式的正面図である。 第４図はこの発明に係るブルースター角照明方法の模式
的斜視図であり、オーミック接続の金属電極を担持する
半導体チップが放物線状の反射器を有する支持体上に載
置されている状態が示される。 第５図（ａ）および（ｂ）は支持体表面の湾曲形状の相
違による反射光の方向を示す模式的正面図である。 第６図は従来の検知方式における各構成部品の相互関係
を示す線図的説明図である。 第７図は半導体チップの高さおよび位置（Ｘ、７位置）
を変化させた場合でも本発明においては金属電極の位置
が精確に検知しうろことを示す線図である。 １０・・・半導体チップ；１１・・・金属電極；１２・
・・裏面電極；１４・・・チップ上面；１５・・・光源
；１６・・・検知器；１７・・・フィルタ；１８・・・
偏光器；１９゜２１・・・レンズ；２０，２４・・・支
持体；２２・・・イメージ・センサ；２３・・・放物線
形状の反射器。 特許出願人：スタンレー電気株式会社 代理人：弁理士海津保三 同　　：弁理士　平　山　−幸 第１図 第２Ａ図 第２８図 第２Ｃ図 第２Ｄ図 第２Ｅ図

Claims (18)

【特許請求の範囲】
1. （１）半導体チップの表面に局部的に設けられているオ
   ーミック接続の金属電極の像および位置を検知する方法
   であって： ａ）上記チップ表面に垂直な線に対してほぼブルースタ
   ー角に相当する斜角で光源手段からの光線ビームで上記
   オーミック接続を担持する半導体チップ表面を照明して
   上記半導体チップを通過する全ての光線のうち直線状に
   最大限に偏光された光線を上記チップ表面のとくに半導
   体区域において通過させる段階と；ｂ）上記光線ビーム
   は上記半導体チップの透過係数のうち最大の光透過係数
   に相当する範囲の波長を有しており；上記方法はさらに
   Ｃ）上記光線ビームが光検知器へ到達する以前にこの光
   線ビームを偏光手段を通過させることによってオーミッ
   ク接続の金属電極区域からの反射ビームとこの金属電極
   に隣接する半導体区域における反射光線との間の光線強
   度に最大の差違を生じさせる段階とを含む、上記方法。
2. （２）前記半導体は■−ｖ族化合物牛導体、■族半導体
   およびＩＩ−Ｍ族半導体の１つから選ばれる、特許請求
   の範囲第１項に記載の方法。
3. （３）前記照明用の光線ビームはフィルタ手段によって
   ほぼ単色化されて前記半導体チップの最大光透過係数に
   相当する波長を有する光線ビームを与える、特許請求の
   範囲第１項に記載の方法。
4. （４）　　前記照明用の光線ビームは可視光線ビームで
   ある、特許請求の範囲第１項に記載の方法。
5. （５）前記照明用の光線ビームは、このビームがフィル
   タ手段を通過する際に赤色である、特許請求の範囲第１
   項に記載の方法。
6. （６）前記偏光手段は回転可能である、特許請求の範囲
   第１項に記載の方法。
7. （７）　　前記半導体チップは放物線状の反射用内側表
   面を有する支持体上に固定的に装着されている、特許請
   求の範囲第１項に記載の方法。
8. （８）　　前記半導体チップはＧＰ　５ＧａＡｓ　１１
   ｎＰおよびＧａＡｔＡｓのごとき■−ｖ族化合物半導体
   、ＳｌおよびＧｅのごとき■族半導体、ならびにＣｄＳ
   およびＣｄＴｅのごとき■−■族化合物半導体の１つの
   族から選ばれる材料でなる、特許請求の範囲第１項に記
   載の方法。
9. （９）前記偏光手段は、前記半導体チップを構成する半
   導体材料を通過する入射光線の平面内において偏光面を
   有する、特許請求の範囲第１項に記載の方法。
10. （１０）前記半導体チップはＧａＰ発光ダイオード装置
    用のものである、特許請求の範囲第１項に記載の方法。
11. （１１）支持手段上に固定的に装着された半導体チップ
    の表面に局部的に設けられたオーミック接触の金属電極
    の位置発見用装置であって、ａ）上記半導体チップの外
    側に設けられていてこの半導体チップの表面に垂直な線
    に対してほぼブルースター角に相当する斜角で投光され
    る光線ビームによって上記チップの１表面を照明する光
    源手段と； ｂ）ワイヤ・ボンディング手段と作動的に連結されかつ
    上記半導体チップ表面が上記光源手段によって照明され
    る際に上記オーミック接続の金属電極からと上記チップ
    表面からとの反射光線ビームを感知しうるように位置づ
    けられている検知手段と； Ｃ）上記半導体チップの外側に設けられていて上記光線
    ビームが上記検知手段へ到達する以前にこのビームを偏
    光させる偏光手段と、を含む上記装置。
12. （１２）前記半導体チップは■−ｖ族化合物半導体、■
    族半導体および■−■族化合物半導体の各族から選ばれ
    た半導体材料によってつくられる、特許請求の範囲第１
    １項に記載の装置。
13. （１３）前記支持手段は放物線状の反射用の内側表面を
    有する、特許請求の範囲第１１項に記載の装置。
14. （１４）前記偏光手段は前記光源手段からの照明用光線
    ビームの通路内に配置されている、特許請求の範囲第１
    １項に記載の装置。
15. （１５）前記偏光手段は前記金属電極を担持する半導体
    チップ表面から反射して前記検知手段へ向けて照射する
    光ビームの通路内に配設されている、特許請求の範囲第
    １１項に記載の装置。
16. （１６）前記偏光手段は前記光源手段からの照明用光線
    ビームの通路ならびに前記金属電極を担持する半導体チ
    ップ表面から反射して前記検知手段へ向けて照射する光
    線ビームの通路の各々に配設されている、特許請求の範
    囲第１１項に記載の装置。
17. （１７）前記光源手段の前面に設けられていて前記照明
    用の光線ビームを狭い周波数の光線ビームにするフィル
    タ手段をさらに含む、特許請求の範囲第１１項に記載の
    装置。
18. （１８）前記狭い周波数の光線ビームは赤色である、特
    許請求の範囲第１７項に記載の装置。