JPS59104656A - 電子写真感光体 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、導電性支持体上に、キャリア発生相とキャリ
ア輸送層とを組合せて成る感光層を設けた成子写真感光
体に関するもので7ある。
ア輸送層とを組合せて成る感光層を設けた成子写真感光
体に関するもので7ある。
現在までに、可視光を吸収して荷電キャリア(以下囃に
「キャリア」という。)を発生するキャリア発生物質c
以下rCGMJという。)を含有して成るキャリア発生
層C以下rcGLJという。)と、このCGLにおいて
発生した正又は負のキャリアの何れか一方又は両方を輸
送するキャリア輸送物質C以下rcTMJという。)を
含有して成るキャリア輸送層C以下rCTLJという。
「キャリア」という。)を発生するキャリア発生物質c
以下rCGMJという。)を含有して成るキャリア発生
層C以下rcGLJという。)と、このCGLにおいて
発生した正又は負のキャリアの何れか一方又は両方を輸
送するキャリア輸送物質C以下rcTMJという。)を
含有して成るキャリア輸送層C以下rCTLJという。
)とを組合せることKよシ、電子写真感光体の感光層を
構成せしめることが提案されている。このように、キャ
リアの発生と、その輸送という感光層において必要な2
つの基礎的機能を、別個の層に分担せしめることにより
、感光層の構成に用い得る物質の選択範囲が広範となる
上、各機能を量適に果す物質又は物質系を独立に選定す
ることが可能となシ、又そうすることにより、電子写真
プロセスにおいて要求されるg特性、例えば帯電せしめ
たときの表面電位が高く、電荷保持能が大きく、光感度
が高く、又反復使用における安定性が大きい等の優れた
特性を有する電子写真感光体を構成せしめることが可能
となる。
構成せしめることが提案されている。このように、キャ
リアの発生と、その輸送という感光層において必要な2
つの基礎的機能を、別個の層に分担せしめることにより
、感光層の構成に用い得る物質の選択範囲が広範となる
上、各機能を量適に果す物質又は物質系を独立に選定す
ることが可能となシ、又そうすることにより、電子写真
プロセスにおいて要求されるg特性、例えば帯電せしめ
たときの表面電位が高く、電荷保持能が大きく、光感度
が高く、又反復使用における安定性が大きい等の優れた
特性を有する電子写真感光体を構成せしめることが可能
となる。
従来このような感光層としては、例えば次のようなもの
が仰られている。
が仰られている。
(1) 無定形セレン又は硫化カドミウムより成るC
GLと、ポリ−N−ビニルカルバゾールより成るCTL
とを積層せしめた構成。
GLと、ポリ−N−ビニルカルバゾールより成るCTL
とを積層せしめた構成。
(2) 無定形セレン又は硫化カドミ′ウムよ構成る
CGLと、2,4.7−)ジニトロ−9−フルオレノン
を含有するCTLとを積層せしめた構成。
CGLと、2,4.7−)ジニトロ−9−フルオレノン
を含有するCTLとを積層せしめた構成。
(3)ペリレン誘導体より成るCGLと、オキサジアゾ
ール誘導体を含有するCTLとを積層せしめた構成(米
国特許第3871882号明細書参照)。
ール誘導体を含有するCTLとを積層せしめた構成(米
国特許第3871882号明細書参照)。
(4) クロルダイヤンブルー又はメチルスヵリリウ
ムより成るCGLと、ピラゾリン誘導体を含有するCT
Lとを積層せしめた構成(特開昭51−90827号公
報参照)。
ムより成るCGLと、ピラゾリン誘導体を含有するCT
Lとを積層せしめた構成(特開昭51−90827号公
報参照)。
(5) 無定形セレン又はその合金より成るCGLと
、ポリアリールアルカン系芳香族アミノ化合物を含有す
るC’rLとを積層せしめた構成(特願昭52−147
251号明細書)。
、ポリアリールアルカン系芳香族アミノ化合物を含有す
るC’rLとを積層せしめた構成(特願昭52−147
251号明細書)。
(6)ペリレン誘導体を含有するCGLと、ボリアリー
ルアルカン系芳香族アミノ化合物を含有するCTLとを
積ノーせしめた構成(特願昭53−19907号明細書
)。
ルアルカン系芳香族アミノ化合物を含有するCTLとを
積ノーせしめた構成(特願昭53−19907号明細書
)。
このようにこの種の感光層としては多くのものが知られ
てはbるが、斯かる感光層を有する従来の成子写真感光
体においては反復して電子写真プロセスに供したときの
感光層の電気的疲労が激しくて使用寿命が非常に短い欠
点を有する。
てはbるが、斯かる感光層を有する従来の成子写真感光
体においては反復して電子写真プロセスに供したときの
感光層の電気的疲労が激しくて使用寿命が非常に短い欠
点を有する。
例えば、繰り返して電子写真プロセスに供したときに、
当該′電子写真感光体の電位の履歴状態が安定に維持さ
れず、安定した画像形成特性を得ることができない。
当該′電子写真感光体の電位の履歴状態が安定に維持さ
れず、安定した画像形成特性を得ることができない。
また、特定のビスアゾ化合物をCGMとして用いること
が例えば特開昭55−117151号公報、特開昭54
−145142号公報等に開示されているが、このCG
Mと組合せ得るとされているCTMとの組合せにおいて
も、なお上述の欠点が相当に大きい。
が例えば特開昭55−117151号公報、特開昭54
−145142号公報等に開示されているが、このCG
Mと組合せ得るとされているCTMとの組合せにおいて
も、なお上述の欠点が相当に大きい。
このことからも理解されるように、ある特定のキャリア
発生物質に対して有効なキャリア輸送物質が、他のキャ
リア発生物質に対して當に有効な訳ではなく、又特定の
キャリア輸送物質に対して有効なキャリア発生物質が、
他のキャリア輸送物質に対して常に有効であるとも言う
ことができない。
発生物質に対して有効なキャリア輸送物質が、他のキャ
リア発生物質に対して當に有効な訳ではなく、又特定の
キャリア輸送物質に対して有効なキャリア発生物質が、
他のキャリア輸送物質に対して常に有効であるとも言う
ことができない。
両物質の組合せが不適当な場合には電子写真感度が低(
なるばかりでなく、特に低電界時の放銃効率が悪いため
、所謂残留電位が犬毎りなり、最悪の場合には反復して
使用する度に電位が蓄積し、実用上電子写真の用途に供
し得な(なる。
なるばかりでなく、特に低電界時の放銃効率が悪いため
、所謂残留電位が犬毎りなり、最悪の場合には反復して
使用する度に電位が蓄積し、実用上電子写真の用途に供
し得な(なる。
このようにキャリア発生相の構成物質とキャリア輸送相
の構成物質との好適な組合せについては法則的な選択手
段はなく、多くの物質群の中から有利な組合せを実践的
に決定する必要がある。
の構成物質との好適な組合せについては法則的な選択手
段はなく、多くの物質群の中から有利な組合せを実践的
に決定する必要がある。
本発明は、キャリア発生相とキャリア輸送相とを組合せ
て成る感光層を具え、大きな感度を有し、しかも繰り返
して電子写真プロセスに供したときにも電位の履歴状態
が安定に維持され、常に良好な可視画像を形成すること
のできる電子写真感光体を提供することを目的とする。
て成る感光層を具え、大きな感度を有し、しかも繰り返
して電子写真プロセスに供したときにも電位の履歴状態
が安定に維持され、常に良好な可視画像を形成すること
のできる電子写真感光体を提供することを目的とする。
以上の目的は、キャリア発生相とキャリア輸送相とを組
合せて成る感光層を導電性支持体上に設けて成る電子写
真感光体において、前記キャリア発生相が下記一般式C
I)または一般式〔I′〕で示されるビスアゾ化合物を
含有し、前記キャリア輸送相が下記一般式(II)で示
されるカルバゾール誘導体を含有することを6徴とする
電子写真感光体によって達成される。
合せて成る感光層を導電性支持体上に設けて成る電子写
真感光体において、前記キャリア発生相が下記一般式C
I)または一般式〔I′〕で示されるビスアゾ化合物を
含有し、前記キャリア輸送相が下記一般式(II)で示
されるカルバゾール誘導体を含有することを6徴とする
電子写真感光体によって達成される。
一般式〔I〕
一般式〔工す
〔式中、
Ar1、Ar2およびAr3 :それぞれ置換、未置換
の炭素環式芳香族環基、 R1またはR2:それぞれ電子吸引性基、A : Y:水素原子、ハロゲン原子、 R換、未置換のアルキル基、 アルコキシ基、カルボキシ ル基、スルホ基、置換、未 置換のカルバモイル基マタ は置換、未置換のスルファ モイル基、(但し、mが2 以上のときは、互に異なる 基であってもよい。) Z:@換、未置換の炭素環式芳 香族環または置換、未置換 の複素環式芳香族環を構成 するに必要な原子群、 R3:水素原子、置換、未置換の アミノ基、置換、未置換の カルバモイル基、カルホキ シル基またはそのエステル 基、 A′:置換、未置換のアリール基、 n:1または2の整数、 m:θ〜4の整数を表わす。〕 一般式(II) 7 〔式中、 R7:置換、未置換のアリール基、 R8:水〜素原子、ハロゲン原子、 置換、未置換のアルキル基、 アルコキシ基、アミノ基、 #換アミノ基、水酸基、 R9:置換、未置換のアリール基、 置換、未置換の複素環基を表 わす。〕 前記一般式CI)または一般式〔■りで示されるビスア
ゾ化合物のうち、好ましいのは次の一般式CI&)また
は一般式CI’a )で示されるものである。
の炭素環式芳香族環基、 R1またはR2:それぞれ電子吸引性基、A : Y:水素原子、ハロゲン原子、 R換、未置換のアルキル基、 アルコキシ基、カルボキシ ル基、スルホ基、置換、未 置換のカルバモイル基マタ は置換、未置換のスルファ モイル基、(但し、mが2 以上のときは、互に異なる 基であってもよい。) Z:@換、未置換の炭素環式芳 香族環または置換、未置換 の複素環式芳香族環を構成 するに必要な原子群、 R3:水素原子、置換、未置換の アミノ基、置換、未置換の カルバモイル基、カルホキ シル基またはそのエステル 基、 A′:置換、未置換のアリール基、 n:1または2の整数、 m:θ〜4の整数を表わす。〕 一般式(II) 7 〔式中、 R7:置換、未置換のアリール基、 R8:水〜素原子、ハロゲン原子、 置換、未置換のアルキル基、 アルコキシ基、アミノ基、 #換アミノ基、水酸基、 R9:置換、未置換のアリール基、 置換、未置換の複素環基を表 わす。〕 前記一般式CI)または一般式〔■りで示されるビスア
ゾ化合物のうち、好ましいのは次の一般式CI&)また
は一般式CI’a )で示されるものである。
一般式(Ia)
N
A−N=N−Ar 1−CH=C−A r2−CH=C
H−Ar3−N=N−A一般式CI’a ) 〔式中、 Ar1、Ar2、Ar3およびAニ一般式(I)または
一般式〔工すにおいて定義されたものと 同じである。〕 更に好ましいものは、特に次の一般式(Ib )または
CI’b )で示されるものである。
H−Ar3−N=N−A一般式CI’a ) 〔式中、 Ar1、Ar2、Ar3およびAニ一般式(I)または
一般式〔工すにおいて定義されたものと 同じである。〕 更に好ましいものは、特に次の一般式(Ib )または
CI’b )で示されるものである。
一般式(Ib)
N
A−N=N−Ar4−CH=C−Ar 5−CH=CH
−Ar6→←N−A一般式CI’b ) 〔式中、 Aニ一般式(I)または一般式〔杓 において定義されたものと 同じ、 Ar4、Ar5およヒAr6:置換、未置換のフェニル
基を表わし、置換基としては、 メチル基、エチル基などの アルキル基、メトキシ基、 エトキシ基などのアルコキ シ基、塩素原子、臭素原子 などのハロゲン原子、水酸 基およびシアノ基から選択 されたものが好ましい。〕 即ち本発明においては、前記一般式CI)または一般式
〔1′〕で示されるビスアゾ化合物をCGMとして用い
ると共に、前記一般式(I[)で示されるカルバゾール
銹導体をCTMとして用いてこれらを組合せることによ
り、キャリアの発生と輸送とをそれぞれ別間のl物質で
行なういわゆる機能分離型感光体の感光層を構成する。
−Ar6→←N−A一般式CI’b ) 〔式中、 Aニ一般式(I)または一般式〔杓 において定義されたものと 同じ、 Ar4、Ar5およヒAr6:置換、未置換のフェニル
基を表わし、置換基としては、 メチル基、エチル基などの アルキル基、メトキシ基、 エトキシ基などのアルコキ シ基、塩素原子、臭素原子 などのハロゲン原子、水酸 基およびシアノ基から選択 されたものが好ましい。〕 即ち本発明においては、前記一般式CI)または一般式
〔1′〕で示されるビスアゾ化合物をCGMとして用い
ると共に、前記一般式(I[)で示されるカルバゾール
銹導体をCTMとして用いてこれらを組合せることによ
り、キャリアの発生と輸送とをそれぞれ別間のl物質で
行なういわゆる機能分離型感光体の感光層を構成する。
そしてこのことにより、感度が大きく、シかも繰り返し
成子写真プロセスに供したときにも電位の履歴状態が安
定に維持され従って常に良好な可視画像を形成し得る遊
子写真感光体を提供することができる□ また本発明電子写真感光体においては、特に波長600
〜700nmの長波長域にも大きな分光感度が得られ、
従って例えば波長6328^のヘリウム−ネオンレーザ
を潜像形成用光源として用いることができ、更に低電界
時におけるいわゆる電位の据切れが良好で現像時に非画
像部の電位が零またはこれに近い状態となるので、大き
な実効バイアスを得ることのできなペトナーのみより成
る一成分現像剤によっても良好な現像を行なうことがで
きる。
成子写真プロセスに供したときにも電位の履歴状態が安
定に維持され従って常に良好な可視画像を形成し得る遊
子写真感光体を提供することができる□ また本発明電子写真感光体においては、特に波長600
〜700nmの長波長域にも大きな分光感度が得られ、
従って例えば波長6328^のヘリウム−ネオンレーザ
を潜像形成用光源として用いることができ、更に低電界
時におけるいわゆる電位の据切れが良好で現像時に非画
像部の電位が零またはこれに近い状態となるので、大き
な実効バイアスを得ることのできなペトナーのみより成
る一成分現像剤によっても良好な現像を行なうことがで
きる。
前記一般式CI)で示されるビスアゾ化合物の具体例と
しては、例えば次の構造式を有するものを挙げることが
できるが、これらに限定されるものではない。
しては、例えば次の構造式を有するものを挙げることが
できるが、これらに限定されるものではない。
例示化合物
−へ の
1 1 1一一
ソ ν
リ誓 !
Qへ へ
6寸 り
Φψ
0 01
1 1+
+ 1−1%+、/
%+/ リへ
リ へζh ト 銘
Cの 1 1 1HHH −ノ −ノ
−ノo
v−4へトトト 1 1 1+
1−I H
ν %+/
7−ノ (
) −ノH国
+−+
1−+前記一般式〔■すで示されるビスアゾ化合物の具
体例としては、例えば次の構造式を有するものを挙げる
ことができるが、これらに限定されるものではな−。
リ誓 !
Qへ へ
6寸 り
Φψ
0 01
1 1+
+ 1−1%+、/
%+/ リへ
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v−4へトトト 1 1 1+
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) −ノH国
+−+
1−+前記一般式〔■すで示されるビスアゾ化合物の具
体例としては、例えば次の構造式を有するものを挙げる
ことができるが、これらに限定されるものではな−。
例示化合物
^^へ
−へ 1
1 1
1−一°− () −ノ
()H2−− ”+−7Q リQ
v
!、 J 。
1−一°− () −ノ
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v
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Hl−11++
−ノ 〜ノ
−ノーノ
−ノ
−ノ1 1
1− H− 一ノ −ノ
−ノ+
+
H−ノ
−ノ
−ノ1−1 s−+
’w−
ν −
ノHI+L H
−−H ゝ′ −ノ
−ノーノ
−ノ
−ノ閃 寸 唖
ΦQ
の
11 1
11−+
+−+ HH
l−11−1k”1 ′+/ l+7
− −
1 − − 一ノ −ノ−ノ
I+1 −ノ
−ノ前記一般式(II)で示されるカ
ルバゾール誘導体の具体例としては、例えば次の構造式
を有するものを挙げることができるが、これらに限定さ
れるものではない。
−ノーノ
−ノ
−ノ1 1
1− H− 一ノ −ノ
−ノ+
+
H−ノ
−ノ
−ノ1−1 s−+
’w−
ν −
ノHI+L H
−−H ゝ′ −ノ
−ノーノ
−ノ
−ノ閃 寸 唖
ΦQ
の
11 1
11−+
+−+ HH
l−11−1k”1 ′+/ l+7
− −
1 − − 一ノ −ノ−ノ
I+1 −ノ
−ノ前記一般式(II)で示されるカ
ルバゾール誘導体の具体例としては、例えば次の構造式
を有するものを挙げることができるが、これらに限定さ
れるものではない。
例示化合物
(II−1)
(II−2)
(I[−3)
(II−4)
(II−6)
(I[−7)
H3
(II−8)
(II−9)
(I[−12)
(II −13)
(II −14)
(I[−15)
(K −18) H3O2′”c2H5N1
H5CCHs
(It −23)
(I[−24)
L−n3
(II −29)
(n−30)
(I[−31)
(I[−32)
次に本発明電子写真感光体の機械的構成について説明す
る。
る。
本発明の一例においては、第1図に示すように、導電性
支持体1上に既述のビスアゾ化合物を主成分として含有
して成るCGL2を形成し、このCGL、2上に既述の
カルバゾール誘導体を主成分として含有し7て成るCT
L3を積層して形成し′、これらのCGL2とCTL3
とにより感光層4を構成する。
支持体1上に既述のビスアゾ化合物を主成分として含有
して成るCGL2を形成し、このCGL、2上に既述の
カルバゾール誘導体を主成分として含有し7て成るCT
L3を積層して形成し′、これらのCGL2とCTL3
とにより感光層4を構成する。
ここに前記導電性支持体lの材質としては、例えばアル
ミニウム、ニッケル、鋼、亜鉛、パラジウム、銀、イン
ジウム、錫、白金、金、ステンレス鋼、真鍮等の金属の
シートを用いることができる。しかしこれらに限定され
るものではなく、例えば第2図に示すように、絶縁性基
体IA上に導電層IBを設けて導電性支持体1を構成せ
しめることもでき、この場合において基体IAとしては
紙、プラスチックシート等の可撓性を有し、しかも曲げ
、引張り等の応力に対して十分な強度を有するものが適
当である。又導電層IBは金属シートをラミネートし或
いは金属を真空蒸着せしめることにより、又はその他の
方法によって設けることができる。
ミニウム、ニッケル、鋼、亜鉛、パラジウム、銀、イン
ジウム、錫、白金、金、ステンレス鋼、真鍮等の金属の
シートを用いることができる。しかしこれらに限定され
るものではなく、例えば第2図に示すように、絶縁性基
体IA上に導電層IBを設けて導電性支持体1を構成せ
しめることもでき、この場合において基体IAとしては
紙、プラスチックシート等の可撓性を有し、しかも曲げ
、引張り等の応力に対して十分な強度を有するものが適
当である。又導電層IBは金属シートをラミネートし或
いは金属を真空蒸着せしめることにより、又はその他の
方法によって設けることができる。
前記CGL2は、既述のビスアゾ化合物単独により、又
はこれに適当なバインダー樹脂を加えたものにより、或
いは更に特定又は非特定の甑性のキャリアに対する移動
度の大きい物質即ちCTMを添加したものにより形成す
ることができる。
はこれに適当なバインダー樹脂を加えたものにより、或
いは更に特定又は非特定の甑性のキャリアに対する移動
度の大きい物質即ちCTMを添加したものにより形成す
ることができる。
具体的な方法としては、前記支′持体上に、既述のビス
アゾ化合物を適当な溶剤に単独で或いは適当なバインダ
ー樹脂と共に溶解若しくは分散せしめたものを塗布して
乾燥せしめる方法が軽便に利用される。
アゾ化合物を適当な溶剤に単独で或いは適当なバインダ
ー樹脂と共に溶解若しくは分散せしめたものを塗布して
乾燥せしめる方法が軽便に利用される。
この方法において、溶媒或いは分散媒としては、例えば
n−ブチルアミン、ジエチルアミン、エチレンジアミン
、イソプロパツールアミン、モノエタノールアミン、ト
リエタノールアミン、トリエチレンジアミン、N、N−
ジメチルホルムアミド、アセトン、メチルエチルケトン
、シクロヘキサノン、ベンゼン、トルエン、キシレン、
クロロホルム、1.2−ジクロロエタン、ジクロロメタ
ン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、メタノール、エ
タノール、イングロパノール、酢酸エチル、酢酸ブチル
1、ジメチルスルホキシド、その他を用いることができ
る。
n−ブチルアミン、ジエチルアミン、エチレンジアミン
、イソプロパツールアミン、モノエタノールアミン、ト
リエタノールアミン、トリエチレンジアミン、N、N−
ジメチルホルムアミド、アセトン、メチルエチルケトン
、シクロヘキサノン、ベンゼン、トルエン、キシレン、
クロロホルム、1.2−ジクロロエタン、ジクロロメタ
ン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、メタノール、エ
タノール、イングロパノール、酢酸エチル、酢酸ブチル
1、ジメチルスルホキシド、その他を用いることができ
る。
また、バインダー樹脂としては、例えばポリエチレン、
ポリプロピレン、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、塩化
ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレ
タン樹脂、フェノール樹脂、ポリエステル樹脂、アルキ
ッド樹脂、ポリカーボネート樹脂、シリコン樹脂、メラ
ミン樹脂等の付加重合型樹脂、重付加型樹脂、重縮合型
樹脂、並びにこれらの樹脂の繰り返し単位のうちの2つ
以上を含む共重合体樹脂、例えば塩化ビニル−酢酸ビニ
ル共重合体樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイ
ン酸共重合体樹脂等の絶縁性樹脂の他、1ボIJ −N
−ビニルカルバゾール等の高分子有機半導体を挙げるこ
とができる。そして、このバインダー樹脂のビスアゾ化
合物に対する割合は、0〜100重量%、特に0〜10
重厳チの範囲である。
ポリプロピレン、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、塩化
ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレ
タン樹脂、フェノール樹脂、ポリエステル樹脂、アルキ
ッド樹脂、ポリカーボネート樹脂、シリコン樹脂、メラ
ミン樹脂等の付加重合型樹脂、重付加型樹脂、重縮合型
樹脂、並びにこれらの樹脂の繰り返し単位のうちの2つ
以上を含む共重合体樹脂、例えば塩化ビニル−酢酸ビニ
ル共重合体樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイ
ン酸共重合体樹脂等の絶縁性樹脂の他、1ボIJ −N
−ビニルカルバゾール等の高分子有機半導体を挙げるこ
とができる。そして、このバインダー樹脂のビスアゾ化
合物に対する割合は、0〜100重量%、特に0〜10
重厳チの範囲である。
前記CGL2には、必要に応じて適宜のCTMを添加し
てもよい。
てもよい。
以上のようにして形成される前記CG L2の厚さは、
好ましくはo、oos〜20ミクロン、特に好ましくは
0.05〜5ミクロンである。0.005ミクロン未満
では充分な光感度が得られず、また20ミクロンを越え
ると充分な電荷保持性が得られない。
好ましくはo、oos〜20ミクロン、特に好ましくは
0.05〜5ミクロンである。0.005ミクロン未満
では充分な光感度が得られず、また20ミクロンを越え
ると充分な電荷保持性が得られない。
また前記CTL3は、既述のカルバゾール誘導体により
、上述のCCl2と同様にし′て、即ち単独で或すはバ
インダー樹脂と共に形成することができる。そして、他
のCTMを含有せしめてもよい。このCTL3の厚さは
2〜100ミクロン、好ましくは5〜30ミクロンであ
る。
、上述のCCl2と同様にし′て、即ち単独で或すはバ
インダー樹脂と共に形成することができる。そして、他
のCTMを含有せしめてもよい。このCTL3の厚さは
2〜100ミクロン、好ましくは5〜30ミクロンであ
る。
本発明電子写真感光体は、他の機械的構成とすることが
できる。例えば第3図に示すように、導電性支持体1上
に適当な中間層5を設け、これを介してCCl2を形成
し、このCCl2上にCTL3を形成するようにしても
よい。この中間層5には、感光層4の帯電時において導
電性支持体1から感光層4にフリーキャリアが注入され
ることを阻止する機能、或いは感光層4を導電性支持体
に対して一体的に接着せしめる接着層としての機能を有
せしめることができる。斯かる中間M5の材質としては
、酸化アルミニウム、酸化インジウム等の金属酸化物、
アクリル樹脂、メタクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸
ビニル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノ
ール樹脂、ポリエステル樹脂、アルキッド樹脂、ポリカ
ーボネート樹脂、シリコン樹脂、メラミン樹脂、塩化ビ
ニル−酢酸ビニル共重合体樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニ
ルー無水マレイン酸共重合体樹脂等の高分子物質を用い
ることができる。
できる。例えば第3図に示すように、導電性支持体1上
に適当な中間層5を設け、これを介してCCl2を形成
し、このCCl2上にCTL3を形成するようにしても
よい。この中間層5には、感光層4の帯電時において導
電性支持体1から感光層4にフリーキャリアが注入され
ることを阻止する機能、或いは感光層4を導電性支持体
に対して一体的に接着せしめる接着層としての機能を有
せしめることができる。斯かる中間M5の材質としては
、酸化アルミニウム、酸化インジウム等の金属酸化物、
アクリル樹脂、メタクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸
ビニル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノ
ール樹脂、ポリエステル樹脂、アルキッド樹脂、ポリカ
ーボネート樹脂、シリコン樹脂、メラミン樹脂、塩化ビ
ニル−酢酸ビニル共重合体樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニ
ルー無水マレイン酸共重合体樹脂等の高分子物質を用い
ることができる。
又第4図に示すように、導電性支持体1上に、前記中間
層5を介して又は介さずに、CTL3を形成し、このC
TL3上にCGL2を形成して感光/44を構成せしめ
てもよい。
層5を介して又は介さずに、CTL3を形成し、このC
TL3上にCGL2を形成して感光/44を構成せしめ
てもよい。
更に、既述のビスアゾ化合物を、既述のカルバゾール誘
導体が含有されたキャリア輸送相中に分散含有せしめて
キャリア発生相を形成し、単一層状の感光tmを形成す
ることも可能である。
導体が含有されたキャリア輸送相中に分散含有せしめて
キャリア発生相を形成し、単一層状の感光tmを形成す
ることも可能である。
なお、本発明における感光層を構成する層には、必要に
応じて種々の添加剤を加えることができる。
応じて種々の添加剤を加えることができる。
以下本発明の実施例について説明するが、これらによっ
て本発明が限定されるものではない。
て本発明が限定されるものではない。
実施例1
アルミニウムを蒸着した厚さ100ミクロンのポリエチ
レンテレフタレートより成る導電性支持体上に、塩化ビ
ニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体「エスレツ
クMF−10J’(種水化学工業社製)より成る厚さ約
0.05ミクロンの中間層を設け、例示化食物(I−1
6)で示したビスアゾ化合物1.5gを1,2−ジクロ
ルエタン100dと共に8時間ボールミルにより分散し
、ここに得られた分散液を前記中間層上にドクターブレ
ードを用いて塗布し、十分乾燥して厚さ約0.5ミクロ
ンのCGLを形成した。
レンテレフタレートより成る導電性支持体上に、塩化ビ
ニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体「エスレツ
クMF−10J’(種水化学工業社製)より成る厚さ約
0.05ミクロンの中間層を設け、例示化食物(I−1
6)で示したビスアゾ化合物1.5gを1,2−ジクロ
ルエタン100dと共に8時間ボールミルにより分散し
、ここに得られた分散液を前記中間層上にドクターブレ
ードを用いて塗布し、十分乾燥して厚さ約0.5ミクロ
ンのCGLを形成した。
一方、例示化合物(It−16)で示したカルバゾール
誘導体11.25Fとポリカーボネート樹脂[パ:yラ
イ)L−1250J (音大化成社製)15Lとを1
、・2゜−ジクロルエタン100x/に溶解し、得ら
れた溶液を前記CGL上にドクターブレードを用いて塗
布し、十分乾燥して厚さ12ミクロンのCTLを形成し
、以って本発明電子写真感光体を製造した。これを賃料
1」とする。
誘導体11.25Fとポリカーボネート樹脂[パ:yラ
イ)L−1250J (音大化成社製)15Lとを1
、・2゜−ジクロルエタン100x/に溶解し、得ら
れた溶液を前記CGL上にドクターブレードを用いて塗
布し、十分乾燥して厚さ12ミクロンのCTLを形成し
、以って本発明電子写真感光体を製造した。これを賃料
1」とする。
実施例2〜8
CGLの形成及びCTLの形成において、例示化合物と
して下記第1表に示す組合せのものを用いた他は実施例
1と同様にして7種の本発明電子写真感光体を製造した
。これらをそれぞれ「試料2」〜「試料8」とする。
して下記第1表に示す組合せのものを用いた他は実施例
1と同様にして7種の本発明電子写真感光体を製造した
。これらをそれぞれ「試料2」〜「試料8」とする。
第 1 表
実施例9
実施例1におけると同様にして導電性支持体上に中間層
を設け、例示化合物(I−16)で示したビスアゾ化合
物の1.51とポリカーボネート樹脂しくンライトL−
1250Jの151!とを1,2−ジクロルエタン10
0InlK加えて12時間ボールミルにより分散を行な
り1得られた分散液を前記中間ノー上にドクターブレー
ドにより塗布し、十分乾燥させて厚さ約1ミクロンのC
GLを形成した。
を設け、例示化合物(I−16)で示したビスアゾ化合
物の1.51とポリカーボネート樹脂しくンライトL−
1250Jの151!とを1,2−ジクロルエタン10
0InlK加えて12時間ボールミルにより分散を行な
り1得られた分散液を前記中間ノー上にドクターブレー
ドにより塗布し、十分乾燥させて厚さ約1ミクロンのC
GLを形成した。
このCGL上に、実施例1におけると同様にしてCTL
を、形成し、以って本発明電子写真感光体を製造した。
を、形成し、以って本発明電子写真感光体を製造した。
これを「試料9」とする。
実施例10
CGLの形成において、ビスアゾ化合物として例示化合
物(I’−5)で示したものを用い、CTLの形成にお
いて、カルバゾール誘導体として例示化合物(II−3
1)で示したものを用いたほかは実施例9と全く同様処
して本発明電子写真感光体を製造した。これを「試料1
0Jとする。
物(I’−5)で示したものを用い、CTLの形成にお
いて、カルバゾール誘導体として例示化合物(II−3
1)で示したものを用いたほかは実施例9と全く同様処
して本発明電子写真感光体を製造した。これを「試料1
0Jとする。
比較例1
実施例1のCTLの形成において、カルバゾール誘導体
の代りに次の構造式を有するピラゾリン誘導体を用いた
ほかは、実施例1と同様にして比較用電子写真感光体を
製造した。これを「比較試料1」とする。
の代りに次の構造式を有するピラゾリン誘導体を用いた
ほかは、実施例1と同様にして比較用電子写真感光体を
製造した。これを「比較試料1」とする。
比較例2
実施例1のCTLの形成において、カルバゾール誘導体
の代りに次の構造式を有するオキサジアゾール誘導体を
用いたほかは、実施例1と同様にして比較用亀子写真感
光体を製造した。これを「比較試料2」とする。
の代りに次の構造式を有するオキサジアゾール誘導体を
用いたほかは、実施例1と同様にして比較用亀子写真感
光体を製造した。これを「比較試料2」とする。
以上のようにして得られた電子写真感光体、試料1〜試
料1・0並びに比較試料1及び比較試料2の各々につい
て、[エレクトロメーター5P−428型」(川口電機
製作所製)を用いて、その成子写真特性を調べた。即ち
感光体表面を帯電電圧−6KVで5秒間帯電させた時の
受容電位VA(V)と、5秒間暗減衰させた後の電位V
I (初期電位)を弥に減衰させるために必要な縛光i
E″’/2(1,ux・秒)、更に暗減衰率(VA−V
I)/VAXI 00 (% )とを調ヘタ。
料1・0並びに比較試料1及び比較試料2の各々につい
て、[エレクトロメーター5P−428型」(川口電機
製作所製)を用いて、その成子写真特性を調べた。即ち
感光体表面を帯電電圧−6KVで5秒間帯電させた時の
受容電位VA(V)と、5秒間暗減衰させた後の電位V
I (初期電位)を弥に減衰させるために必要な縛光i
E″’/2(1,ux・秒)、更に暗減衰率(VA−V
I)/VAXI 00 (% )とを調ヘタ。
結果は第2表に示す通りである。′
第2表
この第2表の結果より、本発明成子写真感光体は大きな
感度を有するものであることが明かである。
感度を有するものであることが明かである。
また試料1〜試料10並びに比較試料1と比較試料2の
各々を乾式電子複写機rU−Hix2000RJ(小西
六写真工業社製)に装着して連続複写を行ない、露光紋
り嬉1.0における黒紙電位Vb(V)及び白紙゛は位
Vw (V )を「エレクトロスタチックボルトメータ
ー1440−ID型」 (モンローエレクトロニクスイ
ンコーボレーテッド製)を用い、現像する直前において
測定した。結果は第3表に示す通りである。
各々を乾式電子複写機rU−Hix2000RJ(小西
六写真工業社製)に装着して連続複写を行ない、露光紋
り嬉1.0における黒紙電位Vb(V)及び白紙゛は位
Vw (V )を「エレクトロスタチックボルトメータ
ー1440−ID型」 (モンローエレクトロニクスイ
ンコーボレーテッド製)を用い、現像する直前において
測定した。結果は第3表に示す通りである。
尚ここでb5黒紙戒位とは反射濃度1,3の黒紙を原稿
とし、上述の複写サイクルを実施したときの感光体の表
面電位を表わし、白紙電位とは白紙を原稿としたときの
感光体の表面電位を表わす。
とし、上述の複写サイクルを実施したときの感光体の表
面電位を表わし、白紙電位とは白紙を原稿としたときの
感光体の表面電位を表わす。
第 3 表
(但し、表中ΔVb(V)及びΔVV(V)はそれぞれ
黒紙電位Vb(V)及び白紙電位VW(V)の変動量を
示し為変動量の+は増加を−は減少を表わす。)この第
3表の結果から明かなように1本発明電子写真感光体は
、繰り返し電子写真プ目セスに供したときにも′1位の
履歴状態が安定に維持され、良好な画質の可視画像を多
数安定に形成することができる。
黒紙電位Vb(V)及び白紙電位VW(V)の変動量を
示し為変動量の+は増加を−は減少を表わす。)この第
3表の結果から明かなように1本発明電子写真感光体は
、繰り返し電子写真プ目セスに供したときにも′1位の
履歴状態が安定に維持され、良好な画質の可視画像を多
数安定に形成することができる。
第1図は本発明成子写真感光体の構成の一例を示す説明
用断面図、第2図は本発明電子写真感光体の他の構成例
を示す説明用断面図、第3図及び第4図はそれぞれ本発
明1子写真感光体の更に他の構成列を示す説明用断面図
である。 1・・・専心性支持体 2・・・キャリア発生層(CGL) 3・・・キャリア輸送層(CTL) 4・・・感光4 5・・・中間層IA・・・
絶縁性基体 IB・・・導電層図面の浄書C内容に
変更なし) 差 1図 #2図 第3図 第4図 昭和58年4月26I3 特許庁長官 若杉和夫 殿 1 事件の表示 昭和 57年 特許願第214037号2・発明
の名称 電子写真感光体 3、 補正をする者 事+’+:との関係 特許出願人 fl: ’ ′虎1 東Va新宿区西新宿1丁目
26番2号よ5.。’++4.) (127)小西六写
真工業株式会社4 代 理 人
用断面図、第2図は本発明電子写真感光体の他の構成例
を示す説明用断面図、第3図及び第4図はそれぞれ本発
明1子写真感光体の更に他の構成列を示す説明用断面図
である。 1・・・専心性支持体 2・・・キャリア発生層(CGL) 3・・・キャリア輸送層(CTL) 4・・・感光4 5・・・中間層IA・・・
絶縁性基体 IB・・・導電層図面の浄書C内容に
変更なし) 差 1図 #2図 第3図 第4図 昭和58年4月26I3 特許庁長官 若杉和夫 殿 1 事件の表示 昭和 57年 特許願第214037号2・発明
の名称 電子写真感光体 3、 補正をする者 事+’+:との関係 特許出願人 fl: ’ ′虎1 東Va新宿区西新宿1丁目
26番2号よ5.。’++4.) (127)小西六写
真工業株式会社4 代 理 人
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)キャリア発生相とキャリア輸送相とを組合せて成る
感光層を導電性支持体上に設けて成る′1子写写真光体
において、前記キャリア発生相が下記一般式CI) t
たは一般式〔1′〕で示されるビスアゾ化合物を含有し
、前記キャリア輸送相が下記一般式(n)で示されるカ
ルバゾール誘導体を含有することを特徴とする電子写真
感光体。 一般式CI) 1 A−N=N−Ar 1−CH<−Ar 2−CH=CH
−Ar 5−N=N−A一般式〔1勺 〔式中、 Ar1、Ar2およびAr3 :それぞれ置換、未置換
の炭素環式芳香族環基、 R1またはR2:それぞれ1子吸引性基、A ニ ーNu(802−R6、 Y:水素原子、〕10ゲン原子、 置換、未置換のアルキル基、 アルコキシ基、カルボキシ ル基、スルホ基、置換、未 置換のカルバモイル基または 置換、未置換のスルファモイル 基、(但し、mが2以上のと きは、互に)4なる基であっ てもよい。) 2:置換、未置換の炭素環式芳 香族環または置換、未+1換 の摸索環式芳香族環を構成 するに必要な原子群、 R3:水素原子、1崖撓、未置換の アミノ基、1も未置換の カルバモイル基、カルホキ シル基またはそのエステル 基、 A’ : I#1換、未1シ換のアリール基、n:1ま
たは2の整数、 m:0〜4の整数を表わす。J 一般式([) 〔式中、 R7冨置換、未置換のアリール基、 R8:水素原子、ハロゲン原子、 置換、未置換のアルキル基、 アルコキシ基、アミノ基、 置換アミノ基、水酸基、 R9:置換、未置換のアリール基、置換、未It換の′
!I素環基を表わす。〕
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57214037A JPS59104656A (ja) | 1982-12-08 | 1982-12-08 | 電子写真感光体 |
US06/549,601 US4540651A (en) | 1982-11-10 | 1983-11-07 | Electrophotographic photosensitive member |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57214037A JPS59104656A (ja) | 1982-12-08 | 1982-12-08 | 電子写真感光体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59104656A true JPS59104656A (ja) | 1984-06-16 |
JPH0118417B2 JPH0118417B2 (ja) | 1989-04-05 |
Family
ID=16649226
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57214037A Granted JPS59104656A (ja) | 1982-11-10 | 1982-12-08 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59104656A (ja) |
-
1982
- 1982-12-08 JP JP57214037A patent/JPS59104656A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0118417B2 (ja) | 1989-04-05 |
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