JPS5899435A - 新規アルデヒド及びその製造方法 - Google Patents
新規アルデヒド及びその製造方法Info
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- JPS5899435A JPS5899435A JP19767981A JP19767981A JPS5899435A JP S5899435 A JPS5899435 A JP S5899435A JP 19767981 A JP19767981 A JP 19767981A JP 19767981 A JP19767981 A JP 19767981A JP S5899435 A JPS5899435 A JP S5899435A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は新規なアルデヒド及びその製造方法に関する。
さらに詳しくは、本発明は一般式、（式中、ｎ個のＲは
同−又は異って、水素原子、アルキル、アルコキシ、水
酸基又はハロゲン原子を示し、ｎは０〜４の数である。
同−又は異って、水素原子、アルキル、アルコキシ、水
酸基又はハロゲン原子を示し、ｎは０〜４の数である。
）で表わされる４−ホルミルシクロヘキサン−１，２−
ジカルボン、賀又はその誘導体並びにその製造方法に関
する。
ジカルボン、賀又はその誘導体並びにその製造方法に関
する。
上記一般式（Ｄに関し、Ｒで示されるアルキルとしては
、例えばメチル、エチル、プロピル。
、例えばメチル、エチル、プロピル。
イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｔ−ブチル等の炭
素数１〜４個程度の低級アルキルが挙げられ、アルコキ
シとしては、例えばメトキシ。
素数１〜４個程度の低級アルキルが挙げられ、アルコキ
シとしては、例えばメトキシ。
エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、イ
ンブトキシ、ｔ−ブトキシ等の炭素数１〜４個程度の低
級アルコキシが挙げられ、ハロゲン原子としては、塩素
、臭素、ヨウ素原子等が挙げられる。又上記化合ｍ （
１）の誘導体としては、例えば（モノ、ジ）エステル、
（モノ。
ンブトキシ、ｔ−ブトキシ等の炭素数１〜４個程度の低
級アルコキシが挙げられ、ハロゲン原子としては、塩素
、臭素、ヨウ素原子等が挙げられる。又上記化合ｍ （
１）の誘導体としては、例えば（モノ、ジ）エステル、
（モノ。
シ）酸ハロゲン化物、酸無水物、（モノ、ジ）酸アミド
、（モノ、ジ）ニトリル等が挙げられる。
、（モノ、ジ）ニトリル等が挙げられる。
本発明化合物（１）＋ｄ：、例えば、一般式（ｎ）（Ｒ
）ｎ （式中、Ｒ及びｎは前記と同意義）で表わされる４−シ
クロヘキセン−１，２−ジカルボン酸又はその誘導体を
、ヒドロホルミル化触媒の存在下に、水素及び−酸化炭
素と反応させることによって製造することができる。化
合物（Ｉｔ）の誘導体としては、例えば（モノ、ジ）エ
ステル、（モノ、ジ）酸ハロゲン化物、酸無水物、（モ
ノ、ジ）酸アミド、（モノ、ジ）ニトリル等が挙げられ
る。
）ｎ （式中、Ｒ及びｎは前記と同意義）で表わされる４−シ
クロヘキセン−１，２−ジカルボン酸又はその誘導体を
、ヒドロホルミル化触媒の存在下に、水素及び−酸化炭
素と反応させることによって製造することができる。化
合物（Ｉｔ）の誘導体としては、例えば（モノ、ジ）エ
ステル、（モノ、ジ）酸ハロゲン化物、酸無水物、（モ
ノ、ジ）酸アミド、（モノ、ジ）ニトリル等が挙げられ
る。
前記化合物（Ｉｔ）又はその誘導体を水素及び−酸化炭
素と反応させる際に用いられるヒドロホルミル化触媒と
しては、例えば、ロジウム、コバルト、白“金等の元素
を含む触媒を挙げることができる。以下それら触媒の具
体例を説明する。
素と反応させる際に用いられるヒドロホルミル化触媒と
しては、例えば、ロジウム、コバルト、白“金等の元素
を含む触媒を挙げることができる。以下それら触媒の具
体例を説明する。
ロジウム元素を含む触媒（ロジウム触媒）としては、ロ
ジウムカルボニル若しくは後述する配位子化合物の付加
したロジウムカルボニル錯化合物又は反応系においてそ
れらを形成し得るものであればよく、例えばロジウム黒
、担体付ロジウム等の金属ロジウム、酸化ロジウム、硝
酸ロジウム、塩化ロジウム、臭化ロジウム、沃化ロジウ
ム等の無機化合物、酢酸ロジウム、オクチル酸ロジウム
等の有機酸の塩、 Ｒｈ（Ｃｏ）２（ａＣａＣ）。
ジウムカルボニル若しくは後述する配位子化合物の付加
したロジウムカルボニル錯化合物又は反応系においてそ
れらを形成し得るものであればよく、例えばロジウム黒
、担体付ロジウム等の金属ロジウム、酸化ロジウム、硝
酸ロジウム、塩化ロジウム、臭化ロジウム、沃化ロジウ
ム等の無機化合物、酢酸ロジウム、オクチル酸ロジウム
等の有機酸の塩、 Ｒｈ（Ｃｏ）２（ａＣａＣ）。
ＲｂＣｔ（Ｃｏ） （ＰＰｂ３）２． Ｒｈｃｚ（ＰＰ
ｈ３）３． ［ＲｈＣｔ（Ｃｏ）２）ｚ ｙＨｌ（ｈ
（Ｃｏ ）（ｐＴ）ｈ３）３． ＨＲｈ （ｃｏ ）
（ＡｓＰｈａ）ｓ 、 ＨＲｈ（ｃｏ）［ｐ（ｏｐｈ）
３１］等（但し、’ａｃａｃ はアセチルアセトナト
を、Ｐｈはフェニルを示す）を挙げることができる。
ｈ３）３． ［ＲｈＣｔ（Ｃｏ）２）ｚ ｙＨｌ（ｈ
（Ｃｏ ）（ｐＴ）ｈ３）３． ＨＲｈ （ｃｏ ）
（ＡｓＰｈａ）ｓ 、 ＨＲｈ（ｃｏ）［ｐ（ｏｐｈ）
３１］等（但し、’ａｃａｃ はアセチルアセトナト
を、Ｐｈはフェニルを示す）を挙げることができる。
ロジウム触媒は、一般式Ｚ（Ｒ’Ｘ坪）（Ｐ）（但しＺ
はリン、ヒ素又はアンチモン原子を、Ｒ１，ｐ。
はリン、ヒ素又はアンチモン原子を、Ｒ１，ｐ。
卯は同−又は相異ってアルキル、アルコキシ。
アリール又はアリールオキシを示す。）で表わされる一
座配位子化合物、又は一般式 ％式％ 又はアンチモン原子を、Ｄはメチレン若しくはその置換
体又は酸素原子を、Ａは炭素数１〜６個のアルキレン、
アリーレン又はアラルキレンを、評、仲は同−又は相異
ってアラルキル、アリール、アルコキシ又はアリールオ
キシを示す。）で表わされる二座配位子化合物を併用す
ることができる。
座配位子化合物、又は一般式 ％式％ 又はアンチモン原子を、Ｄはメチレン若しくはその置換
体又は酸素原子を、Ａは炭素数１〜６個のアルキレン、
アリーレン又はアラルキレンを、評、仲は同−又は相異
ってアラルキル、アリール、アルコキシ又はアリールオ
キシを示す。）で表わされる二座配位子化合物を併用す
ることができる。
上記−座配位子化き物のうちのりン１ヒ合物としては、
例えばＰＥｔ３．ＰＢｕ３．ＰＰｈ３等の第三級ホスフ
ィン化合物、Ｐ（ＯＥｔ）３． Ｐ（ＯＢｕ）３ 、
Ｐ（ＯＰｈ）３等の第三級ホスファイト化合物、ｇｔ、
ｐ（ｏＭｅ）。
例えばＰＥｔ３．ＰＢｕ３．ＰＰｈ３等の第三級ホスフ
ィン化合物、Ｐ（ＯＥｔ）３． Ｐ（ＯＢｕ）３ 、
Ｐ（ＯＰｈ）３等の第三級ホスファイト化合物、ｇｔ、
ｐ（ｏＭｅ）。
Ｂｕ２ Ｐ （ＯＥ ｔ ）Ｔ ＰｈｚＰ （ＯＰｈ
） 等の第三級ホスフィナイト化合物、ｐｈｐ（ｏＭ
ｅ）２． Ｂｕｐ（ｏＥｔ）２． ｐｈｐ（ｏｐｈ）２
等の・ル三級ホスホナイト化合物等が挙げられる。
） 等の第三級ホスフィナイト化合物、ｐｈｐ（ｏＭ
ｅ）２． Ｂｕｐ（ｏＥｔ）２． ｐｈｐ（ｏｐｈ）２
等の・ル三級ホスホナイト化合物等が挙げられる。
ヒ素化合物としては、例えばＡｓＭｅ３．Ａｓ Ｅ ｔ
３．Ａｓ Ｐｈ３等の第三級アルシン化合物、亜ヒ酸ト
リエチル［Ａｓ（ＯＥｔ）ａ〕、 Ａｓ（ＯＢｕ）ｓ、
Ａｓ（ＯＰｈ）３等の亜ヒ酸エステル化合物等が挙げら
れる。アンチモン化合物としては、例えば５ｂＥｔ３
＋’ ５ｂＢｕ３ 、５ｂＰｈ３等の第三級スチビン化
合物等が挙げられる。これらの中でも第三級ホスフィン
化合物、第三級アルシン化合物が望ましい。（但し、Ｍ
ｅ はメチル、Ｅｔはエチル、 Ｂｕ はブチル、
Ｐｈ はフェニルヲすれぞれ示す。） 上記二座配位子化合物としては、例えば１，３−ビス（
ジフェニルホスフィノ）フロパフ Ｐｈ２Ｐ（ＣＨ２）
ａＰＰｈｚ、１，４−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブ
タンＰｈｚＰ（ＣＨｚ）４ＰＰｈｚ、１．５−ビス（ジ
フェニルホスフィノ）ペンタンＰｈｚＰ（ＣＩ（２）ｓ
ＰＰｈ２．１，２−ビス（ジフェニルホスフィノメチル
）シクロブタン １．２−ビス（ジフェニルホスフィノキシ）シクロペン
タン １．２−ビス（ジフェニルホスフィノメチル）シクロペ
ンタン １．２−ビス（ジフェニルホスフィンメチル）シクロヘ
キサン １、３−ビス（ジフェニルホスフィノキシ）シクロヘキ
サン １．２−ビス（ジフェニルホスフィノメチル）ベンゼン １．２−ビス（ジフェニルホスフィノキシ）ベンゼン １．８−ビス（ジフェニルホスフィノメチル）す１．２
−ビス（ジフェニルアルジノ）シクロブタン、２．３−
ｏ−イソプロピリデン−２，３−ジヒドロキシ１．４
−ビス（ジフェニルアルジノ）ブタン及びそのヒ素、ア
ンチモン類似体を挙げることができる。
３．Ａｓ Ｐｈ３等の第三級アルシン化合物、亜ヒ酸ト
リエチル［Ａｓ（ＯＥｔ）ａ〕、 Ａｓ（ＯＢｕ）ｓ、
Ａｓ（ＯＰｈ）３等の亜ヒ酸エステル化合物等が挙げら
れる。アンチモン化合物としては、例えば５ｂＥｔ３
＋’ ５ｂＢｕ３ 、５ｂＰｈ３等の第三級スチビン化
合物等が挙げられる。これらの中でも第三級ホスフィン
化合物、第三級アルシン化合物が望ましい。（但し、Ｍ
ｅ はメチル、Ｅｔはエチル、 Ｂｕ はブチル、
Ｐｈ はフェニルヲすれぞれ示す。） 上記二座配位子化合物としては、例えば１，３−ビス（
ジフェニルホスフィノ）フロパフ Ｐｈ２Ｐ（ＣＨ２）
ａＰＰｈｚ、１，４−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブ
タンＰｈｚＰ（ＣＨｚ）４ＰＰｈｚ、１．５−ビス（ジ
フェニルホスフィノ）ペンタンＰｈｚＰ（ＣＩ（２）ｓ
ＰＰｈ２．１，２−ビス（ジフェニルホスフィノメチル
）シクロブタン １．２−ビス（ジフェニルホスフィノキシ）シクロペン
タン １．２−ビス（ジフェニルホスフィノメチル）シクロペ
ンタン １．２−ビス（ジフェニルホスフィンメチル）シクロヘ
キサン １、３−ビス（ジフェニルホスフィノキシ）シクロヘキ
サン １．２−ビス（ジフェニルホスフィノメチル）ベンゼン １．２−ビス（ジフェニルホスフィノキシ）ベンゼン １．８−ビス（ジフェニルホスフィノメチル）す１．２
−ビス（ジフェニルアルジノ）シクロブタン、２．３−
ｏ−イソプロピリデン−２，３−ジヒドロキシ１．４
−ビス（ジフェニルアルジノ）ブタン及びそのヒ素、ア
ンチモン類似体を挙げることができる。
前記配位子化合物をロジウム触媒と併用する場合の配位
子化合物の使用峻は、ロジウム触媒１モル当り０．１〜
５００モル、望ましくは２〜５０モルである。
子化合物の使用峻は、ロジウム触媒１モル当り０．１〜
５００モル、望ましくは２〜５０モルである。
白金元素を含む触媒（白金触媒）としては、反応系にお
いて前記の配位子化合物の付加した白金カルボニル錯化
合物を形成し得るもので、例えば活性炭等に担持した白
金金属、塩化白金。
いて前記の配位子化合物の付加した白金カルボニル錯化
合物を形成し得るもので、例えば活性炭等に担持した白
金金属、塩化白金。
Ｋ２ＰｔＣム 等の無機塩類、ｐｔ、（ｐｈｃＮ）２ｃ
！４． ｐｔ、（１，５−ＣＯＤ）Ｃ４等の他、Ｐｔ（
ＰＰｈａ ）ｚｃ４１ ｐｔ（Ｐｈ２喝汎腸）Ｃ４等の
前配位子化合物との錯化合物等を挙げることができる。
！４． ｐｔ、（１，５−ＣＯＤ）Ｃ４等の他、Ｐｔ（
ＰＰｈａ ）ｚｃ４１ ｐｔ（Ｐｈ２喝汎腸）Ｃ４等の
前配位子化合物との錯化合物等を挙げることができる。
（但し、Ｐｈ はフェニル、 ＣＯＤはシクロオクタ
ジエンをそれぞれ示す。）上記白金触媒のうち、配位子
化合物との錯化合物でないものを反応に用いる場合（儂
、前記配位子化合物を併用する必要がある。
ジエンをそれぞれ示す。）上記白金触媒のうち、配位子
化合物との錯化合物でないものを反応に用いる場合（儂
、前記配位子化合物を併用する必要がある。
又、白金触媒（及び配位子化合物）は、元素の周期律表
第１Ｖ ｂ元素のノ・ロゲン化物、例えば塩化錫、臭化
錫、ヨウ化錫、塩化ゲルマニウム。
第１Ｖ ｂ元素のノ・ロゲン化物、例えば塩化錫、臭化
錫、ヨウ化錫、塩化ゲルマニウム。
塩化鉛等の助触媒を併用する必要がある。
白金触媒、配位子化合物及び助、触媒の使用割合は、白
金触媒／配位子化合物／助触媒のモル比で１ ／ ０．
１〜５７１〜２０であり、好ましくは１ ／ ０．５〜
２７２〜８である。
金触媒／配位子化合物／助触媒のモル比で１ ／ ０．
１〜５７１〜２０であり、好ましくは１ ／ ０．５〜
２７２〜８である。
コバルト元素を含む触媒（コバルト触媒）とシテハ、コ
バルトカルボニル、ヒドロコバルトカルボニル等の他、
反応系においてそれら化合物を形成し得るもの、例えば
金属コバルト、酸化物（ＣＯ２０３１Ｃｏｏ ） ＋無
機酸の塩（ＣａＣｌ２． ＣｏＢｒ１゜ＣＯ（ＮＯｘ）
ｇ ＋ ｃｏｃｏ、 ） 、有機酸の塩（酢酸コバルト
。
バルトカルボニル、ヒドロコバルトカルボニル等の他、
反応系においてそれら化合物を形成し得るもの、例えば
金属コバルト、酸化物（ＣＯ２０３１Ｃｏｏ ） ＋無
機酸の塩（ＣａＣｌ２． ＣｏＢｒ１゜ＣＯ（ＮＯｘ）
ｇ ＋ ｃｏｃｏ、 ） 、有機酸の塩（酢酸コバルト
。
コバルトアセチルアセトナト）等を挙げることができる
。
。
上記ヒドロホルミル化触媒の存在下反応させる条件とし
ては、ロジウム触媒を使用する場合、反応圧カニ１０〜
３００陶／−１好ましくは１５〜１００Ｋｇ／Ｊ、反応
温度：３０〜１５０℃、好ましくは５０〜１２０℃、水
素／−酸化炭素（モル比）：１／１０〜１０／１．好ま
しくは１／３〜５／１である。白金触媒を使用する場合
は、反応圧カニ１０〜２００ Ｋｇ ／ Ｑｌｌ” 、
好ましくは６０〜１００に９７暦、反応温度３０〜１５
０℃、好ましくは５０〜１００℃、水素／−酸化炭素（
モル比）：１／１０〜１０／１ 、好ましくは１７３〜
５／１である。コバルト触媒を使用する場合は、反応圧
カニ１００〜３００ Ｋｇ ／ Ｊ 、好ましくは２０
０〜３００ Ｋｇ ／ ｃｎ？、反応温度＝１００〜２
００℃、好ましくは１３０〜１６０℃、水素／−酸化炭
素（モル比）：１／１０〜１０／１ 、好ましくは１／
３〜５／１である。
ては、ロジウム触媒を使用する場合、反応圧カニ１０〜
３００陶／−１好ましくは１５〜１００Ｋｇ／Ｊ、反応
温度：３０〜１５０℃、好ましくは５０〜１２０℃、水
素／−酸化炭素（モル比）：１／１０〜１０／１．好ま
しくは１／３〜５／１である。白金触媒を使用する場合
は、反応圧カニ１０〜２００ Ｋｇ ／ Ｑｌｌ” 、
好ましくは６０〜１００に９７暦、反応温度３０〜１５
０℃、好ましくは５０〜１００℃、水素／−酸化炭素（
モル比）：１／１０〜１０／１ 、好ましくは１７３〜
５／１である。コバルト触媒を使用する場合は、反応圧
カニ１００〜３００ Ｋｇ ／ Ｊ 、好ましくは２０
０〜３００ Ｋｇ ／ ｃｎ？、反応温度＝１００〜２
００℃、好ましくは１３０〜１６０℃、水素／−酸化炭
素（モル比）：１／１０〜１０／１ 、好ましくは１／
３〜５／１である。
ヒドロホルミル化反応は、反応に悪影響をおよぼさない
溶媒、例えば、ベンゼン、トルエン。
溶媒、例えば、ベンゼン、トルエン。
キシレン等の芳香族炭化水素、ヘキサン、ヘプタン、オ
クタン、イソオクタン、デカン等の飽１０詣肪族炭化水
素、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチル
ケトン、アセトフェノン、シクロヘキサノン等のケトン
、テトラヒドロフラン、ジメトキシエタン、ジオキサン
等のエーテル等の存在下行うことができる。
クタン、イソオクタン、デカン等の飽１０詣肪族炭化水
素、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチル
ケトン、アセトフェノン、シクロヘキサノン等のケトン
、テトラヒドロフラン、ジメトキシエタン、ジオキサン
等のエーテル等の存在下行うことができる。
本発明の新規なアルデヒドは、例えば可塑剤或いは耐熱
性プラスチックスの原料として有用なヘキサヒドロトリ
メリットｅ若しくはその誘導体或いはトリメリット酸若
しくはその誘導体の中間原料となり得る。
性プラスチックスの原料として有用なヘキサヒドロトリ
メリットｅ若しくはその誘導体或いはトリメリット酸若
しくはその誘導体の中間原料となり得る。
以下本発明を実施例により詳細に説明する。
実施例１
内容積２００ ｍｌの攪拌機付ステンレススチール製オ
ートクレーブに、窒素ガス雰囲気下、４−シクロヘキセ
ン−１，２−ジカルボン酸無水物１５、２９ （１００
ミリモル）、触媒としてのカルホニルトリス（トリフェ
ニルホスフィン）ロジウムハイドライド（ＨＲｈ（Ｃ○
）（ＰＰｈ３）３〕ｏ１８４ｔ （０，２ミＩＪモル）
及び溶媒としてのトルエン１００−を充填した後、オー
トクレーブを加熱した。内容物が１１５℃に達した時に
）（２７ｃｏ（モル比）＝１の合成ガスを供給して圧力
を２゜Ｋｇ ／ ｄとし、攪拌を開始した。反応圧力を
合成ガスで２０ Ｋｇ ／ （＋１１１”に維持しなが
ら、２時間反応を行った後、オートクレーブを急冷した
。
ートクレーブに、窒素ガス雰囲気下、４−シクロヘキセ
ン−１，２−ジカルボン酸無水物１５、２９ （１００
ミリモル）、触媒としてのカルホニルトリス（トリフェ
ニルホスフィン）ロジウムハイドライド（ＨＲｈ（Ｃ○
）（ＰＰｈ３）３〕ｏ１８４ｔ （０，２ミＩＪモル）
及び溶媒としてのトルエン１００−を充填した後、オー
トクレーブを加熱した。内容物が１１５℃に達した時に
）（２７ｃｏ（モル比）＝１の合成ガスを供給して圧力
を２゜Ｋｇ ／ ｄとし、攪拌を開始した。反応圧力を
合成ガスで２０ Ｋｇ ／ （＋１１１”に維持しなが
ら、２時間反応を行った後、オートクレーブを急冷した
。
オートクレーブから反応物を抜き出し、低沸点物を除去
した後、減圧蒸留にょシ無色透明で粘稠液の第１留分（
沸点＝１５０〜１６０℃１０、０５ ｍＨｆ ） ５．
９４９と、同じく第２留分（沸点＝１６０〜１６５℃／
０．０５ ■Ｈｒ ） １１．１１１２を回収した。
した後、減圧蒸留にょシ無色透明で粘稠液の第１留分（
沸点＝１５０〜１６０℃１０、０５ ｍＨｆ ） ５．
９４９と、同じく第２留分（沸点＝１６０〜１６５℃／
０．０５ ■Ｈｒ ） １１．１１１２を回収した。
第２留分は、ガスクロマトグラフィー分析の結果、単一
成分であり、以下に示したＩＲスペクトル分析、 ＮＭ
Ｒスペクトル分析及び元素分析の結果から４−ホルミル
シクロヘキサン−１，２−ジカルボン酸無水物であると
同定された。
成分であり、以下に示したＩＲスペクトル分析、 ＮＭ
Ｒスペクトル分析及び元素分析の結果から４−ホルミル
シクロヘキサン−１，２−ジカルボン酸無水物であると
同定された。
０１Ｒスヘクトル分析（トルエン溶ｉ）；酸無水物のν
ｃ＝ｏ １８６０ｃｖｎ（弱）、１７９ｄｃｒｎ（強
）アルデヒ）？／）ν。工。 １７２５ｃｍ （中）
アノげヒトのｃ’ ２８２０ｍ （弱）、２７２０
ｔＭ （弱）ＯＮｋ４Ｒスペクトル分析（ＣＤ、ＣＯＤ
、溶液、ＴＭＳ内部標準）１ δ値 ９．６ ｐｐｍ （ｄｏｕｂｌｅｔ、Ｉ
Ｈ，Ｈ’の）ｂトン）δ値 ３．５ ｐｐｍ （
ｍｕｌｔｉｐｌｅｔ、２Ｈ，Ｈのプロトン）δ イ直
２． １ ｐｐｍ （ｍｕｌｔｉｐｌｅ
ｔ、７Ｈ，Ｈｅの）°ロト・ン）○元素分析（Ｃ９Ｈ１
００４として） 実測値（％） Ｃ’ ５９．５４．Ｈ５，７０計算
値（％） Ｃ５９，５３，Ｈ５，５３一方、薦１留分
はガスクロマトグラフィー分析の結果、シクロヘキサン
−１，２−ジカルボン酸無水物（原料の水添物）、１−
シクロヘキセン−１，２−ジカルボン酸無水物（原料の
異性化物）、４−シクロヘキセン−１，２−ジカルボン
酸無水物（原料）及び４−ホルミルシクロヘキサン・−
１，２−ジカルボン酸無水物からなる混合物であること
が判明した。
ｃ＝ｏ １８６０ｃｖｎ（弱）、１７９ｄｃｒｎ（強
）アルデヒ）？／）ν。工。 １７２５ｃｍ （中）
アノげヒトのｃ’ ２８２０ｍ （弱）、２７２０
ｔＭ （弱）ＯＮｋ４Ｒスペクトル分析（ＣＤ、ＣＯＤ
、溶液、ＴＭＳ内部標準）１ δ値 ９．６ ｐｐｍ （ｄｏｕｂｌｅｔ、Ｉ
Ｈ，Ｈ’の）ｂトン）δ値 ３．５ ｐｐｍ （
ｍｕｌｔｉｐｌｅｔ、２Ｈ，Ｈのプロトン）δ イ直
２． １ ｐｐｍ （ｍｕｌｔｉｐｌｅ
ｔ、７Ｈ，Ｈｅの）°ロト・ン）○元素分析（Ｃ９Ｈ１
００４として） 実測値（％） Ｃ’ ５９．５４．Ｈ５，７０計算
値（％） Ｃ５９，５３，Ｈ５，５３一方、薦１留分
はガスクロマトグラフィー分析の結果、シクロヘキサン
−１，２−ジカルボン酸無水物（原料の水添物）、１−
シクロヘキセン−１，２−ジカルボン酸無水物（原料の
異性化物）、４−シクロヘキセン−１，２−ジカルボン
酸無水物（原料）及び４−ホルミルシクロヘキサン・−
１，２−ジカルボン酸無水物からなる混合物であること
が判明した。
実施例２
触媒としてＨＲｈ（ｃｏ）（ｐｐｈ３）３ｏ１８ａ ｔ
（０，２ミリモル）トリフェニルホスフィン（ＰｐＨ
３）０、５２５９ （２，ＯミＩＪモル）を用いた以外
は実施例１と同様にして４−７クロヘキセンー１．２−
ジカルボン酸無水物のヒドロホルミル化反応を行い、生
成物をガスクロマトグラフィー分析し、その結果を表に
示した。
（０，２ミリモル）トリフェニルホスフィン（ＰｐＨ
３）０、５２５９ （２，ＯミＩＪモル）を用いた以外
は実施例１と同様にして４−７クロヘキセンー１．２−
ジカルボン酸無水物のヒドロホルミル化反応を行い、生
成物をガスクロマトグラフィー分析し、その結果を表に
示した。
実施＋９１Ｊ ５
触媒としてＨＲｈ（ＣＯＸＰＰｈａ）３０．１ ａ ａ
ｙ （０，２ミリモル）とＰＰｂ３０．２６２ ？
（、１，０ミリモル）を用いた以外は実施例１と同様に
して４−シクロヘキセン−１，２−ジカルボン酸無水物
のヒドロネルミル化反応を行い、生成物をガスクロマト
グラフィー分析し、その結果を表に示した。
ｙ （０，２ミリモル）とＰＰｂ３０．２６２ ？
（、１，０ミリモル）を用いた以外は実施例１と同様に
して４−シクロヘキセン−１，２−ジカルボン酸無水物
のヒドロネルミル化反応を行い、生成物をガスクロマト
グラフィー分析し、その結果を表に示した。
実施１列 ４
触媒トしてジクロルビス（トリフェニルホスフィン）白
金［：（ＰＰｈ３）２ＰｔＣ４］ ０．１５８９ （
０，２ミリモル）とＳｎＣ！ｊ２＠２Ｈ２０ｏ、 ２２
６ ？ （１，０ミリモル）を用い、反応温度を１００
℃゛２反応圧力を６０ Ｋｚ ／ ｃｎ？ 、反応時間
を４時間とした以外は、実施例１と同様にして４−シク
ロヘキセン−１，２−ジカルボン酸無水物のヒドロホル
ミル化反応を行い、生成物をガスクロマトグラフィー分
析し、その結果を表に示した。
金［：（ＰＰｈ３）２ＰｔＣ４］ ０．１５８９ （
０，２ミリモル）とＳｎＣ！ｊ２＠２Ｈ２０ｏ、 ２２
６ ？ （１，０ミリモル）を用い、反応温度を１００
℃゛２反応圧力を６０ Ｋｚ ／ ｃｎ？ 、反応時間
を４時間とした以外は、実施例１と同様にして４−シク
ロヘキセン−１，２−ジカルボン酸無水物のヒドロホル
ミル化反応を行い、生成物をガスクロマトグラフィー分
析し、その結果を表に示した。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （］） 一般式 （式中、ｎ個のＲは同−又は異って、水素原子、アルキ
ル、アルコキシ、水酸基又はハロゲン原子を示し、ｎ
Ｉｄ Ｏ〜４の数である。）で表わされる４−ホルミル
シクロヘキサン−１，２−ジカルボン酸又はその誘導体
。 （２）一般式 （式中、ｎ個のＲは同−又は異って、水素原子、アルキ
ル、アルコキシ、水酸基又はハロゲン原子を示し、ｎば
０〜４の数である。）で表わされる４−シクロヘキセン
−１，２−ジカルボン酸又はその誘導体を、ヒドロホル
ミル化触媒の存在下に、水素及び−酸化炭素と反応させ
ることを特徴とする一般式 （式中、Ｒ及びｎは前記と同意義。）で表わされる４−
ホルミルシクロヘキサン−１，２−ジカルポン酸又はそ
の誘導体の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19767981A JPS5899435A (ja) | 1981-12-10 | 1981-12-10 | 新規アルデヒド及びその製造方法 |
| DE8282306401T DE3265288D1 (en) | 1981-12-10 | 1982-12-02 | Novel aldehydes and process for producing the same |
| EP82306401A EP0083158B1 (en) | 1981-12-10 | 1982-12-02 | Novel aldehydes and process for producing the same |
| BR8207167A BR8207167A (pt) | 1981-12-10 | 1982-12-09 | Processo para preparar acido 4-formilcicloexano-1,2-di-carboxilico |
| CA000417341A CA1234127A (en) | 1981-12-10 | 1982-12-09 | Aldehyde and process for producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19767981A JPS5899435A (ja) | 1981-12-10 | 1981-12-10 | 新規アルデヒド及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5899435A true JPS5899435A (ja) | 1983-06-13 |
| JPS6154773B2 JPS6154773B2 (ja) | 1986-11-25 |
Family
ID=16378532
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19767981A Granted JPS5899435A (ja) | 1981-12-10 | 1981-12-10 | 新規アルデヒド及びその製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0083158B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5899435A (ja) |
| BR (1) | BR8207167A (ja) |
| CA (1) | CA1234127A (ja) |
| DE (1) | DE3265288D1 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3628664A1 (de) * | 1986-08-23 | 1988-03-03 | Degussa | Verfahren zur herstellung von 1,12-dodecandisaeure ii |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2894038A (en) * | 1956-02-24 | 1959-07-07 | Exxon Research Engineering Co | Preparation of bifunctional cycloalkanes |
| DE2432832B2 (de) * | 1974-07-09 | 1976-09-09 | Joh. A. Benckiser Gmbh, 6700 Ludwigshafen | 1,4-bis-formyl-cyclohexan-polycarbonsaeuren, verfahren zur herstellung und verwendung zur verhuetung von steinbildenden ablagerungen |
| EP0014796B2 (en) * | 1978-10-04 | 1988-11-09 | Toa Nenryo Kogyo Kabushiki Kaisha | Process for the production of aldehydes by hydroformylation in presence of rhodium compound |
| DE2849742B2 (de) * | 1978-11-16 | 1980-10-16 | Henkel Kgaa, 4000 Duesseldorf | Verfahren zur Herstellung von Aldehyden und Verwendung der Verfahrensprodukte als Riechstoffe |
-
1981
- 1981-12-10 JP JP19767981A patent/JPS5899435A/ja active Granted
-
1982
- 1982-12-02 DE DE8282306401T patent/DE3265288D1/de not_active Expired
- 1982-12-02 EP EP82306401A patent/EP0083158B1/en not_active Expired
- 1982-12-09 BR BR8207167A patent/BR8207167A/pt not_active IP Right Cessation
- 1982-12-09 CA CA000417341A patent/CA1234127A/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3265288D1 (en) | 1985-09-12 |
| EP0083158A1 (en) | 1983-07-06 |
| EP0083158B1 (en) | 1985-08-07 |
| JPS6154773B2 (ja) | 1986-11-25 |
| BR8207167A (pt) | 1983-10-11 |
| CA1234127A (en) | 1988-03-15 |
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