JPS5893859U - 単結晶のカツト面検査装置 - Google Patents

単結晶のカツト面検査装置

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JPS5893859U
JPS5893859U JP18869481U JP18869481U JPS5893859U JP S5893859 U JPS5893859 U JP S5893859U JP 18869481 U JP18869481 U JP 18869481U JP 18869481 U JP18869481 U JP 18869481U JP S5893859 U JPS5893859 U JP S5893859U
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JP
Japan
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cut surface
surface inspection
single crystal
inspection device
sample
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Pending
Application number
JP18869481U
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English (en)
Inventor
江刺　信二
Original Assignee
富士通株式会社
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Publication date
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  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来構成になるカット面検査装置の主要構成を
示す平面図、第２図は本考案の一実施例になるカット面
検査装置の主要構成を示す側面図である。 なお、図中において１．１２は試料支持板、２゜１３は
Ｘ線発生器、３．１４はＸ線検知器、４゜１１はカット
面検査装置、５，１６は被検試料、６．１７はカット面
、８，１８はＸ線ビームを示す。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 所定のカット面が接するように単結晶試料を保持する試
    料支持板と、前記保持された試料のカット面に対して傾
    斜対向するＸ線発生器と、前記Ｘ線発生器のＸ線ビーム
    が前記カット面で反射する反射光を検知する検知器とを
    具え、前記支持板及び検知器が所定に回動するように構
    成してなるカット面検査装置において、試料支持板をほ
    ぼ水平に具えＸ線発生器及び検知器を前記支持板の下方
    に配置して構成したことを特徴とする単結晶のカット面
    検査装置。
JP18869481U 1981-12-18 1981-12-18 単結晶のカツト面検査装置 Pending JPS5893859U (ja)

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JPS5893859U true JPS5893859U (ja) 1983-06-25

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009186181A (ja) * 2008-02-01 2009-08-20 Toshiba It & Control Systems Corp 結晶方位測定装置、結晶加工装置及び結晶加工方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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