JPS59119924A - サイリスタ変換器の光ゲ−ト信号発生回路 - Google Patents

サイリスタ変換器の光ゲ−ト信号発生回路

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Publication number
JPS59119924A
JPS59119924A JP57226954A JP22695482A JPS59119924A JP S59119924 A JPS59119924 A JP S59119924A JP 57226954 A JP57226954 A JP 57226954A JP 22695482 A JP22695482 A JP 22695482A JP S59119924 A JPS59119924 A JP S59119924A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
optical gate
optical
gate signal
circuit
Prior art date
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Pending
Application number
JP57226954A
Other languages
English (en)
Inventor
Shigeo Ishida
石田 繁生
Hidetoshi Ino
伊野 秀俊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP57226954A priority Critical patent/JPS59119924A/ja
Publication of JPS59119924A publication Critical patent/JPS59119924A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/78Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled
    • H03K17/79Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled controlling bipolar semiconductor switches with more than two PN-junctions, or more than three electrodes, or more than one electrode connected to the same conductivity region

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  • Power Conversion In General (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は複数個の光サイリスクを直列又は直並列して成
るサイリスク変換器の光ゲート信号発生器に係り特に発
光素子から発生する前記光ゲート信号を常時監視する光
ゲート信号発生回路に関するものである。
〔発明の技術的背景とその問題点〕
第1図を用いて従来の光ゲート信号発生器について説明
する。
発光素子11+1zelnは直列接続された光サイリス
タ21p 22 t 2n−iと同数が直列に接続され
ている。
発光素子には直流電圧Eと電流制限抵抗3によって決ま
る電流iがスイッチング素子4のオン[7ている時のみ
流れる。スイッチング素子4は直列接続されたサイリス
タを点弧すべき時のみドライブ回路5によって駆動され
るものであり、図示していないパルス発生装置からのゲ
ート指令aにより所定の期間オンされる。
これから構成される光ゲート信号発生器6の光ゲート信
号出力はライトガイド71 + 7297n 1により
サイリスタへ伝送されサイリスクを点弧する。
各サイリスタに並列に接続される分圧回路81,82゜
8n−1は各サイリスタに印加される電圧を均等にする
回路で、抵抗、コンデンサなどで構成される。
アノードリアクトル9はサイリスタに直列に接続され、
立上りの早い電流を抑制するものである。
又発光素子inは発光電流iの検出用でありライトガイ
ド7nにより電流検出回路15に伝送されるものである
。ところでスイッチング素子4のオン・オフにより光信
号出力を制御している際に直列接続された発光素子11
〜Inのうち1個でも開放故障が起きると全発光素子に
流れていた電流iは流ず光ゲート信号発生器の出力は発
生されない。
このためサイリスタ変換器はゲートパルスそう失の状態
となりサイリスタ変換器を運転することはできない。
′  又1nの発光素子の短絡故障が起きた場合には、
故障に至った発光素子とライトガイドにより光学的に結
合されているサイリスタは導通状態になることができず
健全サイリスクが導通した時に回路電圧全てが印加され
過電圧により破壊する。
また発光素子が劣化し光出力が低下してもこれを除去す
ることは不可能である。従って、光出力が低下しである
レベル以下になるとサイリスタへの光ゲート信号が機器
となり、サイリスクは破損してしまう。
従って係る光ゲート信号発生器においては発光素子電流
の検出を行ない適切な保護動作を行う必要がある。従来
の検出は第1図に示す様に発光素子の直列接続の場合は
直列に1〜2個程度発光素子を多く接続し発光素子の電
流を検出していた。
しかしこの場合直列の場合では短絡故障が検出できない
又、図示はしていないが発光素子と並列接続する場合は
スイッチング素子4の電流検出では開放故障が検出でき
ない欠点がある。
〔発明の目的〕
本発明の目的は前述した従来技術の欠点を除去し、常時
発光素予告々の光出力を検出し得る様にしたサイリスク
変換器の光ゲート信号発生回路を提供する事にある。
〔発明の概要〕
本発明は、この目的を達成するために、発光素子の夫々
に分岐ライトガイドを設け、分岐ライトガイドに受光素
子を設け、かっこの受光素子を直列接続して、その出力
により発光素子の異常を検出゛Tるようにしたことを特
徴とするものである。
〔発明の実施例〕
本発明の一実施例を第2図を用いて説明する一第2図は
本発明による光ゲート信号発生器であり第1図と同一符
号のものは同様に作動するものである。第2図において
1(Ll、loz、Ionは分岐ライトガイドで発光素
子111121 Inから発生する光ゲート信号を監視
回路11へ伝送する。121 H122、i2nは直列
接続された受光素子で分岐ライトガイド101〜1.O
nにて伝送された光信号を電気信号に変換する。13は
その増幅回路、14は故障検出回路である。
以下本発明の動作について説明する。発光素子11 r
 12+ 1nの健全時で光出力発生時には監視回路内
の受光素子121.12a 、 12nは全てオンし増
幅回路13によって信号増幅され故障検出回路14の入
力となる。故障検出回路14はこの状態では作動しない
様に構成されているものとする。次に発光素子11が開
放故障した場合監視回路13内の受光素子121〜12
nは全てオフしこの状態で故障検出回路14は作動し外
部表糸を・すると共に図示していないサイリスタ変換器
制御装置へ故障信号を発生し所定の保護動作がなされる
。又発光素子l′lが短絡故障した場合には受光素子1
21はオフするので開放故障時と同様の保護動作を行な
うことができる。又光出力があるレベル以下になったら
受光素子が応動しない様に調整しておくことにより発光
素子の劣化による光出力低下を検出することができる〜
従って不十分な光ゲート出力によりサイリスク全破損す
る前に検出して保護動作を行なうことができる。さらに
サイリスク変換器の運転前に模擬信号をドライブ回路5
へ与えて全発光素子に電流を流して全発光素子の光ゲー
トチェックをすることができるので運転前に不゛良の発
光素子を検出することが可能となる。、 さらに本発明によれば通常1発光素子の開放故障を高圧
側でライトガイドを外し1本ずつチェックしていたもの
を監視回路内でライトガイドを外す事なく容易に点検で
きる相乗効果も得る事ができる。
第2図においては発光素子を直列に接続した場合4示し
たが、第3図に示す様発光素子を並列に接続した場合に
も発光素子の開放数′障、短絡故障、光出力低下等に対
し全く同様の効果を期待することができるので当然本発
明を適用できる。
なお、第1図及び第2図では受光素子としてフォトトラ
ンジスタを利用した例で示したが、フォトトランジスタ
の代りにフォトダイオードにしてもよいことは明白であ
る。
〔発明の効果〕
以上本発明によれば光ゲート信号発生器の発光素子によ
り発生するゲート信号を各々常時監視し異常時には適切
刃保護制作を行ない正常時においても容易にゲートチェ
ックを可能とする事ができる。従って信頼性のあるサイ
リスク変換器を提供する小ができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のサイリスタ変換器の光ゲート発生回路の
構成図、第2図は本発明によるサイリスタ変換器の光ゲ
ート発生回路の一実施例を示す構成図、第3図は本発明
の他の実施例を示す構成図である。 11+12+1nl・・・発光素子 21 、22 、2n−1・・・サイリスタ3・・・電
流制限抵抗   4・・・スイッチング素子5・・・ド
ライブ回路   6・・・光ゲート発生器71 r 7
2 r 7n−1’・・ライトガイド81182t8n
l・・・分圧器 9・・・アノードリアクトル 1011102 、Ion・・・分岐ライトガイド11
・・・監視装置

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. トランジスタ等のスイッチング素子で駆動される発光素
    子を複数個直列或いは並列に接続し、該発光素子の光信
    号をサイリスク変換器を構成する光サイリスクを駆動す
    るゲート信号とする光ゲート信号発生器において、前記
    発光素予告々から発生する光ゲート信号の有無を分岐ラ
    イトガイドにより検出し、その分岐ライトガイドに接続
    される受光素子を直列接続して、その出力により、前記
    発光素子の異常を検出するようにした事を特徴とするサ
    イリスク変換器の光ゲート信号発生回路。
JP57226954A 1982-12-27 1982-12-27 サイリスタ変換器の光ゲ−ト信号発生回路 Pending JPS59119924A (ja)

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JP57226954A JPS59119924A (ja) 1982-12-27 1982-12-27 サイリスタ変換器の光ゲ−ト信号発生回路

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JP57226954A JPS59119924A (ja) 1982-12-27 1982-12-27 サイリスタ変換器の光ゲ−ト信号発生回路

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JPS59119924A true JPS59119924A (ja) 1984-07-11

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ID=16853215

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