JPS59100523A - 反射電子検出器 - Google Patents
反射電子検出器Info
- Publication number
- JPS59100523A JPS59100523A JP21012182A JP21012182A JPS59100523A JP S59100523 A JPS59100523 A JP S59100523A JP 21012182 A JP21012182 A JP 21012182A JP 21012182 A JP21012182 A JP 21012182A JP S59100523 A JPS59100523 A JP S59100523A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrons
- detector
- reflected
- electron
- semiconductor wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/244—Detectors; Associated components or circuits therefor
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Control Of Position Or Direction (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技術分野
本発明は電子ビーム露光装置等に組込まれ集積回路基板
の位置合せを電子ビームで行なう反射電子検出器の改良
に関する。
の位置合せを電子ビームで行なう反射電子検出器の改良
に関する。
（ｂ） 技術の背景
近年電子線を用いた電子ビーム露光技術が高密度マスク
ズｎセスに定着している。−男手導体つエバ上に回路パ
ターンを直接描画する超ＬＳＩプロセスにもこの技術が
導入されている０これは従来の電子ビームスポットによ
るベクタ走査形露光方式に比し露光速度が飛躍的に向上
し、露光精度がサブミクロン領域の微細パターンが描画
可能となった可変面積屋の露先技術によるところが大き
い。この可変面積型露光方式は電子ビームの断面形状を
矩形に成形し、その面積を任意に変化させながら描画図
形の各要素を一括して露光する方式であり、光学式パタ
ーンジェネレータの原理を電子線の偏向成形技術で置き
換えたものである。
ズｎセスに定着している。−男手導体つエバ上に回路パ
ターンを直接描画する超ＬＳＩプロセスにもこの技術が
導入されている０これは従来の電子ビームスポットによ
るベクタ走査形露光方式に比し露光速度が飛躍的に向上
し、露光精度がサブミクロン領域の微細パターンが描画
可能となった可変面積屋の露先技術によるところが大き
い。この可変面積型露光方式は電子ビームの断面形状を
矩形に成形し、その面積を任意に変化させながら描画図
形の各要素を一括して露光する方式であり、光学式パタ
ーンジェネレータの原理を電子線の偏向成形技術で置き
換えたものである。
従ってサブミクロン領域の微細パターンヲ鑞子ビームに
より直接描画するに際して半導体ウエノ＼又はマスク等
を位置合せするだめのマーク検出機能は重要な課題であ
る。通常マーク検出には半導体検出器を利用し電子ビー
ムで半導体ウェハ又はマスク上に設けたマークを走査し
て得られる一吋電子の強度変化を測定することにより正
確なマーク位置を求める反射′成子検出器を備えている
。
より直接描画するに際して半導体ウエノ＼又はマスク等
を位置合せするだめのマーク検出機能は重要な課題であ
る。通常マーク検出には半導体検出器を利用し電子ビー
ムで半導体ウェハ又はマスク上に設けたマークを走査し
て得られる一吋電子の強度変化を測定することにより正
確なマーク位置を求める反射′成子検出器を備えている
。
（ｃ） 従来技術と問題点
第１図は従来の反射成子検出器を示す平面図、第２図は
従来の反射電子検出器を用いて反射電子を検出する概要
を説明するための図である。
従来の反射電子検出器を用いて反射電子を検出する概要
を説明するための図である。
図において円状のフレーム２に複数の半導体検出器３を
取付けて構成される反射電子検出器１である。半導体に
はＰＮ接合ダイオードのＰ影領域とｎ影領域間にｉ形半
導体をはさんで形成するピｔ ンダイオード４を用い電子崖から放射される加速電子が
シリコン基板に衝突して反射する反射電子をとらえ、信
号用端子５、グランド端子６よシマう。その概要は第２
図に示すように加速成子９は半導体ウェハｌの周辺に設
けた凹凸のマーク８ｆｆ。
取付けて構成される反射電子検出器１である。半導体に
はＰＮ接合ダイオードのＰ影領域とｎ影領域間にｉ形半
導体をはさんで形成するピｔ ンダイオード４を用い電子崖から放射される加速電子が
シリコン基板に衝突して反射する反射電子をとらえ、信
号用端子５、グランド端子６よシマう。その概要は第２
図に示すように加速成子９は半導体ウェハｌの周辺に設
けた凹凸のマーク８ｆｆ。
子エネルギーの衝撃によシ主としてレジストの有機物が
飛散しその一部が反射電子とともにピンダイオード４に
到着しその周辺に有機物が付着し膜を形成させるため反
射電子ｌＯの検出精度を著しく劣化させる。かかる有機
物による膜の形成は電子銃から放射される加速電子のエ
ネルギーに依存する大きな問題である。
飛散しその一部が反射電子とともにピンダイオード４に
到着しその周辺に有機物が付着し膜を形成させるため反
射電子ｌＯの検出精度を著しく劣化させる。かかる有機
物による膜の形成は電子銃から放射される加速電子のエ
ネルギーに依存する大きな問題である。
（ｄ） 発明の目的
本発明は上記の欠点に鑑み、反射電子が反射板を介して
半導体検出器に入射されるよう、反射板下を防止するこ
とを目的とする。
半導体検出器に入射されるよう、反射板下を防止するこ
とを目的とする。
（ｅ） 発明の構成
上記目的は本発明によれば電子を試料上に照射し、反射
する電子により該試料上に形成された段差を有するマー
クの位ｆｆｔ’に検出する検出器であって、該試料より
反射した電子を反射板を介して該検出器に入射させるこ
とによって達せられる。
する電子により該試料上に形成された段差を有するマー
クの位ｆｆｔ’に検出する検出器であって、該試料より
反射した電子を反射板を介して該検出器に入射させるこ
とによって達せられる。
（ｆ） 発明の実施例
以下本発明の実施例を図面により評述する。
第３図は本発明の一実施例である反射板を備えた反射電
子検出器を示す平面図、第４図は本発明す の一実施例である反射電子検出器によ１反射電子検出を
説明するだめの図である。
子検出器を示す平面図、第４図は本発明す の一実施例である反射電子検出器によ１反射電子検出を
説明するだめの図である。
図において反射電子検出器（第１図１参照）の上面に一
定間隙を有して反射板１１を取付けて構成される。反射
板１１はタンタル（Ｔａ）で形成されるリング状の平板
で反射率をよくするため即ち反射電子を屈折反射させる
面を鏡面仕上する。
定間隙を有して反射板１１を取付けて構成される。反射
板１１はタンタル（Ｔａ）で形成されるリング状の平板
で反射率をよくするため即ち反射電子を屈折反射させる
面を鏡面仕上する。
（本実施例では展性、耐食性に優れたタンタル（Ｔａ
）Ｊ用いた。） 半導体検出器１２に取付けるピンダイオード１４を第４
図で示すように半導体ウエノ１１５に対向する面とは逆
向きとなるよう上向きに取付け、反射板１１よシ屈折す
る反射電子を入射させる。
）Ｊ用いた。） 半導体検出器１２に取付けるピンダイオード１４を第４
図で示すように半導体ウエノ１１５に対向する面とは逆
向きとなるよう上向きに取付け、反射板１１よシ屈折す
る反射電子を入射させる。
銑
このような構成とする−ことにより電子ｉから放射され
た加速１子１６は半導体ウェハ１５上に設けたマーク１
７表面を走査し、その反射電子１８は反射板１１により
屈折してピンダイオード１４に達する。前述したように
半導体ウェハ１５表面に形成されたレジスト膜は加速電
子の電子エネルギーによって微粒の有機物を飛散させる
が従来のようにピンタイオード１４に直接反射電子が入
射されない為、有機物の被着は大幅に減少させることが
できる。
た加速１子１６は半導体ウェハ１５上に設けたマーク１
７表面を走査し、その反射電子１８は反射板１１により
屈折してピンダイオード１４に達する。前述したように
半導体ウェハ１５表面に形成されたレジスト膜は加速電
子の電子エネルギーによって微粒の有機物を飛散させる
が従来のようにピンタイオード１４に直接反射電子が入
射されない為、有機物の被着は大幅に減少させることが
できる。
材
一方タ／タル部学で構成される反射板１１に電圧を印加
してヒータ加熱することによシ反射面に有機物の付着防
止ができ反射効果率を損うことなく更に有効である。
してヒータ加熱することによシ反射面に有機物の付着防
止ができ反射効果率を損うことなく更に有効である。
（ｇ） 発明の効果
以上詳細に説明したように本発明の反射電子検出機構と
することにより受電素子表面の有機物付着は大幅に減少
するから検出精度は劣化することなく正確な半導体ウェ
ハの位置決めが可能となる優れた効果がある。
することにより受電素子表面の有機物付着は大幅に減少
するから検出精度は劣化することなく正確な半導体ウェ
ハの位置決めが可能となる優れた効果がある。
第１図は従来の反射電子検出器を示す平ｒＭ図、第２図
は従来（７）反射電子検出器を用いて反射電子全検出す
る概要を説明するだめの図、第３図は本発明の一実施例
でちる反射板を備えた反射電子を看Ｊ 示す平面図、第４図は本発明の一実施水である反射電子
検出器によシ反射′成乎検出を説明するための図である
。図中１１・・・反射板、１２・・・半導体検出器、１
４・・・ピンダイオード、１５・・・半導体ウェハ、１
６・・・加速電子、１７・・・マーク、１８・・反射゛
成子。 第 ノ Ｌ≧］′ Ａ 第２図 第５図 第４図
は従来（７）反射電子検出器を用いて反射電子全検出す
る概要を説明するだめの図、第３図は本発明の一実施例
でちる反射板を備えた反射電子を看Ｊ 示す平面図、第４図は本発明の一実施水である反射電子
検出器によシ反射′成乎検出を説明するための図である
。図中１１・・・反射板、１２・・・半導体検出器、１
４・・・ピンダイオード、１５・・・半導体ウェハ、１
６・・・加速電子、１７・・・マーク、１８・・反射゛
成子。 第 ノ Ｌ≧］′ Ａ 第２図 第５図 第４図
Claims (1)
- 電子を試料上に照射し、反射する電子により該試料上に
形成された段差を有するマークの位置を検出する検出器
であって、該試料より反射した電子を反射板を介して該
検出器に入射させるようにしたことを特徴とする反射電
子検出器０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21012182A JPS59100523A (ja) | 1982-11-30 | 1982-11-30 | 反射電子検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21012182A JPS59100523A (ja) | 1982-11-30 | 1982-11-30 | 反射電子検出器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59100523A true JPS59100523A (ja) | 1984-06-09 |
Family
ID=16584139
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21012182A Pending JPS59100523A (ja) | 1982-11-30 | 1982-11-30 | 反射電子検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59100523A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1990009681A1 (en) * | 1989-02-08 | 1990-08-23 | B.V. Optische Industrie 'de Oude Delft' | Particle detector |
-
1982
- 1982-11-30 JP JP21012182A patent/JPS59100523A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1990009681A1 (en) * | 1989-02-08 | 1990-08-23 | B.V. Optische Industrie 'de Oude Delft' | Particle detector |
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