JPS59129426A - エツチングの終点検出方法 - Google Patents
エツチングの終点検出方法Info
- Publication number
- JPS59129426A JPS59129426A JP508683A JP508683A JPS59129426A JP S59129426 A JPS59129426 A JP S59129426A JP 508683 A JP508683 A JP 508683A JP 508683 A JP508683 A JP 508683A JP S59129426 A JPS59129426 A JP S59129426A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- film
- light
- substrate
- etched
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 41
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 32
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 14
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 abstract description 4
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 abstract description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 18
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 5
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
＋ａ＋ 発明の技術分野
本発明はホトマスクの製造のように透光性のガラス基板
上にクロム（Ｃｒ）のような不透光性膜を形成し、該不
透光性膜を所定のパターンに形成する際のエツチングの
終点検出方法に関する。
上にクロム（Ｃｒ）のような不透光性膜を形成し、該不
透光性膜を所定のパターンに形成する際のエツチングの
終点検出方法に関する。
（ｂｌ 技術の背景
ＩＣ，ＬＳＩ等、半導体素子の微細パターンを形成する
際、一般に透明なガラス基板上にクロム（Ｃｒ）等の不
透光性膜を所定のパターンに形成したホトマスクを用い
て写真蝕刻法により形成している。
際、一般に透明なガラス基板上にクロム（Ｃｒ）等の不
透光性膜を所定のパターンに形成したホトマスクを用い
て写真蝕刻法により形成している。
（Ｑ） 従来技術と問題点
このようなホトマスクを形成する際、透明なガラス基板
上にＣｒの金属膜を蒸着等によって被着形成した後、そ
の上にホトレジスト膜を塗布し、該ホトレジス）１１９
を写真蝕刻法によって所定のパターンに形成する。その
後第１図に示すようにこのようにした基板１をエツチン
グ室２内の基板設置台３上に設置し、該エツチング室内
を排気する。
上にＣｒの金属膜を蒸着等によって被着形成した後、そ
の上にホトレジスト膜を塗布し、該ホトレジス）１１９
を写真蝕刻法によって所定のパターンに形成する。その
後第１図に示すようにこのようにした基板１をエツチン
グ室２内の基板設置台３上に設置し、該エツチング室内
を排気する。
その後ガス導入孔４より四塩化炭素（ＣＣＩ４）ガスと
酸素（０２）ガスとの混合ガスよりなるエツチングガス
をエツチング室２内へ導入し、前記基板設置台３には高
部電圧を印加し、該基板設置台３と対向する電極５はア
ース電位とする。
酸素（０２）ガスとの混合ガスよりなるエツチングガス
をエツチング室２内へ導入し、前記基板設置台３には高
部電圧を印加し、該基板設置台３と対向する電極５はア
ース電位とする。
このようにして導入されたエツチングガスをガスプラズ
マとなし、このガスプラズマによって基板１上に形成さ
れているＣｒ１ｐを所定のパターンにエツチングするよ
うにしている。
マとなし、このガスプラズマによって基板１上に形成さ
れているＣｒ１ｐを所定のパターンにエツチングするよ
うにしている。
ところで従来このようにＣｒ膜を所定のパターンにエツ
チングして、そのエツチングの終点を検出する場合、例
えばエツチング後の排ガスを質量分析器等へ導入して、
排ガス中のＣｒの含有量が所定の値に到達するのを検知
するような方法を用いていたが、この方法であると質量
分析器が高価であったり、或いは精度が悪い等の欠点が
ある。
チングして、そのエツチングの終点を検出する場合、例
えばエツチング後の排ガスを質量分析器等へ導入して、
排ガス中のＣｒの含有量が所定の値に到達するのを検知
するような方法を用いていたが、この方法であると質量
分析器が高価であったり、或いは精度が悪い等の欠点が
ある。
＋ｄ） 発明の目的
本発明は上述した欠点を除去し、簡単な方法で精度良く
透光牲基扱−ヒに形成した不透光性膜のエツチングの終
点を容易に検出する方法の提供を目的とするものである
。
透光牲基扱−ヒに形成した不透光性膜のエツチングの終
点を容易に検出する方法の提供を目的とするものである
。
（ｅｌ 発明の構成
本発明の特徴は、透光性基板上に不透光性膜を形成し、
前記基板をエツチング室内に導入し、該エツチング室内
へエツチング用媒体を導入して基板上の不透光性膜を所
定のパターンにドライエツチングするのに際し、該基板
端面から出射する光量を検知する手段を設け、前記端面
から出射する光量の変動を検知して不透光性膜のエツチ
ングの終点を検出することにある。
前記基板をエツチング室内に導入し、該エツチング室内
へエツチング用媒体を導入して基板上の不透光性膜を所
定のパターンにドライエツチングするのに際し、該基板
端面から出射する光量を検知する手段を設け、前記端面
から出射する光量の変動を検知して不透光性膜のエツチ
ングの終点を検出することにある。
（ｆｌ 発明の実施例
以下図面を用いて本発明の一実施例につき詳細に説明す
る。第２図は本発明のエツチングの終点検出方法に用い
る装置の概略図で、第３図は第２図の要部説明図で、第
４図はエソチグ時間に対する検出光量の変化を示す図で
ある。
る。第２図は本発明のエツチングの終点検出方法に用い
る装置の概略図で、第３図は第２図の要部説明図で、第
４図はエソチグ時間に対する検出光量の変化を示す図で
ある。
第２図に示すようＣｒの金属膜およびバターニング廿る
ホトレジスト膜を順次形成した前述のガラス基板１を例
えばステンレスよりなるエツチング室２内の基板設置台
３−Ｊ二に設置し、エツチング室内を１０ Ｔｏｒｒ
の真空度になるまで排気した後、ガス導入孔４よりＣＣ
１，ガスと０２ガスとの混合ガスよりなるエツチングガ
スをエツチング室２内に導入する。
ホトレジスト膜を順次形成した前述のガラス基板１を例
えばステンレスよりなるエツチング室２内の基板設置台
３−Ｊ二に設置し、エツチング室内を１０ Ｔｏｒｒ
の真空度になるまで排気した後、ガス導入孔４よりＣＣ
１，ガスと０２ガスとの混合ガスよりなるエツチングガ
スをエツチング室２内に導入する。
ここで基板設置台３に対向する電極５をアース電位とし
て基板設置台に周波数１３．５６ Ｍｌｌｚ、出力１α
ＯＷの高周波電力を印加して前記導入したガスをプラズ
マ状態となし、形成されるガスプラズマによって基板上
のＣｒの金属膜をその上のホトレジスト膜をマスクとし
て所定のパターンにエツチングする。
て基板設置台に周波数１３．５６ Ｍｌｌｚ、出力１α
ＯＷの高周波電力を印加して前記導入したガスをプラズ
マ状態となし、形成されるガスプラズマによって基板上
のＣｒの金属膜をその上のホトレジスト膜をマスクとし
て所定のパターンにエツチングする。
このエツチング時に基板１の側端部Ａに対向して集光レ
ンズ６を配置し、該集光レンズに接続して光ファイバ７
を設け、その端部を光電子増倍管８に接続する。このよ
うにすれば第２図、第３図に示すようにパターニングさ
れたホトレジスト膜９の下部のＣｒの金属膜１０がエツ
チングされてそのエツチングされた箇所にガラス基板１
の表面が露出し、このガラス基板の露出された部分にガ
スプラズマを発生することで生ずる光が矢印Ｂのように
入射し、この入射光がガラス基板内で屈折されて側端部
Ａより出射される。そしてこの光を集光レンズ６で集光
して光ファイバ７を介して光電子増倍管８に導く。この
ように光電子増倍管へ導かれた光は電流に変化され、こ
の電流値を検知することで光量が検知出来る。
ンズ６を配置し、該集光レンズに接続して光ファイバ７
を設け、その端部を光電子増倍管８に接続する。このよ
うにすれば第２図、第３図に示すようにパターニングさ
れたホトレジスト膜９の下部のＣｒの金属膜１０がエツ
チングされてそのエツチングされた箇所にガラス基板１
の表面が露出し、このガラス基板の露出された部分にガ
スプラズマを発生することで生ずる光が矢印Ｂのように
入射し、この入射光がガラス基板内で屈折されて側端部
Ａより出射される。そしてこの光を集光レンズ６で集光
して光ファイバ７を介して光電子増倍管８に導く。この
ように光電子増倍管へ導かれた光は電流に変化され、こ
の電流値を検知することで光量が検知出来る。
第４図に示すようにこのようにして検出された光量を縦
軸に、エツチング時間を横軸に示す。図示するようにエ
ツチングを開始して所定の時間を経過するとＣｒの金属
膜は所定のパターンにエツチングされ、それ以上エツチ
ングは進まず、従ってガラス基板の側端部より出射され
る光量はある一定の値に達して飽和し、それ以上光量は
増加しないのでエツチングの終点が容易に検出される。
軸に、エツチング時間を横軸に示す。図示するようにエ
ツチングを開始して所定の時間を経過するとＣｒの金属
膜は所定のパターンにエツチングされ、それ以上エツチ
ングは進まず、従ってガラス基板の側端部より出射され
る光量はある一定の値に達して飽和し、それ以上光量は
増加しないのでエツチングの終点が容易に検出される。
（幻 発明の効果
以上述べたように本発明の方法によれば簡単な方法で透
明なガラス基板上に形成した金属膜のような不透光性膜
を所定のパターンにエツチングする際のエツチングの終
点が精度良く検出され、ホトマスクの製造に本発明の方
法を用いれば極めて効果が大である。
明なガラス基板上に形成した金属膜のような不透光性膜
を所定のパターンにエツチングする際のエツチングの終
点が精度良く検出され、ホトマスクの製造に本発明の方
法を用いれば極めて効果が大である。
更に本実施例では、ホトマスクの形成を例に用いたが、
その他透明なガラス基板に金属膜を所定のパターンに形
成するプラズマ・ディスプレイパネル（Ｆ Ｄ Ｐ）の
製造やビジコン等の製造に本発明の方法を用いても同様
に効果が大である。
その他透明なガラス基板に金属膜を所定のパターンに形
成するプラズマ・ディスプレイパネル（Ｆ Ｄ Ｐ）の
製造やビジコン等の製造に本発明の方法を用いても同様
に効果が大である。
第１図は従来のエツチングの終点検出方法に用いる装置
の概略図、第２図は本発明のエツチングの終点ヰ★出方
法に用いる装置の概略図、第３図は第２図の要部説明図
、第４図はエツチング時間と検出光量との関係図である
。 図において１はガラス基板、２はエツチング室、３は基
板設置台、４はガス導入孔、５は電極、６は集光レンズ
、７は光ファイバ、８は光電子増倍管、９はホトレジス
ト膜、１０はＣｒ膜、Ａは側端部、Ｂは入射光を示す矢
印である。 第１図 ム ↓ 第 ２ 図 ム ↓ 第３図 第４図 手続補正書防式） １、事件の表示 昭和子２年持許願第 ダｃ ３ ｌ 号３、補正をす
る者 事注二５Ｄ関涼 持許出１９１１人住所 神市
用県用崎市中原区」−小川中１０１５番地（５２２）名
称富士通株式会社
の概略図、第２図は本発明のエツチングの終点ヰ★出方
法に用いる装置の概略図、第３図は第２図の要部説明図
、第４図はエツチング時間と検出光量との関係図である
。 図において１はガラス基板、２はエツチング室、３は基
板設置台、４はガス導入孔、５は電極、６は集光レンズ
、７は光ファイバ、８は光電子増倍管、９はホトレジス
ト膜、１０はＣｒ膜、Ａは側端部、Ｂは入射光を示す矢
印である。 第１図 ム ↓ 第 ２ 図 ム ↓ 第３図 第４図 手続補正書防式） １、事件の表示 昭和子２年持許願第 ダｃ ３ ｌ 号３、補正をす
る者 事注二５Ｄ関涼 持許出１９１１人住所 神市
用県用崎市中原区」−小川中１０１５番地（５２２）名
称富士通株式会社
Claims (1)
- 透光性基板上に不透光性膜を形成し、前記基板をエツチ
ング室内に導入し、該エツチング室内へエツチング用媒
体を導入して基板上の不透光性膜を所定のパターンにド
ライエツチングするのに際し、該基板端面から出射する
光量を検知する手段を設け、前記端面から出射する光量
の変動を検知して不透光性膜のエツチングの終点を検出
することを特徴とするエツチングの終点検出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP508683A JPS59129426A (ja) | 1983-01-13 | 1983-01-13 | エツチングの終点検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP508683A JPS59129426A (ja) | 1983-01-13 | 1983-01-13 | エツチングの終点検出方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59129426A true JPS59129426A (ja) | 1984-07-25 |
Family
ID=11601576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP508683A Pending JPS59129426A (ja) | 1983-01-13 | 1983-01-13 | エツチングの終点検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59129426A (ja) |
-
1983
- 1983-01-13 JP JP508683A patent/JPS59129426A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Kazanskiy et al. | Optical materials: Microstructuring surfaces with off-electrode plasma | |
| EP0192656B1 (en) | Interferometric methods for device fabrication | |
| TW200844667A (en) | Endpoint detection for photomask etching | |
| JPS5596942A (en) | Method and apparatus for producing minute pattern | |
| JPS59129426A (ja) | エツチングの終点検出方法 | |
| JPH01166044A (ja) | フォトマスクの製造方法 | |
| JPS5879722A (ja) | プラズマエツチングの制御方法 | |
| JP2001059193A (ja) | Ｘ線マスクの製造方法およびその装置 | |
| JPS5893241A (ja) | 半導体装置 | |
| Suzuki | Versatile X-ray mask fabrication techniques | |
| JPH09306822A (ja) | プラズマエチング方法及びフォトマスクの製造方法 | |
| JPS5864384A (ja) | エツチング終点検出方法 | |
| JP3463676B2 (ja) | 透明基板のドライエッチング方法 | |
| JPS62171127A (ja) | エツチングの終点検出方法 | |
| JPS62282435A (ja) | エツチングの終点検出方法 | |
| US6489627B1 (en) | Method for inspecting a reticle and apparatus for use therein | |
| JPS5812337B2 (ja) | ビサイパタ−ンノ トウメイマクノケイセイホウホウホウ | |
| JPS59169136A (ja) | レジスト膜のエツチング終点検出方法 | |
| JPS5739535A (en) | Etching control method | |
| JPS5650516A (en) | Endpoint detecting method | |
| JPS57109952A (en) | Production of photomask plate | |
| JP2858812B2 (ja) | 溶解速度の測定方法および測定装置 | |
| JPS56158334A (en) | Manufacture of hard mask | |
| JP2590677B2 (ja) | パーティクル検査機の標準サンプル | |
| JPS5896734A (ja) | 電子ビ−ム露光に於けるマ−ク検出方法 |