JPS59117112A - 不純物拡散方法およびその装置 - Google Patents
不純物拡散方法およびその装置Info
- Publication number
- JPS59117112A JPS59117112A JP22615082A JP22615082A JPS59117112A JP S59117112 A JPS59117112 A JP S59117112A JP 22615082 A JP22615082 A JP 22615082A JP 22615082 A JP22615082 A JP 22615082A JP S59117112 A JPS59117112 A JP S59117112A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- impurity
- semiconductor
- laser beam
- wafer
- domain
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000012535 impurity Substances 0.000 title claims abstract description 35
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 title abstract 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 26
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 20
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 15
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 5
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 abstract description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 17
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000004397 blinking Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の素子特性を作り出す不純物拡散方
法や、これに類似する処理を行なう方法とその装置に関
する。
法や、これに類似する処理を行なう方法とその装置に関
する。
周知のように、半導体装置の半導体素子特性を生み出す
方法として、半導体ウニ・・内に不純物を拡散する方法
がある。現在この方法としては、半導体ウエノ・表面に
不純物を形成し、熱拡散炉に入れ、熱拡散する方法や、
不純物をイオン化し、加速エネルギーを与え、半導体ウ
ェハに機械的に打込むイオン打込み方法が主流を占めて
いる。
方法として、半導体ウニ・・内に不純物を拡散する方法
がある。現在この方法としては、半導体ウエノ・表面に
不純物を形成し、熱拡散炉に入れ、熱拡散する方法や、
不純物をイオン化し、加速エネルギーを与え、半導体ウ
ェハに機械的に打込むイオン打込み方法が主流を占めて
いる。
しかし、前述の方法には種々の問題がある。例えば熱拡
散方法では、ウェハ全体を加熱するため、拡散時間が長
く、かつ半導体装置製造特有の工程数が複数回繰り返え
されるだめ、拡散精度が悪くなる。又、イオン打込みに
よる方法では、機械的に不純物を打込むため、半導体ウ
ェハにダメージを与え、半導体ウェハのアニーリング処
理を必要とする。
散方法では、ウェハ全体を加熱するため、拡散時間が長
く、かつ半導体装置製造特有の工程数が複数回繰り返え
されるだめ、拡散精度が悪くなる。又、イオン打込みに
よる方法では、機械的に不純物を打込むため、半導体ウ
ェハにダメージを与え、半導体ウェハのアニーリング処
理を必要とする。
本発明の目的は、これらの問題点を解決することにあり
、半導体ウェハにダメージを与えることなく、高精度か
つ短時間に不純物拡散をする方法並びにその装置を提供
することにある。
、半導体ウェハにダメージを与えることなく、高精度か
つ短時間に不純物拡散をする方法並びにその装置を提供
することにある。
このような目的を達成するために、本発明は不純物拡散
すべき半導体の一部分にレーザ光等のような高密度エネ
ルギーを照射し、その部分を超高温領域として不純物拡
散させるものである。
すべき半導体の一部分にレーザ光等のような高密度エネ
ルギーを照射し、その部分を超高温領域として不純物拡
散させるものである。
以下実施例により、本発明を説明する。図面は本発明の
一実施例による不純物拡散装置の要部を示す断面図であ
る。半導体素子特性を得るための半導体ウェハｌ上はそ
の上面に拡散すべき不純物層２が形成されており、この
ウェハ１はステージ３上に載せられ、処理室４内にセン
トされている。
一実施例による不純物拡散装置の要部を示す断面図であ
る。半導体素子特性を得るための半導体ウェハｌ上はそ
の上面に拡散すべき不純物層２が形成されており、この
ウェハ１はステージ３上に載せられ、処理室４内にセン
トされている。
処理室４の天窓８からはレーザ発生源５から発振された
レーザ光６が処理室４内に照射され、半導体ウェハ１上
で高温スポット領域７を形成している。この高温スポッ
ト領域７の大きさは、レーザ光スポット径の調整、ある
いはステージ３の前後。
レーザ光６が処理室４内に照射され、半導体ウェハ１上
で高温スポット領域７を形成している。この高温スポッ
ト領域７の大きさは、レーザ光スポット径の調整、ある
いはステージ３の前後。
左右２回転動によって調整可能であり、半導体ウェハ１
上を任意に選ぶことができる。また、前記ステージ３は
走査可能となっている。このため、ステージ３の走査調
整と、レーザ光の点滅とによって半導体ウェハ１の任意
の箇所のレーザ光照射が可能である。
上を任意に選ぶことができる。また、前記ステージ３は
走査可能となっている。このため、ステージ３の走査調
整と、レーザ光の点滅とによって半導体ウェハ１の任意
の箇所のレーザ光照射が可能である。
次に本発明装置により、半導体ウェハ１に不純物を拡散
する方法について説明する。拡散すべき、不純物層２を
上面に形成した半導体ウエノ・１において、半導体ウェ
ハ１の拡散を必要とする領域に、レーザ発生源５から発
振されだレーザ光６を照射し、高温スポット領域７をつ
くり、不純物２を液相にした状態でウェハ１の表層部に
熱拡散させる。
する方法について説明する。拡散すべき、不純物層２を
上面に形成した半導体ウエノ・１において、半導体ウェ
ハ１の拡散を必要とする領域に、レーザ発生源５から発
振されだレーザ光６を照射し、高温スポット領域７をつ
くり、不純物２を液相にした状態でウェハ１の表層部に
熱拡散させる。
高温スポット領域７の太きさはレーザ光６のスポット径
を調整するか、ステージ３を可動させることによシ、任
意に調整出来る。このことにより、不純物拡散面積の制
御が可能となる。一方拡散深さはレーザ光６の照射強度
、照射時間の調整により制御可能である。
を調整するか、ステージ３を可動させることによシ、任
意に調整出来る。このことにより、不純物拡散面積の制
御が可能となる。一方拡散深さはレーザ光６の照射強度
、照射時間の調整により制御可能である。
以上のように、本発明の拡散方法はレーザ光照射による
高温領域のみに不純物拡散をさせることが可能になり、
不純物拡散精度向上が可能となる。
高温領域のみに不純物拡散をさせることが可能になり、
不純物拡散精度向上が可能となる。
同時にレーザ光の出力を調整することによシ、高温領域
の温度制御が可能となシ、拡散温度■拡散速度の関係よ
シ、短時間で不純物拡散させることが可能となる。一方
、イオン打込み方法に比較して、本発明は熱拡散法の一
種であるから、ウエノ・に与えるダメージは少ない。
の温度制御が可能となシ、拡散温度■拡散速度の関係よ
シ、短時間で不純物拡散させることが可能となる。一方
、イオン打込み方法に比較して、本発明は熱拡散法の一
種であるから、ウエノ・に与えるダメージは少ない。
このように、本発明によれば、高精度、高品質。
高速処理が可能な不純物拡散処理方法の実現が可能とな
る。
る。
本発明は本実施例に限定されることなく、不純物として
、ガス状不純物でも可能である。
、ガス状不純物でも可能である。
また、本発明は不純物拡散処理に限定されること々く、
熱反応を伴なう部分的な熱反応処理方法、例えば気相成
長法、ドライエツチング方法等にも適用可能である。
熱反応を伴なう部分的な熱反応処理方法、例えば気相成
長法、ドライエツチング方法等にも適用可能である。
図面は本発明の一実施例による不純物拡散装置の要部を
示す断面図である。 １ ・半導体ウェハ、２・・・不純物層、３・・・ステ
ージ、４・・処理室、５・・レーザ発生源、６・・・レ
ーザ光、７・・高温スポット領域。
示す断面図である。 １ ・半導体ウェハ、２・・・不純物層、３・・・ステ
ージ、４・・処理室、５・・レーザ発生源、６・・・レ
ーザ光、７・・高温スポット領域。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体の一部分に所定不純物を拡散する不純物拡散
方法において、上記部分にレーザ光を照射させて半導体
に上記不純物を拡散させることを特徴とする不純物拡散
方法。 ２、半導体が保持される走査構造のステージと。 ステージ上の半導体にレーザ光を照射するレーザ発生源
と、を有することを特徴とする不純物拡散装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22615082A JPS59117112A (ja) | 1982-12-24 | 1982-12-24 | 不純物拡散方法およびその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22615082A JPS59117112A (ja) | 1982-12-24 | 1982-12-24 | 不純物拡散方法およびその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59117112A true JPS59117112A (ja) | 1984-07-06 |
Family
ID=16840637
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22615082A Pending JPS59117112A (ja) | 1982-12-24 | 1982-12-24 | 不純物拡散方法およびその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59117112A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01259530A (ja) * | 1988-04-11 | 1989-10-17 | Tokyo Electron Ltd | 被処理体の処理装置 |
-
1982
- 1982-12-24 JP JP22615082A patent/JPS59117112A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01259530A (ja) * | 1988-04-11 | 1989-10-17 | Tokyo Electron Ltd | 被処理体の処理装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8067302B2 (en) | Defect-free junction formation using laser melt annealing of octadecaborane self-amorphizing implants | |
| US6232207B1 (en) | Doping process for producing homojunctions in semiconductor substrates | |
| WO2005106939A1 (en) | Apparatus and methods for junction formation using optical illumination | |
| US7643736B2 (en) | Apparatus and method for manufacturing semiconductor devices | |
| US4257825A (en) | Method of manufacturing semiconductor devices having improvements in device reliability by thermally treating selectively implanted test figures in wafers | |
| JPS63166219A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH03266424A (ja) | 半導体基板のアニール方法 | |
| JP3669384B2 (ja) | 半導体基板中へのドーピング層の形成方法 | |
| JPH04167985A (ja) | ウェハの割断方法 | |
| JPS59117112A (ja) | 不純物拡散方法およびその装置 | |
| KR20010040444A (ko) | 이온 주입된 실리콘의 급속 열 처리(ｒｔｐ) 방법 | |
| JPS55150239A (en) | Heat treating method | |
| JPS60239400A (ja) | 化合物半導体のアニ−ル法 | |
| US8815719B2 (en) | Defect-free junction formation using octadecaborane self-amorphizing implants | |
| JP2002175772A (ja) | イオン注入装置およびイオン注入方法 | |
| JPH05206053A (ja) | 結晶損傷除去装置 | |
| JP2020181849A (ja) | 半導体装置の製造方法、及び、イオン注入装置 | |
| JPS62271420A (ja) | 半導体基体の処理装置 | |
| JPH0210569B2 (ja) | ||
| JPS6132419A (ja) | 赤外線アニ−ル方法 | |
| JPH04354121A (ja) | 急速加熱装置 | |
| JPS595633A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2006066686A (ja) | 不純物導入方法および不純物導入装置 | |
| JPS60216541A (ja) | 半導体基板への不純物導入方法 | |
| JPS5759317A (en) | Manufacture of semiconductor device |