JPS59100582A - 半導体素子の製造方法 - Google Patents

半導体素子の製造方法

Info

Publication number
JPS59100582A
JPS59100582A JP57210325A JP21032582A JPS59100582A JP S59100582 A JPS59100582 A JP S59100582A JP 57210325 A JP57210325 A JP 57210325A JP 21032582 A JP21032582 A JP 21032582A JP S59100582 A JPS59100582 A JP S59100582A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
reflecting mirror
film
silicon oxide
junction
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP57210325A
Other languages
English (en)
Inventor
Shuichi Mayumi
周一 真弓
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electronics Corp, Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electronics Corp
Priority to JP57210325A priority Critical patent/JPS59100582A/ja
Publication of JPS59100582A publication Critical patent/JPS59100582A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0232Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L31/02327Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements being integrated or being directly associated to the device, e.g. back reflectors

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 化ケイ素被膜上に反射金属膜を被着形成した反射鏡を有
する半導体素子の製造方法に関するものである。
従来例の構成とその問題点 従来の光センサーでは、第1図に示すように、n型シリ
コン基板層1の上に形成した高比抵抗n(i)層2とさ
らにこの上に形成したp層昶との間に形成されるpn接
合面に垂直方向に入射する光をそのままpn接合面に入
射させるので、入射光のかなりの量がpn接合面から離
れたn層2または9層3で吸収されていた。このように
吸収された分の光エネルギーは情報に寄与しないので光
センサーの効率は低かった0尚、図中4はム4電極であ
る。
発明の目的 本発明はこの様な問題を解決するものである。
すなわち、本発明は製造が容易でしかも量子効率が優れ
た半導体素子の製造方法を提供せんとするものである。
発明の構成 本発明は、要約するに、主面に平行なpn接合が作り込
まれた基板に、前記pn接合を越える深さの環状溝もし
くは一部が分断された略環状の溝を穿ち、間溝で包囲し
た内側に台形状のpn接合部を形成したのち、シラノー
ル磐導体を回転塗布ん曲面上に光反則層を形成する工程
をそなえた半導体装置の製造方法であり、これによれば
、pn接合部へ外部光を効率的に導入し得る半導体装置
が単純な製造工程で実易に実現できる。
実施例の説明 以下、本発明にかかる薄膜状p −i −n接合型光セ
ンサー製造方法の一実施例を第2図を用いて説明する。
まずn5シリコン基板1の上に厚さ5μmのn型高抵抗
エピタキシャル層を成長させ、これにボロンのイオン打
ち込みを行なうことによってn (i)層2および9層
3を形成する(第2図a)。
次に、幅6μm1深さ6μmの溝をホトレジスト(図示
せず)をマスクにしてドライエツチングによって形成す
る(第2図b)。これに続いて、シラノール誘≠体から
なるいわゆるスピンコード剤を塗布した後、高速回転し
、全面に被膜6を形成する(第2図C)。この後、窒素
ガス中80℃に30分間保ちスピンコード剤の溶媒(エ
チルアルコール)を蒸発させ、更に酸化ケイ素化とガラ
ス化のだめに、窒素ガス中で900’C,30分間の熱
処理を施した後、フォトエツチング技術を用いて、酸化
ケイ素被膜6を所定の形状にエツチングする(第2図d
)。これに例えば膜厚0.7μmのAl金属を蒸着し、
ホトレジストをマスクにしてAd エツチングを行ない
、光反射鏡7および電極4を形成して光センサーが完全
する(第2図e)。
尚、第2図fは完成した素子の平面図である。
本実施例の場合、第2図dに示すように、溝の外側側面
上の酸化ケイ素膜表面がわん曲するだめ、その上に形成
されたA1反射鏡がいわゆる凹面鏡となっている。また
、この凹面鏡の焦点がn (i)層内部に位置するだめ
、n(i)層は効率よく光照射されるので光効果が大き
く、量子効率は向上する。
反射鏡薄膜として本実施例で使用しだAd以外に反射率
の高いAn等の金属を使用した場合、量子効率は更に向
上することはいうまでもない。尚、反射凹面鏡の焦点の
位置は反射凹面鏡の位置、方向及び凹面鏡の曲率に関係
する0すなわち、p −1−n素子周囲の溝の深さ、幅
及びシラノール侍導伸の粘度、塗布回転数、更にAl膜
の膜厚に関係する。これらの各条件を調整することによ
って反射鏡わん曲面により収束された光を所定の活性部
に照射することが可能である。尚、本実施例は薄膜状p
 −1−n接合型光セスサーについて行なったが、本発
明はその他の受光素子全般に応用できるものである。
発明の効果 以上の通り、本発明によれば、量子効率の高い高性能光
センサーを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の光センサーの断面図、第2図a1・・・
・・・n層、2・・・・・・n (i)層、3・・・・
・・p層、4・・・・・・Afi電極、6・・・・・・
酸化ケイ素被膜、7・・・・・・A5(光反射凹面鏡)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 主面に平行なpn接合が作り込まれた半導体基板に、前
    記pn接合を越える深さの環状溝の溝を誘導体を回転塗
    布し、熱処理を施すことにより前記溝の外側側面しこお
    いて酸化ケイ素被膜から成るわん曲面を形成し、前記わ
    ん曲面上に光反射層を形成することを特徴とする半導体
    素子の製造方法
JP57210325A 1982-11-30 1982-11-30 半導体素子の製造方法 Pending JPS59100582A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57210325A JPS59100582A (ja) 1982-11-30 1982-11-30 半導体素子の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57210325A JPS59100582A (ja) 1982-11-30 1982-11-30 半導体素子の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS59100582A true JPS59100582A (ja) 1984-06-09

Family

ID=16587550

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57210325A Pending JPS59100582A (ja) 1982-11-30 1982-11-30 半導体素子の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS59100582A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04246868A (ja) * 1990-09-25 1992-09-02 Motorola Inc P−i−nフォトダイオードおよびその効率を改善する方法
WO2007069634A1 (ja) * 2005-12-14 2007-06-21 Rohm Co., Ltd. Pinフォトダイオード及び光受信装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04246868A (ja) * 1990-09-25 1992-09-02 Motorola Inc P−i−nフォトダイオードおよびその効率を改善する方法
WO2007069634A1 (ja) * 2005-12-14 2007-06-21 Rohm Co., Ltd. Pinフォトダイオード及び光受信装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5028564A (en) Edge doping processes for mesa structures in SOS and SOI devices
JPH1051025A (ja) フォトディテクタおよびその製造方法
CN109545804A (zh) 光侧面入射的蓝光增敏硅雪崩光电二极管阵列器件
WO2014181665A1 (ja) 半導体エネルギー線検出素子及び半導体エネルギー線検出素子の製造方法
JP2989373B2 (ja) 光電変換装置の製造方法
US4606115A (en) Method of manufacturing optically sensitive semiconductor devices including anti-reflective coatings
JPS59100582A (ja) 半導体素子の製造方法
JPS61208277A (ja) 高効率光検出器およびその製造方法
JP2928433B2 (ja) 光電変換素子の製造方法
US3800412A (en) Process for producing surface-oriented semiconducting devices
JP3073833B2 (ja) 太陽電池の製造方法
CN111477715A (zh) 正入射盖革模式雪崩探测器焦平面阵列及其制备方法
JPS6244865B2 (ja)
JPS58166766A (ja) 半導体装置の製造方法
TWI229190B (en) Radiation hardened visible P-I-N detector
JPH027576A (ja) 薄膜型光電変換素子の製造方法
JPS6244873B2 (ja)
JPH03163821A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS5613780A (en) Preparation of semiconductor device
JPH0269986A (ja) 半導体レーザ装置の製造方法
JPS62142375A (ja) 光半導体装置
CN113948605A (zh) 一种基于砷化镉异质结的光电探测器及其制备方法
CN1492245A (zh) 长波平面型光电探测器微型球透镜制作方法
KR100934216B1 (ko) 단파장용 바이폴라 광트랜지스터 및 그 제조 방법
JPS6181679A (ja) 半導体発光素子の製造方法