JPS59106124A - 半導体装置の製造方法及びその製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法及びその製造装置Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本兄明は、半導体装置の製造方法及びその製造装置に関
する。 〔発明の技術的背景及びその問題点〕 半尋体ベレット？ｌｅ銅静からなる７１／−ムのペレッ
ト配設床に装Ｎｆるす段として、■Ａｕ ７”）フオー
ムを使用する所副Ａｕｓｉ共晶マウント方式、■半導体
ペレットの裏面側に厚さ１．５〜２．５μのＡｕＧｅ層
を形成して直接半導体ペレット忙ペレット配設床に装置
するＡｕ Ｆｏｉｌｌｏｓｓマウント方式、■半田マウ
ント方式がある。 ■のＡｕＳ ｉ共晶マウント方式によるものでは、厚さ
が約１５μ寸でのＡｕプリフォームを半導体ペレットよ
りも大きい大きさにして・期用するため、極めて経済性
が悪い。また、マウント後の熱衝撃試験によって半導体
被レットにクラックが発生し易い。■のＡｕ Ｆｏｉｌ
ｌｅｓｓマウント方式によるものでは、ペレットサイズ
が約１膿０以下になると、半田マウント方式に比べて経
済性の点で優れている。しが肱マウント後に施す半田浸
加熱試験等の熱衝撃によって、半導体ペレットにクラッ
クが発生し易い。また、半導体ペレットの裏面に形成し
たＡｕＧｅ層にょシベレノト自己設基台に装着するため
、ペレット配設基台に対して高い平行度で半導体ペレッ
トヲ尋＜ことが極めて難しい。■の半田マウント方式に
よるものでは、半導体ペレットが０．３９〜２璽０の微
少なものである時は、銅で形成されたペレット配設床の
場合には、ろう材のぬれ性が恕いため、安定した操作で
確実に半導体ペレット’を装着できない。 しかしながら、このような方式の中では、半導体ペレッ
トの大きさに応じた微少量の半田全・くレット配設基台
上に供給できるならば、マウント後の性能試験によって
もクラックが発生し離い点で半田マウント方式が好まし
い。このため、次のようにして微少量のろう材をペレッ
ト配設基台上に載置する試みがなされている。第１図（
Ａ）及び同図の）は、リボン状のろう材１を所定長さの
ところで切断して、これをペレット配設基台２上に吸着
治具音用いて載置するものである。−第２図（５）及び
同図（Ｊ３）は、円板状のろう材３を前述と同様に吸着
治具ケ用いてペレット配設基台２」二に載置するもので
ある。このような手段によるものでは、ろう材１，３０
表Ｈに形成された配化膜が半導体ペレット５との同、或
はペレット配設基台２との間に残存するため、半導体ペ
レット５全装着する際にろう材１，３が半導体ペレット
５及びペレット配設基台２に十分になじまず、半導体ペ
レット５を確実に装着できない。また、半導体ペレッｒ
５及びペレット配設基台２とろう材１．３との界面に空
洞部全形成し易いため熱抵抗が大きくなる。更に、ろう
制御の切断部にば！１１１ａが形成されでいると、第３
図に示す如く、ろう材１とペレット配役基台２との隙間
１ｂに空気が侵入し、ボイドの発生原因となる。また、
吸着治具を用いてろう材１，３をペレット配設基台２上
に導くため、第４図に示す如く、載置したろう材１，３
の中央部が山形に盛り上がシその直下に隙間１ｃができ
て、ボイド発生の原因となる。このような問題を解消す
るため、第５図（イ）及び同図（Ｂ）に示す如く、ワイ
ヤ状のろう材６を所定長に切断すると同時にこれをペレ
ット配設基台２上に載置するか、或は熱圧着によシベレ
ット配設基台２上に載置する試みがなされている。この
ような手段によるものでは、吸着治具を用いるものに比
べてボイドの発生を少なくできるが、ろう材６の表面に
形成された酸化ｊ換に起因する装着不良等の問題は、依
然解決できなかった。 〔発明の目的〕 本発明は、ろう材とペレット配設基台とのなじみ性を向
上すると共に、ろう材中に巣が発生するのを防止し、か
つ、高い密着度で確実にしかも容易に半導体ベレットに
ペレット配役基台に装着することができる半導体装置の
製造方法及びその製造装置を提供することをその目的と
するものである。 〔発明の概要〕 本発明に係る半導体装置の製造方法は、ワイヤ状のろう
材をその融点以上に加熱されたペレット配設基台上に所
定量だけ制仙Ｉしながら供給する工程を設けて、ろう材
とベレット配役基台とのなじみ性を向上すると共に、ろ
う材中に巣が発生するの全防止し、かつ、旨い密着度で
確実にしかも容易に半導体ペレッ）ｋペレット配設基台
に装着できるようにしたものである。 本発明に係る半導体装置の製造装置は、ペレット配設基
台を有するリードフレームをろう材取付部に所定のピッ
チで供給するフレームフィーダと、ペレット配設基台を
ろう材の融点以上に加熱する手段と、ペレット配役基台
にワイヤ状のろう材ケ所定の倣童分だけ制御しながら供
給する機構とを設けて、ろう材と波し、ト配設基台との
なじみ性を向上すると共に、ろう材中に巣が発生するの
全防止し、かつ、ｉ湧い密着夏で確実にしかも容易に半
導体ペレッ）ｋペレ。 ト配設基台に装着できるようにしたものである。 〔発明の実施例〕 以下、本発明の実施例について図面全参照して説明する
。第６図（Ａ）は、本発明の一実施例の横断面図、同図
（Ｂ）は、同実施例の縦断面図でめる。なお、本発明に
係る半導体装置の製造方法の説明は、同実施例の半導体
装置の製造装置の作用効果の説明をもってその説明とす
る。同図１０は、略トンネル形？なすハウジングである
。 ハウジング１０の下部は開口している。ハウジング１０
内には、その長手方向に沿ってフレーム１１の移送路１
２を形成すると共に、ハウジング１０の内側面との間に
雰囲気ガスの流出路となる隙間を形成するようにしてヒ
ーターブロック１３が収容されている。ヒーターブロッ
ク１３には、フレーム１ノを加熱するだめの熱源１４と
して例えはカートリッジヒータが内蔵されている。ヒー
ターブロック１３内には、その長手方向に沿って雰囲気
ガス供給路１５が形成されている。雰囲気ガス供給路１
５には、その長手方向に沿って所定時間隔を置いて端末
供給路１５ａか分岐している。端末供給路１５ａは移送
路１２に連通している。雰囲気ガス供給路１５は、・・
ウヅング１０の側壁部を貫挿して内部に導入された雰囲
気ガス供給管１６に接続されている。ハウジング１０円
には、フレーム１１を移送するフレームフィーダ２５に
設けられた送りビン１７が、フレーム１ノの送り孔１１
ａに出入するように上下動自在に設けられている。 ハウジング１０の土壁部の所定領域には、移送路ノ２に
連通する慝１８が開口δれている。窓１８の直下のノ・
ウジフグ１０円の領域は、ろう材取付部になっている。 ｒ（ｉ、＜ １８の上方には、ろう材取付部に移送路１
２から供給されたフレーム１１のベレット配設基台１１
ｂ上に、ワイヤ状ろう材１９を導くためのキャピラリー
ツール２０が昇１律自在に設けられている。この窓１８
の近傍の）・ウソング１０の部分には、位ｉｔ決めビン
２ノを出入するだめの位置決め孔２２か開口されている
。位置決めビン２１は、この位置決め孔２２忙介してろ
う材取付部内に出入し、フレーム１１に形成された固定
孔１１ｃに嵌入するようになっている。 キャピラリーツール２０は、第７図にボするう材供給Ｐ
Ａ構３０に接続はれている。キャピラリーツール２０は
、下レバー３１の先端部に保持されている。下レバー３
１の先端部には、ワイヤ状ろう材１９の押え部材３２が
取伺けられている。下レバー３１は、その略中央部を支
点にしてろう材供給機構３０の本体３３に揺動自在に支
持されている。下し・々−３１の後端部は、揺動レバー
３４にて把持されている。揺動レノ々−３４は、その略
中央部にて本体３３に揺動自在に支持されている。揺動
し４−３４の後端部には、カム３５が当接している。カ
ム３５はベルト３６を介してモータ３７に接続されてい
る。 このモータ３７の駆動によってカム３５が回転し、これ
に連動して揺動し・ぐ−３４、下゛レノ々−３１が揺動
してキャピラリーツール２０が昇降動するようになって
いる。下レ−：−３１の上方には、上レバー３８が対設
されている。上レノ々−３８は、その後端部の近傍に支
点を設けて本体３３に揺動自在に支持されている。」下
レノｉ −３８の先端部には、ワイヤ状ろう材１９の押
え部材３９と来内部材４０が取付けられている。 上レバー３８の後端部の上方には、これに対向してマイ
クロメータ４１の先端部が出入自在に設けられている。 上レバー３８と下レノぐ−３１は、夫々の支点と先端部
間の所定位置にはね部材４２を介在している。本体３３
の上部には、ワイヤ状ろう材１９を巻き取ったスプール
４３が設けられている。スプール４３から巻き解された
ワイヤ状ろう材１９は、上レノぐ−３８の案内部材４０
．押え部材３９を貞挿し、下し・々−３１の押え部材３
２全員挿してキャピラリーツール１９の先端部から外部
に４出されている。 ワイヤー状ろう材１９としては、例えば融点が１８３〜
３１０℃の範囲のＰｂ −５％Ｓｎ 、 Ｐｂ−１０％
５ｎｓＰｂ−１５％Ｓｎ 、 Ｐｂ−６３％Ｓｎ等の所
謂Ｐｂ−８ｎ系半田や、融点が２００〜２５０℃の範囲
の５ｎ−３，５％Ａｇ。 ５ｎ−１０％Ａｕ ％ Ｓｎ Ｉ ｎ Ｘ５ｎ−３，５
％ Ｓｂ ％ ５ｎ−１０％ｓｂ等の所謂Ｓｎ系半田、
或は、融点が約３００℃のＰＰｂ−８ｎ−Ａ系半田、融
点が１８０〜２００℃のＰｂ−Ｉｎ半田等を使用する。 また、ワイヤー状ろう材１９の断面形状は、円形、四角
形、三角形等如何なるものを使用しても良い。ワイヤー
状ろう旧１９の径は、装着する半導体ベレットの大きさ
に応じて設定する。例えば０．１φ、０．３φ、０．５
φ。 １．０φのワイヤー状ろう材１９を使用する。なお、キ
ャピラリーツール２０、ろう材供給機構３０、フレーム
フィーダ２５、位置決めビン２ノは、図示しない駆動部
によって連動するようになっている。 而して、このように構成された半導体装置の製造装置７
０によれは、次のようにしてフレーム１１に形成された
ペレット配設基台１１ｂに所定量のワイヤー状ろう材１
９を載ｉＷ Ｌ、半導体ベレットの装着が行われる。 先ず、雰囲気ガス供給管１６から雰囲気ガス供給路１５
、端末供給路１５ａｆｆ：経て移送路１２内に、Ｎ２ガ
ス或はＮ２を数饅含んだＮ２ガスやＡｒガス全供給し、
非酸化性或は還元性の雰囲気４作る。次いで、カートリ
ッジヒータ等からなる熱源１４にて移送路１２内を所足
温ル〔まで加熱する。加熱温度は、ペレット配設基台１
１ｂ上に載１従するワイヤー状ろう材１９を形成する半
田の融点ｒ考慮して、次の操作で供給されるフレーム１
１のペレット配設基台１１ｂ上の温度がワイヤー状ろう
材１９の融点よりも３０℃程度尚くなるように設定ブー
る。 次いで、フレームフィーダ２５を、駆動し、送りビン１
７をフレーム１１の送９孔１１ａに嵌入してフレーム１
１を移送路１２内に供給する。 フレーム１１は、所定の送シビッチでろう材取伺部に供
給される。フレーム１）がろう材取付部に導かれると、
位置決めビン２１がフレーム１１の位置決め孔２２内に
嵌入し、フレーム１１はろう材取付部の所定位置で固定
される。このとき、ペレット配設基台１１ｂは、後述の
操作にてここに載置するワイヤー状ろう材１９の融点よ
シも約３０℃筒い温度に加熱されている。Ｎ１、例えば
、ワイヤー状ろう材１９が１８３〜３１〇七の融点を有
するＰｂ−８ｎ系半田の場合には、ペレット配役基台１
１ｂは、２００〜４５０℃に加熱される。 次に、ろう材供給機構３０によシペレット配設基台１１
ｂにワイヤー状ろう材１９の所定量を載置する。ワイヤ
ー状ろう材１９の送υ出し操作は次のようにして行われ
る。第７図に示フー如く、まず、モータ３７を駆動して
カム３５を回転せしめる。カム３５の回転によシ揺動レ
バー３４の後端部が降下するとその支点を介して先端部
が上昇し、下レバー３１の後端部が上昇する。下レバー
３ノは後端部が上昇づ−ると支点を介して先端部が降下
する。下レバー３１の先端部が降下すると、ばね部材４
２を介して上レバー３８の先端部が引き下げられ、その
支点を介して上レバー３８の後端部が上昇する。上レバ
ー３８の後端部の上昇量は、これに対向して設けられた
マイクロメータ４ノの先端部に後端部が当接することに
より規制される。従って、第１ 余目（Ｑフレーム１）
のペレット配設基台１１ｂにワイヤー状ろう材１９を載
置する場合には、予めマイクロメータ４ノと上レバー３
８の後厳；都との間隔りを大きく設定しておく。而して
、モータ３７（ｉ）、！ｊＪ励してＭｉＪ述の下レバー
３１等の操作により、ワイヤー状ろう材１９をペレット
配設基台１１ｂ上の近景した位ｉまで下降させる。次い
で、マイクロメータ４ノと上レバー３８の後端部との間
隔りを、ペレット配設基台１ ｌ ｂ ＶＣ載置するワ
イヤー状ろう材１９の量に応じた値に設定する。次いで
、前述と同様にモータ３７の駆動により下レバー３１等
を操作して、キャピラリーツール２０を降下し、所定量
のワイヤー状ろう材１９をペレット配設基台１１ｂ上に
供給する。ここで、キャビラリーツ−ル２０の降下によ
るワイヤー状ろう材１９の送り出し速度は、ベレット配
該′基台１１１〕に接触して浴けて行く速度よりも遅く
設定づ−る必双がある。を亡っで、ペレットｒ」己り文
基台１１ｂの詰７゜度が低い場合は、カくシてベレット
配設基台１１ｂの温度かｉ司い場合は、早くする心安が
ある。・丙えは、Ｐｉｌ−８ｎ系半田からなる０、１φ
のワイヤー状ろう材１９を用いて、約０．３ ＋ｉ＋、
１０の半導体ベレットを装着する場合は、約２０″＋ｎ
／ の込シ出し通ｊ足が好ましい。また、例えはｏ
１φのワイヤー状ろうイ第１９を用いて、マイクロメー
タ４１と上レバー３８の後端部間の向陥り全赦駕するこ
とによシｆＳ＃）出し置き決定う−ると、この送り出し
蛍のワイヤー状ろう材１９を介１−で被レット配設基台
１１ｂ上に載置可能な半導体ベレットの大きさは、第８
図に示す特性組工にて表示δれる。同様にワイヤー状ろ
う拐１９の径全０．１５φｖＣｆると同図中！痔性腺Ｉ
Ｉ 、住を０．２φにすると特性線ｉｌｌに従ってワイ
ヤー哨（ろう）ｌ）１９の送り出し量と装着可能な半導
体ペレットの太きさと力・決定される。このようにして
、所定ｈ１゛のワイヤー状ろう材１９かにレット配設基
台１１ｂ上に載置ぢれると、ろう材層ＡＧ）賎１トド３
０によってキャピラリーツール２０蛍ベレ、ト目己阪基
台１１ｂから離間する。然る後、周知のコレットと称ら
れる吸ン１６市具等により、ベレット口己設基台１１ｂ
上に所定光゛のワイヤー状ろう材１９を介して早春１４
・ペレ、ｌ−全押庸し、半導体装置τ’；ｉ４．＃ ７
）。得られだ半導体装置は、フレームフィーグ２５によ
るフレーム１１の移送によって次工程へと導かれる。こ
のフレーム１１の移迷保作に１０月り」して、前述のワ
イヤー状ろう材１９の載
する。 〔発明の技術的背景及びその問題点〕 半尋体ベレット？ｌｅ銅静からなる７１／−ムのペレッ
ト配設床に装Ｎｆるす段として、■Ａｕ ７”）フオー
ムを使用する所副Ａｕｓｉ共晶マウント方式、■半導体
ペレットの裏面側に厚さ１．５〜２．５μのＡｕＧｅ層
を形成して直接半導体ペレット忙ペレット配設床に装置
するＡｕ Ｆｏｉｌｌｏｓｓマウント方式、■半田マウ
ント方式がある。 ■のＡｕＳ ｉ共晶マウント方式によるものでは、厚さ
が約１５μ寸でのＡｕプリフォームを半導体ペレットよ
りも大きい大きさにして・期用するため、極めて経済性
が悪い。また、マウント後の熱衝撃試験によって半導体
被レットにクラックが発生し易い。■のＡｕ Ｆｏｉｌ
ｌｅｓｓマウント方式によるものでは、ペレットサイズ
が約１膿０以下になると、半田マウント方式に比べて経
済性の点で優れている。しが肱マウント後に施す半田浸
加熱試験等の熱衝撃によって、半導体ペレットにクラッ
クが発生し易い。また、半導体ペレットの裏面に形成し
たＡｕＧｅ層にょシベレノト自己設基台に装着するため
、ペレット配設基台に対して高い平行度で半導体ペレッ
トヲ尋＜ことが極めて難しい。■の半田マウント方式に
よるものでは、半導体ペレットが０．３９〜２璽０の微
少なものである時は、銅で形成されたペレット配設床の
場合には、ろう材のぬれ性が恕いため、安定した操作で
確実に半導体ペレット’を装着できない。 しかしながら、このような方式の中では、半導体ペレッ
トの大きさに応じた微少量の半田全・くレット配設基台
上に供給できるならば、マウント後の性能試験によって
もクラックが発生し離い点で半田マウント方式が好まし
い。このため、次のようにして微少量のろう材をペレッ
ト配設基台上に載置する試みがなされている。第１図（
Ａ）及び同図の）は、リボン状のろう材１を所定長さの
ところで切断して、これをペレット配設基台２上に吸着
治具音用いて載置するものである。−第２図（５）及び
同図（Ｊ３）は、円板状のろう材３を前述と同様に吸着
治具ケ用いてペレット配設基台２」二に載置するもので
ある。このような手段によるものでは、ろう材１，３０
表Ｈに形成された配化膜が半導体ペレット５との同、或
はペレット配設基台２との間に残存するため、半導体ペ
レット５全装着する際にろう材１，３が半導体ペレット
５及びペレット配設基台２に十分になじまず、半導体ペ
レット５を確実に装着できない。また、半導体ペレッｒ
５及びペレット配設基台２とろう材１．３との界面に空
洞部全形成し易いため熱抵抗が大きくなる。更に、ろう
制御の切断部にば！１１１ａが形成されでいると、第３
図に示す如く、ろう材１とペレット配役基台２との隙間
１ｂに空気が侵入し、ボイドの発生原因となる。また、
吸着治具を用いてろう材１，３をペレット配設基台２上
に導くため、第４図に示す如く、載置したろう材１，３
の中央部が山形に盛り上がシその直下に隙間１ｃができ
て、ボイド発生の原因となる。このような問題を解消す
るため、第５図（イ）及び同図（Ｂ）に示す如く、ワイ
ヤ状のろう材６を所定長に切断すると同時にこれをペレ
ット配設基台２上に載置するか、或は熱圧着によシベレ
ット配設基台２上に載置する試みがなされている。この
ような手段によるものでは、吸着治具を用いるものに比
べてボイドの発生を少なくできるが、ろう材６の表面に
形成された酸化ｊ換に起因する装着不良等の問題は、依
然解決できなかった。 〔発明の目的〕 本発明は、ろう材とペレット配設基台とのなじみ性を向
上すると共に、ろう材中に巣が発生するのを防止し、か
つ、高い密着度で確実にしかも容易に半導体ベレットに
ペレット配役基台に装着することができる半導体装置の
製造方法及びその製造装置を提供することをその目的と
するものである。 〔発明の概要〕 本発明に係る半導体装置の製造方法は、ワイヤ状のろう
材をその融点以上に加熱されたペレット配設基台上に所
定量だけ制仙Ｉしながら供給する工程を設けて、ろう材
とベレット配役基台とのなじみ性を向上すると共に、ろ
う材中に巣が発生するの全防止し、かつ、旨い密着度で
確実にしかも容易に半導体ペレッ）ｋペレット配設基台
に装着できるようにしたものである。 本発明に係る半導体装置の製造装置は、ペレット配設基
台を有するリードフレームをろう材取付部に所定のピッ
チで供給するフレームフィーダと、ペレット配設基台を
ろう材の融点以上に加熱する手段と、ペレット配役基台
にワイヤ状のろう材ケ所定の倣童分だけ制御しながら供
給する機構とを設けて、ろう材と波し、ト配設基台との
なじみ性を向上すると共に、ろう材中に巣が発生するの
全防止し、かつ、ｉ湧い密着夏で確実にしかも容易に半
導体ペレッ）ｋペレ。 ト配設基台に装着できるようにしたものである。 〔発明の実施例〕 以下、本発明の実施例について図面全参照して説明する
。第６図（Ａ）は、本発明の一実施例の横断面図、同図
（Ｂ）は、同実施例の縦断面図でめる。なお、本発明に
係る半導体装置の製造方法の説明は、同実施例の半導体
装置の製造装置の作用効果の説明をもってその説明とす
る。同図１０は、略トンネル形？なすハウジングである
。 ハウジング１０の下部は開口している。ハウジング１０
内には、その長手方向に沿ってフレーム１１の移送路１
２を形成すると共に、ハウジング１０の内側面との間に
雰囲気ガスの流出路となる隙間を形成するようにしてヒ
ーターブロック１３が収容されている。ヒーターブロッ
ク１３には、フレーム１ノを加熱するだめの熱源１４と
して例えはカートリッジヒータが内蔵されている。ヒー
ターブロック１３内には、その長手方向に沿って雰囲気
ガス供給路１５が形成されている。雰囲気ガス供給路１
５には、その長手方向に沿って所定時間隔を置いて端末
供給路１５ａか分岐している。端末供給路１５ａは移送
路１２に連通している。雰囲気ガス供給路１５は、・・
ウヅング１０の側壁部を貫挿して内部に導入された雰囲
気ガス供給管１６に接続されている。ハウジング１０円
には、フレーム１１を移送するフレームフィーダ２５に
設けられた送りビン１７が、フレーム１ノの送り孔１１
ａに出入するように上下動自在に設けられている。 ハウジング１０の土壁部の所定領域には、移送路ノ２に
連通する慝１８が開口δれている。窓１８の直下のノ・
ウジフグ１０円の領域は、ろう材取付部になっている。 ｒ（ｉ、＜ １８の上方には、ろう材取付部に移送路１
２から供給されたフレーム１１のベレット配設基台１１
ｂ上に、ワイヤ状ろう材１９を導くためのキャピラリー
ツール２０が昇１律自在に設けられている。この窓１８
の近傍の）・ウソング１０の部分には、位ｉｔ決めビン
２ノを出入するだめの位置決め孔２２か開口されている
。位置決めビン２１は、この位置決め孔２２忙介してろ
う材取付部内に出入し、フレーム１１に形成された固定
孔１１ｃに嵌入するようになっている。 キャピラリーツール２０は、第７図にボするう材供給Ｐ
Ａ構３０に接続はれている。キャピラリーツール２０は
、下レバー３１の先端部に保持されている。下レバー３
１の先端部には、ワイヤ状ろう材１９の押え部材３２が
取伺けられている。下レバー３１は、その略中央部を支
点にしてろう材供給機構３０の本体３３に揺動自在に支
持されている。下し・々−３１の後端部は、揺動レバー
３４にて把持されている。揺動レノ々−３４は、その略
中央部にて本体３３に揺動自在に支持されている。揺動
し４−３４の後端部には、カム３５が当接している。カ
ム３５はベルト３６を介してモータ３７に接続されてい
る。 このモータ３７の駆動によってカム３５が回転し、これ
に連動して揺動し・ぐ−３４、下゛レノ々−３１が揺動
してキャピラリーツール２０が昇降動するようになって
いる。下レ−：−３１の上方には、上レバー３８が対設
されている。上レノ々−３８は、その後端部の近傍に支
点を設けて本体３３に揺動自在に支持されている。」下
レノｉ −３８の先端部には、ワイヤ状ろう材１９の押
え部材３９と来内部材４０が取付けられている。 上レバー３８の後端部の上方には、これに対向してマイ
クロメータ４１の先端部が出入自在に設けられている。 上レバー３８と下レノぐ−３１は、夫々の支点と先端部
間の所定位置にはね部材４２を介在している。本体３３
の上部には、ワイヤ状ろう材１９を巻き取ったスプール
４３が設けられている。スプール４３から巻き解された
ワイヤ状ろう材１９は、上レノぐ−３８の案内部材４０
．押え部材３９を貞挿し、下し・々−３１の押え部材３
２全員挿してキャピラリーツール１９の先端部から外部
に４出されている。 ワイヤー状ろう材１９としては、例えば融点が１８３〜
３１０℃の範囲のＰｂ −５％Ｓｎ 、 Ｐｂ−１０％
５ｎｓＰｂ−１５％Ｓｎ 、 Ｐｂ−６３％Ｓｎ等の所
謂Ｐｂ−８ｎ系半田や、融点が２００〜２５０℃の範囲
の５ｎ−３，５％Ａｇ。 ５ｎ−１０％Ａｕ ％ Ｓｎ Ｉ ｎ Ｘ５ｎ−３，５
％ Ｓｂ ％ ５ｎ−１０％ｓｂ等の所謂Ｓｎ系半田、
或は、融点が約３００℃のＰＰｂ−８ｎ−Ａ系半田、融
点が１８０〜２００℃のＰｂ−Ｉｎ半田等を使用する。 また、ワイヤー状ろう材１９の断面形状は、円形、四角
形、三角形等如何なるものを使用しても良い。ワイヤー
状ろう旧１９の径は、装着する半導体ベレットの大きさ
に応じて設定する。例えば０．１φ、０．３φ、０．５
φ。 １．０φのワイヤー状ろう材１９を使用する。なお、キ
ャピラリーツール２０、ろう材供給機構３０、フレーム
フィーダ２５、位置決めビン２ノは、図示しない駆動部
によって連動するようになっている。 而して、このように構成された半導体装置の製造装置７
０によれは、次のようにしてフレーム１１に形成された
ペレット配設基台１１ｂに所定量のワイヤー状ろう材１
９を載ｉＷ Ｌ、半導体ベレットの装着が行われる。 先ず、雰囲気ガス供給管１６から雰囲気ガス供給路１５
、端末供給路１５ａｆｆ：経て移送路１２内に、Ｎ２ガ
ス或はＮ２を数饅含んだＮ２ガスやＡｒガス全供給し、
非酸化性或は還元性の雰囲気４作る。次いで、カートリ
ッジヒータ等からなる熱源１４にて移送路１２内を所足
温ル〔まで加熱する。加熱温度は、ペレット配設基台１
１ｂ上に載１従するワイヤー状ろう材１９を形成する半
田の融点ｒ考慮して、次の操作で供給されるフレーム１
１のペレット配設基台１１ｂ上の温度がワイヤー状ろう
材１９の融点よりも３０℃程度尚くなるように設定ブー
る。 次いで、フレームフィーダ２５を、駆動し、送りビン１
７をフレーム１１の送９孔１１ａに嵌入してフレーム１
１を移送路１２内に供給する。 フレーム１１は、所定の送シビッチでろう材取伺部に供
給される。フレーム１）がろう材取付部に導かれると、
位置決めビン２１がフレーム１１の位置決め孔２２内に
嵌入し、フレーム１１はろう材取付部の所定位置で固定
される。このとき、ペレット配設基台１１ｂは、後述の
操作にてここに載置するワイヤー状ろう材１９の融点よ
シも約３０℃筒い温度に加熱されている。Ｎ１、例えば
、ワイヤー状ろう材１９が１８３〜３１〇七の融点を有
するＰｂ−８ｎ系半田の場合には、ペレット配役基台１
１ｂは、２００〜４５０℃に加熱される。 次に、ろう材供給機構３０によシペレット配設基台１１
ｂにワイヤー状ろう材１９の所定量を載置する。ワイヤ
ー状ろう材１９の送υ出し操作は次のようにして行われ
る。第７図に示フー如く、まず、モータ３７を駆動して
カム３５を回転せしめる。カム３５の回転によシ揺動レ
バー３４の後端部が降下するとその支点を介して先端部
が上昇し、下レバー３１の後端部が上昇する。下レバー
３ノは後端部が上昇づ−ると支点を介して先端部が降下
する。下レバー３１の先端部が降下すると、ばね部材４
２を介して上レバー３８の先端部が引き下げられ、その
支点を介して上レバー３８の後端部が上昇する。上レバ
ー３８の後端部の上昇量は、これに対向して設けられた
マイクロメータ４ノの先端部に後端部が当接することに
より規制される。従って、第１ 余目（Ｑフレーム１）
のペレット配設基台１１ｂにワイヤー状ろう材１９を載
置する場合には、予めマイクロメータ４ノと上レバー３
８の後厳；都との間隔りを大きく設定しておく。而して
、モータ３７（ｉ）、！ｊＪ励してＭｉＪ述の下レバー
３１等の操作により、ワイヤー状ろう材１９をペレット
配設基台１１ｂ上の近景した位ｉまで下降させる。次い
で、マイクロメータ４ノと上レバー３８の後端部との間
隔りを、ペレット配設基台１ ｌ ｂ ＶＣ載置するワ
イヤー状ろう材１９の量に応じた値に設定する。次いで
、前述と同様にモータ３７の駆動により下レバー３１等
を操作して、キャピラリーツール２０を降下し、所定量
のワイヤー状ろう材１９をペレット配設基台１１ｂ上に
供給する。ここで、キャビラリーツ−ル２０の降下によ
るワイヤー状ろう材１９の送り出し速度は、ベレット配
該′基台１１１〕に接触して浴けて行く速度よりも遅く
設定づ−る必双がある。を亡っで、ペレットｒ」己り文
基台１１ｂの詰７゜度が低い場合は、カくシてベレット
配設基台１１ｂの温度かｉ司い場合は、早くする心安が
ある。・丙えは、Ｐｉｌ−８ｎ系半田からなる０、１φ
のワイヤー状ろう材１９を用いて、約０．３ ＋ｉ＋、
１０の半導体ベレットを装着する場合は、約２０″＋ｎ
／ の込シ出し通ｊ足が好ましい。また、例えはｏ
１φのワイヤー状ろうイ第１９を用いて、マイクロメー
タ４１と上レバー３８の後端部間の向陥り全赦駕するこ
とによシｆＳ＃）出し置き決定う−ると、この送り出し
蛍のワイヤー状ろう材１９を介１−で被レット配設基台
１１ｂ上に載置可能な半導体ベレットの大きさは、第８
図に示す特性組工にて表示δれる。同様にワイヤー状ろ
う拐１９の径全０．１５φｖＣｆると同図中！痔性腺Ｉ
Ｉ 、住を０．２φにすると特性線ｉｌｌに従ってワイ
ヤー哨（ろう）ｌ）１９の送り出し量と装着可能な半導
体ペレットの太きさと力・決定される。このようにして
、所定ｈ１゛のワイヤー状ろう材１９かにレット配設基
台１１ｂ上に載置ぢれると、ろう材層ＡＧ）賎１トド３
０によってキャピラリーツール２０蛍ベレ、ト目己阪基
台１１ｂから離間する。然る後、周知のコレットと称ら
れる吸ン１６市具等により、ベレット口己設基台１１ｂ
上に所定光゛のワイヤー状ろう材１９を介して早春１４
・ペレ、ｌ−全押庸し、半導体装置τ’；ｉ４．＃ ７
）。得られだ半導体装置は、フレームフィーグ２５によ
るフレーム１１の移送によって次工程へと導かれる。こ
のフレーム１１の移迷保作に１０月り」して、前述のワ
イヤー状ろう材１９の載
【１．′、Ｕ、、半導体ペレッ
トの押肩智の操作が連続的に行われる。 このように０．１φ、０３φ、０．５φ号の所望の径の
ワイヤー状ろう材１９を、ろう旧供給伝１再３０により
約ＣＬＵ１ｍｎという尚い送り出し打」Ｕ（でベレット
ｒ−１已設基台１１ｂ上Ｑて送り出す。しかも、ペレッ
ト配設基台１１ｂｆよ、予めワイヤー状ろう材１９の融
点よシも尚い温１ｙに加熱されているので、極めて＋？
、；１のワイヤー状ろう材１９を容易にかつ正確にペレ
ット自己設基台１１ｂ上に載置することができる。更に
、ワイヤー状ろう材１９の押し付は力を受けながら、ベ
レット配設基台１１ｂ上にワイヤー状ろう材１９は浴１
独しながら付着して行くので、表面に酸化膜が形原され
ても直ちに仮積され、波レット配設基台１１ｂとのなじ
みｊ夏は極めて旨い。勿論、ろう材取伺部全体が非区化
性或は還元性豚囲気に包まれていることからも、￥、＋
、＜ ’ｉｊｉ：されたワイヤー状ろう材１９の表１ｍ
に鈑化膜が形成されるのｋ ｌｓｉ」止することができ
る。また、ワイヤー状ろう材１９は、「姉いなじみ性の
下にペレット配設基台１１ｂ上に載置されると共に、送
り出しに伴う押し付は力を受けて載置されるので巣の発
生ｒ阻止することができる。その結果、半導体ペレット
は、住めて謳い密着力でイ面実にベレット配設基台１１
ｂ上に装置される。 このような効果を確認するため、ｙｉ：ｉｌで形１ｊＭ
されたベレット配設示合１１ｂ１、表面にＡｇメノギＡ
：、ｊ を形）Ｊ又 し／こ 投 し ッ １・ 自
己設ス括台 １１ ｂ２、 表ｉ′ｆＪ、＋ 姓二Ｎ
ｉメ、キ層を形成したペレットＬ′ｉ己設基台１１ｂ３
を設けた３樟９月のフレーム１１１，１１２゜１１３を
用】（よし、夾力也例につＥって半導体ペレット紮装屈
した半導体装置（実力−・レリ）、従来のリボン状ろう
材マウント方式にて半導体ペレット葡装７Ｉ￥ した半
導体装置（比較例１）ワイヤ状ろう月切１１ノ丁式マウ
ント方式にて半導体ベレットを装ノーシた半導体装１１
：！（比Ｉ区側２）の夫々を製造し ７゛こ ０ と、Ｉｔらの半等体製直に２ける半導体ペレットのづ妥
７１１す出展ｆ３：調べたところ下ｉ己表にボす７１−
屑米を１４」た。丑だ、半導体ベレットとベレット（１
１犯設基台１１ｂ１，１１ｂ２．１１ｂ３同のろう制か
らなる張合部内の朱の有無ｋ ｉＨｉ、ｉべたところ、
同表に併記する。ｉ、占米を得た。同表から明らかな如
く、尖施例で携られだ半Ｑ一体裳ぼＬでは、半導体ペレ
ットは、巣のない接合部（ろう材層）にて極めて商い辰
着度でペレット配設基台１１ｂ１に装着されていること
が判った。 なお、芙施しｉｊ″′Ｃは、ギヤピラリ−ツール２ｏか
ら所犀量のワイヤー状ろう４，３１９を送り出す手段と
して、カム３５、上下レバー３８，３１、及びマイクロ
メータ４１等ｔに且合せたｆＲ＜イイゑ：採用したもの
を説明したが、込り出しセ−ｊ ｋ Ｏ，０１ｙｕ＋程
度１でｔＩｉｌＪ側１できるものであれは如伺なる手段
を採用しても良い。第９図は、ての−レリを示づ゛もの
でるる。この辺り出し伝・１４σ５θは、電磁弁５１の
５（Ｉ）作によってワイヤー状ろう利１９の」り°（持
爪５２を開閉するようになっている。電磁弁５）は、（
りζ持爪５２の上部に保持されている。 挟持爪５２の下端部は、貞蜂弁５１により開閉芒れ１１
■」じた原にワイヤー状ろう材１９”ｚ挾持するように
なっている。挟持爪５２の下部には、相対向する挟持爪
５２か離間しないようにはね５３が介在されている。挟
持爪５２は、その側部に数個けられたアーム５４ＶＣて
ろう材供給１・設４１４の本体に数個けられている。う
シ“る持爪５２の上部ｅこは、その先端部にて挾持さｆ
ｔたツイヤ状ろう材１９の移送方向に沿ってレバー５５
が取付けられている。レバー５５ば、約０．０１ｗｎ
の制御精度で伸縮するようになっている。つまり、挟持
爪５２でワイヤ状ろう材１９を挾持し７゛ヒ後、レバー
５５の例えば縮み操作により所足斌だけワイヤ状ろう材
１９を送シ出丁。送り出し後挟持爪５２にょる挾持を解
除して、レバー５５の伸び操作により＝持爪５２はもと
の位置に戻される。この操作を繰シ返丁ことによｐ）５
ｒ定鴛のワイヤー状ろう材１９の送り出しが行われる。 第１Ｏ図は、送り出し手段の価の例を示゛すも。 のである。この込り出し機構６ｏは、基板６ノ上に２個
の送シ出しローラ６２ａ、６２ｂｆその周面間にワイヤ
ー状ろう材１９を妖持するようにして立設されている。 一方のロー＞６２ａの軸芯は、基板６１の裏面側に取付
けられたパルスモータ６３の回転軸にＨａしている。而
して、ノクルスモータ６３の回転数を制御することによ
シワイヤ状ろう材１９の送シ出し址を制御するようにな
っている。 〔発明の効果〕 以上説明した如く、本発明に係る半導体装置の製造方法
及びその製造装置によれは、ろう材とペレット配役基台
とのなじみ性を同上すると共に、ろう材中に来が発生す
るのを防止し、かつ、商い密酒度で確実にしかも容易に
半導体ペレット全ベレット配設基台に装着することがで
きるものである。
トの押肩智の操作が連続的に行われる。 このように０．１φ、０３φ、０．５φ号の所望の径の
ワイヤー状ろう材１９を、ろう旧供給伝１再３０により
約ＣＬＵ１ｍｎという尚い送り出し打」Ｕ（でベレット
ｒ−１已設基台１１ｂ上Ｑて送り出す。しかも、ペレッ
ト配設基台１１ｂｆよ、予めワイヤー状ろう材１９の融
点よシも尚い温１ｙに加熱されているので、極めて＋？
、；１のワイヤー状ろう材１９を容易にかつ正確にペレ
ット自己設基台１１ｂ上に載置することができる。更に
、ワイヤー状ろう材１９の押し付は力を受けながら、ベ
レット配設基台１１ｂ上にワイヤー状ろう材１９は浴１
独しながら付着して行くので、表面に酸化膜が形原され
ても直ちに仮積され、波レット配設基台１１ｂとのなじ
みｊ夏は極めて旨い。勿論、ろう材取伺部全体が非区化
性或は還元性豚囲気に包まれていることからも、￥、＋
、＜ ’ｉｊｉ：されたワイヤー状ろう材１９の表１ｍ
に鈑化膜が形成されるのｋ ｌｓｉ」止することができ
る。また、ワイヤー状ろう材１９は、「姉いなじみ性の
下にペレット配設基台１１ｂ上に載置されると共に、送
り出しに伴う押し付は力を受けて載置されるので巣の発
生ｒ阻止することができる。その結果、半導体ペレット
は、住めて謳い密着力でイ面実にベレット配設基台１１
ｂ上に装置される。 このような効果を確認するため、ｙｉ：ｉｌで形１ｊＭ
されたベレット配設示合１１ｂ１、表面にＡｇメノギＡ
：、ｊ を形）Ｊ又 し／こ 投 し ッ １・ 自
己設ス括台 １１ ｂ２、 表ｉ′ｆＪ、＋ 姓二Ｎ
ｉメ、キ層を形成したペレットＬ′ｉ己設基台１１ｂ３
を設けた３樟９月のフレーム１１１，１１２゜１１３を
用】（よし、夾力也例につＥって半導体ペレット紮装屈
した半導体装置（実力−・レリ）、従来のリボン状ろう
材マウント方式にて半導体ペレット葡装７Ｉ￥ した半
導体装置（比較例１）ワイヤ状ろう月切１１ノ丁式マウ
ント方式にて半導体ベレットを装ノーシた半導体装１１
：！（比Ｉ区側２）の夫々を製造し ７゛こ ０ と、Ｉｔらの半等体製直に２ける半導体ペレットのづ妥
７１１す出展ｆ３：調べたところ下ｉ己表にボす７１−
屑米を１４」た。丑だ、半導体ベレットとベレット（１
１犯設基台１１ｂ１，１１ｂ２．１１ｂ３同のろう制か
らなる張合部内の朱の有無ｋ ｉＨｉ、ｉべたところ、
同表に併記する。ｉ、占米を得た。同表から明らかな如
く、尖施例で携られだ半Ｑ一体裳ぼＬでは、半導体ペレ
ットは、巣のない接合部（ろう材層）にて極めて商い辰
着度でペレット配設基台１１ｂ１に装着されていること
が判った。 なお、芙施しｉｊ″′Ｃは、ギヤピラリ−ツール２ｏか
ら所犀量のワイヤー状ろう４，３１９を送り出す手段と
して、カム３５、上下レバー３８，３１、及びマイクロ
メータ４１等ｔに且合せたｆＲ＜イイゑ：採用したもの
を説明したが、込り出しセ−ｊ ｋ Ｏ，０１ｙｕ＋程
度１でｔＩｉｌＪ側１できるものであれは如伺なる手段
を採用しても良い。第９図は、ての−レリを示づ゛もの
でるる。この辺り出し伝・１４σ５θは、電磁弁５１の
５（Ｉ）作によってワイヤー状ろう利１９の」り°（持
爪５２を開閉するようになっている。電磁弁５）は、（
りζ持爪５２の上部に保持されている。 挟持爪５２の下端部は、貞蜂弁５１により開閉芒れ１１
■」じた原にワイヤー状ろう材１９”ｚ挾持するように
なっている。挟持爪５２の下部には、相対向する挟持爪
５２か離間しないようにはね５３が介在されている。挟
持爪５２は、その側部に数個けられたアーム５４ＶＣて
ろう材供給１・設４１４の本体に数個けられている。う
シ“る持爪５２の上部ｅこは、その先端部にて挾持さｆ
ｔたツイヤ状ろう材１９の移送方向に沿ってレバー５５
が取付けられている。レバー５５ば、約０．０１ｗｎ
の制御精度で伸縮するようになっている。つまり、挟持
爪５２でワイヤ状ろう材１９を挾持し７゛ヒ後、レバー
５５の例えば縮み操作により所足斌だけワイヤ状ろう材
１９を送シ出丁。送り出し後挟持爪５２にょる挾持を解
除して、レバー５５の伸び操作により＝持爪５２はもと
の位置に戻される。この操作を繰シ返丁ことによｐ）５
ｒ定鴛のワイヤー状ろう材１９の送り出しが行われる。 第１Ｏ図は、送り出し手段の価の例を示゛すも。 のである。この込り出し機構６ｏは、基板６ノ上に２個
の送シ出しローラ６２ａ、６２ｂｆその周面間にワイヤ
ー状ろう材１９を妖持するようにして立設されている。 一方のロー＞６２ａの軸芯は、基板６１の裏面側に取付
けられたパルスモータ６３の回転軸にＨａしている。而
して、ノクルスモータ６３の回転数を制御することによ
シワイヤ状ろう材１９の送シ出し址を制御するようにな
っている。 〔発明の効果〕 以上説明した如く、本発明に係る半導体装置の製造方法
及びその製造装置によれは、ろう材とペレット配役基台
とのなじみ性を同上すると共に、ろう材中に来が発生す
るのを防止し、かつ、商い密酒度で確実にしかも容易に
半導体ペレット全ベレット配設基台に装着することがで
きるものである。
第１図（Ａ）及び同図ω）は、従来方法にてｂｒ定長の
リボン状ろう材をペレット配設基台上に載置した状ｊ法
を示す説明図、第２図（Ａ）及び同図（８）は、排米方
法にて円板状のろう材をペレット配設基台上に載置した
状態を示す説明図、第３図は、ば９のあるろう材がペレ
ット配役基台上に載１直された状態を示す説明図、第４
図は、吸焉治具にてペレット配設基台上に載置されたろ
う材の状態出水す説明図、第５図（Ａ）及び同図（Ｂ）
ｆ＝１、所定長のワイヤ状ろう材がペレット配設基台上
に載置され／ヒ状態を示す説明図、第６図（５）は、本
発明の一実施例の横断面図、同図（Ｂ）は、同実施例の
縦断面図、第７図は、ろう材供給機構の概略構成を示ｆ
説明図、第８図は、ワイヤー状ろう材の送り出し量と装
着する半導体ベレットの大きさとの関係を示す特性図、
第９図及び第１０図は、ワイヤー状ろう財の送ｐ出し手
段の他の芙施例の勝５明図でめる。 １０・・・ハウシング、１ノ・・・フレーム、１２・・
・移送路、１３・・・ヒーターブロック、１４・・・熱
源、１５・・・雰囲気ガス供給路、１５ａ・・・瑞末供
、ｉ会路、１６・・・雰囲気ガス供給管、１７・・・送
シピン、１８・・・窓、１９・・・ワイヤー状ろう材、
２０・・・キャピラリーソール、２ノ・・・位置決めビ
ン、２２・・・位置決め孔、２５・・・フレームフィー
ダ、３０・・・ろう材供給機構、３ノ・・・下レバー、
３２・・・押え部材、３３・・・本体、３４・・・揺動
レバー、３５・・・カム、３６・・・ベルト、３７・・
・モータ、３８・・・上レバー、３９・・・押え部材、
４０・・・案内部材、４１・・・マイクロメータ、４２
・・・ばね部材、４３・・・スゾール、５０・・・送り
出し機構、５１・計■：磁弁、５２・・・挟持爪、５３
・・・はね、５４・・・アーム、５５・・・レバー、６
０・・・送り出し機４溝、６１・・・清板、６２ａ、６
２ｂ・・・送シ出しローラ、６３・・・ノやルスモーク
。
リボン状ろう材をペレット配設基台上に載置した状ｊ法
を示す説明図、第２図（Ａ）及び同図（８）は、排米方
法にて円板状のろう材をペレット配設基台上に載置した
状態を示す説明図、第３図は、ば９のあるろう材がペレ
ット配役基台上に載１直された状態を示す説明図、第４
図は、吸焉治具にてペレット配設基台上に載置されたろ
う材の状態出水す説明図、第５図（Ａ）及び同図（Ｂ）
ｆ＝１、所定長のワイヤ状ろう材がペレット配設基台上
に載置され／ヒ状態を示す説明図、第６図（５）は、本
発明の一実施例の横断面図、同図（Ｂ）は、同実施例の
縦断面図、第７図は、ろう材供給機構の概略構成を示ｆ
説明図、第８図は、ワイヤー状ろう材の送り出し量と装
着する半導体ベレットの大きさとの関係を示す特性図、
第９図及び第１０図は、ワイヤー状ろう財の送ｐ出し手
段の他の芙施例の勝５明図でめる。 １０・・・ハウシング、１ノ・・・フレーム、１２・・
・移送路、１３・・・ヒーターブロック、１４・・・熱
源、１５・・・雰囲気ガス供給路、１５ａ・・・瑞末供
、ｉ会路、１６・・・雰囲気ガス供給管、１７・・・送
シピン、１８・・・窓、１９・・・ワイヤー状ろう材、
２０・・・キャピラリーソール、２ノ・・・位置決めビ
ン、２２・・・位置決め孔、２５・・・フレームフィー
ダ、３０・・・ろう材供給機構、３ノ・・・下レバー、
３２・・・押え部材、３３・・・本体、３４・・・揺動
レバー、３５・・・カム、３６・・・ベルト、３７・・
・モータ、３８・・・上レバー、３９・・・押え部材、
４０・・・案内部材、４１・・・マイクロメータ、４２
・・・ばね部材、４３・・・スゾール、５０・・・送り
出し機構、５１・計■：磁弁、５２・・・挟持爪、５３
・・・はね、５４・・・アーム、５５・・・レバー、６
０・・・送り出し機４溝、６１・・・清板、６２ａ、６
２ｂ・・・送シ出しローラ、６３・・・ノやルスモーク
。
Claims (3)
- （１） ペレット配設基台を該配設基台上に被看するろ
う材の融点以上の温度に加熱する工程と、前記配設基台
上にワイヤ状のろう材を所定量押付けて被層する工程と
、′Ｗｌ后された該ろう材を介して前記配設基台上に半
導体ペレットを押滝する工程とを具備することを特徴と
する半導体装置の製造方法。 - （２） ペレット配設基台は、非酸化性汀囲気−また
は還元性雰囲気中に設置されている特許請求の範囲第１
項記載の半導体装置の製造方法。 - （３） 内部にフレームの移送路を形成したハウジン
グと、該ハウジング内に設けられたフレームフィーダと
、■ハウジング内に連通した亦囲気ガス供給管と、該ハ
ウジング内のろう材取付部に対向して該ハウジングに開
口された窓と、該窓を介して前記ろう材取付部に出入自
在に設けられたキャピラリーソールと、該キャピラリー
ツールに所矩量のワイヤ状ろう材を供給するろう材供給
ＩＭ ｓと、前記フレームのペレット配役基台全前記キ
ャピラリーツールに対向して位置決めする位置決め部材
と、前記ろう材取付部に設けられた前記フレームの熱源
とを具巾１１ｊすることを特徴とする半導体装置の製造
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57217411A JPH0614525B2 (ja) | 1982-12-11 | 1982-12-11 | 半導体装置の製造方法及びその製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57217411A JPH0614525B2 (ja) | 1982-12-11 | 1982-12-11 | 半導体装置の製造方法及びその製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59106124A true JPS59106124A (ja) | 1984-06-19 |
| JPH0614525B2 JPH0614525B2 (ja) | 1994-02-23 |
Family
ID=16703776
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57217411A Expired - Lifetime JPH0614525B2 (ja) | 1982-12-11 | 1982-12-11 | 半導体装置の製造方法及びその製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0614525B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6266641A (ja) * | 1985-09-19 | 1987-03-26 | Rohm Co Ltd | 半導体ペレツトのダイボンデイング方法 |
| JP2005252030A (ja) * | 2004-03-04 | 2005-09-15 | Hitachi Metals Ltd | 鉛フリー半田材料および半田材料の製造方法 |
| JP2017045804A (ja) * | 2015-08-25 | 2017-03-02 | ローム株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57191045U (ja) * | 1981-05-28 | 1982-12-03 |
-
1982
- 1982-12-11 JP JP57217411A patent/JPH0614525B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57191045U (ja) * | 1981-05-28 | 1982-12-03 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6266641A (ja) * | 1985-09-19 | 1987-03-26 | Rohm Co Ltd | 半導体ペレツトのダイボンデイング方法 |
| JP2005252030A (ja) * | 2004-03-04 | 2005-09-15 | Hitachi Metals Ltd | 鉛フリー半田材料および半田材料の製造方法 |
| JP4639607B2 (ja) * | 2004-03-04 | 2011-02-23 | 日立金属株式会社 | 鉛フリー半田材料およびＰｂフリー半田材料の製造方法 |
| JP2017045804A (ja) * | 2015-08-25 | 2017-03-02 | ローム株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0614525B2 (ja) | 1994-02-23 |
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