JPS5892259A - 複合半導体装置 - Google Patents
複合半導体装置Info
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- JPS5892259A JPS5892259A JP56190357A JP19035781A JPS5892259A JP S5892259 A JPS5892259 A JP S5892259A JP 56190357 A JP56190357 A JP 56190357A JP 19035781 A JP19035781 A JP 19035781A JP S5892259 A JPS5892259 A JP S5892259A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/1443—Devices controlled by radiation with at least one potential jump or surface barrier
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１） 発明の技術分野
本発明は、単一のＧａＡｓ基根上に受光素子と電界効果
トランジスタ（以下ＦＩ３Ｔという）素子とが設けへれ
た複合半導体装置の構成に関す。
トランジスタ（以下ＦＩ３Ｔという）素子とが設けへれ
た複合半導体装置の構成に関す。
（粉 技術の背景
光フアイバ通信方式の実用化によって知られるように、
光フアイバ自身の進歩とともに各種の光デバイス技術が
開発されている。すなわち、光を導波路内ｌことじ込め
て扱う固体化された光デバイス、例えば半導体レーザな
どの発光装置、フォトダイオードなどの受光装置、光ス
ィッチ、光コネクタ等が開発され、これらの光デバイス
によって構成されたシステムは性能はもとより、信頼性
及び経済性が大幅に改善されている。
光フアイバ自身の進歩とともに各種の光デバイス技術が
開発されている。すなわち、光を導波路内ｌことじ込め
て扱う固体化された光デバイス、例えば半導体レーザな
どの発光装置、フォトダイオードなどの受光装置、光ス
ィッチ、光コネクタ等が開発され、これらの光デバイス
によって構成されたシステムは性能はもとより、信頼性
及び経済性が大幅に改善されている。
この光デバイス技術は、単一の機能を有する個別のデバ
イスを提供する段階に止まらず、さらに高性能化、小形
化、高信頼化を進めるために、機能を異にする複数の素
子を複合、集積することを志向している。その−の方向
として、光入力信号を一旦電気信号に変換して、増幅、
波形整形、論理演算もしくは変復調等を行い、更に光出
力信号を制御する場合などに必要とされる光電変換回路
や電子回路を同一基板上に形成することが試みられてい
る。。
イスを提供する段階に止まらず、さらに高性能化、小形
化、高信頼化を進めるために、機能を異にする複数の素
子を複合、集積することを志向している。その−の方向
として、光入力信号を一旦電気信号に変換して、増幅、
波形整形、論理演算もしくは変復調等を行い、更に光出
力信号を制御する場合などに必要とされる光電変換回路
や電子回路を同一基板上に形成することが試みられてい
る。。
半導体レーザ及びフォトダイオードを構成する半導体と
してはＧａＡｓ化合物が従来最も研究されているが、他
方電界効果型トランジスタ（ＰＥＴ）をＧａＡｓ系化合
物により構成する技術も最近大きく進歩して、前記の如
き複合半導体装置をＧａＡｓ系化合物によりて構成する
ことが可能となりつつある。
してはＧａＡｓ化合物が従来最も研究されているが、他
方電界効果型トランジスタ（ＰＥＴ）をＧａＡｓ系化合
物により構成する技術も最近大きく進歩して、前記の如
き複合半導体装置をＧａＡｓ系化合物によりて構成する
ことが可能となりつつある。
（３） 従来技術と問題点
同−ＧａＡｓ基板上ｌこ７ｔトダイオードとＦＥＴ吟を
形成して皺フォトダイオードより得られる信号電流の増
幅或いは演算処理等を行う電子回路を該ＦＥＴ等により
構成する複合半導体装置が試みられている。
形成して皺フォトダイオードより得られる信号電流の増
幅或いは演算処理等を行う電子回路を該ＦＥＴ等により
構成する複合半導体装置が試みられている。
嬉１図は従来技術による該複合半導体装置の一例を示す
断面図である。第１図において、領域人は受光素子部、
領域ＢはＦ’ＥＴ素子部であって、受光素子は半絶縁性
ｎ−ＧａＡｓ基板１上に亜鉛（Ｚｎ）等を深さ１μｍ程
度に拡散することにより、ｐ＋層２を形成し、骸ｐ＋層
２にｐ側電極３、半絶縁性ｎ ＧａＡｓ基板１上にｎ
９１１１を極４を設けることにより形成される。又、Ｆ
ＥＴ素子は半絶縁性ｎ −Ｇ ａ Ａ Ｓ基板ｌ上にキ
ャリア濃度がＩ Ｘ １０”ｃｍ−”＠度のｎ ” −
ＧａＡ１ Ｎ１３を厚さ０．２μｔｐｂ程度に成長せし
め、ソース電極６及びドレイン電極７を金ゲルマニウム
（ＡｕＧｅ）等を用い、又、ゲート電極８をアルミ二ヴ
／人・（八Ｕｓを用いて配設することにより形成され、
その後納縁膜及び所要の配線パターンが設けられる。
断面図である。第１図において、領域人は受光素子部、
領域ＢはＦ’ＥＴ素子部であって、受光素子は半絶縁性
ｎ−ＧａＡｓ基板１上に亜鉛（Ｚｎ）等を深さ１μｍ程
度に拡散することにより、ｐ＋層２を形成し、骸ｐ＋層
２にｐ側電極３、半絶縁性ｎ ＧａＡｓ基板１上にｎ
９１１１を極４を設けることにより形成される。又、Ｆ
ＥＴ素子は半絶縁性ｎ −Ｇ ａ Ａ Ｓ基板ｌ上にキ
ャリア濃度がＩ Ｘ １０”ｃｍ−”＠度のｎ ” −
ＧａＡ１ Ｎ１３を厚さ０．２μｔｐｂ程度に成長せし
め、ソース電極６及びドレイン電極７を金ゲルマニウム
（ＡｕＧｅ）等を用い、又、ゲート電極８をアルミ二ヴ
／人・（八Ｕｓを用いて配設することにより形成され、
その後納縁膜及び所要の配線パターンが設けられる。
以上説明した栴造の複合半導体装置においては、半絶縁
性ＧａＡｓ基板１は受光素子の光吸収層を構成するとと
もに、ｎ側を極４へのＮｔＡＬの伝導路を構成するため
に電流に対する直列抵抗が大きく、その結釆光を吸収す
る空乏層が伸び難く、かつ、ｋＪ、１図中に９として模
式的に示す如く均一には形成されず歪んでしまう欠点が
ある。従って量子効率が低く、またキャリアの移動が拡
散によるために速ｋが遅く、応答の遅延が問題となる。
性ＧａＡｓ基板１は受光素子の光吸収層を構成するとと
もに、ｎ側を極４へのＮｔＡＬの伝導路を構成するため
に電流に対する直列抵抗が大きく、その結釆光を吸収す
る空乏層が伸び難く、かつ、ｋＪ、１図中に９として模
式的に示す如く均一には形成されず歪んでしまう欠点が
ある。従って量子効率が低く、またキャリアの移動が拡
散によるために速ｋが遅く、応答の遅延が問題となる。
上記問題点を解決することを試みた従来技術による該複
合半導体装置の一例を第２図に断面図によって示す。第
２図において、１１はｎ”−ＧａＡｓ基板であり、該ｎ
”−ＧａＡｓ基板１１上にｎ−ＧａＡｓ層１２、ｒｒ−
−ＧａＡｓ層１３が受光素子部Ａ、ＦＥＴ累子部Ｂに共
通に形成されて、受光素子部ではｎ−−ＧａＡｓ層１３
にＺｎを拡散して形成されたｐ＋領域１４にｐ側電極１
５が設けられ、ｎ＠電極１６はｎ”−ＧａＡｓ基板１１
皇面の広い面積を覆っている。
合半導体装置の一例を第２図に断面図によって示す。第
２図において、１１はｎ”−ＧａＡｓ基板であり、該ｎ
”−ＧａＡｓ基板１１上にｎ−ＧａＡｓ層１２、ｒｒ−
−ＧａＡｓ層１３が受光素子部Ａ、ＦＥＴ累子部Ｂに共
通に形成されて、受光素子部ではｎ−−ＧａＡｓ層１３
にＺｎを拡散して形成されたｐ＋領域１４にｐ側電極１
５が設けられ、ｎ＠電極１６はｎ”−ＧａＡｓ基板１１
皇面の広い面積を覆っている。
他方ＦＥＴ素子はｎ −−Ｇ ａ Ａ ｓ層１３上に設
けられたｎ”−ＧｍＡｓ層１７を能動層としてソース電
極１８、ドレイン電極１９及びゲート電極２０により構
成されている。
けられたｎ”−ＧｍＡｓ層１７を能動層としてソース電
極１８、ドレイン電極１９及びゲート電極２０により構
成されている。
第２図に示した受光素子においては、ｐ◆領域１４、ｎ
−−Ｇａ人１層１３及びｎ−ＧａＡｓ層１２によってｐ
轟ｎ構造が構成され、ｎ”−ＧａＡｓ基板１１はｎｇｓ
コンタクト層として機能するもので、先に第１図の例に
ついて述べた欠点を改善している。
−−Ｇａ人１層１３及びｎ−ＧａＡｓ層１２によってｐ
轟ｎ構造が構成され、ｎ”−ＧａＡｓ基板１１はｎｇｓ
コンタクト層として機能するもので、先に第１図の例に
ついて述べた欠点を改善している。
しかしながら第２図に示した複合半導体装置のＦＥＴ素
子部については、能動層であるｎ＋−ＧａＡｓ層１７と
ｎ”−ＧａＡｓ基板１１とは例えば５μ毒程亀・のｒ４
隔を有す′ｖ６轟で・ありて、基板１１に印加される受
光素子バイアス電圧の影譬をうけ、を生谷量も増大し、
又、受光素子とＦ Ｅ Ｔ 素子もしくはＦＥＴＸ子相
互間の分離も甚だ困難となる。
子部については、能動層であるｎ＋−ＧａＡｓ層１７と
ｎ”−ＧａＡｓ基板１１とは例えば５μ毒程亀・のｒ４
隔を有す′ｖ６轟で・ありて、基板１１に印加される受
光素子バイアス電圧の影譬をうけ、を生谷量も増大し、
又、受光素子とＦ Ｅ Ｔ 素子もしくはＦＥＴＸ子相
互間の分離も甚だ困難となる。
（４）発明の目的
本発明は、単一半絶縁性ＧａＡｓ基板上に受光素子とＦ
ＥＴ素子とが設けられた複合半導体装置において、ＦＥ
Ｔ素子や素子間分離特性に悪影替を及すことなく、受光
素子の光吸収層を受光範囲の全域にわたって空乏化し且
つその寄生直列抵抗は低減することにより量子効率及び
応答速匿を改善することを目的とする。・ （５）発明の構成 本発明の前記目的は、少くとも該ＦＥＴ素子が設けられ
た領域を除いて、該基板上に皺受光素子中キャリア電子
濃度が最大であるｎ”Ｇ１Ａｇ層を設け、該受光素子の
光吸収層及びｎ側電極を該ｎ”−（）ａＡｓ層上に設け
ることにより達成される。
ＥＴ素子とが設けられた複合半導体装置において、ＦＥ
Ｔ素子や素子間分離特性に悪影替を及すことなく、受光
素子の光吸収層を受光範囲の全域にわたって空乏化し且
つその寄生直列抵抗は低減することにより量子効率及び
応答速匿を改善することを目的とする。・ （５）発明の構成 本発明の前記目的は、少くとも該ＦＥＴ素子が設けられ
た領域を除いて、該基板上に皺受光素子中キャリア電子
濃度が最大であるｎ”Ｇ１Ａｇ層を設け、該受光素子の
光吸収層及びｎ側電極を該ｎ”−（）ａＡｓ層上に設け
ることにより達成される。
（６）発明の実施例
以下に本発明を実施例により図面を参照して説明する。
第３図は本発明の実施例を示す断面図である。
半絶縁性ｎ−ＧａＡｓ基板２１上の受光素子を形成する
領域Ａに選択的にシリコン（Ｓム）イオンを、加速電圧
３００ＫＩＶ程度においてドース“量ｌＸｌ０”倒４程
度に注入して熱処理を施してｎ＋イオン注入層２２を形
成する。
領域Ａに選択的にシリコン（Ｓム）イオンを、加速電圧
３００ＫＩＶ程度においてドース“量ｌＸｌ０”倒４程
度に注入して熱処理を施してｎ＋イオン注入層２２を形
成する。
しかる後に分子ビームエピタキシャル成長法（ＭＢＥ法
）或いは気相エピタキシャル成長法（ｖｐｇ法）等によ
り、ノンドープ半絶縁性ｎ−ＧａＡｓ層２３を厚さ３μ
愼程１に、次いでキャリア−１がＩ Ｘ １０” ｃｍ
−”程度のｎ”−ＧａＡｓ層２４を厚さ０．２μＳ程友
に順次成長させる。ただし、ｎ”−ＧａＡｓ層２４はＦ
ＥＴ素子の能動層とするものであって、受光素子領域大
についてｎ”−ＧａＡｓ層２４は選択的に除去され、か
つ各ＦＥＴ素子領域に分離される。
）或いは気相エピタキシャル成長法（ｖｐｇ法）等によ
り、ノンドープ半絶縁性ｎ−ＧａＡｓ層２３を厚さ３μ
愼程１に、次いでキャリア−１がＩ Ｘ １０” ｃｍ
−”程度のｎ”−ＧａＡｓ層２４を厚さ０．２μＳ程友
に順次成長させる。ただし、ｎ”−ＧａＡｓ層２４はＦ
ＥＴ素子の能動層とするものであって、受光素子領域大
についてｎ”−ＧａＡｓ層２４は選択的に除去され、か
つ各ＦＥＴ素子領域に分離される。
次いで受光素子のｐ中領域２５を半絶縁性ｎ−ＧａＡｓ
層２３に形成する。これは例えば二酸化シリコン（Ｓｔ
Ｏ，）等をマスクとして、約６０ＯｒにおいてＺｎＡｓ
、による閉管法による拡散を３０分間程度行って、Ｚｎ
をＩＩ［１０”乃至１０” ｃｍ−” 程度、深さ約１
μ倶に拡散することによりて形成される。
層２３に形成する。これは例えば二酸化シリコン（Ｓｔ
Ｏ，）等をマスクとして、約６０ＯｒにおいてＺｎＡｓ
、による閉管法による拡散を３０分間程度行って、Ｚｎ
をＩＩ［１０”乃至１０” ｃｍ−” 程度、深さ約１
μ倶に拡散することによりて形成される。
ＦＥＴ素子領域Ｂにおいては、先に述べた如く分離され
た各領域にソース電極２６及びドレイン電極２７をＡｕ
Ｇｅ ％により、ゲート電極２８をｎ等により形成する
。
た各領域にソース電極２６及びドレイン電極２７をＡｕ
Ｇｅ ％により、ゲート電極２８をｎ等により形成する
。
受光素子のｐ９１１１電極２９はＡｕＺｎ等ニヨリｐ１
領域２５面上に形成されるが、ｎｅｔ極３０はｎ＋イオ
ン注入層２２面上にＡｕＧｅ％により形成される。すな
わち第３図に示す如く、ｎ＋イオン注入層２２に達する
まで受光素子の周囲の少くとも一部分にエツチングを行
ってｎ１ｌｌｌｔ極を形成する。
領域２５面上に形成されるが、ｎｅｔ極３０はｎ＋イオ
ン注入層２２面上にＡｕＧｅ％により形成される。すな
わち第３図に示す如く、ｎ＋イオン注入層２２に達する
まで受光素子の周囲の少くとも一部分にエツチングを行
ってｎ１ｌｌｌｔ極を形成する。
なお第３図に示す如く、受光素子の周囲、特にＰＥＴ領
域Ｂ側にエツチングを行って受光素子をメサ型に形成す
ることは受光素子とＦＥＴ素子との分離改善を目的とす
る。
域Ｂ側にエツチングを行って受光素子をメサ型に形成す
ることは受光素子とＦＥＴ素子との分離改善を目的とす
る。
（７）発明の効果
本実施例のｎ＋イオン注入層２２は高キャリア濃度であ
るために、受光素子の空乏層はｐ＋領域２５の直下全面
にひろがり、光吸収層である半艶−ぐ 縁ｎ−ＧａＡｓ層２３をｎ＋イオン注入層２２との界面
談で空乏化される。この結果受光素子の量子効率が向上
し、曹た光励起キャリアは拡散ではなくドリフトにより
移動するために応答速度が大となる。
るために、受光素子の空乏層はｐ＋領域２５の直下全面
にひろがり、光吸収層である半艶−ぐ 縁ｎ−ＧａＡｓ層２３をｎ＋イオン注入層２２との界面
談で空乏化される。この結果受光素子の量子効率が向上
し、曹た光励起キャリアは拡散ではなくドリフトにより
移動するために応答速度が大となる。
詑４図及び第５図は第３図１に示した実施例と、第１図
に示した構造の例との比較を示す図表であって、何れの
図においても、実紐で示した曲線人は第３図に示した実
施例についての、破線で示した曲＠Ｂは駆１図に示した
構造の例についてのデータ例を示す◎ 第４図は量子効率を比較した図表であって、横軸は光入
力信号の波長（単位μｍ）を、縦軸は量子効率を示し、
本実施例は約１５倍の量子効率改善を示している。
に示した構造の例との比較を示す図表であって、何れの
図においても、実紐で示した曲線人は第３図に示した実
施例についての、破線で示した曲＠Ｂは駆１図に示した
構造の例についてのデータ例を示す◎ 第４図は量子効率を比較した図表であって、横軸は光入
力信号の波長（単位μｍ）を、縦軸は量子効率を示し、
本実施例は約１５倍の量子効率改善を示している。
又、第５図は矩形波パルス光入力信号に対する応答波形
を比較する図であって、横軸は時間（単位扉Ｓ）をＪ輔
は各応答波形の波高値を人々１００９゜とじた花対値を
示すものであって、本実施例における応答速度の改善は
明白である。
を比較する図であって、横軸は時間（単位扉Ｓ）をＪ輔
は各応答波形の波高値を人々１００９゜とじた花対値を
示すものであって、本実施例における応答速度の改善は
明白である。
他方ＦＥＴ素子領域Ｂにおいては、能動層であるｎ”−
ＧａＡｓ層２４は、半絶縁性ｎ−ＧａＡｓ層２３及び半
絶縁性ｎ −Ｇ ａ Ａ ｇ基板２１上に形成されてお
り、ＦＥＴ素子のみからなるＧａＡｓ系集積囲路と同等
であって、受光素子を同一基板上に有する複合回路装置
であることによる不利益が解決されている。
ＧａＡｓ層２４は、半絶縁性ｎ−ＧａＡｓ層２３及び半
絶縁性ｎ −Ｇ ａ Ａ ｇ基板２１上に形成されてお
り、ＦＥＴ素子のみからなるＧａＡｓ系集積囲路と同等
であって、受光素子を同一基板上に有する複合回路装置
であることによる不利益が解決されている。
以上説明した如く、本発明は単一半絶縁性ＧａＡｓ基板
上に受光素子とＦ Ｂ Ｔ 素子とが設けられた複合半
導体装置において、受光素子領域のみにキャリア電子濃
度が最大であるｚ＋”−ＧａＡｓ層を設は該受光素子の
光吸収層及びｎ側電極を該ｎ”−ＧａＡｓ層上に設ける
ことにより、ｋ’ Ｅ Ｔ ２子に対して受光素子との
複合による形層を及すことなく、受光素子の量子効率及
び応答速度を改善する効果を有する。
上に受光素子とＦ Ｂ Ｔ 素子とが設けられた複合半
導体装置において、受光素子領域のみにキャリア電子濃
度が最大であるｚ＋”−ＧａＡｓ層を設は該受光素子の
光吸収層及びｎ側電極を該ｎ”−ＧａＡｓ層上に設ける
ことにより、ｋ’ Ｅ Ｔ ２子に対して受光素子との
複合による形層を及すことなく、受光素子の量子効率及
び応答速度を改善する効果を有する。
第１図及び第２図は従来技術にょる実施例の断面図、第
３図は本発明による実施例の断面図、第４図は受光素子
の童子効率の比較を示す図撤１第５図は矩形波パルス光
入力信号に対する応答波形の比較を示す図である〇 図において、１は半絶縁性ｎ−ＧｍＡｓ基板、２はｐ中
層、３はｐ側電極、４はｒｌｌｉｌ１ｍ極、５はｎ＋１
２はｎ−ＧａＡｓ層、１３はｎ−−ＧａＡｓ層、１４は
ｐ＋領領域１５はｐｇＡ電極、１６はｎｌ１ｌＩ電極、
１７はｎ”−ＧａＡｓ層、１８はソース電極、１９ハト
レイン電極、２０はゲート電極、２１は半絶縁性ｎ−Ｇ
ａＡｍ基板、２２はｎ＋イオン注入層、２３は半絶縁性
ｎ−ＧａＡｓ層、２４はｎ”−ＧａＡｓ層、２５はｐ今
領域、２６はソース電極、２７はドレイン電極、２８は
ゲート電極、２９はｐ＠電極、３０はｎ側電極を示す〇 第１ 図 薯２１２１ ／６ １図 第４図 ρ６ ４７ １．ｌｊ ／ｑＩＩ′皮吊
（１） 第５図 時間（ズσ）
３図は本発明による実施例の断面図、第４図は受光素子
の童子効率の比較を示す図撤１第５図は矩形波パルス光
入力信号に対する応答波形の比較を示す図である〇 図において、１は半絶縁性ｎ−ＧｍＡｓ基板、２はｐ中
層、３はｐ側電極、４はｒｌｌｉｌ１ｍ極、５はｎ＋１
２はｎ−ＧａＡｓ層、１３はｎ−−ＧａＡｓ層、１４は
ｐ＋領領域１５はｐｇＡ電極、１６はｎｌ１ｌＩ電極、
１７はｎ”−ＧａＡｓ層、１８はソース電極、１９ハト
レイン電極、２０はゲート電極、２１は半絶縁性ｎ−Ｇ
ａＡｍ基板、２２はｎ＋イオン注入層、２３は半絶縁性
ｎ−ＧａＡｓ層、２４はｎ”−ＧａＡｓ層、２５はｐ今
領域、２６はソース電極、２７はドレイン電極、２８は
ゲート電極、２９はｐ＠電極、３０はｎ側電極を示す〇 第１ 図 薯２１２１ ／６ １図 第４図 ρ６ ４７ １．ｌｊ ／ｑＩＩ′皮吊
（１） 第５図 時間（ズσ）
Claims (1)
- 単一の半絶縁性ＧａＡｓ基板上に受光素子と電界効果ト
ランジスタ素子とが設けられた複合半導体装置において
、少くとも該電界効果トランジスタ素子が設けられた領
域を除いて、該基板上に該受光素子中キャリア電子濃度
が最大であるｎ”−ｏａＡｓ層を設け、該受光素子の光
吸収層及びｎ１ｌｌｌ電極を９ｎ”−ＧａＡａ層上に設
けてなることを特徴とする複合半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56190357A JPS5892259A (ja) | 1981-11-27 | 1981-11-27 | 複合半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56190357A JPS5892259A (ja) | 1981-11-27 | 1981-11-27 | 複合半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5892259A true JPS5892259A (ja) | 1983-06-01 |
Family
ID=16256839
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56190357A Pending JPS5892259A (ja) | 1981-11-27 | 1981-11-27 | 複合半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5892259A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5936263U (ja) * | 1982-08-30 | 1984-03-07 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
| JPS6156452A (ja) * | 1984-07-26 | 1986-03-22 | Fujitsu Ltd | 光半導体装置 |
| FR2595007A1 (fr) * | 1986-02-25 | 1987-08-28 | Thomson Csf | Tete de detection optique realisee en optique integree et procede de realisation |
Citations (2)
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| JPS5670681A (en) * | 1979-11-14 | 1981-06-12 | Hitachi Ltd | Semiconductor luminous element |
-
1981
- 1981-11-27 JP JP56190357A patent/JPS5892259A/ja active Pending
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