JPS5911203B2 - 利得制御のできる直結増幅回路 - Google Patents

利得制御のできる直結増幅回路

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JPS5911203B2
JPS5911203B2 JP49078210A JP7821074A JPS5911203B2 JP S5911203 B2 JPS5911203 B2 JP S5911203B2 JP 49078210 A JP49078210 A JP 49078210A JP 7821074 A JP7821074 A JP 7821074A JP S5911203 B2 JPS5911203 B2 JP S5911203B2
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JP
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voltage
transistors
transistor
resistor
point
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JP49078210A
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雅宣 次田
正樹 久根
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NEC Corp
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Nippon Electric Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は乾電池等の直流電圧源で作動させる半導体使用
の増幅回路において、定格値より著しく降下した電圧に
よっても作動可能とした増幅回路に関する。
トランジスタを乾電池によって作動させるラジオ受信機
等民生用ハンディ機器では、乾電池電圧が定格値と比較
しその70〜50%に降下しても作動させたい要求が強
かったが、その条件と温度変化に対しても安定に作動す
る条件とを加味した設計は従来極めて困難であった。
本発明は前記欠点を改善し、直流電源電圧の約半分まで
電圧の降下した時、及び常温から±40℃程度変化した
時も作動状態を著しく損わず使用可能となるような増幅
回路を得ることを目的とする。
以下本発明の実施例を示す図面について詳細に説明する
第1図はAMラジオの中間周波増幅器として作動する3
段直結増幅回路を示している。
第1図においてVccは後述の半導体素子を増幅作動さ
せる直流電圧源で例えば公称6■の乾電池、1は抵抗素
子、2,3,4,5はダイオードで全部直列接続され、
その一端は抵抗素子1と、他端は基準電位(例えば接地
電位)に接続され、抵抗素子1とダイオード2との接続
点Aと基準電位点Gとの間において前記各ダイオードの
順方向電圧降下を利用した安定化電圧を得ている。
公知のように1個のダイオードの順方向電流は の式で表わされる。
但しI,l’!Jllffl方向電流、■8は飽和電流
で素子の構造、作り方で決まる値、qは電荷の量、Vf
はダイオードの順方向電圧降下、Kはボルツマン定数、
Tは絶対温度を示す。
一般にはIf=1mAで、Vf= 0. 7 V程度と
なり、温度一定の場合は2倍の電流変化に対し電圧変化
は1 8 mVと僅か変化するのみで、また電圧変化値
の温度特性は負特性を示し、および−2mV/ ℃の割
合で変化することが知られている。
したがってA点の電位は安定化され、この電位をトラン
ジスタ310ベースに印加し、トランジスタ31のコレ
クタをVccの一方の電圧源端子Cに接続すれば、同ト
ランジスタ31のエミツタB点にはA点の電圧からトラ
ンジスタ310ベース.エミツタ間のダイオード1個の
順方向特性に相当する電圧降下を差引いた残りの電圧即
ちダイオード3個分の順方向電圧を基準電位に対して有
する安定化電圧を得ている。
次に7,10,11,12,13,14,15,20,
22,26,28は半導体素子でこの場合NPN型トラ
ンジスタ、6,8,9,16,1γ,18,19,21
,23,25,27,29は抵抗素子、24はダイオー
ド、30は負荷例えば共振回路、32はコンデンサ素子
、Dは信号入力端子、E…帯還路の端子、Fは負荷30
の一端子、Hは利得制御用入力端子を示す。
第1図は直結3段増幅回路を構成し、第1増幅段はカス
ケード接続されたトランジスタ14と10で構成され、
トランジスタ7は利得制御用入力を端子Hより受けるよ
う接続され、またトランジスタ11,12,13,15
及び抵抗18,19ぱトランジスタ10のコレクタ電流
即ち利得制御に伴う電流変動を補正するためのものであ
る。
端子Dを信号入力端子とするトランジスタ14は、その
ベースに帰還路E点の電圧を抵抗16を介して供給され
、エミツタの抵抗18により、安定度を増加させ、一定
電流となすとともにD点からの入力信号が抵抗18のな
い場合よりも大きなレベルまで耐えられるように考慮さ
れる。
入力信号はトランジスタ14のコレクタで位相反転され
、次いでトランジスタ10と11の共通エミツタ部に加
えられ、トランジスタ10をベース接地型増巾器として
そのコレクタ負荷抵抗90両端の電圧降下として増巾さ
れ次段に伝達される。
トランジスタ100周辺の動作を説明するとトランジス
タ10のまわりには、トランジスタ11,12,13が
配置されトランジスタ10,11及び12,13はエミ
ソタをそれぞれ共通に接続し、トランジスタ10,11
0エミツタは、トランジスタ14、抵抗16,18に、
またトランジスタ12,130エミツタはトランジスタ
15抵抗17,19に接続されて、トランジスタ12,
130共通エミツタ電流がトランジスタ10,110共
通エミツタ電流に等しく一定となるように調整されてい
る。
またトランジスタ10と13及び11と12はベースが
共通に接続され、前者は抵抗6とトランジスタ7のコレ
クタの間に接続され後者はダイオード4のアノードに接
続されてダイオードの順電圧2個分に相当する電圧で一
定値にバイアスされている。
さらにトランジスタ10と12,’11と13のコレク
クは共通に接続され前者は抵抗9を介してA点に、後者
は電圧源端子Cに接続されている。
トランジスタ70ベースであるH点には、利得匍脚電圧
が加えられるようになっており、H点の電圧が低くトラ
ンジスタ1がカットオフのときは、トランジスタ10,
130ベースはB点から抵抗6を介してバイアスされそ
のベース電圧は略B点の電圧に等しい。
H点の電圧が上昇するとトランジスタ7のコレクタの電
圧は抵抗6の電圧降下のために低下し、トランジスタ1
0,130ベース電圧はさげられる。
このベース電圧が、トランジスタ11,120ベース電
圧と近い値のときには、トランジスタ10,130ベー
ス電圧の増減によって、トランジスタ10と11並びに
12と13のエミツタ電流のそれぞれの和が一定である
から、トランジスタ10,130コレクタ電流が減少す
れば、トランジスタ11,120コレクタ電流が増加し
抵抗9の両端では常に流れる電流が一定のため、電圧降
下は一定でH点の電圧に影響されない。
しかるにトランジスタ10に着目すれば、電流の増減に
よって、相互コンダクタンスが増減し、利得が変化する
したがってH点の電圧を変化させることで自動的に利得
を変化させることが可能で、且つ直流的に抵抗9の電圧
降下を変化させないため次段への直結が可能である。
この場合信号は利得の匍脚に応じてトランジスタ11,
12のベースにもあらわれるが、ダイオード4,5の順
方向バイアスは、交流的に低インピーダンスであるため
、トランジスタ10での利得制御分がトランジスタ12
で噌巾されて打ち消されるようなことはさけられる。
抵抗9の定常電圧降下をダイオードの順電圧降下1個分
に設定し次段にエミツタホロワ一段であるトランジスタ
20及び抵抗21を介して第2段電圧増巾トランジスタ
220ベースを接続し、そのコレククは段間負荷抵抗2
3を通してB点に接続し、そのエミツタからは前記抵抗
16.17を介してトランジスタ14,150ベースバ
イアスを与えると同時にダイオード24と抵抗25(こ
の抵抗100Ω程度に選ばれる)を介して、基準電位G
に接続する。
E点の電圧はトランジスタ22のエミツタ電圧に等しい
が、ダイオード24と抵抗25とトランジスタ14.1
5の各ペースエミツタ間と抵抗18,19との関係を適
当にすれば、ダイオード24に流れる電流とトランジス
タ14,15にそれぞれ流れる電流は等しいか、比例関
係にすることができ、温度的にはPN接合1ヶの温度係
数がほg同じことがらほg完全に補償される。
またE点からトランジスタ14をへてトランジスタ10
のコレクタを経トランジスタ20,220エミツタに至
る部分は一つの閉回路を形成しており、しかも、負帰還
構成であって、直流的に負帰還とすれば、バイアスの安
定化がはかれる。
E点のコンデンサ32は、交流的に負帰還を零としよう
とする意図のものである。
同時に入力点D点からの信号が抵抗17をへて15に入
らないようにするためとトランジスタ22のエミツタに
入らないようにするためとの目的を兼ねている。
先にものべたように抵抗9の電圧降下をダイオード1個
の順電圧降下の値に選ぶとトランジスタ22エミッタE
点の電圧はほyダイオード1個分の順電圧降下に相当し
、抵抗23の電圧降下も同じくダイオード1個分の順電
圧降下の値に選ぶとトランジスタ22のコレクタ電圧は
、ダイオード2個の順電圧降下分の電圧に相当する。
トランジスタ22のコレクタにはトランジスタ26のベ
ースが接続されそのエミツタは、抵抗27を介して基準
電位源に、また次段(第3増幅段)のエミツタ接地動作
トランジスタ28のベースに接続される。
抵抗29はエミツタ安定抵抗で100Ω内外の値が選ば
れる。
トランジスタ28のコレクタには、出力として信号がと
り出されるため、負荷30が接続される。
負荷30は抵抗又は同調トランス、非同調トランスなど
が選ばれる。
今、温度一定のとき電源電圧が設定値より上昇した場合
は、A点の電圧はダイオードの順電圧降下の特性によっ
て若干上昇するが、これは、抵抗1に流れる電流の増加
にもとづくもので、6V乾電池の場合で言えば、最高7
.5v程度であるから抵抗値を1.5KΩ程度に選んだ
としてもダイオード4個で100mV程度しか変化はな
くA点の電圧はioomv程度上昇する。
この場合初段は、直陥的な負帰還によってたとえばトラ
ンジスタ200ベース電圧は、ほ丈一定に保たれ電圧変
動分は抵抗9の電圧降下の増加分でほぼ吸収される。
このときB点の電圧も増加するが、トランジスタ22の
エミツタ電流は、先にのべたように抵抗9に流れる電流
と比例関係にあるため抵抗23の電圧降下も抵抗9の場
合と同様に電圧変動分を吸収しトランジスタ260ベー
スの電圧は殆んど変化せず、トランジスタ28のコレク
タ電流に与える影響はごくわづかである。
次に温度一定で、電源電圧がさがった場合を考えると減
電圧による抵抗1の電圧降下の減少に伴い、電流値がへ
って、ダイオードの電圧は降下定常状態で177LA流
れていたものが10μAに減少したとすれば4個のダイ
オードでその順電圧降下は約1 1 7mVX4 =4
7 2 771 V程度である。
これによって降下したA点の電圧降下分も主として抵抗
9の電圧降下分の減少で吸収されトランジスタ200ベ
ース電圧の減少は極く僅かですむ。
そのため前述したと同様トランジスタ22のエミツタ電
流は抵抗9の電流と比例関係にあるためそのコレクタ電
流も同様な割合で減少し抵抗23の電圧降下の減少でト
ランジスタ26のベース電圧の変動は極く僅かとなりト
ランジスタ28のバイアスへノ影響は軽微である。
たgこの場合、股間負荷抵抗である抵抗9や23の直流
電圧降下が減少し、増巾された信号電流による該負荷の
電圧降下よりも小さくなると十分な増巾機能をはださな
くなるので、取り扱う信号の大きさで減電圧特性の下限
が決まるが、実際の実用化の場合では、ラジオ用中間周
波増巾段として使った場合、常温で2.3v程度まで増
巾機能は損われない。
次に、電源電圧が一定で温度に変化があった場合を考え
ると、ダイオードの順方向電圧の変化は、1個あたり約
−2mV/’Cであり、50℃の変化で約100mV変
動する。
ダイオード4個では400mV変化することになるが、
第1図では、定電圧回路のダイオード2〜5が変動する
ときは、同シ傾向でトランジスタ310ベースエミッタ
間、トランジスタ14,15,20,22,26,28
のペースエミツタ間もそれぞれ変化しダイオード24も
同様で、前述したようにトランジスタ14,150ベー
ス電位はダイオード24により温度補償されるので、抵
抗9に加わる電圧の変化はダイオード1個分の順方向電
圧変動に等しくなり、その変動分は高々100mVであ
って、その大部分は先にのべたごとくフィードバックに
よって抵抗の両端の電圧変動として吸収され先にのべた
理由で、電圧変化と同様な効果となって出力段トランジ
スタ28も安定となる。
たK低温で(もダイオードの順電圧降下が大きくなるの
で絶対値の関係から、減電圧特性は悪く、高温では逆に
よくなることが言える。
初段の直流的負帰還の効果をペースエミツタ間の若干の
電圧変動分を無視して考えると抵抗9と抵抗18の比で
順方向利得がきまり、帰還利得は1であるから、電圧変
動の圧縮率はおよそ変動電圧を上記比で割った値になる
したがって抵抗9と抵抗18の比をおよそ10以上にと
っておけば満足できる動作を行なう。
第2図は、電源電圧の変動による、電圧利得の変化を、
第1図の回路により常温で測定したものを示す。
即ち電源電圧Vccが2.5vから6.5vまで変化し
たとき電圧利得の差は約8dBに過ぎない。
第1図で示したごとく回路上でトランジスタのコレクタ
の電圧がある値以上であれば特に問題とならない場合は
第1段の抵抗9を一方の電位源に即ちプラス電圧端子の
ラインに直接接続して、抵抗1などを通じて余分な電圧
降下を生じないようにし、且つ、交流的な信号の干渉を
さけることにより上記発明の効果を一層あげうる。
本発明によれば、集積回路化することで素子の多さをカ
バーし所定の低電圧特性をもつ増幅段が得られる。
直結3段であるが外部端子数が、人、出力及び電源の正
負端子と、もう一つ帰還路のE端子を必要とするだけで
、非常に外付部品が少く集積回路化に適した特徴をあわ
せもっており、利得制御回路も内蔵できる。
中間周波増巾回路のみならず、広帯域増巾回路としても
応用できる。
したがって乾電池を使用するときなど電圧の変化に対し
また温度変化に対し安定な増幅作動を行なうことができ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す回路図、第2図は第1
図回路の増幅特性を示す。 Vcc・・・・・・直流電圧源、H・・・・・・利得制
御用入力端子、2,3,4,5・・・・・・ダイオード
、10,11,1 2,1 3,14 ,22,2B・
・・・・件ランジスタ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 第1増幅段が、差動型式に接続された第1および第
    2トランジスタと、同じく差動接続された第3および第
    4トランジスタと、前記第1および第4トランジスタの
    ベースを共通接続してバイアス電圧を供給する手段と、
    前記第2および第3トランジスタのベースを共通接続し
    て利得匍脚電圧に応じた電圧を供給する手段と、前記第
    2および第4トランジスタのコレクタを共通接続して共
    通の負荷に接続する手段と、前記第1および第2トラン
    ジスタの電流源となる第5トランジスタと、前記第3お
    よび第4トランジスタの電流源となる第6トランジスタ
    と、該第5および第6トランジスタの一方のベースに入
    力信号を供給する手段とを含んで構成され、前記負荷か
    ら前記第1増幅段の出力が取り出されて前記第1増幅段
    に直流結合された次段の増幅段へ供給され、後段の増幅
    段から前記第5および第6トランジスタの双方のベース
    へ直流負帰還が施されていることを特徴とする増幅回路
JP49078210A 1974-07-10 1974-07-10 利得制御のできる直結増幅回路 Expired JPS5911203B2 (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0131895Y2 (ja) * 1984-07-23 1989-09-29

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4852119A (ja) * 1971-10-30 1973-07-21

Patent Citations (1)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4852119A (ja) * 1971-10-30 1973-07-21

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0131895Y2 (ja) * 1984-07-23 1989-09-29

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JPS5115950A (ja) 1976-02-07

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