JPS59107847A - 研磨方法 - Google Patents
研磨方法Info
- Publication number
- JPS59107847A JPS59107847A JP21540382A JP21540382A JPS59107847A JP S59107847 A JPS59107847 A JP S59107847A JP 21540382 A JP21540382 A JP 21540382A JP 21540382 A JP21540382 A JP 21540382A JP S59107847 A JPS59107847 A JP S59107847A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- grinding
- hard
- atmosphere
- humidity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B1/00—Processes of grinding or polishing; Use of auxiliary equipment in connection with such processes
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、ダイヤモンド、サファイヤなどの硬脆材を研
磨する方法及び研磨装置に関するものである。
磨する方法及び研磨装置に関するものである。
従来、ダイヤモンドやｔ７アイヤ等の硬脆材の研磨加工
のうち、ごく微小部分の研磨加工に５ｉＱｚ等の硬質膜
を研磨材層とした研磨皿を用いていた。硬質膜厚、研磨
荷重によシ異なるが通常の大気中でのダイヤモンドの研
磨能率（単位研磨距離らたυの研磨体積）は０．０３〜
０．０６μｍ″／ｍ 程度！あった。そのため、容量型
ビデオディスクプレーヤ用のダイヤモンド製スタイラス
１本あたりの先端研磨に４００〜５００ｍの研磨距離を
必要としていたため、研磨皿寿命が短く、コストが高い
欠点があった。
のうち、ごく微小部分の研磨加工に５ｉＱｚ等の硬質膜
を研磨材層とした研磨皿を用いていた。硬質膜厚、研磨
荷重によシ異なるが通常の大気中でのダイヤモンドの研
磨能率（単位研磨距離らたυの研磨体積）は０．０３〜
０．０６μｍ″／ｍ 程度！あった。そのため、容量型
ビデオディスクプレーヤ用のダイヤモンド製スタイラス
１本あたりの先端研磨に４００〜５００ｍの研磨距離を
必要としていたため、研磨皿寿命が短く、コストが高い
欠点があった。
本発明の目的は、上記した従来技術の欠点をなくし、研
磨皿の研磨能率を向上させ、コストの低減、研磨皿寿命
を向上させる研磨方法と装置を提供するにある。
磨皿の研磨能率を向上させ、コストの低減、研磨皿寿命
を向上させる研磨方法と装置を提供するにある。
本発明では、研磨雰囲気中の湿度と研磨能率の相関を見
だし、湿度を低く制御することによシ、研磨能率を向上
させることを特徴とする特〔発明の実施例〕 本発明は！４！１図に示すように、架台８に取付けられ
たスピンドル４にて保持される研摩皿１にて、送り装置
３にて支持された、ダイヤモンド、サファイヤ等の硬脆
材である被加工物を研磨する際に、研磨室をカバー９に
て外気と遮断し、研磨雰囲気を低湿度に′制御して研磨
を行うものである。
だし、湿度を低く制御することによシ、研磨能率を向上
させることを特徴とする特〔発明の実施例〕 本発明は！４！１図に示すように、架台８に取付けられ
たスピンドル４にて保持される研摩皿１にて、送り装置
３にて支持された、ダイヤモンド、サファイヤ等の硬脆
材である被加工物を研磨する際に、研磨室をカバー９に
て外気と遮断し、研磨雰囲気を低湿度に′制御して研磨
を行うものである。
研・鍾室内の湿度を制御する方法は、導入口１０より乾
燥空気、あるいは乾燥した種々のガスを導入して行う。
燥空気、あるいは乾燥した種々のガスを導入して行う。
また、研磨室内を真空ポンプによシ排気して湿度を低下
させてもよい。露点−℃の乾燥空気を研磨室、内に導入
したときの経過時間と研磨室内湿度の関係は第２図に示
すように極めて速く、湿度が低下することが分る。研磨
雰囲気湿度を低くすると、第３図に示すように研磨能率
（単位研磨距離あたりの研磨量）が向上することを見い
だした。同図のように通常の大気中の湿度５０〜６０％
では、研磨能率が０．１μｂ い、研磨室内の湿度を１５％にすると、研磨能（は０．
６μｍ’／ｍ以上に向上する。この現象は、研摩皿と被
加工物間の動摩擦係数は湿度が低いほど大きいことから
説明できるものである。
させてもよい。露点−℃の乾燥空気を研磨室、内に導入
したときの経過時間と研磨室内湿度の関係は第２図に示
すように極めて速く、湿度が低下することが分る。研磨
雰囲気湿度を低くすると、第３図に示すように研磨能率
（単位研磨距離あたりの研磨量）が向上することを見い
だした。同図のように通常の大気中の湿度５０〜６０％
では、研磨能率が０．１μｂ い、研磨室内の湿度を１５％にすると、研磨能（は０．
６μｍ’／ｍ以上に向上する。この現象は、研摩皿と被
加工物間の動摩擦係数は湿度が低いほど大きいことから
説明できるものである。
以上のように、研磨加工を行う際に研磨雰囲気の湿度を
１５％まで低下させると、通常の大気湿度である５０〜
６０％時における研磨ａ能率を６１１に向上することが
でき、研摩皿寿命の向上、コスト低減を図ることができ
る。
１５％まで低下させると、通常の大気湿度である５０〜
６０％時における研磨ａ能率を６１１に向上することが
でき、研摩皿寿命の向上、コスト低減を図ることができ
る。
以上は、ダイヤモンドを５ｉＯｚ硬質膜で研磨した列で
あるが、同様に吸湿性をもったｋｉ２ｅｓＳ ｉＣ，５
１ｓＮ＜、’ｌ”ｉｃ、 ’、Ｉ’ｉＮ、 ＢＮ等の硬
貞膜で、ダイヤモンドを研磨する場合でも同様の低湿度
の影響を確認することができる。更にサファイア、ＣＢ
Ｎ （立方晶窒化硼素）、ジルコニアなどの硬脆材に対
して上記硬質１１を用いても同様の効果が得られる。
あるが、同様に吸湿性をもったｋｉ２ｅｓＳ ｉＣ，５
１ｓＮ＜、’ｌ”ｉｃ、 ’、Ｉ’ｉＮ、 ＢＮ等の硬
貞膜で、ダイヤモンドを研磨する場合でも同様の低湿度
の影響を確認することができる。更にサファイア、ＣＢ
Ｎ （立方晶窒化硼素）、ジルコニアなどの硬脆材に対
して上記硬質１１を用いても同様の効果が得られる。
第１図は本発明に係る研磨装置の一実施例を示すとυ「
面図、第２図は研磨室内に乾燥空気を導入した場合の時
間と湿度の関係を示すグラフ、第５図は研磨雰囲気湿度
の研磨能率への影響を示す図である。 １・・・研摩皿 ２・・・被加工物６・・
・送ｐンーチ ９・・・カバー代理人弁理士
、惇 １）利 幸 飛−え時間 ｓｅｃ
面図、第２図は研磨室内に乾燥空気を導入した場合の時
間と湿度の関係を示すグラフ、第５図は研磨雰囲気湿度
の研磨能率への影響を示す図である。 １・・・研摩皿 ２・・・被加工物６・・
・送ｐンーチ ９・・・カバー代理人弁理士
、惇 １）利 幸 飛−え時間 ｓｅｃ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 硬質膜として、８４０ｘ 、ｋｌｘＯｎ、８ｉＣ
。 ５１ｇＮ４、ＴｉＣ，ＴｉＮ、 ＢＮ、等を表面に形成
した研磨工具を用い、ダイヤモンド、す７アイヤジルコ
ニγ等の硬脆材を研磨工具との間に相対速度を与えて研
磨する方法において、研磨雰囲気をほぼ３５％以下の低
湿度としたことを特徴とする研磨方法。 ２・ 研磨皿取付用ターンテーブルと、被工作物の保持
部とを密閉して研磨室を形成し、この研鰻室内の湿度を
制御できるようにしたことを特徴とする研磨装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21540382A JPS59107847A (ja) | 1982-12-10 | 1982-12-10 | 研磨方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21540382A JPS59107847A (ja) | 1982-12-10 | 1982-12-10 | 研磨方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4206424A Division JPH0811355B2 (ja) | 1992-08-03 | 1992-08-03 | 研磨装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59107847A true JPS59107847A (ja) | 1984-06-22 |
Family
ID=16671742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21540382A Pending JPS59107847A (ja) | 1982-12-10 | 1982-12-10 | 研磨方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59107847A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6585565B2 (en) | 1999-05-12 | 2003-07-01 | Agency Of Industrial Science And Technology | Grinding and polishing tool for diamond, method for polishing diamond, and polished diamond, single crystal diamond and single diamond compact obtained thereby |
| CN106493619A (zh) * | 2016-12-27 | 2017-03-15 | 郑州搜趣信息技术有限公司 | 一种冷压板端盖成型切边打磨装置 |
-
1982
- 1982-12-10 JP JP21540382A patent/JPS59107847A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6585565B2 (en) | 1999-05-12 | 2003-07-01 | Agency Of Industrial Science And Technology | Grinding and polishing tool for diamond, method for polishing diamond, and polished diamond, single crystal diamond and single diamond compact obtained thereby |
| US6592436B1 (en) | 1999-05-12 | 2003-07-15 | Japan As Represented By Director General Of Agency Of Industrial Science And Technology | Grinding and polishing tool for diamond, method for polishing diamond, and polished diamond, single crystal diamond and single diamond compact obtained thereby |
| CN106493619A (zh) * | 2016-12-27 | 2017-03-15 | 郑州搜趣信息技术有限公司 | 一种冷压板端盖成型切边打磨装置 |
| CN106493619B (zh) * | 2016-12-27 | 2018-08-17 | 广州市朗明精密轴芯制造有限公司 | 一种冷压板端盖成型切边打磨装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4519168A (en) | Liquid waxless fixturing of microsize wafers | |
| SE7510109L (sv) | Slip- eller avskavningsbrikett jemte forfarande for framstellning herav | |
| TW200642796A (en) | Manufacturing method for semiconductor wafers, slicing method for slicing work and wire saw used for the same | |
| US6527627B2 (en) | Semiconductor wafer grinding method | |
| CN112139859A (zh) | 一种无水抛光kdp晶体的方法 | |
| JPS59107847A (ja) | 研磨方法 | |
| JP3325441B2 (ja) | 真空吸着装置 | |
| CN108555773A (zh) | 一种超薄零件研磨抛光夹具 | |
| JPS57170538A (en) | Polishing method for one side of semiconductor wafer | |
| CN107042467A (zh) | 纳米深度损伤层机械化学磨削方法 | |
| JP2005166861A (ja) | ウエーハの研磨方法 | |
| JPH0811355B2 (ja) | 研磨装置 | |
| TW559580B (en) | Polishing device | |
| JP2002283211A (ja) | 研磨装置及びこれを含んだ研削・研磨機 | |
| FR2319462A1 (fr) | Particules abrasives revetues et procede de fabrication de telles particules | |
| JPS58192745A (ja) | セラミツク部品の研磨方法 | |
| JP4546659B2 (ja) | 研磨工具 | |
| GB1247764A (en) | Improvements in or relating to tools and method of manufacture thereof | |
| GB996696A (en) | Cutting device | |
| JPH10217076A (ja) | ディスク基板の加工方法、加工装置および該加工方法に使用する外周刃砥石 | |
| JP6779541B1 (ja) | 合成砥石 | |
| JPH02116473A (ja) | 弾性研摩砥石 | |
| Fukazawa et al. | Mirror grinding of silicon wafer with silica EPD pellets | |
| JP2017197671A (ja) | 研磨液、貯蔵液及びそれらを用いた研磨方法 | |
| JP2024029312A (ja) | 研磨装置及び乾式研磨工具の高さ位置の設定方法 |