JPS59132615A - 熱処理工程における基板支持方法 - Google Patents
熱処理工程における基板支持方法Info
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- JPS59132615A JPS59132615A JP697783A JP697783A JPS59132615A JP S59132615 A JPS59132615 A JP S59132615A JP 697783 A JP697783 A JP 697783A JP 697783 A JP697783 A JP 697783A JP S59132615 A JPS59132615 A JP S59132615A
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- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- heat
- substrates
- substrate supporting
- support
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4587—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially vertically
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、熱処理工程において生ずる基板の変形やそり
を防止すると共に、一度に多数の基板の熱処理を可能に
せしめる構造を有する基板支持方法に関する７ 例えば、半導体装置を製造する場合％〃（処理工程を検
数回通さねばならない、低価格化のためには、工程の簡
素化、捷たけ一工程における処理量を太きくする事が１
要な事である。以下では、半導体装置の製造の場合を倒
にとって説明する。
を防止すると共に、一度に多数の基板の熱処理を可能に
せしめる構造を有する基板支持方法に関する７ 例えば、半導体装置を製造する場合％〃（処理工程を検
数回通さねばならない、低価格化のためには、工程の簡
素化、捷たけ一工程における処理量を太きくする事が１
要な事である。以下では、半導体装置の製造の場合を倒
にとって説明する。
一度に多数の基板を熱処理する為に行なわれている従来
の基板支持方法を第１図に示す、この方法は、減田ＯＶ
ＤｒＯｈｅｍｉｃａｌ ＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉ
ｏｎ）法などに用いられている。第１図において、１は
反応管を示ｌ、ている。基板３を試料置台２の上に立て
、反応管２の中に設置し。
の基板支持方法を第１図に示す、この方法は、減田ＯＶ
ＤｒＯｈｅｍｉｃａｌ ＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉ
ｏｎ）法などに用いられている。第１図において、１は
反応管を示ｌ、ている。基板３を試料置台２の上に立て
、反応管２の中に設置し。
該反応管に所定のガスを流１、電気炉４によって設定温
度に加熱する事により、前記基板を熱処理する。このよ
うな試料置台を用いた熱処理によれば、一度の工程にお
ける基板の処理量が増大１．。
度に加熱する事により、前記基板を熱処理する。このよ
うな試料置台を用いた熱処理によれば、一度の工程にお
ける基板の処理量が増大１．。
製造工程の短縮化および製品の低価格化が可能となる。
この方法は１石英基板やシリコン基板のよう７） ｍ４
熱瀧度の高い基板を熱処理する場合には非非に有効であ
り、現在広く利用−れている。Ｌかしながら、耐熱温度
の比較的低い基板（例えば。
熱瀧度の高い基板を熱処理する場合には非非に有効であ
り、現在広く利用−れている。Ｌかしながら、耐熱温度
の比較的低い基板（例えば。
ガラス板など）を前記方法で熱処理すると、該基板は、
変形（伸び、そり、ひずみなど）１．てしオら。こねは
、基板がほぼ垂直に立っている為、基板自身の自重によ
って変形が起こるものである。
変形（伸び、そり、ひずみなど）１．てしオら。こねは
、基板がほぼ垂直に立っている為、基板自身の自重によ
って変形が起こるものである。
基板が変形してし１つと、マスク合わせ工程が不可能と
なる。従って基板の変形は、極力、防止［。
なる。従って基板の変形は、極力、防止［。
なげねばならない。
基板の変形を防止する為に常ＥＦ ＯＶ Ｄ法などに用
いられている方法を第２図に示す。５は反応管。
いられている方法を第２図に示す。５は反応管。
８は電気炉である。反応管５の中に所定のガスを流し、
電気炉８によって加熱［７基板７ｆ熱処理する・基板７
は、試料置台６の上に水平に置かねている。基板が試料
置台の上に水平に支持さｈているために、ガラス板のよ
うに鴫点の低い基板を熱処理した場合にも、基板の変形
やそりはほとんどなくなる。前述したよりに、このよら
な方法は。
電気炉８によって加熱［７基板７ｆ熱処理する・基板７
は、試料置台６の上に水平に置かねている。基板が試料
置台の上に水平に支持さｈているために、ガラス板のよ
うに鴫点の低い基板を熱処理した場合にも、基板の変形
やそりはほとんどなくなる。前述したよりに、このよら
な方法は。
常圧ＯＶＤ法などに現在応用されている。しかしこの方
法の欠点は、処理量が小さいということである。第２図
に示すように、基板７は試料置台６の上に水平に並べら
れているため、第１シ１に示した方法による処理量と比
べると、非常に小さくなってしまう。そのため、同じ枚
数の基板を処理するためには工程数が増ｔ、製品の価格
売上がることとなる。
法の欠点は、処理量が小さいということである。第２図
に示すように、基板７は試料置台６の上に水平に並べら
れているため、第１シ１に示した方法による処理量と比
べると、非常に小さくなってしまう。そのため、同じ枚
数の基板を処理するためには工程数が増ｔ、製品の価格
売上がることとなる。
上ｄｉ″１事項を捷とめると、９１１図に示した方法で
は、処理１量を増大声せる車は〒きるが、基板が変形し
やすいといら欠点を持っている。第２図〒示また方法で
は、基板の変形を防ぐ事はできるが、処理量が非常に小
ζくなるという欠点を持っている。このように％従来の
熱処理工程の基板支持方法は、そわぞわ有利な点と不利
な点を持っている。
は、処理１量を増大声せる車は〒きるが、基板が変形し
やすいといら欠点を持っている。第２図〒示また方法で
は、基板の変形を防ぐ事はできるが、処理量が非常に小
ζくなるという欠点を持っている。このように％従来の
熱処理工程の基板支持方法は、そわぞわ有利な点と不利
な点を持っている。
本発明は、このよらな従来の２つの方法の第１１点を生
かし、欠講全除去するものである。
かし、欠講全除去するものである。
＊発明の目的は、熱処理工程において生する基板の賢形
會防止【１．（かも処理量を大きくする基板支持方法を
提案するものであり、工程数を低減ばせ、低価格化を実
現させる事である７本発明は、熱処ぜ工程において、基
板背部に支持背板金膜けると共に、前？支持背版を斜方
向に傾斜せしめたことを特徴とする基板支持方法を提案
するものである。
會防止【１．（かも処理量を大きくする基板支持方法を
提案するものであり、工程数を低減ばせ、低価格化を実
現させる事である７本発明は、熱処ぜ工程において、基
板背部に支持背板金膜けると共に、前？支持背版を斜方
向に傾斜せしめたことを特徴とする基板支持方法を提案
するものである。
本発明の概要を第３図に示す。基板背部に、基板支持背
板ｆ設け、該基板支持背板を、斜めに傾斜はせて複数並
べて基板支持台１１を形成する。
板ｆ設け、該基板支持背板を、斜めに傾斜はせて複数並
べて基板支持台１１を形成する。
第３図に示１．たように、＃基板支持台１［［基板１０
をのせ１反応管９の中に設置り電気炉１２によって熱処
理を行なら。
をのせ１反応管９の中に設置り電気炉１２によって熱処
理を行なら。
本発明による基板支持台を用いて熱処理を行なった場合
について説明する、熱処理によって基板１０の粘性が増
す。基板１０の自重ガ基板１０自身に加わるが、基板支
持背板によって支持されているため基板１０は変形しな
い、さらに該基板支持背板は傾斜させて取り付けである
ため、一度の処理における処理量を大ｔｋ（する事がで
きる、このよりに未発明による基板支持方法によれば。
について説明する、熱処理によって基板１０の粘性が増
す。基板１０の自重ガ基板１０自身に加わるが、基板支
持背板によって支持されているため基板１０は変形しな
い、さらに該基板支持背板は傾斜させて取り付けである
ため、一度の処理における処理量を大ｔｋ（する事がで
きる、このよりに未発明による基板支持方法によれば。
耐熱温度の低い基板（ガラス板など）々どを熱処理する
場合、基板の熱による変形（そり、たわみなど）を防止
する事が出来、しかも処理量も大きくすることが可能で
ある。この方法は前述し、た従来の２つの基板支持方法
Ｃ第１図、第２図）が有するそわぞねの長所を生かし、
また欠点をおぎなっているものである。
場合、基板の熱による変形（そり、たわみなど）を防止
する事が出来、しかも処理量も大きくすることが可能で
ある。この方法は前述し、た従来の２つの基板支持方法
Ｃ第１図、第２図）が有するそわぞねの長所を生かし、
また欠点をおぎなっているものである。
例えば半導体装置製造工程に、本発明における方法を採
用すると、基板の変形がないためにマス ５− り合わせ工程における不良ｆ借減情せるａができる。ま
た、処理量が大きいため工程数の低減ができる７−らに
耐熱症爪の低い基板を用いる事ができる。このように半
導体装きの低価格化が可能になる。
用すると、基板の変形がないためにマス ５− り合わせ工程における不良ｆ借減情せるａができる。ま
た、処理量が大きいため工程数の低減ができる７−らに
耐熱症爪の低い基板を用いる事ができる。このように半
導体装きの低価格化が可能になる。
半導体装置の製造ばかりでなく、耐熱性の低い基板を熱
処理する場合にも本発明は応用できる。
処理する場合にも本発明は応用できる。
第１図は、減圧ＱＶ］）法などに用いられている基板支
持方法である、 第２図は、＠１ｌｌＦｎＶＤ法力とに用いられている基
板支持方法である、 第６しくは、本発明における基板支持方法を示した図で
ある。 以上 出願人 株式会社 劇訪精工舎 代理人 弁岬士 最 上 務 ６− 第１図 ７２ 第３図 第２図
持方法である、 第２図は、＠１ｌｌＦｎＶＤ法力とに用いられている基
板支持方法である、 第６しくは、本発明における基板支持方法を示した図で
ある。 以上 出願人 株式会社 劇訪精工舎 代理人 弁岬士 最 上 務 ６− 第１図 ７２ 第３図 第２図
Claims (1)
- 熱処理工程におして、基板背部に支持背板を設けると共
に、前記支持背板を斜方向に傾斜せＬめたこと？特徴と
する熱処理工程における基板支持方法、
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP697783A JPS59132615A (ja) | 1983-01-19 | 1983-01-19 | 熱処理工程における基板支持方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP697783A JPS59132615A (ja) | 1983-01-19 | 1983-01-19 | 熱処理工程における基板支持方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59132615A true JPS59132615A (ja) | 1984-07-30 |
Family
ID=11653251
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP697783A Pending JPS59132615A (ja) | 1983-01-19 | 1983-01-19 | 熱処理工程における基板支持方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59132615A (ja) |
-
1983
- 1983-01-19 JP JP697783A patent/JPS59132615A/ja active Pending
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