JPS59104781A - Magnetic bubble memory device - Google Patents
Magnetic bubble memory deviceInfo
- Publication number
- JPS59104781A JPS59104781A JP57211427A JP21142782A JPS59104781A JP S59104781 A JPS59104781 A JP S59104781A JP 57211427 A JP57211427 A JP 57211427A JP 21142782 A JP21142782 A JP 21142782A JP S59104781 A JPS59104781 A JP S59104781A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic bubble
- memory device
- bubble memory
- magnetic
- control circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は磁気バブルメモリ装置、特に記憶容量の異なる
複数の磁気バブルメモリデバイスを1個の装置で制御可
能にした磁気バブルメモリ装置に関するものである。[Detailed Description of the Invention] [Field of Application of the Invention] The present invention relates to a magnetic bubble memory device, and particularly to a magnetic bubble memory device that allows a single device to control a plurality of magnetic bubble memory devices with different storage capacities. .
従来、磁気バブルメそり素子9回転磁界発生用コイル、
バイアス磁界発生用永久磁石等を具備してなる磁気バブ
ルメモリデバイスに、情報の書き込み、読み出し動作を
制御させる磁気バブルメモリ制御回路は、磁気バブルメ
モリデバイスの各タイプに対して1対1の対応でしか制
御できないため、記憶容量の異なる複数の磁気バブルメ
モリデバイスを制御することは不可能であるという欠点
があった。Conventionally, magnetic bubble mesori element 9 rotation magnetic field generation coil,
A magnetic bubble memory control circuit that controls information writing and reading operations in a magnetic bubble memory device equipped with a permanent magnet for generating a bias magnetic field, etc. has a one-to-one correspondence with each type of magnetic bubble memory device. Therefore, it is impossible to control a plurality of magnetic bubble memory devices with different storage capacities.
したがって本発明は、前述した従来の欠点に鑑みてなさ
れたものであシ、その目的とするところは、記憶容量の
異なる複数の磁気バブルメモリデバイスの制御を可能に
した磁気バブルメモリ装置を提供することにある。Therefore, the present invention has been made in view of the above-mentioned conventional drawbacks, and an object thereof is to provide a magnetic bubble memory device that enables control of a plurality of magnetic bubble memory devices having different storage capacities. There is a particular thing.
このような目的を達成するために本発明は、磁気バブル
メモリ制御回路のリードオンリーメモリ中に、記憶容量
の異なる複数の磁気バブルメモリデバイスの定数を定数
テーブルとしてもたせ、このテーブル中のどの定数を使
用するかをタイプ認識入力によって指定することによシ
、対象となる磁気バブルメモリデバイスに対応する制御
を行なうものである。In order to achieve such an object, the present invention provides constants for a plurality of magnetic bubble memory devices with different storage capacities as a constant table in the read-only memory of a magnetic bubble memory control circuit, and determines which constants in this table are selected. By specifying whether to use the magnetic bubble memory device through type recognition input, control corresponding to the target magnetic bubble memory device is performed.
次に図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。 Next, embodiments of the present invention will be described in detail using the drawings.
第1図は本発明による磁気バブルメモリ装置の一例を示
すブロックダイヤグラムである。同図において、ホスト
コンピュータ!は磁気バブルメモリ装[2をメモリの一
つとして利用しているものであり、この磁気バブル”メ
モリ装置2は磁気バブルメモリデバイス制御回路3.磁
気パズルメモリデバイス4.磁気バブルメモリデバイス
40回転磁界電流を供給するコイルドライバ5.各ゲー
トにパルス電流を供給するファンクションドライバ6、
磁気バブルメモリデバイス4の出力信号を増幅、弁別す
るセンスアンプ7および磁気バブルメモリ制御回路3に
より指定された回転磁界の1周期内の必要なタイミング
パルスを発生する7つ′ンクションタイミングジエネレ
ータ8から構成されている。そして、前記磁気バブルメ
モリデバイス制御回路3は、第2図にブロックダイヤグ
ラムで示すようにこの磁気バブルメモリデバイス制御回
路3の全体の動作を制御する演算、制御回路と、ホスト
コンピュータlとの間でデータを授受するホストインタ
ー7エースレジスタ!0と、必要な制御信号を第1図の
ファンクションタイミングジェネレータ8に出力する磁
気バブルメモリデバイス制御用出力回路11と、記憶容
量の大きさの異なる複数の磁気バブルメモリデバイスに
対応するタイプ認識人力12を含む各種条件を第1図の
磁気バブルメモリデバイス制御回路3に取り込むための
入力回路13と、磁気バブルメモリデバイスの回転磁界
周期と磁気バブルメモリ制御回路3との同期をとるカウ
ンタ14と、第1図の磁気バブルメモリ制御装置2内で
の演算の途中結果等を一時保留させるランダムアクセス
メモリ15と、この磁気バブルメモリデバイス制御回路
30回路全体の動作手順、制御対象に心安な定数尋を記
憶するリードオンリーメモリ16とから構成されている
。そして、このリードオンリーメモリ16の中には、第
3図に示すように制御を対象とする磁気バブルメモリデ
バイス、つまシ記憶容量の大きさの異なる複数の磁気バ
ブルメモリデバイスに対応しであるファンクションから
次のファンクションまでの回転磁界のサイクル数あ本埴
はあるファンクションを、11として各ファンクション
までの回転磁界のサイクル数が予め記憶されている。す
なわち第3図(a) において、21は情報を貯えるマ
イナループ、22はライトメシャライン、23は読み出
し情報を転送するリードメジャライン、24は情報をラ
イトメシャライン22上に誓き込む磁気バブル発生缶、
25はライトメシャ2イン22上の情報をマイプループ
21中の情報とを入れ替えるスワップゲート、26はマ
イナループ21の情報をリードメジキライン23上に複
写するレプリケートゲート、27は磁気バブルを検出す
るディテクタである。FIG. 1 is a block diagram showing an example of a magnetic bubble memory device according to the present invention. In the same figure, the host computer! The magnetic bubble memory device 2 uses a magnetic bubble memory device 2 as one of the memories, and the magnetic bubble memory device 2 includes a magnetic bubble memory device control circuit 3. a magnetic puzzle memory device 4. a magnetic bubble memory device 40 rotating magnetic field. Coil driver 5 that supplies current; Function driver 6 that supplies pulse current to each gate;
From a sense amplifier 7 that amplifies and discriminates the output signal of the magnetic bubble memory device 4 and a seven-function timing generator 8 that generates the necessary timing pulses within one period of the rotating magnetic field specified by the magnetic bubble memory control circuit 3. It is configured. The magnetic bubble memory device control circuit 3, as shown in the block diagram in FIG. Host Inter 7 Ace register that sends and receives data! 0, a magnetic bubble memory device control output circuit 11 that outputs necessary control signals to the function timing generator 8 shown in FIG. an input circuit 13 for inputting various conditions including the above into the magnetic bubble memory device control circuit 3 shown in FIG. A random access memory 15 temporarily holds intermediate results of calculations in the magnetic bubble memory control device 2 shown in FIG. It is composed of a read-only memory 16 and a read-only memory 16. As shown in FIG. 3, this read-only memory 16 includes functions corresponding to a magnetic bubble memory device to be controlled and a plurality of magnetic bubble memory devices with different sizes of memory storage capacity. The number of cycles of the rotating magnetic field from 11 to the next function is stored in advance as 11 for a certain function. That is, in FIG. 3(a), 21 is a minor loop for storing information, 22 is a write mesh line, 23 is a read measure line for transferring read information, and 24 is a magnetic bubble generating can for transferring information onto the write mesh line 22. ,
25 is a swap gate that exchanges the information on the write mesh 2-in 22 with the information in the MyPloop 21, 26 is a replicate gate that copies the information on the minor loop 21 onto the read mesh line 23, and 27 is a detector that detects magnetic bubbles. .
このような構成において、磁気バブルメモリデバイスを
制御させるには次のような定数が必要となる。すなわち
同図(b)に示すようにレプリケートゲート23内のピ
ッ、ト数a、レプリケートゲート23からディテクタ2
7までのビット数す、ディテクタ27のピッ゛ト数C,
ディテクタ27がらレプリケートゲート23までのビッ
ト数d、磁気バブル発生器24のビット数e、磁気バブ
ル発生器24からスワップゲート25までのビット数f
。In such a configuration, the following constants are required to control the magnetic bubble memory device. That is, as shown in FIG. 2(b), the number of pits a in the replicate gate 23 is
The number of bits up to 7, the number of pits of the detector 27 C,
The number of bits from the detector 27 to the replicate gate 23 d, the number of bits from the magnetic bubble generator 24 e, the number of bits from the magnetic bubble generator 24 to the swap gate 25 f
.
スワップゲート25のビット数g、スワップゲート25
から磁気バブル発生器24までのビット数りが予め記憶
されている。この場合、これらのビット数a −%−h
は制御対象とする磁気バブルメモリデバイスの記憶容量
によシ回転磁界のサイクル数が異なるので、回転磁界数
に換算して記憶されている。しかしながら、第3図に示
すように各ファ乙
ンション間の回転磁界のサイクル数は磁気バブルメモリ
デバイスの記憶容量の差によって異なる。Number of bits g of swap gate 25, swap gate 25
The number of bits from the magnetic bubble generator 24 to the magnetic bubble generator 24 is stored in advance. In this case, the number of these bits a −%−h
Since the number of cycles of the rotating magnetic field varies depending on the storage capacity of the magnetic bubble memory device to be controlled, the number of cycles of the rotating magnetic field is converted into the number of rotating magnetic fields and stored. However, as shown in FIG. 3, the number of cycles of the rotating magnetic field between each foundation differs depending on the storage capacity of the magnetic bubble memory device.
そこで、第4図に示すように記憶容量の異なる磁気バブ
ルメモリデバイスのタイプを2Qa、 20b・・・・
・・・・2Onとしたとき、このタイプ20a、 20
b・・・・・・・・2011に対応する前述の定数a
% hを定数テーブル21a、 21b・・・・・・・
・・・2Inとして前述したリードオンリーメモリに記
憶されておシ、所要のタイプに対応するタイプ認職人力
12(第2図参照〕にょシ、制御対象とする磁気バブル
メモリデバイスに対応して使用する定数テーブルを選択
し、被制御磁気バブルメモリデバイスの制御を行なう。Therefore, as shown in Fig. 4, types of magnetic bubble memory devices with different storage capacities are 2Qa, 20b, etc.
...When it is 2On, this type 20a, 20
b...The above constant a corresponding to 2011
% h in constant tables 21a, 21b...
... 2 In is stored in the read-only memory mentioned above, and is used in accordance with the type recognition force 12 (see Figure 2) corresponding to the required type, and the magnetic bubble memory device to be controlled. select a constant table to control the controlled magnetic bubble memory device.
このような構成によれは、記ta容量の異なる複数の磁
気バブルメモリデバイスに対して磁気バブルメモリ制御
回路は1′a1類のみで済むことになる。With such a configuration, only the type 1'a1 magnetic bubble memory control circuit is required for a plurality of magnetic bubble memory devices having different capacities.
また、磁気バブルメモリデバイスをカセットとして交換
可能とした磁気パズルメモリ装置を構成するのに最適な
磁気バブルメモリ制御回路が得られる。Furthermore, a magnetic bubble memory control circuit is obtained which is most suitable for configuring a magnetic puzzle memory device in which the magnetic bubble memory device is replaceable as a cassette.
以上説明したように本発明によれば、記憶容量牟大ヰの
異なる複数の磁気パズルメモリデバイスを制御できるの
で、1種類の磁気バブルメモリ制御装置で済ますことが
でき、また、I fa類の磁気バブルメモリ制御回路で
済むため、量産効果で得られる副次的効果も太きい。As explained above, according to the present invention, a plurality of magnetic puzzle memory devices with different storage capacities can be controlled, so one type of magnetic bubble memory control device can be used. Since only a bubble memory control circuit is required, the secondary effects obtained through mass production are also significant.
第1図は本発明による磁気バブルメモリ装置の一例を示
すブロックダイヤグラム、第2図は第1図の磁気バブル
メモリデバイス制御回路の一例を示すブロックダイヤグ
ラム、第5図(a) I (b)は本発明による磁気バ
ブルメモリ装置に係わる磁気バブルメモリデバイス制御
回路の構成を説明するための図、第4図はリードオンリ
ーメモリ中の定数テーブルを示す図で−ある。
1・・・・ホストコンピュータ、2・・・・磁気バブル
メモリ装置、3・・・・磁気バブルメモリデバイス制御
回路、4・・・・磁気バブルメモリデバイス、5・・・
・コイルドライバ、6・・・・ファンクションドライバ
、7・・・・センスアンプ、8・・・・ファンクション
タイミングジェネレータ、9・・・・演算制御回路、I
O・・・・ホストインターフェースジェネレータ、lI
−・・・磁気バブルメモリ制御用出力回路、12・・・
・タイプ認識入力端子、■3・・・・入力回路、14・
・・・カウンタ、15・・・・ランダムアクセスメモリ
、20a、 20b・・曲・・・・2 on−a ’A
ハフルメモリテハイスS 21a、 21b・・・・
・・・・・・2In・・・・定数テーブル。
493
殆1図
(D−)
?7FIG. 1 is a block diagram showing an example of the magnetic bubble memory device according to the present invention, FIG. 2 is a block diagram showing an example of the magnetic bubble memory device control circuit of FIG. 1, and FIGS. FIG. 4 is a diagram for explaining the configuration of the magnetic bubble memory device control circuit related to the magnetic bubble memory device according to the present invention, and is a diagram showing a constant table in the read-only memory. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Host computer, 2... Magnetic bubble memory device, 3... Magnetic bubble memory device control circuit, 4... Magnetic bubble memory device, 5...
・Coil driver, 6... Function driver, 7... Sense amplifier, 8... Function timing generator, 9... Arithmetic control circuit, I
O...Host interface generator, lI
-... Output circuit for magnetic bubble memory control, 12...
・Type recognition input terminal, ■3...Input circuit, 14.
...Counter, 15...Random access memory, 20a, 20b...Song...2 on-a 'A
Huffle Memory Tech S 21a, 21b...
・・・・・・2In・・・Constant table. 493 Almost 1 figure (D-)? 7
Claims (1)
与える永久磁石と該素子に水平な回転磁界を与える駆動
コイルとから構成される磁気バブルメモリデバイスの書
き込み、読み出し動作を制御する磁気バブルメモリデバ
イス制御回路を具備してなる磁気バブルメモリ装置にお
いて、前記磁気バブルメモリデバイス制御回路に、記憶
容量の異麦る複数の磁気バブルメモリデバイスに対応す
る定数テーブルを記憶したリードオンリーメモリと、該
複数の磁気バブルメモリデバイスの容量のタイプをMf
iする信号を入力させる手段とを備え、該認識信号で該
定数テーブルを選択して被制御磁気バブルメモリデバイ
スに対応する制御を行なうことを特徴とした磁気バプル
メそり装置。A magnetic bubble memory device control circuit that controls write and read operations of a magnetic bubble memory device that includes at least a magnetic puzzle memory element, a permanent magnet that applies a perpendicular magnetic field to the element, and a drive coil that applies a horizontal rotating magnetic field to the element. A magnetic bubble memory device comprising: a read-only memory in which the magnetic bubble memory device control circuit stores a constant table corresponding to a plurality of magnetic bubble memory devices with different storage capacities; Mf is the capacity type of the memory device.
1. A magnetic bubble mesori device comprising: means for inputting a signal for controlling a magnetic bubble memory device;
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57211427A JPS59104781A (en) | 1982-12-03 | 1982-12-03 | Magnetic bubble memory device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57211427A JPS59104781A (en) | 1982-12-03 | 1982-12-03 | Magnetic bubble memory device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59104781A true JPS59104781A (en) | 1984-06-16 |
Family
ID=16605766
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57211427A Pending JPS59104781A (en) | 1982-12-03 | 1982-12-03 | Magnetic bubble memory device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59104781A (en) |
-
1982
- 1982-12-03 JP JP57211427A patent/JPS59104781A/en active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5226006A (en) | Write protection circuit for use with an electrically alterable non-volatile memory card | |
US4156934A (en) | Serial bubble memory store | |
JPS59104781A (en) | Magnetic bubble memory device | |
JPH04357519A (en) | Memory device | |
JPS6051188B2 (en) | Driving method of magnetic bubble memory | |
JPS597147B2 (en) | magnetic bubble storage device | |
JPS61253559A (en) | Microprocessor | |
JPS5811711B2 (en) | Storage device | |
SU678535A1 (en) | Storage | |
JPS63115251A (en) | Disk cache controller | |
JPH082756Y2 (en) | Image processing device | |
JP2968636B2 (en) | Microcomputer | |
JPS61246848A (en) | Operation hysteresis storage circuit | |
JPS63503101A (en) | data storage and transfer equipment | |
JPH0415847A (en) | Memory card | |
JPS61271687A (en) | Magnetic bubble cassette device | |
JPS5880179A (en) | Magnetic bubble memory element | |
JPS60181810A (en) | Controller for generation of waveform | |
JPS61148695A (en) | Memory device | |
KR960042290A (en) | Computer input / output configuration setting system and method | |
JPS60147993A (en) | Cassette type magnetic bubble memory device | |
JPS61246989A (en) | Memory circuit | |
JPS61167982A (en) | Memory integrated circuit | |
JPH07262127A (en) | Ic test equipment | |
JPS61246849A (en) | Operation hysteresis storage circuit |