JPS59121830A - エピタキシヤルウエハ - Google Patents
エピタキシヤルウエハInfo
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- JPS59121830A JPS59121830A JP57232210A JP23221082A JPS59121830A JP S59121830 A JPS59121830 A JP S59121830A JP 57232210 A JP57232210 A JP 57232210A JP 23221082 A JP23221082 A JP 23221082A JP S59121830 A JPS59121830 A JP S59121830A
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- type
- type gaas
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- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、高い外部発光効率の赤外発光ダイオード（赤
外−ＬＥＤ）の製造に適したヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）
／ヒ化ガリウム・アルミニウム（Ｇａ １．、、ｘＡＺ
ｘＡ ｓ） 多層エピタキシャルウェハに関する。
外−ＬＥＤ）の製造に適したヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）
／ヒ化ガリウム・アルミニウム（Ｇａ １．、、ｘＡＺ
ｘＡ ｓ） 多層エピタキシャルウェハに関する。
赤外−ＬＥＤは、通常は両性不純物であるシリコン（Ｓ
ｉ）’ｔドープしたＧａＡＳエピタキシャルウェハを用
いて製造される。ＳｌをドープしたＧａＡ、エピタキシ
ャル層を液相エピタキシャル成長法（ＬＰＥ）によって
成長させると高温ではｎ型のエピタキシャル層が形成さ
れ、低温ではｐ゛型のエピタキシャル層が形成されるの
で、これを利用してｐｎ接合を形成することができる。
ｉ）’ｔドープしたＧａＡＳエピタキシャルウェハを用
いて製造される。ＳｌをドープしたＧａＡ、エピタキシ
ャル層を液相エピタキシャル成長法（ＬＰＥ）によって
成長させると高温ではｎ型のエピタキシャル層が形成さ
れ、低温ではｐ゛型のエピタキシャル層が形成されるの
で、これを利用してｐｎ接合を形成することができる。
かかるｏａ Ａ８エビタキシャルウエハヲ用いて製造さ
れた赤外−ＴＪ ＥＤは、９００〜９ｇ０９ｍの範囲の
尖頭発光波長を有し、可視光のＩ、ＥＤに比較して高い
外部発光効率を有しているので各種の用途に使用されて
いる。
れた赤外−ＴＪ ＥＤは、９００〜９ｇ０９ｍの範囲の
尖頭発光波長を有し、可視光のＩ、ＥＤに比較して高い
外部発光効率を有しているので各種の用途に使用されて
いる。
しかしながら、光通信等の分野で使用するにはより高効
率、高出力の赤外−ＬＥＤを開発することが望まれてい
た。
率、高出力の赤外−ＬＥＤを開発することが望まれてい
た。
本発明者等は、より高効率、高出力の赤外−ＬＥＤの製
造に適したＧａ ＡＢエピタキシャルウェハを提供する
ことを目的として鋭意研究を重さねた結果、本発明に到
達したものである。
造に適したＧａ ＡＢエピタキシャルウェハを提供する
ことを目的として鋭意研究を重さねた結果、本発明に到
達したものである。
本発明の上記の目的は、ｎ型ｏａ Ａｓ単結晶基板、該
単結晶基板表面上に形成された厚さが、！Ｏ〜１００μ
ｍであってキャリア濃度が／、ＯＸ １０１７〜２．Ｏ
Ｘ １０１８ｃｍ ” テあルＳｉをドープしｆｃ ｎ
型Ｇａ Ａｓエヒリキシャル層、該ｎ 型Ｇａ Ａｓ
エピタキシャル層上に形成された厚さが７０〜ｇ０μｍ
であってキャリア濃度が／、ＯＸ１０ 〜３、ＯＸ ／
０１８ｃｍ−３であるＳｌ をドープしたｐ型ＧａＡ
ｓエピタキシャル層及び該ｐ型Ｇａ Ａｓエピタキシャ
ル層上に形成された厚さが２０〜９０μｍであってキャ
リア濃度が／、ＯＸ １０１７〜５．０×７０１８ｃｍ
−３であるｐ型Ｇａ、−ｘＡ７ｘＡｓ混晶からなり、ｐ
型Ｇａ Ａｓエピタキシャル層との界面から少なくとも
２μｍ以内の領域において混晶率Ｘが０．０３≦Ｘ≦０
１ｇであるエピタキシャル層を有するエビタキシャルウ
エノ・によって達せられる。
単結晶基板表面上に形成された厚さが、！Ｏ〜１００μ
ｍであってキャリア濃度が／、ＯＸ １０１７〜２．Ｏ
Ｘ １０１８ｃｍ ” テあルＳｉをドープしｆｃ ｎ
型Ｇａ Ａｓエヒリキシャル層、該ｎ 型Ｇａ Ａｓ
エピタキシャル層上に形成された厚さが７０〜ｇ０μｍ
であってキャリア濃度が／、ＯＸ１０ 〜３、ＯＸ ／
０１８ｃｍ−３であるＳｌ をドープしたｐ型ＧａＡ
ｓエピタキシャル層及び該ｐ型Ｇａ Ａｓエピタキシャ
ル層上に形成された厚さが２０〜９０μｍであってキャ
リア濃度が／、ＯＸ １０１７〜５．０×７０１８ｃｍ
−３であるｐ型Ｇａ、−ｘＡ７ｘＡｓ混晶からなり、ｐ
型Ｇａ Ａｓエピタキシャル層との界面から少なくとも
２μｍ以内の領域において混晶率Ｘが０．０３≦Ｘ≦０
１ｇであるエピタキシャル層を有するエビタキシャルウ
エノ・によって達せられる。
本発明に係るエビタキシャルウエノ・の製造に用いられ
るｎ型ＧａＡｅ単結晶基板としては、キャリア濃度が八
〇×７０〜２．０ Ｘ １０ ｃｍ 程度のものが
好ましい。ドーパントは、Ｓｉ、丁ｅ、 Ｓ、Ｓｅ等、
特に限定されないが、エピタキシャル層と同じＳｉを用
いるのが好ましい。ウエノ・面は（１０Ｏ）面が好まし
いが（／／／）面等でもよい。（１０Ｏ）面は、臂開面
である（／／θ）面が互いに直交するので正方形あるい
は長方形のＬＥＤテップを得ることができる。
るｎ型ＧａＡｅ単結晶基板としては、キャリア濃度が八
〇×７０〜２．０ Ｘ １０ ｃｍ 程度のものが
好ましい。ドーパントは、Ｓｉ、丁ｅ、 Ｓ、Ｓｅ等、
特に限定されないが、エピタキシャル層と同じＳｉを用
いるのが好ましい。ウエノ・面は（１０Ｏ）面が好まし
いが（／／／）面等でもよい。（１０Ｏ）面は、臂開面
である（／／θ）面が互いに直交するので正方形あるい
は長方形のＬＥＤテップを得ることができる。
各エピタキシャル層の成長は、液相エピタキシャル成長
法（ＬＰＥ ）によるのが適当である。
法（ＬＰＥ ）によるのが適当である。
ＬＰＥ装置は特に限定されないが複数の溶液槽を有する
スライド式のボー・トを用いるのが好ましい。この場合
、一つの溶液槽にＧａＡｓのＧａ溶液、他方の溶液槽に
ＧａｘＡｔ、−ＸＡＢのＧａ溶液を収容する。Ｇａ 、
−ｘ Ａｔｘ Ａ ｓのＧａ溶液は、通常はＧａに所要
量のＧａＡｓ及びＡｔを溶解することによって調製され
る。最初のエピタキシャル層、すなわち、Ｓｌをドープ
したｎ型ＧａＡｓエピタキシャル層は、ｎ型Ｇａ Ａｓ
単結晶基板を、ドーパントであるＳｉを含有するＧａ
ＡｓのＧａ溶液と高温で接触させて所定の速度で冷却す
ることによって形成される。この場合、最初に基板を、
Ｓｌ ドープ０ａＡｓエピタキシヤル層がｎ型からｐ
型に変化する温度、す々わち反転温度以上で（）ａＡｓ
溶液と接触させ、続いて冷却する必要がある。
スライド式のボー・トを用いるのが好ましい。この場合
、一つの溶液槽にＧａＡｓのＧａ溶液、他方の溶液槽に
ＧａｘＡｔ、−ＸＡＢのＧａ溶液を収容する。Ｇａ 、
−ｘ Ａｔｘ Ａ ｓのＧａ溶液は、通常はＧａに所要
量のＧａＡｓ及びＡｔを溶解することによって調製され
る。最初のエピタキシャル層、すなわち、Ｓｌをドープ
したｎ型ＧａＡｓエピタキシャル層は、ｎ型Ｇａ Ａｓ
単結晶基板を、ドーパントであるＳｉを含有するＧａ
ＡｓのＧａ溶液と高温で接触させて所定の速度で冷却す
ることによって形成される。この場合、最初に基板を、
Ｓｌ ドープ０ａＡｓエピタキシヤル層がｎ型からｐ
型に変化する温度、す々わち反転温度以上で（）ａＡｓ
溶液と接触させ、続いて冷却する必要がある。
上記反転温度は、該溶液の８１の濃度等により変化する
が、通常はｇりｏＣ−９００７：の範囲である。Ｇａに
溶解するＧａ Ａｓの濃度は、７０〜２０重量係程度が
好ましく、よシ好ましくは７３〜／乙重量係である。
が、通常はｇりｏＣ−９００７：の範囲である。Ｇａに
溶解するＧａ Ａｓの濃度は、７０〜２０重量係程度が
好ましく、よシ好ましくは７３〜／乙重量係である。
また、Ｓｉをドープ”したｎ型ＧａＡｓ工ビクキシャル
層のキャリア濃度は、／、ＯＸ １０”〜、２．ｏ ｘ
／Ｑ Ｃｒｒｌ 程度が好ましい。キャリア濃度が
／、ＯＸ １０ Ｃｍ 未満であると立上り電圧（
Ｖｆ）が上昇し、コ×１０ ｃｍ を超えると結晶性が
劣化する。Ｓｉドープｎ型Ｃ）ａＡｓエピタキシャル層
の厚みは、２０〜７００μｍが適当である。厚さが２０
μｍ未満では単結晶基板の影響によってエピタキシャル
層の結晶性等が劣化しやすく、１００μｍを超えてもエ
ピタキシャル層の結晶性等の向上が著るしくないので、
エピタキシャル膜の生産性等の点から好ましくない。
層のキャリア濃度は、／、ＯＸ １０”〜、２．ｏ ｘ
／Ｑ Ｃｒｒｌ 程度が好ましい。キャリア濃度が
／、ＯＸ １０ Ｃｍ 未満であると立上り電圧（
Ｖｆ）が上昇し、コ×１０ ｃｍ を超えると結晶性が
劣化する。Ｓｉドープｎ型Ｃ）ａＡｓエピタキシャル層
の厚みは、２０〜７００μｍが適当である。厚さが２０
μｍ未満では単結晶基板の影響によってエピタキシャル
層の結晶性等が劣化しやすく、１００μｍを超えてもエ
ピタキシャル層の結晶性等の向上が著るしくないので、
エピタキシャル膜の生産性等の点から好ましくない。
エピタキシャル成長温度が反転温以下となると、Ｓ１ド
一プｐ型ＧａＡｓエピクキシヤル層が成長する。この層
のｐ型キャリア濃度は、７．０×１０ 〜３×ＩＯｏｎ
が適当である。／、ＯＸ１０１Ｔ＋？＋ ｃｍ−３未満であるとＶｆが上昇し、３×１０ ｃｍ
を超えると、結晶性が劣化し、かつ、光の吸収が増加す
るので好ましくない。
一プｐ型ＧａＡｓエピクキシヤル層が成長する。この層
のｐ型キャリア濃度は、７．０×１０ 〜３×ＩＯｏｎ
が適当である。／、ＯＸ１０１Ｔ＋？＋ ｃｍ−３未満であるとＶｆが上昇し、３×１０ ｃｍ
を超えると、結晶性が劣化し、かつ、光の吸収が増加す
るので好ましくない。
また、この層の厚みは、７０〜ｇｏμｍが適尚であって
、λ０〜ＳＯμｍであればより好ましい。
、λ０〜ＳＯμｍであればより好ましい。
厚みが１０μｍ未満であると、キャリアの発光再結合が
大部分Ｇａ、−ｘ ＡＺｘ Ａ８層で生じるので発光波
長が短波長側に変化する。捷た、ｇｏμｍを超えると、
この層における光の吸収が増加するので好ましくない。
大部分Ｇａ、−ｘ ＡＺｘ Ａ８層で生じるので発光波
長が短波長側に変化する。捷た、ｇｏμｍを超えると、
この層における光の吸収が増加するので好ましくない。
本発明に係るエピタキシャルウェハでは、キャリアの発
光再結合が一部（）ａ １−ｘＡｔｘ Ａ ｓ層で生じ
る程度の厚さ、すなわち、少数キャリアの拡散距離より
も小さい厚さにｐ型ＧａＡｓ層を形成することが好まし
い。
光再結合が一部（）ａ １−ｘＡｔｘ Ａ ｓ層で生じ
る程度の厚さ、すなわち、少数キャリアの拡散距離より
も小さい厚さにｐ型ＧａＡｓ層を形成することが好まし
い。
ｐ型ＧａＡｓエピタキシャル層の成長が終了すると、単
結晶基板をＧａ ｔ−ｘ ＡｔｘＡｓのＧａ溶液に接Ｓ
ｉ等をドープしてｐ型Ｇａ １−ｘ Ａｌｘ Ａｓ層を
エピタキシャル成長させる。この層の厚さは２ｑ−９０
μｍが適当である。厚みが２０μｍ未満では、発光効率
の向上等に十分に寄与せず、９０μｍを超えても不都合
ではないが、発光効率等が特に変化しないので生産性等
の点から好ましくない。
結晶基板をＧａ ｔ−ｘ ＡｔｘＡｓのＧａ溶液に接Ｓ
ｉ等をドープしてｐ型Ｇａ １−ｘ Ａｌｘ Ａｓ層を
エピタキシャル成長させる。この層の厚さは２ｑ−９０
μｍが適当である。厚みが２０μｍ未満では、発光効率
の向上等に十分に寄与せず、９０μｍを超えても不都合
ではないが、発光効率等が特に変化しないので生産性等
の点から好ましくない。
ｐ型ＧａＡｓ層及びｐ型Ｇａ １−ｘ Ａｔｘ Ａｓ層
の厚さは合計ｇθ〜７００μｍとなるのが好ましい。
の厚さは合計ｇθ〜７００μｍとなるのが好ましい。
この層にはｐ型ドーパントとしてＳｌ を用いるのが製
造容易で好ましく、キャリア濃度が／、０×１０１７〜
タ×１０ｃｒｎ となルヨうニトーフする。／、ＯＸ
１０ Ｃｍ 未満ではＶ４が高くなり、！×１０
Ｃｍ を超えると結晶性の劣化、光吸収の増加等
の面から好１しくない。
造容易で好ましく、キャリア濃度が／、０×１０１７〜
タ×１０ｃｒｎ となルヨうニトーフする。／、ＯＸ
１０ Ｃｍ 未満ではＶ４が高くなり、！×１０
Ｃｍ を超えると結晶性の劣化、光吸収の増加等
の面から好１しくない。
ｐ型ｏａ、−ｘＡｔｘＡｓ層の混晶率、すなわちＡ４の
含有量Ｘは０．０３≦Ｘ≦ｏ、ｇの範囲、好捷しくはθ
、ＯＳ≦χ≦Ｏ，Ｓの範囲が適当である。Ｘが０．０３
未満であれば本発明の効果が発揮されず、ｏ、ｇを超え
ると発光波長が変化し、ｐ型Ｇａ Ａｓ及びｐ型Ｇａ
１−Ｘ Ａｔｘ各エピタキシャル層の界面（ｐ−ｐ界面
）の抵抗が増加するので好ましくない。なお、本発明の
効果を発揮するには少なくとも上記ｐ−ｐ界面から２μ
ｍ以内において上記混晶率の値を保持していればよい。
含有量Ｘは０．０３≦Ｘ≦ｏ、ｇの範囲、好捷しくはθ
、ＯＳ≦χ≦Ｏ，Ｓの範囲が適当である。Ｘが０．０３
未満であれば本発明の効果が発揮されず、ｏ、ｇを超え
ると発光波長が変化し、ｐ型Ｇａ Ａｓ及びｐ型Ｇａ
１−Ｘ Ａｔｘ各エピタキシャル層の界面（ｐ−ｐ界面
）の抵抗が増加するので好ましくない。なお、本発明の
効果を発揮するには少なくとも上記ｐ−ｐ界面から２μ
ｍ以内において上記混晶率の値を保持していればよい。
本発明に係るエピタキシャルウェハを用いて製造した赤
外ＬＥＤは、従来の赤外１．ＥＤに比較して発光出力が
へグ〜３倍に増加してお−り光通信その他のオプトエレ
クトロニクスの分野における利用価値は極めて犬である
。
外ＬＥＤは、従来の赤外１．ＥＤに比較して発光出力が
へグ〜３倍に増加してお−り光通信その他のオプトエレ
クトロニクスの分野における利用価値は極めて犬である
。
以下に、実施例及び比較例に基づいて本発明をさらに具
体的に説明する。
体的に説明する。
実施例及び比較例においては、第１図に縦断面模型図を
示す二槽式スライド型ボートを用いた。第１図において
、／及びスは溶液槽であって、それぞれＧａＡｓ 、ま
たは、Ｇａ Ｉ −Ｘ ＡｔｘＡ６のＧａ溶液を収容す
る。溶液槽／及びλは一体をなして形成される。３は基
台であって溶液槽／及び−が摺動可能となるように本基
台３上に取り付けられる。グは基台３に設けられた凹部
であって、単結晶基板を収容する。エピタキシャル層の
成長にあたっては、溶液槽を操作して、単結晶基板にＧ
ａＡｓ 、 Ｇａ１−ＸＡｔｘＡｓ各溶液を順次接触さ
せる。
示す二槽式スライド型ボートを用いた。第１図において
、／及びスは溶液槽であって、それぞれＧａＡｓ 、ま
たは、Ｇａ Ｉ −Ｘ ＡｔｘＡ６のＧａ溶液を収容す
る。溶液槽／及びλは一体をなして形成される。３は基
台であって溶液槽／及び−が摺動可能となるように本基
台３上に取り付けられる。グは基台３に設けられた凹部
であって、単結晶基板を収容する。エピタキシャル層の
成長にあたっては、溶液槽を操作して、単結晶基板にＧ
ａＡｓ 、 Ｇａ１−ＸＡｔｘＡｓ各溶液を順次接触さ
せる。
実施例／
溶液槽／にＧａ１００ｆ？、（）ａＡｓ ／ ５．９
？及ＵＳｉ Ｏ，，３ｆ、ならびに溶液槽、２ＶＣＧａ
１００グ、ＧａＡｓ ３．／ ？、ＡｔＯ，０：２３？
及びＳｉｏ、、２ｆをそれぞれ仕込み、さらに、凹部グ
にｎ型Ｇａ Ａｓ（１００）面基板（Ｓｉドープ、キャ
リア濃度７×１０ ｃｍ ）を設置した。基板と溶
液を接触させない状態でボートを炉内に設置し、窒素置
換し、続いて、水素置換終了後、水素気流中で′？１０
Ｃに昇温した。９／Ｑ７：で／、２０分間保持し、スラ
イドを操作して、基板と溶液槽／内の溶液とを接触させ
０．ｇＱ１分の冷却速度で冷却し、ｇりｏ′Ｃに達した
時に溶液槽を移動させて基板と溶液槽λ内の溶液とを接
触させて／Ｃ／分の冷却速度でｐｍ Ｇａ １−Ｘ Ａ
ｌｘ Ａｓ層をエピタキシャル成長させた。ｑｏｏｃま
で冷却した後溶液と基板との接角虫を断って室温まで冷
却した。
？及ＵＳｉ Ｏ，，３ｆ、ならびに溶液槽、２ＶＣＧａ
１００グ、ＧａＡｓ ３．／ ？、ＡｔＯ，０：２３？
及びＳｉｏ、、２ｆをそれぞれ仕込み、さらに、凹部グ
にｎ型Ｇａ Ａｓ（１００）面基板（Ｓｉドープ、キャ
リア濃度７×１０ ｃｍ ）を設置した。基板と溶
液を接触させない状態でボートを炉内に設置し、窒素置
換し、続いて、水素置換終了後、水素気流中で′？１０
Ｃに昇温した。９／Ｑ７：で／、２０分間保持し、スラ
イドを操作して、基板と溶液槽／内の溶液とを接触させ
０．ｇＱ１分の冷却速度で冷却し、ｇりｏ′Ｃに達した
時に溶液槽を移動させて基板と溶液槽λ内の溶液とを接
触させて／Ｃ／分の冷却速度でｐｍ Ｇａ １−Ｘ Ａ
ｌｘ Ａｓ層をエピタキシャル成長させた。ｑｏｏｃま
で冷却した後溶液と基板との接角虫を断って室温まで冷
却した。
実施例ユ
溶液槽／から同ユに切換える温度をｇコ。Ｃ１ならびに
溶液槽λの仕込量をＧａ／θＯＶ、ＧａＡｓ乙、ｌＩｒ
及びＡｔＯ，０２３１としたこと以外は実施例／と同様
にしてエビタキシャルウエノ・を製造した。
溶液槽λの仕込量をＧａ／θＯＶ、ＧａＡｓ乙、ｌＩｒ
及びＡｔＯ，０２３１としたこと以外は実施例／と同様
にしてエビタキシャルウエノ・を製造した。
実施例３
溶液槽／から同一に切り換える温度をｇｏ。
Ｃ１ならびに溶液槽コの仕込量をＧａ１００ｆｔ、Ｇａ
Ａｓ １１．２ ｆ及びＡｔＯ，０２２グとしたこと以
外は実施例／と同様にしてエビタキシャルウエノ・を製
造した。
Ａｓ １１．２ ｆ及びＡｔＯ，０２２グとしたこと以
外は実施例／と同様にしてエビタキシャルウエノ・を製
造した。
実施例ダ
溶液槽／から同一に切り換える温度を７ｇ０Ｃ１ならび
に溶液槽２の仕込量をＧａ１００９、ＧａＡｓ ３．３
’ｌ ｆｌ及びＡｔθ、０ ／ ｇ ｆとしたこと以
外は実施例１と同様にしてエピタキシャルウェハを製造
した。
に溶液槽２の仕込量をＧａ１００９、ＧａＡｓ ３．３
’ｌ ｆｌ及びＡｔθ、０ ／ ｇ ｆとしたこと以
外は実施例１と同様にしてエピタキシャルウェハを製造
した。
実施例５
溶液槽／から２へ切り換える温度をｇｏｏｃ、ならびに
溶液槽コの仕込量をＧａ１００？、ＧａＡｓ ３．？
ｆ 、 ＡｔＯ，０５２ｆとしたこと以外は実施例／と
同様にしてエビタキシャルウエノ＼を製造した。
溶液槽コの仕込量をＧａ１００？、ＧａＡｓ ３．？
ｆ 、 ＡｔＯ，０５２ｆとしたこと以外は実施例／と
同様にしてエビタキシャルウエノ＼を製造した。
各実施例により得られたエピタキシャルウェハの物性を
第１表に示す。
第１表に示す。
比較例
溶液槽／にＣｈａ１００？、ＧａＡｓ ／ ｋ、９ ？
、Ｓｉ Ｏ，３ｆｌ を仕込み、溶液槽コには、エピタ
キシャル成長用溶液を仕込まずに、実施例／２同様にし
てｑ／’０Ｃ−１で昇温し、ｏ、ｇ’Ｑ／分の冷却速度
でｑｏｏＣまで冷却し、その後スライドを操作して溶液
と基板との接触を断ち、室温まで冷却した。
、Ｓｉ Ｏ，３ｆｌ を仕込み、溶液槽コには、エピタ
キシャル成長用溶液を仕込まずに、実施例／２同様にし
てｑ／’０Ｃ−１で昇温し、ｏ、ｇ’Ｑ／分の冷却速度
でｑｏｏＣまで冷却し、その後スライドを操作して溶液
と基板との接触を断ち、室温まで冷却した。
ｎ型ＧａＡｓ層の厚さは、るダμｍ、キャリア濃度は３
．０×１０ Ｃｍ 、 ｐ型ＧａＡｓ層の厚さは９
３μｍ、キャリア濃度は９．ＯＸ ／θ 釧 であった
。
．０×１０ Ｃｍ 、 ｐ型ＧａＡｓ層の厚さは９
３μｍ、キャリア濃度は９．ＯＸ ／θ 釧 であった
。
応用例
各実施例及び比較例によね・得られたウエノ・から−辺
が０．５岨の正方形状のチップからなる赤外ＬＺＤを製
造した。これに、／ ＯｍＡの電流を流して発光出力を
測定した。発光出力は、比較例に記載したウェハから製
造したＬＥＤの出力を／とする相対出力で表示して第２
表に示す。
が０．５岨の正方形状のチップからなる赤外ＬＺＤを製
造した。これに、／ ＯｍＡの電流を流して発光出力を
測定した。発光出力は、比較例に記載したウェハから製
造したＬＥＤの出力を／とする相対出力で表示して第２
表に示す。
なお、第２表に示した相対出力は、各ウニ・・につき２
０個のＬＥＤの測定値の平均値である。
０個のＬＥＤの測定値の平均値である。
また、尖頭発光波長け９’１Ｏ−９’ｌＡ；ｎｍであっ
た。
た。
第２表
第１図は、スライド式ＬＰＥ装置の縦断面模型図である
。 ／および２・・−・・・溶液槽 り・・・・・・凹部
特許出願人 三菱モンサンド化成株式会社代 理
人 弁理士 長谷用 −（ほか７名） 第１図 ／ 事件の表示 昭和５７年特許願第２３２ノＩＯ号 λ 発明の名称 エピタキシャルウェハ ３ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 名 称 （ｂｏｙ）三菱モンサント化成株式会社ｑ代
理人 〒１００ 東京都千代田区丸の内二丁目５番２号 ６ 補正の内容 （１）明細書箱ｇ頁第７タ行目「発光波長が変化し」を
、「赤外−ＬＥＤの製造の際にエピタキシャルウエノ・
の表面に形成される電極とＰ Ｃｒａ １−ｚ ｆｉＪ
−ｚ Ａｓ 層の間の接触抵抗が増加し、さらに、」
に訂正する。 （２）明細書筒ｇ頁第７６行目ｒ Ｇ＆、 −Ｘ Ａｔ
Ｘ Ｊ ｋｒＧａｌ−ｘ ＡＺｘ Ａｓ 」に訂正する
。 以 上
。 ／および２・・−・・・溶液槽 り・・・・・・凹部
特許出願人 三菱モンサンド化成株式会社代 理
人 弁理士 長谷用 −（ほか７名） 第１図 ／ 事件の表示 昭和５７年特許願第２３２ノＩＯ号 λ 発明の名称 エピタキシャルウェハ ３ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 名 称 （ｂｏｙ）三菱モンサント化成株式会社ｑ代
理人 〒１００ 東京都千代田区丸の内二丁目５番２号 ６ 補正の内容 （１）明細書箱ｇ頁第７タ行目「発光波長が変化し」を
、「赤外−ＬＥＤの製造の際にエピタキシャルウエノ・
の表面に形成される電極とＰ Ｃｒａ １−ｚ ｆｉＪ
−ｚ Ａｓ 層の間の接触抵抗が増加し、さらに、」
に訂正する。 （２）明細書筒ｇ頁第７６行目ｒ Ｇ＆、 −Ｘ Ａｔ
Ｘ Ｊ ｋｒＧａｌ−ｘ ＡＺｘ Ａｓ 」に訂正する
。 以 上
Claims (3)
- （１）ｎ型０ａＡｓ単結晶基板、該単結晶基板表面上に
形成された厚さが２０〜１００μｍであってキャリア濃
度が／、０Ｘ１０ 〜コ、Ｏ×１０１８Ｃｒｎ−３であ
るＳｉをドープしたｎ型ＧａＡ、 エピタキシャル層
、該ｎ型ｏａ ＡＢエピタキシャル層上に形成された厚
さが７０〜ｇｏμｍであってキャリア濃度が八〇×７０
〜！；、０×１０１８ｃｒｎ−３であるｓｌをドープし
たｐ型Ｇａ Ａｓ エピタキシャル層及び該ｐ型Ｇａ
Ａｓエピタキシャル層上に形成された厚さが２０〜９
０μｍであってキャリア濃度が／、ＯＸ １０ 〜汐、
θ×７０１８ｃｍ＝であるｐ型Ｇａ１−ｘＡｔｘＡＳ
混晶からなシ、ｐ 型Ｇａ Ａｓエピタキシャル層との
界面から少なくとも２μｍ以内の領域において、混晶率
Ｘが０．０３≦Ｘ≦Ｏ１ｇであるエピタキシャル層ヲ有
スるエピタキシャルウエノ１゜ - （２）混晶率Ｘがθ、０り≦Ｘ≦Ｏ，Ｓである特許請求
の範囲第１項記載のウェハ。 - （３）ｐ型ＧａＡｓエピタキシャル層の厚さが２０〜ダ
Ｏμｍである特許請求の範囲第１項または第２項記載の
方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57232210A JPS59121830A (ja) | 1982-12-27 | 1982-12-27 | エピタキシヤルウエハ |
| DE8383307967T DE3379525D1 (en) | 1982-12-27 | 1983-12-23 | Epitaxial wafer for use in the production of an infrared led |
| EP83307967A EP0115204B1 (en) | 1982-12-27 | 1983-12-23 | Epitaxial wafer for use in the production of an infrared led |
| US90/002918A US4575742B1 (en) | 1982-12-27 | 1983-12-27 | Epitaxial wafer for use in the production of an infrared led |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57232210A JPS59121830A (ja) | 1982-12-27 | 1982-12-27 | エピタキシヤルウエハ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59121830A true JPS59121830A (ja) | 1984-07-14 |
Family
ID=16935708
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57232210A Pending JPS59121830A (ja) | 1982-12-27 | 1982-12-27 | エピタキシヤルウエハ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59121830A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02251179A (ja) * | 1989-03-24 | 1990-10-08 | Nichia Chem Ind Ltd | 赤外発光ダイオード用エピタキシャルウエハー |
| JP2008016826A (ja) * | 2006-06-07 | 2008-01-24 | Nec Electronics Corp | 発光ダイオードおよびその発光ダイオードを具備したフォトカプラ |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS518883A (ja) * | 1974-07-10 | 1976-01-24 | Hitachi Ltd | |
| JPS55162223A (en) * | 1979-06-04 | 1980-12-17 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device and its preparation |
-
1982
- 1982-12-27 JP JP57232210A patent/JPS59121830A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS518883A (ja) * | 1974-07-10 | 1976-01-24 | Hitachi Ltd | |
| JPS55162223A (en) * | 1979-06-04 | 1980-12-17 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device and its preparation |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02251179A (ja) * | 1989-03-24 | 1990-10-08 | Nichia Chem Ind Ltd | 赤外発光ダイオード用エピタキシャルウエハー |
| JP2008016826A (ja) * | 2006-06-07 | 2008-01-24 | Nec Electronics Corp | 発光ダイオードおよびその発光ダイオードを具備したフォトカプラ |
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