JPS59100582A - 半導体素子の製造方法 - Google Patents
半導体素子の製造方法Info
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- JPS59100582A JPS59100582A JP57210325A JP21032582A JPS59100582A JP S59100582 A JPS59100582 A JP S59100582A JP 57210325 A JP57210325 A JP 57210325A JP 21032582 A JP21032582 A JP 21032582A JP S59100582 A JPS59100582 A JP S59100582A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L31/02327—Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements being integrated or being directly associated to the device, e.g. back reflectors
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
化ケイ素被膜上に反射金属膜を被着形成した反射鏡を有
する半導体素子の製造方法に関するものである。
する半導体素子の製造方法に関するものである。
従来例の構成とその問題点
従来の光センサーでは、第1図に示すように、n型シリ
コン基板層1の上に形成した高比抵抗n(i)層2とさ
らにこの上に形成したp層昶との間に形成されるpn接
合面に垂直方向に入射する光をそのままpn接合面に入
射させるので、入射光のかなりの量がpn接合面から離
れたn層2または9層3で吸収されていた。このように
吸収された分の光エネルギーは情報に寄与しないので光
センサーの効率は低かった0尚、図中4はム4電極であ
る。
コン基板層1の上に形成した高比抵抗n(i)層2とさ
らにこの上に形成したp層昶との間に形成されるpn接
合面に垂直方向に入射する光をそのままpn接合面に入
射させるので、入射光のかなりの量がpn接合面から離
れたn層2または9層3で吸収されていた。このように
吸収された分の光エネルギーは情報に寄与しないので光
センサーの効率は低かった0尚、図中4はム4電極であ
る。
発明の目的
本発明はこの様な問題を解決するものである。
すなわち、本発明は製造が容易でしかも量子効率が優れ
た半導体素子の製造方法を提供せんとするものである。
た半導体素子の製造方法を提供せんとするものである。
発明の構成
本発明は、要約するに、主面に平行なpn接合が作り込
まれた基板に、前記pn接合を越える深さの環状溝もし
くは一部が分断された略環状の溝を穿ち、間溝で包囲し
た内側に台形状のpn接合部を形成したのち、シラノー
ル磐導体を回転塗布ん曲面上に光反則層を形成する工程
をそなえた半導体装置の製造方法であり、これによれば
、pn接合部へ外部光を効率的に導入し得る半導体装置
が単純な製造工程で実易に実現できる。
まれた基板に、前記pn接合を越える深さの環状溝もし
くは一部が分断された略環状の溝を穿ち、間溝で包囲し
た内側に台形状のpn接合部を形成したのち、シラノー
ル磐導体を回転塗布ん曲面上に光反則層を形成する工程
をそなえた半導体装置の製造方法であり、これによれば
、pn接合部へ外部光を効率的に導入し得る半導体装置
が単純な製造工程で実易に実現できる。
実施例の説明
以下、本発明にかかる薄膜状p −i −n接合型光セ
ンサー製造方法の一実施例を第2図を用いて説明する。
ンサー製造方法の一実施例を第2図を用いて説明する。
まずn5シリコン基板1の上に厚さ5μmのn型高抵抗
エピタキシャル層を成長させ、これにボロンのイオン打
ち込みを行なうことによってn (i)層2および9層
3を形成する(第2図a)。
エピタキシャル層を成長させ、これにボロンのイオン打
ち込みを行なうことによってn (i)層2および9層
3を形成する(第2図a)。
次に、幅6μm1深さ6μmの溝をホトレジスト(図示
せず)をマスクにしてドライエツチングによって形成す
る(第2図b)。これに続いて、シラノール誘≠体から
なるいわゆるスピンコード剤を塗布した後、高速回転し
、全面に被膜6を形成する(第2図C)。この後、窒素
ガス中80℃に30分間保ちスピンコード剤の溶媒(エ
チルアルコール)を蒸発させ、更に酸化ケイ素化とガラ
ス化のだめに、窒素ガス中で900’C,30分間の熱
処理を施した後、フォトエツチング技術を用いて、酸化
ケイ素被膜6を所定の形状にエツチングする(第2図d
)。これに例えば膜厚0.7μmのAl金属を蒸着し、
ホトレジストをマスクにしてAd エツチングを行ない
、光反射鏡7および電極4を形成して光センサーが完全
する(第2図e)。
せず)をマスクにしてドライエツチングによって形成す
る(第2図b)。これに続いて、シラノール誘≠体から
なるいわゆるスピンコード剤を塗布した後、高速回転し
、全面に被膜6を形成する(第2図C)。この後、窒素
ガス中80℃に30分間保ちスピンコード剤の溶媒(エ
チルアルコール)を蒸発させ、更に酸化ケイ素化とガラ
ス化のだめに、窒素ガス中で900’C,30分間の熱
処理を施した後、フォトエツチング技術を用いて、酸化
ケイ素被膜6を所定の形状にエツチングする(第2図d
)。これに例えば膜厚0.7μmのAl金属を蒸着し、
ホトレジストをマスクにしてAd エツチングを行ない
、光反射鏡7および電極4を形成して光センサーが完全
する(第2図e)。
尚、第2図fは完成した素子の平面図である。
本実施例の場合、第2図dに示すように、溝の外側側面
上の酸化ケイ素膜表面がわん曲するだめ、その上に形成
されたA1反射鏡がいわゆる凹面鏡となっている。また
、この凹面鏡の焦点がn (i)層内部に位置するだめ
、n(i)層は効率よく光照射されるので光効果が大き
く、量子効率は向上する。
上の酸化ケイ素膜表面がわん曲するだめ、その上に形成
されたA1反射鏡がいわゆる凹面鏡となっている。また
、この凹面鏡の焦点がn (i)層内部に位置するだめ
、n(i)層は効率よく光照射されるので光効果が大き
く、量子効率は向上する。
反射鏡薄膜として本実施例で使用しだAd以外に反射率
の高いAn等の金属を使用した場合、量子効率は更に向
上することはいうまでもない。尚、反射凹面鏡の焦点の
位置は反射凹面鏡の位置、方向及び凹面鏡の曲率に関係
する0すなわち、p −1−n素子周囲の溝の深さ、幅
及びシラノール侍導伸の粘度、塗布回転数、更にAl膜
の膜厚に関係する。これらの各条件を調整することによ
って反射鏡わん曲面により収束された光を所定の活性部
に照射することが可能である。尚、本実施例は薄膜状p
−1−n接合型光セスサーについて行なったが、本発
明はその他の受光素子全般に応用できるものである。
の高いAn等の金属を使用した場合、量子効率は更に向
上することはいうまでもない。尚、反射凹面鏡の焦点の
位置は反射凹面鏡の位置、方向及び凹面鏡の曲率に関係
する0すなわち、p −1−n素子周囲の溝の深さ、幅
及びシラノール侍導伸の粘度、塗布回転数、更にAl膜
の膜厚に関係する。これらの各条件を調整することによ
って反射鏡わん曲面により収束された光を所定の活性部
に照射することが可能である。尚、本実施例は薄膜状p
−1−n接合型光セスサーについて行なったが、本発
明はその他の受光素子全般に応用できるものである。
発明の効果
以上の通り、本発明によれば、量子効率の高い高性能光
センサーを得ることができる。
センサーを得ることができる。
第1図は従来の光センサーの断面図、第2図a1・・・
・・・n層、2・・・・・・n (i)層、3・・・・
・・p層、4・・・・・・Afi電極、6・・・・・・
酸化ケイ素被膜、7・・・・・・A5(光反射凹面鏡)
。
・・・n層、2・・・・・・n (i)層、3・・・・
・・p層、4・・・・・・Afi電極、6・・・・・・
酸化ケイ素被膜、7・・・・・・A5(光反射凹面鏡)
。
Claims (1)
- 主面に平行なpn接合が作り込まれた半導体基板に、前
記pn接合を越える深さの環状溝の溝を誘導体を回転塗
布し、熱処理を施すことにより前記溝の外側側面しこお
いて酸化ケイ素被膜から成るわん曲面を形成し、前記わ
ん曲面上に光反射層を形成することを特徴とする半導体
素子の製造方法
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57210325A JPS59100582A (ja) | 1982-11-30 | 1982-11-30 | 半導体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57210325A JPS59100582A (ja) | 1982-11-30 | 1982-11-30 | 半導体素子の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59100582A true JPS59100582A (ja) | 1984-06-09 |
Family
ID=16587550
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57210325A Pending JPS59100582A (ja) | 1982-11-30 | 1982-11-30 | 半導体素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59100582A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04246868A (ja) * | 1990-09-25 | 1992-09-02 | Motorola Inc | P−i−nフォトダイオードおよびその効率を改善する方法 |
WO2007069634A1 (ja) * | 2005-12-14 | 2007-06-21 | Rohm Co., Ltd. | Pinフォトダイオード及び光受信装置 |
-
1982
- 1982-11-30 JP JP57210325A patent/JPS59100582A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04246868A (ja) * | 1990-09-25 | 1992-09-02 | Motorola Inc | P−i−nフォトダイオードおよびその効率を改善する方法 |
WO2007069634A1 (ja) * | 2005-12-14 | 2007-06-21 | Rohm Co., Ltd. | Pinフォトダイオード及び光受信装置 |
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