JPS59112613A - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
- Publication number
- JPS59112613A JPS59112613A JP57222359A JP22235982A JPS59112613A JP S59112613 A JPS59112613 A JP S59112613A JP 57222359 A JP57222359 A JP 57222359A JP 22235982 A JP22235982 A JP 22235982A JP S59112613 A JPS59112613 A JP S59112613A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- plate
- gas supply
- reaction
- transparent
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- Pending
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Classifications
-
- H10P14/2905—
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
- C23C16/481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation by radiant heating of the substrate
-
- H10P14/24—
-
- H10P14/3411—
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、侍に半導体工業で利用される気相エピタキシ
ャル成長装置等の気相成長装置に関する。
ャル成長装置等の気相成長装置に関する。
従来ρりの構成とその間、頂点
半導体工業１ておいては、シリコン基板上に反応カスを
供給して、その基板表面に反応物の膜を形成する工程か
ある。特にシリコン単結晶基板を通常１０００℃以上の
適当な温度に加熱しておき、シクロール−ラン、又はモ
ノンランと水素との混合ガスを供給することによって、
シリコン単結晶膜が形成できエピタキシャル成長と呼ば
れている。
供給して、その基板表面に反応物の膜を形成する工程か
ある。特にシリコン単結晶基板を通常１０００℃以上の
適当な温度に加熱しておき、シクロール−ラン、又はモ
ノンランと水素との混合ガスを供給することによって、
シリコン単結晶膜が形成できエピタキシャル成長と呼ば
れている。
こうして得られる膜の特許として、近年オートドーピン
グの低減と、スリップ等の結晶欠陥の低減とが強く要望
されており、これに答えるエピタキシャル成長方式とし
て赤外線ランプ加熱と減圧成長方式とがある。これらの
方式を採用した従来の装置を第１図に示す。この装置は
、透明石英チャンバ１と、シリコン基板２２載置する基
台３と、透明石英チャンバ１の外にあって、基台３に対
面して設置されている赤外線ランプユニット４と、ガス
供給ノズル５と、排気口６とから構成されている。この
排気口６（ｌ−ｊ：図示していない真空排気装置に接続
されている。赤外線ランプユニット４から出た赤外光は
、透明石英チャンバ１を透過して基台３に載置されたシ
リコン基板２を照則し、これを１００Ｑ℃以上の温度に
加熱する。この時ガス供給ノズル６より水素中に所定の
濃度で混合されたンクロールシラン等の反応ガスを供給
することにより、これが排気口６に同かって流れる間に
反応ガスが分解析出し、ンリコン基板２上に膜が形成さ
れる。このようＡ赤外線ランプ加熱手段を採用した装置
は、減圧エピタキシャル成長が可能であること、更にシ
リコン基板を直接表面加熱できること等の特徴があるが
、透明石英チャンバ１自体がこれを透過していく赤外線
の一部を吸収するために、このチャンバ１自身が徐々に
昇温し、反応ガスがこれに触れることによってこのチャ
ツバ１の壁面にもシリコン結晶が堆積し易いという欠点
を付している。一旦チャンバ１の壁面にシリコン結晶が
付着し始めると、光の透過率が損なわれ吸収光が増大し
、昇温か早くなって加速度的にチャンバ１への付着が増
加していくこととなり、史にチャンバ１自体が加熱され
て強度が低下し、内部を水素を主体としたガスが流れる
容器としては極めて）６険な状態となる。このような問
題点を低減するために、透明石英チャンバ１と赤外線ラ
ンプユニット４との、Ｈ］を空冷する強力な冷却手段を
別途装σＩＨすることを余儀なくされており、かつ内部
の基台３を取り外した上で透明石英チャンバ１を外し、
これを洗浄乾燥した上で再組立し、リークチェックをす
るという保守作業を頻繁に行なうことが必要となってい
る。
グの低減と、スリップ等の結晶欠陥の低減とが強く要望
されており、これに答えるエピタキシャル成長方式とし
て赤外線ランプ加熱と減圧成長方式とがある。これらの
方式を採用した従来の装置を第１図に示す。この装置は
、透明石英チャンバ１と、シリコン基板２２載置する基
台３と、透明石英チャンバ１の外にあって、基台３に対
面して設置されている赤外線ランプユニット４と、ガス
供給ノズル５と、排気口６とから構成されている。この
排気口６（ｌ−ｊ：図示していない真空排気装置に接続
されている。赤外線ランプユニット４から出た赤外光は
、透明石英チャンバ１を透過して基台３に載置されたシ
リコン基板２を照則し、これを１００Ｑ℃以上の温度に
加熱する。この時ガス供給ノズル６より水素中に所定の
濃度で混合されたンクロールシラン等の反応ガスを供給
することにより、これが排気口６に同かって流れる間に
反応ガスが分解析出し、ンリコン基板２上に膜が形成さ
れる。このようＡ赤外線ランプ加熱手段を採用した装置
は、減圧エピタキシャル成長が可能であること、更にシ
リコン基板を直接表面加熱できること等の特徴があるが
、透明石英チャンバ１自体がこれを透過していく赤外線
の一部を吸収するために、このチャンバ１自身が徐々に
昇温し、反応ガスがこれに触れることによってこのチャ
ツバ１の壁面にもシリコン結晶が堆積し易いという欠点
を付している。一旦チャンバ１の壁面にシリコン結晶が
付着し始めると、光の透過率が損なわれ吸収光が増大し
、昇温か早くなって加速度的にチャンバ１への付着が増
加していくこととなり、史にチャンバ１自体が加熱され
て強度が低下し、内部を水素を主体としたガスが流れる
容器としては極めて）６険な状態となる。このような問
題点を低減するために、透明石英チャンバ１と赤外線ラ
ンプユニット４との、Ｈ］を空冷する強力な冷却手段を
別途装σＩＨすることを余儀なくされており、かつ内部
の基台３を取り外した上で透明石英チャンバ１を外し、
これを洗浄乾燥した上で再組立し、リークチェックをす
るという保守作業を頻繁に行なうことが必要となってい
る。
発明の目的
本発明は上記従来の欠点を解消するもので、赤外線ラン
プ加熱方式を採用し、かつ反応室壁面への反応生成物の
付着のない気相成長装置を提供することを１」的として
いる。
プ加熱方式を採用し、かつ反応室壁面への反応生成物の
付着のない気相成長装置を提供することを１」的として
いる。
発明の構成
本発明の気相成長装置は、キャリヤガス供給管と反応ガ
スを含む混合ガス供給管の少くとも二系統の供給管を有
するガス供給装置と、シリコン基板を載置する基台と、
これらのシリコン基板および基台を加熱する光輻射加熱
手段と、混合ガス供給口、ガス排出口、更に上記キャリ
ヤガス供給管に連結されたキャリヤガス供給口を備え、
内部に上記基台か設置される反応室から構成され、この
反応室を形成する壁面部材において、少くとも上記光輻
射加熱手段と基台とに狭まれた部分が輻射光を透過する
透明プレートより構成されており、更に、反応室内にお
いてこの透明プレートに近接してこれに平行に中間透明
プレートが設置されており、上記キャリヤガス供給口か
ら導入されたキャリヤガスが前記透明プレートと中間透
明プレートとの問おまひ中間プレートの下面に沿って噴
出するように形成されている。従って、反応室壁面の一
部を形成する透明プレートにはキトリヤガスか接ｊ強す
るのみで、反応ガスが触れることかなく反応生成物の付
着が生ずることはなく、強度が充分に維持できる。文中
間プレートーＦ面への生成物の付着も極度に抑えること
ができると伴にこの着脱は容易であって保守作業が大幅
に低減できるものである。
スを含む混合ガス供給管の少くとも二系統の供給管を有
するガス供給装置と、シリコン基板を載置する基台と、
これらのシリコン基板および基台を加熱する光輻射加熱
手段と、混合ガス供給口、ガス排出口、更に上記キャリ
ヤガス供給管に連結されたキャリヤガス供給口を備え、
内部に上記基台か設置される反応室から構成され、この
反応室を形成する壁面部材において、少くとも上記光輻
射加熱手段と基台とに狭まれた部分が輻射光を透過する
透明プレートより構成されており、更に、反応室内にお
いてこの透明プレートに近接してこれに平行に中間透明
プレートが設置されており、上記キャリヤガス供給口か
ら導入されたキャリヤガスが前記透明プレートと中間透
明プレートとの問おまひ中間プレートの下面に沿って噴
出するように形成されている。従って、反応室壁面の一
部を形成する透明プレートにはキトリヤガスか接ｊ強す
るのみで、反応ガスが触れることかなく反応生成物の付
着が生ずることはなく、強度が充分に維持できる。文中
間プレートーＦ面への生成物の付着も極度に抑えること
ができると伴にこの着脱は容易であって保守作業が大幅
に低減できるものである。
実施例の説明
以下に本発明の実施例を図面を参照して説明する。第２
図は、本発明の一実施例を具現化した装置における反応
室の断面図であり、反応室７ば、内部に水冷溝８が施さ
れたステンレス等の耐熱耐食性金属より成る壁面部材９
と、上部ヒータブロック１０とから構成されている。こ
の上部ヒータブロック１０には、内部に赤外線ランプヒ
ータユ 、ニット１１が設置されており、更にこの赤
外線ランプヒータユニット１１に近接した位置に透明石
英プレート１２が○リング等の既知のガスシール手段を
介して２固定具１３により固定されている。
図は、本発明の一実施例を具現化した装置における反応
室の断面図であり、反応室７ば、内部に水冷溝８が施さ
れたステンレス等の耐熱耐食性金属より成る壁面部材９
と、上部ヒータブロック１０とから構成されている。こ
の上部ヒータブロック１０には、内部に赤外線ランプヒ
ータユ 、ニット１１が設置されており、更にこの赤
外線ランプヒータユニット１１に近接した位置に透明石
英プレート１２が○リング等の既知のガスシール手段を
介して２固定具１３により固定されている。
これら上部ヒータブロック１０は、○リンク等の既知の
ガスンール手段を介して壁面部材９の土面に締結されて
いる。反応室７の内部には、シリコン基板１４を載置す
るＳｉＣでコーティングされたカーボンより成る基台１
５（以下サセプタと呼ぶ）が透明石英プレート１２を挾
んで赤外線ランプヒータユニット１１に対面した位置に
設置されている。第３図はこの反応室の外観図を示して
いる。図より明らかなように、前部壁面部材には開閉扉
１６を具１ｉｆｆｆ した開口１７が設けられており、
この開口１７を通してシリコン基板１４が出し入れされ
る。更に反応室７には、第２図より明らかなように、一
端にガス供給装置（図示せず）から伸びたガス供給管１
８が結合されたガス供給口１９と他端に排気管２０が結
合されている排気口２１が備えられている。これらのガ
ス供給口１９．および排気口２１付近の壁面部材９は、
それぞれ内部形状がテーパ状に形成されており、従って
ガス供給口１９から導入されたガスは、テーパ形状に沿
って徐々に広がっていき、反応室中央部では全体を満た
しながら流れ排気側ではテーパ状の絞りによって徐々に
Ｎ流となって淀みなく流れていくこととなる。
ガスンール手段を介して壁面部材９の土面に締結されて
いる。反応室７の内部には、シリコン基板１４を載置す
るＳｉＣでコーティングされたカーボンより成る基台１
５（以下サセプタと呼ぶ）が透明石英プレート１２を挾
んで赤外線ランプヒータユニット１１に対面した位置に
設置されている。第３図はこの反応室の外観図を示して
いる。図より明らかなように、前部壁面部材には開閉扉
１６を具１ｉｆｆｆ した開口１７が設けられており、
この開口１７を通してシリコン基板１４が出し入れされ
る。更に反応室７には、第２図より明らかなように、一
端にガス供給装置（図示せず）から伸びたガス供給管１
８が結合されたガス供給口１９と他端に排気管２０が結
合されている排気口２１が備えられている。これらのガ
ス供給口１９．および排気口２１付近の壁面部材９は、
それぞれ内部形状がテーパ状に形成されており、従って
ガス供給口１９から導入されたガスは、テーパ形状に沿
って徐々に広がっていき、反応室中央部では全体を満た
しながら流れ排気側ではテーパ状の絞りによって徐々に
Ｎ流となって淀みなく流れていくこととなる。
壁面部材９の上部にはガス供給口１９側、および排気口
２１側にそれぞれプレート受は部２２゜２３が設けられ
ており、これらのプレート受は部２２．２３の間に第３
図で示しているような透明石英で形成されたＨ形グレー
ト２４か、透明石英グレート１２と平行に載置されてい
る。上記プレート受は部２２．２３はそれぞれ上部ヒー
タブロック１Ｑの下部との間に局部ガス室２５．２６を
構成するようになっている。ガス供給［」１９側の局部
ガス室２５ば、ガス供給装置（図示せず）から伸びたキ
ャリヤガス供給管２７が結合されたキャリヤガス供給口
２８か連絡されており、又排気口２１側の局部ガス室２
６は排気（」２１側の壁面部材テーパ部に開口するガス
流路２９を有している。
２１側にそれぞれプレート受は部２２゜２３が設けられ
ており、これらのプレート受は部２２．２３の間に第３
図で示しているような透明石英で形成されたＨ形グレー
ト２４か、透明石英グレート１２と平行に載置されてい
る。上記プレート受は部２２．２３はそれぞれ上部ヒー
タブロック１Ｑの下部との間に局部ガス室２５．２６を
構成するようになっている。ガス供給［」１９側の局部
ガス室２５ば、ガス供給装置（図示せず）から伸びたキ
ャリヤガス供給管２７が結合されたキャリヤガス供給口
２８か連絡されており、又排気口２１側の局部ガス室２
６は排気（」２１側の壁面部材テーパ部に開口するガス
流路２９を有している。
本実施例の装置における反応室は以上のような構造であ
り、エビタキンヤル成長時には、赤外線ランプヒータユ
ニット１１から放射される熱線は、透明石英プレート１
２、およびＨ形プレート２４を透過してサセプタ１５、
およびこれに載置されている。シリコン基板１４を照射
し、これを所定温度に加熱する。この時ガス供給口１９
を曲してジクロールシラン等のソースガスおよびホスフ
ィン等のＦ〜ピングガスを適当な濃度で含有した水素ヘ
ースの混合ガスを供給することによって、この混合ガス
は排気口２１に向かって流れ、この間に所定温度に加熱
されているシリコン基板１４、およびサセプタ１６に接
したガス相から反応ガスが分解析出し、シリコン基板１
４上にエビタキンヤル成長膜が形成される。
り、エビタキンヤル成長時には、赤外線ランプヒータユ
ニット１１から放射される熱線は、透明石英プレート１
２、およびＨ形プレート２４を透過してサセプタ１５、
およびこれに載置されている。シリコン基板１４を照射
し、これを所定温度に加熱する。この時ガス供給口１９
を曲してジクロールシラン等のソースガスおよびホスフ
ィン等のＦ〜ピングガスを適当な濃度で含有した水素ヘ
ースの混合ガスを供給することによって、この混合ガス
は排気口２１に向かって流れ、この間に所定温度に加熱
されているシリコン基板１４、およびサセプタ１６に接
したガス相から反応ガスが分解析出し、シリコン基板１
４上にエビタキンヤル成長膜が形成される。
この時同時に、キャリヤガス供給口２８を通して非反応
ガスとしての水素ガスのみを供給する。
ガスとしての水素ガスのみを供給する。
この水素ガスは局部ガス室２５で幅方向に広げられ、こ
こからＨ形プレート２４の上下面に沿って流れ出ること
となる。上面に沿う流れは、透明石英プレート１２とＨ
形プレート２４との間の空間を満たして、局部ガス室２
６およびガス流路２９を通って排気口２１へ流れていく
。従って、ガス供給１」１９から導入される反応ガスを
含む混合ガスがこの空間に入り込むことかないので、透
明石英プレート１２の下面、およびＨ形プレート２４の
上面には反応生成物が付着することはない。従って反応
室壁面の一部を構成している透明石英プレート１２は、
従来装置のような反応生成物の付着に起因する異常過熱
を生することがなく、強度を充分に維持することかでき
る。
こからＨ形プレート２４の上下面に沿って流れ出ること
となる。上面に沿う流れは、透明石英プレート１２とＨ
形プレート２４との間の空間を満たして、局部ガス室２
６およびガス流路２９を通って排気口２１へ流れていく
。従って、ガス供給１」１９から導入される反応ガスを
含む混合ガスがこの空間に入り込むことかないので、透
明石英プレート１２の下面、およびＨ形プレート２４の
上面には反応生成物が付着することはない。従って反応
室壁面の一部を構成している透明石英プレート１２は、
従来装置のような反応生成物の付着に起因する異常過熱
を生することがなく、強度を充分に維持することかでき
る。
更に、Ｈ形プレート２４の下面と、プレート受は部２２
の上面との間には、Ｈプレート２４両端の垂直辺によっ
て狭い隙間が形成され、局部カス室２５に供給された水
素ガスは、この隙間を通してＨ形プレート２４の下面に
沿って流れ出ることとなる。従って、Ｈ形プレート２４
の下面にも水素ガスのみから成る非反応カス膜が形成さ
れ、ガス供給口１９から導入される反応ガスを含む混合
ガスが、Ｈ形プレート２４下面に接触することが抑えら
れ、反応生成物の付着が生ずることが抑制される。但し
流れ方向の下流側においては、反応ガスの水素ガス中の
拡散によって反応ガスがＨ形プレート２４−ド面に接触
する可能性かあるが、この時濃度は充分に希７沢されて
おり、生成物の付着速度は極めて遅くなっているために
、従来の（沃な頻繁な保守作業は犬１原に低減されてい
る。又洗浄作業はプレート受は部２２’、２３に単に載
せている着脱容易なＨ形プレート２４のみを行なえばよ
く作業も非常に頭単に行なえる。
の上面との間には、Ｈプレート２４両端の垂直辺によっ
て狭い隙間が形成され、局部カス室２５に供給された水
素ガスは、この隙間を通してＨ形プレート２４の下面に
沿って流れ出ることとなる。従って、Ｈ形プレート２４
の下面にも水素ガスのみから成る非反応カス膜が形成さ
れ、ガス供給口１９から導入される反応ガスを含む混合
ガスが、Ｈ形プレート２４下面に接触することが抑えら
れ、反応生成物の付着が生ずることが抑制される。但し
流れ方向の下流側においては、反応ガスの水素ガス中の
拡散によって反応ガスがＨ形プレート２４−ド面に接触
する可能性かあるが、この時濃度は充分に希７沢されて
おり、生成物の付着速度は極めて遅くなっているために
、従来の（沃な頻繁な保守作業は犬１原に低減されてい
る。又洗浄作業はプレート受は部２２’、２３に単に載
せている着脱容易なＨ形プレート２４のみを行なえばよ
く作業も非常に頭単に行なえる。
なお本実施例では、中間の透明石英プレートをＨ形とし
たが、これを平板としこのプレート受は部に隙間を形成
するような段差を与えて構成することもｔｉｆ能である
。又、反応室形状については壁面部イオの拐“剪・形状
等に種々の言及をしたか、これらに限定されるものでな
いことは明らかである。
たが、これを平板としこのプレート受は部に隙間を形成
するような段差を与えて構成することもｔｉｆ能である
。又、反応室形状については壁面部イオの拐“剪・形状
等に種々の言及をしたか、これらに限定されるものでな
いことは明らかである。
史に、本発明はエピタキシャル成長への適用に限らず、
膜形成を必要とする各種装置に適用が可能である。
膜形成を必要とする各種装置に適用が可能である。
発明の効果
り、上のように、本発明は反応室の一部を構成する透明
石英プレーｉ・の内面に更に中間透明石英プレートを設
け、これらの間および中間透明石英プレートの下面に沿
って反応ガスを含む混合カスとは別のキャリヤガスのみ
を噴出するようにすることによって、反応ガスがこれら
の透明石英グレートに接触することを抑えており、輻射
光の透過度が不変で透明石英プレートが過熱されること
がなく、強度の維接、安全性の維持に大きな効果がある
。文中間透明石英プレート下面については、ガス流れ方
向下流側で極めて徐々に反応生成物の付着のｉｉＪ能性
があるが、このプレートが着脱容易に設置されており、
簡単な形状でもあるので、保守作業は従来に比し犬１ｐ
Ｍに低減される。
石英プレーｉ・の内面に更に中間透明石英プレートを設
け、これらの間および中間透明石英プレートの下面に沿
って反応ガスを含む混合カスとは別のキャリヤガスのみ
を噴出するようにすることによって、反応ガスがこれら
の透明石英グレートに接触することを抑えており、輻射
光の透過度が不変で透明石英プレートが過熱されること
がなく、強度の維接、安全性の維持に大きな効果がある
。文中間透明石英プレート下面については、ガス流れ方
向下流側で極めて徐々に反応生成物の付着のｉｉＪ能性
があるが、このプレートが着脱容易に設置されており、
簡単な形状でもあるので、保守作業は従来に比し犬１ｐ
Ｍに低減される。
第１図は従来のエピタキシャル成長装置の断面図、第２
図は本発明の一実施例における気相成長装置蓋の反応室
の断面図、第３図は同装置の斜視図、第４図は中間透明
石英プレー川・の斜視図である。 ７・・・・反応室、９・・・・・・壁面部材、１１・・
・・赤外線ランプヒータユニット、１２・・・・透明石
英クレート、１４ ・・・シリコン基板、１５・・・・
・丈セグタ、２４・・・・・Ｈ形プレート。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第 ２ 図 第３図 （０ 第４図 ５５−
図は本発明の一実施例における気相成長装置蓋の反応室
の断面図、第３図は同装置の斜視図、第４図は中間透明
石英プレー川・の斜視図である。 ７・・・・反応室、９・・・・・・壁面部材、１１・・
・・赤外線ランプヒータユニット、１２・・・・透明石
英クレート、１４ ・・・シリコン基板、１５・・・・
・丈セグタ、２４・・・・・Ｈ形プレート。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第 ２ 図 第３図 （０ 第４図 ５５−
Claims (1)
- キャリヤガスを供給するキャリヤガス供給管および反応
カスあるいは反応ガスとキャリヤガスとの混合ガスを供
給する混合ガス供給管との少なくとも二系統の供給管を
有するガス供給手段と、気相成長υ莫を形成する基板を
載置する基台と、前記基板および塙台を加熱する光輻射
加熱手段と、外気を遮断し、前記ガス供給手段より供給
されるガス雰囲気を形成するための壁面部材おまひ上記
基台と光輻射加熱手段との間に設けられ、輻射光を透過
する相貫より成る透明グレートから構成され、前記基台
が内部に設置される反応室と、この反応室の一端（・で
設けられ、がＪ記混合ガス供給管と連結された第１のガ
ス供給口と、上記反応室の他端に設けられ排気管に連結
され反応室内のガスを排気する排気口と、 ７ｉｉ記反
応室に設けられ、前記透明プレートと近接して平行に設
置され、輻射光を透過する材質より成る中間透明プレー
トと、０り記キャリヤガス供給管に連結され、キャリヤ
ガス供給管を通して導入されたキャリヤガスをＡｉＬｔ
Ｅ透明プレートと中間透明プレートとの間およびこの中
間プレートの下面に沿って１噴出するようになされた第
２のガス供給口とから成る気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57222359A JPS59112613A (ja) | 1982-12-17 | 1982-12-17 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57222359A JPS59112613A (ja) | 1982-12-17 | 1982-12-17 | 気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59112613A true JPS59112613A (ja) | 1984-06-29 |
Family
ID=16781103
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57222359A Pending JPS59112613A (ja) | 1982-12-17 | 1982-12-17 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59112613A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1991003075A1 (en) * | 1989-08-21 | 1991-03-07 | Fsi International, Inc. | Gas substrate processing module |
| US5042153A (en) * | 1988-02-16 | 1991-08-27 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Method for producing a sliding part |
| US5820686A (en) * | 1993-01-21 | 1998-10-13 | Moore Epitaxial, Inc. | Multi-layer susceptor for rapid thermal process reactors |
-
1982
- 1982-12-17 JP JP57222359A patent/JPS59112613A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5042153A (en) * | 1988-02-16 | 1991-08-27 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Method for producing a sliding part |
| WO1991003075A1 (en) * | 1989-08-21 | 1991-03-07 | Fsi International, Inc. | Gas substrate processing module |
| US5820686A (en) * | 1993-01-21 | 1998-10-13 | Moore Epitaxial, Inc. | Multi-layer susceptor for rapid thermal process reactors |
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