JPS59119777A - 発光表示装置 - Google Patents

発光表示装置

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JPS59119777A
JPS59119777A JP57232943A JP23294382A JPS59119777A JP S59119777 A JPS59119777 A JP S59119777A JP 57232943 A JP57232943 A JP 57232943A JP 23294382 A JP23294382 A JP 23294382A JP S59119777 A JPS59119777 A JP S59119777A
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JP
Japan
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light emitting
functional element
lead
display device
emitting display
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Application number
JP57232943A
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English (en)
Inventor
Tetsuya Muranaka
哲也 村中
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は発光表示装置に係り、特に半導体発光素子と
機能素子とを同一パッケー・ゾ内に組込んだ発光表示装
置に関する。
〔発明の技術的背景〕
セレン整流素子などの機能素子と発光ダイオードを同一
・ぐッケージ内に組込んだ従来の発光表示装置は第１図
および第２図に示す通りである。
すなわち、絶縁性材料、例えばプラスチックからなるス
テム１に電極リード２．３を植設する。この電極リード
２，３の一端は、第１図に示すように夫々半導体素子を
固着できるようにヘンディング加工されている。一方は
半導体素子として発光ダイオード４を固着するために四
部５が形成され、この四部５に前記発光ダイオード４の
陽極又は陰極側が電気的に接続されて導電ペーストなど
で固着される。他方のリード３の端部にはセレン整流素
子６の陽極又は陰極の一方がリード３に電気的に接続さ
れるように導電ペーストで固着され、この整流素子６と
前記発光ダイオード４とをワイヤ７でボンディングによ
り接続する。このようにマウントした後、樹脂８でモー
ルドして発光表示装置を構成したものである。
このような各リードの端部に夫々半導体素子を固着した
もののほか、第２図に示すように発光ダイオードの固着
されるリード２の四部５に積み重ねて設けた構成がある
。第１図と同一部分は同一番号で第２図に示している。
即ち、リード２の一端のヘッディング加工された四部５
に機能素子としてセレン整流素子２１を導電ペースト２
２で固着し、この整流素子２ノ上に発光ダイオード２３
を導電ペースト２４で夫々電気的に接続するように固着
し、さらに前記発光ダイオード２３と他方のリード３と
をワイヤ２５によりボンディングした後、樹脂８で％　
−ルドした発光表示装置の構成などがあった。
〔背景技術の問題点〕 しかしながら、上記した第１図の構成では、量産工程に
おいて夫々のリードに半導体素子を固着することはかな
り複雑であり、自動化工程において部品を互いに入れ違
えたり、発光表示装置自体の形状もかなり大きくなるな
ど問題があった。この問題を改善したのが第２図の構成
で、整流素子２ノおよびダイオード２３を一方のリード
２に集中させることにより、素子の形状を小さくした点
でかなり改善されたものである。しかし、夫々が微少な
半導体素子上、即ちセレン整流素子２ノ上に発光ダイオ
ード２３を積み重ねることは、自１動化工程においては
かなり高度な技術で、位置ずれや中心軸がかなりずれて
振動などの機械的強度などが弱く、樹脂モールド後の歩
留りが悪いという欠点があった。
しかも、凹面鏡状反射板から発光ダイオードがはみ出し
、光の集束効果が得られないなどの欠点があった。
〔発明の目的〕
この発明は上記の点に雌みてなされたもので、位置ずれ
、中心軸ずれがあっても機械的強度が強く、自動化工程
でも歩留りを改善した構造の発光表示装置を提供するも
のである。
〔発明の概要〕
すなわち、発光素子が設けられるリードの一端に設けら
れる凹部に機能素子を収納する素子埋設穴を設け、この
埋設穴内に機能素子を挿入固定して設け、この挿入固定
された機能素子上に積み重ねて半導体発光素子を電気的
に固着し、この半導体発光素子の遊端側と他のリードと
をワイヤボンディングした後、樹脂モールドした発光表
示装置を得ることができるので、自動化工程において位
置ずれや中心軸ずれが多少あっても機械的強度に強く、
電気的接続も安定化ならしめた発光表示装置を得るもの
である。機能素子の埋設穴は、機能素子が総て挿入され
る深さが好適だが、機能素子の一部が挿入される深さで
も、穴が設けられることにより機能素子の位置が決定さ
れるため、自動化工程において顕著な効果を有する。
〔発明の実施例〕
次に、この発明の発光表示装置の実施例を第３図を参照
して具体的に説明する。
２本のリード３１．３２は絶縁性材料、例えばグラスチ
ックからなるステムに夫々絶縁して植設される。一方の
リード３ノの先端はヘッディング加工されている。ヘッ
ディング加工は、例えば先端に径大部３３を設け、この
径大部３３に発光・素子、例えば発光ダイオードからの
発光を集束する四面鏡を形成する断面四状反射部３４を
形成する。この反射部３４は、リード３１の材質によっ
ては溝加工されているだけで充分であり、必要に応じて
は反射面加工が必要である。例えばアルミコーティング
である。この反射部３４には、さらに機能素子、例えば
半導体整流素子を収納する埋設穴３５が形成されている
。この穴３５の形状は、半導体整流素子の外形に応じて
選択されると好適だが、必ずしもその必要はない。さら
に、埋設穴３５の深さは、半導体整流素子の陽極と陰極
との間の長さに等しくしても良いし、浅く整流素子の位
置決めされる深さでもよいし、半導体整流素子の全てが
収納される深さなど、適宜選択が可能である。このよう
に、ヘッディング加工されたり一ド３１を有することが
この発明の１つの特徴である。
次に、このリード３１の前記埋設穴３５内には、機能素
子である半導体整流素子の陽極側が底部になるように整
流素子３６が収納される。
この収納に際しては、導電性ペーストなどでリード３ノ
に固着すると共に電気的に接続する。
この電気的接続手段は圧着でもよい。このように収納し
た半導体整流素子３６上に発光素子、例えば発光ダイオ
ード３７の＠極側を整流素子３６と接触するように、導
電性ペースト３８によりリード３ノと電気的に絶縁して
固着する。
このように固着された発光ダイオード３７の陰極側をリ
ード３２に金ワイヤ３９によりワイヤポンディングして
マウントを終了する。このマウント工程の後、外囲器を
樹脂、例えば光透過性樹脂であるエポキシ樹脂４０でモ
ールドして発光表示装置を構成する。
このように構成すると、機能素子である整流素子３６は
外部から見えず、従来の発光素子のＬＥＤラングのみの
構造と外見上一致し、最もコンミ４クトに形成できる。
また、整流素子３６は埋設穴３５内に収納される構造な
ので、整流素子３６の位置は埋設穴３５によって決定さ
れ、自動マウント工程において顕著な効果がある。
特に、第３図では、整流素子３６がすっぽり埋設穴３５
内に収納されるので、発光素子３７からの発光は反射鏡
の集束効果を充分利用できる効果がある。また、機能素
子として整流素子の他に抵抗素子を用いる場合にも適用
することができる。
〔発明の効果〕
以上説明したようにこの発明によれば、反射部に埋設穴
を設け、この埋設穴に機能素子を固着し、固着した機能
素子上に発光素子を取着した構造を得ることができるの
で、自動マウント工程が容易となり、歩留り向上に顕著
な効果を有する。
【図面の簡単な説明】
第１図および第２図は従来の発光表示装置を説明するた
めの断面図、第３図はこの発明の発光表示装置の実施例
を説明するための断面図である。 ３１．３２・・・リード、３３川リ一ド径大部、３４・
・・反射部、３５・・・機能素子埋設穴、３６・・・整
流素子、３７・・・発光ダイオード、３８・・・導電性
イイント、３９・・・ワイヤ、４ｏ・・・エポキシ樹脂
。 出願人代理人　　弁理士　鈴　江　武　彦３５５

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）端部に径大部を有する第１のリードと、このリー
    ドの前記径大部に設けられた反射面と、この反射面に設
    けられた機能素子を収納する埋設穴と、この埋設穴に挿
    入された機能素子と、この機能素子上に設けられた発光
    素子と、この発光素子の他の電極から電気的に接続され
    た第２のリードとを具備してなることを特徴とする発光
    表示装置。
  2. （２）径大部には断面凹状反射部が形成されていること
    を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の発光表示装置
    。
  3. （３）埋設穴の深さは機能素子の陽極と陰極との間の長
    さである特許請求の範囲第１項記載の発光表示装置。
  4. （４）埋設穴には機能素子の何れか１つの電極が底部に
    なるように機能素子を設けるものであることを特徴とす
    る特許請求の範囲第１項記載の発光表示装置。
JP57232943A 1982-12-24 1982-12-24 発光表示装置 Pending JPS59119777A (ja)

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JP57232943A JPS59119777A (ja) 1982-12-24 1982-12-24 発光表示装置

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JPS59119777A true JPS59119777A (ja) 1984-07-11

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6298783A (ja) * 1985-10-25 1987-05-08 Toshiba Corp 発光ダイオ−ド
JPH0496490U (ja) * 1991-01-30 1992-08-20
US5298768A (en) * 1992-02-14 1994-03-29 Sharp Kabushiki Kaisha Leadless chip-type light emitting element

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6298783A (ja) * 1985-10-25 1987-05-08 Toshiba Corp 発光ダイオ−ド
JPH0496490U (ja) * 1991-01-30 1992-08-20
US5298768A (en) * 1992-02-14 1994-03-29 Sharp Kabushiki Kaisha Leadless chip-type light emitting element

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