JPS59119876A - 太陽電池 - Google Patents
太陽電池Info
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- JPS59119876A JPS59119876A JP57228961A JP22896182A JPS59119876A JP S59119876 A JPS59119876 A JP S59119876A JP 57228961 A JP57228961 A JP 57228961A JP 22896182 A JP22896182 A JP 22896182A JP S59119876 A JPS59119876 A JP S59119876A
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- silicon
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/20—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials
- H01L31/202—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials including only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は周期律表第１ｖ族とシリコンの水素化混非晶又
は混微結晶を窓材料として用いた太陽電池に関する。
は混微結晶を窓材料として用いた太陽電池に関する。
従来より、水素化アモルファスシリコン（以下ａ−ｓ＜
：Ｈと略す。）は、大面積低価格太＠電池用の材料とし
て研究されてきている。また、α−Ｓｉ：Ｈの物性につ
いても同様に広く研究されはじめている０それとともに
周期律表第■族とシリコンの混非品についての研究が盛
んになり、太陽電池の窓材料として水素化アモルファス
シリコンカーバイト（以下α−８ｉＯ： Ｈと略す。）
が価電子制御できることより注目をあびている。例とし
て、（Ｌ Ｓ＜ｃ：）ｉをｐ −ｉ −？Ｌ接合のｐ
層に用いてａ −ＳｉＯ： Ｈとａ−Ｆ３ｉ：Ｈのへテ
ロ接合太陽電池をあげることができる。
：Ｈと略す。）は、大面積低価格太＠電池用の材料とし
て研究されてきている。また、α−Ｓｉ：Ｈの物性につ
いても同様に広く研究されはじめている０それとともに
周期律表第■族とシリコンの混非品についての研究が盛
んになり、太陽電池の窓材料として水素化アモルファス
シリコンカーバイト（以下α−８ｉＯ： Ｈと略す。）
が価電子制御できることより注目をあびている。例とし
て、（Ｌ Ｓ＜ｃ：）ｉをｐ −ｉ −？Ｌ接合のｐ
層に用いてａ −ＳｉＯ： Ｈとａ−Ｆ３ｉ：Ｈのへテ
ロ接合太陽電池をあげることができる。
これらの太陽電池において、該混非晶は光学禁制帯が大
きい窓材料として上記例の場合、ｐ層の光吸収ロスを減
少させ、そして拡散電位を上げることで太陽電池効率を
向上させている。しかし、ｐ層内体の膜質の向上による
ものではなく、欠陥準位は多く、太陽電池の特性に影響
をおよぼす。
きい窓材料として上記例の場合、ｐ層の光吸収ロスを減
少させ、そして拡散電位を上げることで太陽電池効率を
向上させている。しかし、ｐ層内体の膜質の向上による
ものではなく、欠陥準位は多く、太陽電池の特性に影響
をおよぼす。
本発明はかかる欠点を除去するもので・その目的は周期
律表第■族とシリコンの水素比況非晶又は水素比況微結
晶を窓材料として用いた太陽電池の欠陥を少なくし特性
を向上させる方法を提供するものである。
律表第■族とシリコンの水素比況非晶又は水素比況微結
晶を窓材料として用いた太陽電池の欠陥を少なくし特性
を向上させる方法を提供するものである。
以下実施例に基づいて本発明の詳細な説明する。
第１図は一般的なｐ −ｉ −ｎ接合型のａ−８ｉ太陽
電池の一例であり、１はガラス基板、２は透明電極、３
はａ−５ｔｃ：Ｈのｐ層、４はａ −Ｓ ｉ：Ｈの１層
、５はＱ−Ｓｉ：Ｈのｎ層、６は裏側電極でありＡ Ｉ
、 、 Ｏｒなどを用いる。本発明のσ−ｓｔ太陽電池
は３のｐ型ａ−３ｓＯ：ＨＫ酸素を混入せしめることで
ｐ −ｉ −ｎ接合型のａ −Ｓ ｉ太陽電池の特性を
大きく向上させる。α−８ｉＯ：Ｈに酸素を混入せしめ
る方法としては種々の手段を用いることが出来るが、代
表例としていくつかを以下に掲げる。。また、（１−３
ｉ ： Ｈ、ａ−３ｉＯ；Ｈの製膜方法にもいくつかの
方法があるが、ここではグロー放電法による例を掲げる
０例１ シランガスにメタンガスを３０％、ジボランガスを０１
％混入、さらに酸素ガスを５０ ｐｐｍから５００ ｐ
ｐｍ混入させて基板温度２５０℃とし、３０Ｗのパワー
にて分解堆積、その後ｉ、ｆＬ層を堆積させる。この例
においては酸素ガスを１００１ｐｒｎ混入せしめること
で太陽電池効率は１０％程度上昇する・ 例２゜ 基板上にｐ型α−８ｉＣｊ ： Ｈを堆積後、同基板温
度にて（２５０℃程度）酸素ガス雰囲気中で１０分から
４０分アニールを行なう、その後（、ｎ層の堆積を行な
う。この例では、２０分のアニールで太陽電池効率は５
％程度上昇する０例３ 基板上にｐ型α−８４０： Ｈを堆積後、酸素ガスを１
００５ｃａｎ導入、２０Ｗのパワーにてプラズマ処理を
１分から１０分間行なう。その後にｉ、ｎ層を堆積する
。この例で３分間処理することで太陽電池効率は１０％
程度上昇する。
電池の一例であり、１はガラス基板、２は透明電極、３
はａ−５ｔｃ：Ｈのｐ層、４はａ −Ｓ ｉ：Ｈの１層
、５はＱ−Ｓｉ：Ｈのｎ層、６は裏側電極でありＡ Ｉ
、 、 Ｏｒなどを用いる。本発明のσ−ｓｔ太陽電池
は３のｐ型ａ−３ｓＯ：ＨＫ酸素を混入せしめることで
ｐ −ｉ −ｎ接合型のａ −Ｓ ｉ太陽電池の特性を
大きく向上させる。α−８ｉＯ：Ｈに酸素を混入せしめ
る方法としては種々の手段を用いることが出来るが、代
表例としていくつかを以下に掲げる。。また、（１−３
ｉ ： Ｈ、ａ−３ｉＯ；Ｈの製膜方法にもいくつかの
方法があるが、ここではグロー放電法による例を掲げる
０例１ シランガスにメタンガスを３０％、ジボランガスを０１
％混入、さらに酸素ガスを５０ ｐｐｍから５００ ｐ
ｐｍ混入させて基板温度２５０℃とし、３０Ｗのパワー
にて分解堆積、その後ｉ、ｆＬ層を堆積させる。この例
においては酸素ガスを１００１ｐｒｎ混入せしめること
で太陽電池効率は１０％程度上昇する・ 例２゜ 基板上にｐ型α−８ｉＣｊ ： Ｈを堆積後、同基板温
度にて（２５０℃程度）酸素ガス雰囲気中で１０分から
４０分アニールを行なう、その後（、ｎ層の堆積を行な
う。この例では、２０分のアニールで太陽電池効率は５
％程度上昇する０例３ 基板上にｐ型α−８４０： Ｈを堆積後、酸素ガスを１
００５ｃａｎ導入、２０Ｗのパワーにてプラズマ処理を
１分から１０分間行なう。その後にｉ、ｎ層を堆積する
。この例で３分間処理することで太陽電池効率は１０％
程度上昇する。
以上の例にみられるように、ａ −Ｓ ｉ太＠電池でａ
−ｓｓｃ：）Ｉのｐ Ｎ Ｋ酸素を混入せしめることに
より高効率太陽電池を提供できる。
−ｓｓｃ：）Ｉのｐ Ｎ Ｋ酸素を混入せしめることに
より高効率太陽電池を提供できる。
第１図は一般的なｐ−ｉ −７１接合型のσ−８ｉ太陽
電池の一例である。 １はガラス基板、２は透明電極、３〜５はσ−ｓｉ層、
６は裏側電極である。 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務 第１図
電池の一例である。 １はガラス基板、２は透明電極、３〜５はσ−ｓｉ層、
６は裏側電極である。 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務 第１図
Claims (4)
- （１）周期律表第１Ｖ族とシリコンの水素化混非晶又は
水素化混微結晶に周期律表第■族元素を混入せしめたＰ
層、不純物を混入しない水素化非晶質シリコン、又は水
素化微結晶シリコン２層そして水素化非晶質シリフン、
又は水素化微結晶シリコンに周期律表第Ｖ族元素を混入
せしめたｎ層からなる太陽電池においてＰ層に酸素を混
入せしめることを特徴とする太陽電池。 - （２）Ｐ層堆積時に酸素を１〜１１０００ｐｐ混入して
プラズマ分解堆積する特許請求の範囲第１項記載の太陽
電池。 - （３） Ｐ層堆積後に酸素雰囲気中でアニールする特
許請求の範囲第１項記載の太陽電池。 - （４）Ｐ層堆積後に酸素プラズマ中に放置する特許請求
の範囲第１項記載の太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57228961A JPS59119876A (ja) | 1982-12-27 | 1982-12-27 | 太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57228961A JPS59119876A (ja) | 1982-12-27 | 1982-12-27 | 太陽電池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59119876A true JPS59119876A (ja) | 1984-07-11 |
Family
ID=16884570
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57228961A Pending JPS59119876A (ja) | 1982-12-27 | 1982-12-27 | 太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59119876A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63123900A (ja) * | 1986-10-24 | 1988-05-27 | シーメンス、アクチエンゲゼルシヤフト | 結晶欠陥等の不活性化法 |
-
1982
- 1982-12-27 JP JP57228961A patent/JPS59119876A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63123900A (ja) * | 1986-10-24 | 1988-05-27 | シーメンス、アクチエンゲゼルシヤフト | 結晶欠陥等の不活性化法 |
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