JPS589124A - 液晶パネルの電極構造 - Google Patents
液晶パネルの電極構造Info
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- JPS589124A JPS589124A JP10800481A JP10800481A JPS589124A JP S589124 A JPS589124 A JP S589124A JP 10800481 A JP10800481 A JP 10800481A JP 10800481 A JP10800481 A JP 10800481A JP S589124 A JPS589124 A JP S589124A
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- Japan
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- layer
- tin oxide
- transparent conductive
- conductive film
- liquid crystal
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133345—Insulating layers
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/13439—Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
電膜として酸化スズ、酸化
スズ・酸化アンチモン等の酸化スズ系透明導電膜、酸化
インジウム、激化インジウムΦ酸化スズ等の酸化インジ
ウム系透明導電膜が用−１られてｔする。
インジウム、激化インジウムΦ酸化スズ等の酸化インジ
ウム系透明導電膜が用−１られてｔする。
前者は安価であるが比抵抗が大傘い、又後者は比抵抗が
小ネいが電気化、学的に不安定（電極の溶出、電極−の
マイグレーシラン）であるといった欠点を有している０
、最近の液晶パネルの応用鉱大に供い自動車用、計橢器
用郷高温参湿下での使用が多くなり、又多機能化により
一ファインパターン化が進みより小さな比抵抗が望オれ
ｙいる。本発明はかかる前景に“もとすき、比抵抗が小
さく電気化学的安定性の良い電極を得ることを０釣とし
たものｔ第１図は本発明の液晶パネルの電極断面３図を
示ある。
小ネいが電気化、学的に不安定（電極の溶出、電極−の
マイグレーシラン）であるといった欠点を有している０
、最近の液晶パネルの応用鉱大に供い自動車用、計橢器
用郷高温参湿下での使用が多くなり、又多機能化により
一ファインパターン化が進みより小さな比抵抗が望オれ
ｙいる。本発明はかかる前景に“もとすき、比抵抗が小
さく電気化学的安定性の良い電極を得ることを０釣とし
たものｔ第１図は本発明の液晶パネルの電極断面３図を
示ある。
す、１は透明基板であ抄ガラス、プラスチック。
セラキラ）等から成る。２は第１層を成す酸化インジウ
４系透明導電膜であり、ＯＶＤ、スバ、タリング、蒸着
、スプレー法、溶液浸漬法等により得られる０通常５ｏ
Ｘ−、５ｏｏｌであり通常１〜１０゜モルチの酸化スズ
をドープして用いる。〜１０″Ω傷和９度の比抵抗を、
有する。３は第２層を成す酸化スズ系透明導Ｗ＃であ秒
、酸化スズ単独又は五酸化アンチモンをドープした形で
用いる。５０°Ａ２５００ｆＯ１１１厚が用いられ〜、
１０Ωｃ１１程度ＯＪｊ抵抗を示す、被Ｍ影虞法は前記
と同様である。第１層と第２１１．すなわち２と３のド
ータＡ＃厚は５０Ｘ〜５００λが望ましく、さらに望ま
しくは２００ ｅＡ〜５００°Ａである。膜厚の比は要
求仕様によ抄任意ｔｊｌＦえられるが１：１位を用いる
と良い。４けシール材、５＃−ｉ液晶層である。
４系透明導電膜であり、ＯＶＤ、スバ、タリング、蒸着
、スプレー法、溶液浸漬法等により得られる０通常５ｏ
Ｘ−、５ｏｏｌであり通常１〜１０゜モルチの酸化スズ
をドープして用いる。〜１０″Ω傷和９度の比抵抗を、
有する。３は第２層を成す酸化スズ系透明導Ｗ＃であ秒
、酸化スズ単独又は五酸化アンチモンをドープした形で
用いる。５０°Ａ２５００ｆＯ１１１厚が用いられ〜、
１０Ωｃ１１程度ＯＪｊ抵抗を示す、被Ｍ影虞法は前記
と同様である。第１層と第２１１．すなわち２と３のド
ータＡ＃厚は５０Ｘ〜５００λが望ましく、さらに望ま
しくは２００ ｅＡ〜５００°Ａである。膜厚の比は要
求仕様によ抄任意ｔｊｌＦえられるが１：１位を用いる
と良い。４けシール材、５＃−ｉ液晶層である。
以下実施例及び比較例により本発明を説明する。
実施例１
ホウケイ酸系ガラスにスパッタリング法で５モル−〇酸
化スズをドープした酸化インジウム系透明導電膜、いわ
ゆるエテ０を２０ＯＮ形成した。次ＫＯＶＤ法で１８０
１の酸化スズ透明導電膜を積層した。この二層構造の透
明導電−の比抵抗は２．１×１０４０αであった。次に
リソグラフィーでレジストパターンを形成し、Ｚｎ−Ｈ
Ｑｔ系エツチング法でｗ響を所定ｅ）形状にパターニン
グした。次に水平配向剤を塗布しラビングして第１図の
ごとく、ＦＥＴＮｗ！液晶パネルを形成した。このよう
な液晶パネルを８０℃ ９０チの高温多湿雰囲気で６ｖ
の交流通電下長期信頼性を確認したところ５００Ｈ後に
リード部の透明導電膜の変色、抵抗等を調べたが何ら問
題はなかりた。
化スズをドープした酸化インジウム系透明導電膜、いわ
ゆるエテ０を２０ＯＮ形成した。次ＫＯＶＤ法で１８０
１の酸化スズ透明導電膜を積層した。この二層構造の透
明導電−の比抵抗は２．１×１０４０αであった。次に
リソグラフィーでレジストパターンを形成し、Ｚｎ−Ｈ
Ｑｔ系エツチング法でｗ響を所定ｅ）形状にパターニン
グした。次に水平配向剤を塗布しラビングして第１図の
ごとく、ＦＥＴＮｗ！液晶パネルを形成した。このよう
な液晶パネルを８０℃ ９０チの高温多湿雰囲気で６ｖ
の交流通電下長期信頼性を確認したところ５００Ｈ後に
リード部の透明導電膜の変色、抵抗等を調べたが何ら問
題はなかりた。
、”：：＠ＩＫ’＊Ｌ１７．０．。３．。、。、＄７９
ｍＩＮＩを用い同様の信頼性試験を行なったところ４０
０Ｈ後にリード部の工ＴＯの蜜色グみられ完全Ｋ１１ｔ
ｌｌ状ＩＩＫなっていた。
ｍＩＮＩを用い同様の信頼性試験を行なったところ４０
０Ｈ後にリード部の工ＴＯの蜜色グみられ完全Ｋ１１ｔ
ｌｌ状ＩＩＫなっていた。
実施例１において透明導電＄２．３はパ、イロゾルＯｖ
、Ｄシステムで連続ベルト炉で形成した。膜！はそれぞ
れ２５０ ＞、 １ｏｏ ’ｔｔであった。比抵抗ｔ
８×１０″″Ω傷を示し−た。信頼性試験では実施例１
と同様であった。
、Ｄシステムで連続ベルト炉で形成した。膜！はそれぞ
れ２５０ ＞、 １ｏｏ ’ｔｔであった。比抵抗ｔ
８×１０″″Ω傷を示し−た。信頼性試験では実施例１
と同様であった。
以上本発明を実施例によって謂明したが比較例との対比
で入ても本発明の効果は大である。本発明によって得ら
れた液晶パネルは車載°用、計測器用、写真写し込み用
等々、＠にシビアーな環境下で用いられる。
で入ても本発明の効果は大である。本発明によって得ら
れた液晶パネルは車載°用、計測器用、写真写し込み用
等々、＠にシビアーな環境下で用いられる。
館１図・・本発明の液晶パネルの電極構造を示す断面図
。 以 上 出願人 株式会社 諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務 ＋１１１５１
。 以 上 出願人 株式会社 諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務 ＋１１１５１
Claims (1)
- 液晶バネＡにおいて少なくとも一方が透明な基板上に形
成された透明導電膜が°、２つの成分の異なる透明ｊｗ
＊から成り、、第１層が酸化インジウムを主成分と１．
シたもの、第２層が酸化スズを主成分として成ることを
特徴とする液晶ノシネルの電極構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10800481A JPS589124A (ja) | 1981-07-09 | 1981-07-09 | 液晶パネルの電極構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10800481A JPS589124A (ja) | 1981-07-09 | 1981-07-09 | 液晶パネルの電極構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS589124A true JPS589124A (ja) | 1983-01-19 |
Family
ID=14473538
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10800481A Pending JPS589124A (ja) | 1981-07-09 | 1981-07-09 | 液晶パネルの電極構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS589124A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0272678A2 (en) * | 1986-12-24 | 1988-06-29 | Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Conductive pattern producing method and its applications |
| US5830252A (en) * | 1994-10-04 | 1998-11-03 | Ppg Industries, Inc. | Alkali metal diffusion barrier layer |
| US6352755B1 (en) | 1994-10-04 | 2002-03-05 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Alkali metal diffusion barrier layer |
| US7534500B2 (en) * | 2001-10-05 | 2009-05-19 | Bridgestone Corporation | Transparent electroconductive film, method for manufacture thereof, and touch panel |
-
1981
- 1981-07-09 JP JP10800481A patent/JPS589124A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0272678A2 (en) * | 1986-12-24 | 1988-06-29 | Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Conductive pattern producing method and its applications |
| US7288437B2 (en) | 1986-12-24 | 2007-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Conductive pattern producing method and its applications |
| US5830252A (en) * | 1994-10-04 | 1998-11-03 | Ppg Industries, Inc. | Alkali metal diffusion barrier layer |
| US6352755B1 (en) | 1994-10-04 | 2002-03-05 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Alkali metal diffusion barrier layer |
| US7534500B2 (en) * | 2001-10-05 | 2009-05-19 | Bridgestone Corporation | Transparent electroconductive film, method for manufacture thereof, and touch panel |
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