JPS5896830A - ホウ素のハロゲン化誘導体の噴射によるマグネシウム中の金属不純物の除去方法 - Google Patents

ホウ素のハロゲン化誘導体の噴射によるマグネシウム中の金属不純物の除去方法

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JPS5896830A
JPS5896830A JP57205930A JP20593082A JPS5896830A JP S5896830 A JPS5896830 A JP S5896830A JP 57205930 A JP57205930 A JP 57205930A JP 20593082 A JP20593082 A JP 20593082A JP S5896830 A JPS5896830 A JP S5896830A
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JP
Japan
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magnesium
boron
metal impurities
removal
halogenated derivative
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Pending
Application number
JP57205930A
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English (en)
Inventor
アンドレ・メナ
ジヤン−ミシエル・シヤリエ−ル
ジヤン・デブレスト
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FR DEREKUTOROMETARIYURUJII SOC
FURANSEEZU DEREKUTOROMETARIYURUJII SOC
Original Assignee
FR DEREKUTOROMETARIYURUJII SOC
FURANSEEZU DEREKUTOROMETARIYURUJII SOC
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22BPRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
    • C22B26/00Obtaining alkali, alkaline earth metals or magnesium
    • C22B26/20Obtaining alkaline earth metals or magnesium
    • C22B26/22Obtaining magnesium

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  • General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
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  • Geology (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
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  • Silicon Compounds (AREA)
  • Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
  • Water Treatment By Electricity Or Magnetism (AREA)
  • Processing And Handling Of Plastics And Other Materials For Molding In General (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、マグネシウムに含まれた金属不純物をホウ素
のハロゲン化誘導体の噴射によって除去する方法に係る
メタロナーtツク反応により得られたマグ卑シワム、%
K Cab、 810g 、 kA@O@及びMgOを
ペースとする約1600℃ の溶融スラグ内で減圧下で
ドロマイト又はマグ卑シアをシリコサ−キック還元方法
(マグネテ# A (Magneth@rm )法、S
OWのフランス特許第1194556号=米a特許第2
9フ1833号)で処理して得られるマグネシウムに於
いては、ケイ素、鉄又は17が/の加電金属元素の含量
が多くなシ易い。これらの含量はある場合には、種々の
使用品質規格に適食し得ないほど多い、41に、所謂高
純度品質が要求される領域での品質規格に適合できない
w、グネテルム”マグネシウムの精製には昇華方法が使
用されてき九。該方法は所謂高純度品質を得るのに概し
て適しているが昇華処理に時間及び費用が掛り、多量の
電気エネルギを消費することが欠点である。
アルミニウム・ペシネー社(M」酊NIUMP囲INE
T)のフランス特許第1594154号(=米国特許第
367122時)に記載の偏析(segregatio
n)による精製方法は、マンガンの如き所謂1包ルが金
属不純物に社適轟でない。
マグネシウムのある種の不純物、特にマンガン、鉄及び
ケイ素を四塩化チタンTiCj4の噴射によって除去す
ることは公知である。この方法はダク・ケオカル社(D
EW CHEMICAL Co、 )の米国特許第27
79672号に記載されている。しかし乍ら、腋方法で
達成される除去率111だ極めて不十分である。即ち、
残留マンガン濃度が約200乃至500ppmである。
本実9110目的は、液体iグネシワム中の金属不純物
の除去方法を提供することである。この方法は、TiC
j、又はハロゲン化7ラツクス(fluxhalog@
n@s)の如龜任意の精製剤による予処理の補足処理と
して使用されてもよく、又は、単独の精製処理として使
用されてもよい0本発明方法によシ、高純度マグネシウ
ムの公知の全ての用途に対する必要条件に適合し得る純
度レベルが得られる。
本発明方法状、適当な手段により液体マグネシワム中に
ホウ素のI・ロゲン化誘導体例えば三塩化物BC1,、
三7ツ化物BF、又はアルカリ金属もしくはアルカリ土
類金属もしくはマグネシウムのフッ化ホウ素酸塩を噴射
する方法である。
意外にも、ホウ素の誘導体を用いた精製方法の結果、マ
グネシクム中の残留ホク素員度は約lppm又はそれ以
下であり、このような濃度はこの方法で精製された金属
のいかなる用途に対しても全く不利にはならないことが
判明した。
本発明方法の実施に使用し得るホウ素誘導体として三塩
化物が特に有利である。三塩化物は沸点が12.5℃で
あるため鋼製シリンダ内に中圧下で液状で貯蔵できるか
らである。精製すべIII体マグ卑シウムメルト中にn
czmが均一に混入され良好に分散することを確保すべ
くアルノンの如き乾燥不活性ガス流と共にnczmを導
入するのが好ましい。Mg中に噴射されるI・ロゲン化
誘導体の量は、未精製マメネシクム1トン当シのホウ素
の量で示すと0.05乃至5麺、好壕しくは0.1乃至
1kに相当する0例えば、9.2憾の純ホク素Bを含有
するBCl、の場合には、前記の量祉、マグネシウム1
トン轟り0.54乃至54−好ましくは1.09乃至1
0,9IIのBO2,に相当する。
微粉砕フッ化ホク素酸カリワムもまた公知の任意の方法
で不活性ガス流と共に導入することがで詣る。
液体マグネシワムメルト中への噴射自体は、幽業者によ
く知られた接衝のいずれかを用いて行なうことができる
。特に、液体!グネシワムを収容した処理鍋の底部に沈
められた適当な材料から成るブロー、eイブ、又は底部
の近傍で処理鍋の側壁を貫通するノズル、又拡開O任意
の等価の手段を使用し得る。
マグネシウムに対するホウ素のハロゲン化誘導体の反応
によりて1発生期の”ホウ素が形成され、誼発生期のホ
ウ素がFv、Mn、Siの如き元素と反応して安定なホ
ウ化物を生じると考えられる。このホウ化物は、700
乃至750℃の液体マグネシウムの密度より遥かに大き
い密度を有するので、急速く沈殿する。マグネシウムの
溶鉱に通常使用されるハロゲン化フラックスを添加する
と、前記の如龜沈殿形成が一層促進される。
実施例 以下の種々の実施例に於いて、液体マグネシウムを鋼I
IJl&理鍋に入れ、温度700℃乃至750℃に加熱
した。
acLsを収瞥したシリンダ線正確な計量手段に懸吊さ
れ温度20乃至60℃に加熱し得る加熱手段を具備して
いた。シリンダの重量変化に基いて制御される調整弁に
よって流量調整を確実に行った。
実施例 1 乾燥アルノン流によシ這ばれるBCl、35KIを毎時
201wの速度で鋼Iliクンス(筒口)によシ噴射し
、TiCj、で予め精製したマグネシウム7140−を
730℃で処理した。下記の結果を得た。
実施例 2 同じ手法及び同じ速度を用い、TlC14で予精製した
マグネシウム9405に#をアルノン下のBC4畠33
−の噴射によシ処理した。下記の結果を得喪。
実施例 3 粗す−建ツクマグ卑シワム2700−を5cta21.
5に#により750℃で直接処理した。この場合のBO
A、供給速度は121t’ilfあつ九。下記の結果を
得た。
前出の米ll帽昨2π9672号に記載の知音T1%に
よる予nata、ケイ素濃度を低下させるのに有効であ
るが、マンガンと鉄とに関しては極めて不十分である。
本発明者の知見によれば、前記の知勇予精製に於いてT
iCj、の一部又は全部を昇華塩化第二鉄F@CL@ 
で置換して乾燥アルビン流と共に供給することができる
。F・CL、10乃至100−とTiCj40乃至90
−とから形成された混金物が満足すべ亀結果を与え、例
えtf15Qo/11000Ppのケイ素濃度を約10
0 ppmに低下させ得る。
更に、本発明者の知見によれば、通常はマグネシウム中
に存在しないが時たま存在し得るある種の金属不純物例
えばクロム及びニッケルも、Bct。
を用いる処理により温度10乃至30ppmになる壕で
除去される。
BcL、で処理したマグネシウム中のホ9素の定量は、
メチレンブルーと共に形成された錯体の分光比色分析に
よって行なわれた。
ホウ素の残留濃度は0.5乃至1.5 ppmである。
この結果、得られたマグネシウム金属を特に、TICt
4又はZrCj4をマ〆ネシクムで還元するり四−ル(
Kroll)法による高純度チタン又はジルコニウムの
製造のために、使用することが可能である。
代理人弁嗜士今  村    元

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)  溶融マグネシウム中にホウ素のハロゲン化誘
    導体を噴射することを特徴とするマグネシウム中の金属
    不純物、特に鉄、ケイ素及びマンガンの除去方法。
  2. (2)ホウ素のハロゲン化誘導体が、三フッ化ホワ素と
    三塩化ホウ素とアルカリ金属、アルカリ土類金属及びマ
    グネシウムのフッ化ホウ素酸塩とのうちから選択される
    ことを411黴とする特許請求の範囲第1項に記載のマ
    グネシウム中の金属不純物の除去方法。
  3. (3)  ホウ素のハロゲン化誘導体がアルノンの如き
    不活性ガス流に混入してマグネシウムに噴射されること
    を特徴とする特許請求の範囲第1項又は第2項に記載の
    マグネシウム中の金属不純物の除去方法。
  4. (4)  噴射されるハロゲン化誘導体の量が、マグネ
    シウム1トン蟲り0.05乃至5に好ましくは0.1乃
    至1にのホウ素量に相当することを特徴とする特許請求
    の範囲第1項乃至第3項のいずれかに記載の!グネシ9
    ム中の金属不純物の除去方法。
  5. (5)ホウ素のハロゲン化誘導体の噴射に先立って、三
    塩化鉄を単独で又a’rtcz4の割合が90憾以内の
    三塩化鉄と四塩化チタンとの混合物の形状で溶馳iグ夢
    シクム中に噴射することを特徴とする特許請求の範囲第
    1項乃至第4項のいずれかに記載のマグネシウム中の金
    属不純物の除去方法。
JP57205930A 1981-11-25 1982-11-24 ホウ素のハロゲン化誘導体の噴射によるマグネシウム中の金属不純物の除去方法 Pending JPS5896830A (ja)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
FR8122451A FR2516940B1 (fr) 1981-11-25 1981-11-25 Procede d'elimination d'impuretes metalliques dans le magnesium par injection d'un derive halogene de bore
FR8122451 1981-11-25

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JPS5896830A true JPS5896830A (ja) 1983-06-09

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ID=9264522

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JP57205930A Pending JPS5896830A (ja) 1981-11-25 1982-11-24 ホウ素のハロゲン化誘導体の噴射によるマグネシウム中の金属不純物の除去方法

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US (1) US4417920A (ja)
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CA (1) CA1191699A (ja)
FR (1) FR2516940B1 (ja)
NO (1) NO160861C (ja)
YU (1) YU42820B (ja)

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FR2516940B1 (fr) 1985-09-27
CA1191699A (fr) 1985-08-13
NO823935L (no) 1983-05-26
FR2516940A1 (fr) 1983-05-27
YU261082A (en) 1985-04-30
US4417920A (en) 1983-11-29
NO160861C (no) 1989-06-07
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