JPS5886452A - 電気伝導性物質を識別、分類又は定置する方法と装置 - Google Patents
電気伝導性物質を識別、分類又は定置する方法と装置Info
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- JPS5886452A JPS5886452A JP57173099A JP17309982A JPS5886452A JP S5886452 A JPS5886452 A JP S5886452A JP 57173099 A JP57173099 A JP 57173099A JP 17309982 A JP17309982 A JP 17309982A JP S5886452 A JPS5886452 A JP S5886452A
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- G07D—HANDLING OF COINS OR VALUABLE PAPERS, e.g. TESTING, SORTING BY DENOMINATIONS, COUNTING, DISPENSING, CHANGING OR DEPOSITING
- G07D5/00—Testing specially adapted to determine the identity or genuineness of coins, e.g. for segregating coins which are unacceptable or alien to a currency
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、特に電気伝導性物質の検出、識別、分類及び
定置用方法及び装置である。該方法及び装置は特に硬貨
の識別に適している。
定置用方法及び装置である。該方法及び装置は特に硬貨
の識別に適している。
am−操作機構の出現以来、硬貨の材料及び/又は寸法
に於ける弁別のために各種検出器システムが肥用されて
いる。この目的でインダクタンス技術が使用されており
、核技術は、硬貨を接近させる時に生じるコイルインダ
クタンスの変化に基づいている。しかし乍ら、該システ
ムは硬貨全体としての繊体的効果しか検出しない。一本
発明は他の検出器を利用するものであ抄、諌検出器は、
交番磁界が電気伝導性物質に適用され為時、電気伝導性
物質の選択された領域上で磁界の局部変化を検出し得る
。本発明は特に硬貨識別に適用される。用I「交番(s
lternatIag)Jはベースラインに−する全周
期的変化の意で6#)、必然的K111#011i*0
変化は會★ない。即ち、咳用語はまた増加及び減少する
磁界強さのI′1llffを変化する磁界の意で4あり
、磁界の方向の変化は含まない。
に於ける弁別のために各種検出器システムが肥用されて
いる。この目的でインダクタンス技術が使用されており
、核技術は、硬貨を接近させる時に生じるコイルインダ
クタンスの変化に基づいている。しかし乍ら、該システ
ムは硬貨全体としての繊体的効果しか検出しない。一本
発明は他の検出器を利用するものであ抄、諌検出器は、
交番磁界が電気伝導性物質に適用され為時、電気伝導性
物質の選択された領域上で磁界の局部変化を検出し得る
。本発明は特に硬貨識別に適用される。用I「交番(s
lternatIag)Jはベースラインに−する全周
期的変化の意で6#)、必然的K111#011i*0
変化は會★ない。即ち、咳用語はまた増加及び減少する
磁界強さのI′1llffを変化する磁界の意で4あり
、磁界の方向の変化は含まない。
成る種0*m性体の薄膜に於ける磁気抵抗効果は、線抵
抗率−に対する異方分4ρから生じる。
抗率−に対する異方分4ρから生じる。
^7 ) (Hmt)はこの効果を分析しく7raus
atlossof gaol口―to of l
lmtrlaal and lIectron1g
罵wbnsr 、 MaM−7(19γ1) pp 1
5G−4)、磁性体膜ま九紘薄層から成るエレメントの
抵抗率の変化、従って定電流がエレメントに沿って流さ
れる場合に生じる端末電圧の変化は、膜面でエレメント
に適用され為磁界tたは磁界要素の関数であることを立
証し九、9にって、該検出器は薄膜で非常に選択的であ
炒得る。
atlossof gaol口―to of l
lmtrlaal and lIectron1g
罵wbnsr 、 MaM−7(19γ1) pp 1
5G−4)、磁性体膜ま九紘薄層から成るエレメントの
抵抗率の変化、従って定電流がエレメントに沿って流さ
れる場合に生じる端末電圧の変化は、膜面でエレメント
に適用され為磁界tたは磁界要素の関数であることを立
証し九、9にって、該検出器は薄膜で非常に選択的であ
炒得る。
適用されろ局部磁界を構出するためにホール(Hall
)クリスタルが使用される場合、磁界はクリスタルか
ら出力電圧を生成する。該クリスタルは略長方形ま友は
正方形の検出器tS造するために使用され得、生成され
る電圧はクリスタル面に喬直な磁界ま九は磁界要素の関
数である。
)クリスタルが使用される場合、磁界はクリスタルか
ら出力電圧を生成する。該クリスタルは略長方形ま友は
正方形の検出器tS造するために使用され得、生成され
る電圧はクリスタル面に喬直な磁界ま九は磁界要素の関
数である。
上記検出器は、いずれも後述する利点を伴い小臘に製造
され得る。
され得る。
本発@に従うならば、強磁性体またはホールクリスタル
薯検出器は交番磁界の局部変化の検出に用いられる。鍍
交香磁界は電気伝導性物質が磁界内に置かれる時に形成
され、結果として検出rih。
薯検出器は交番磁界の局部変化の検出に用いられる。鍍
交香磁界は電気伝導性物質が磁界内に置かれる時に形成
され、結果として検出rih。
電気的特性に生じる変化は、例えば伝導性物質の識別、
分類、或いは定置の丸めに利用される。
分類、或いは定置の丸めに利用される。
本発明はt良電気伝導性物質の識別、分at九は定置用
装置を提供するものであり、該装置は伝導性物質に交番
磁界を適用する手段と、磁界中の伝導性物質の存在によ
伽生じる該磁界中の局部炭化を検出すべく構成され九磁
気抵抗またはホールクリスタル検出器と゛を含む。
装置を提供するものであり、該装置は伝導性物質に交番
磁界を適用する手段と、磁界中の伝導性物質の存在によ
伽生じる該磁界中の局部炭化を検出すべく構成され九磁
気抵抗またはホールクリスタル検出器と゛を含む。
本発明は、変化す為適用磁界中に電気伝導性物質を置く
と伝導性物質に近接する局部磁界を修正するような渦電
流が導体中に誘導されるという事実に基づいている。伝
導性物質の全特殊領域上の修正の性質は、伝導性物質の
性質とその寸法のような因子に拠るものであり、修正の
性質は領域により変化する。
と伝導性物質に近接する局部磁界を修正するような渦電
流が導体中に誘導されるという事実に基づいている。伝
導性物質の全特殊領域上の修正の性質は、伝導性物質の
性質とその寸法のような因子に拠るものであり、修正の
性質は領域により変化する。
硬貨の場合、適用される磁界の局部修正が硬貨の一端よ
り僅かに外側の点から硬貨の対向端より僅かに外側へ肉
かって変化する仁と、及び、例えば硬貨の直径を横切る
該修正の概要が、磁気抵抗Sまたはホールクリスタルを
含む検出器を用いて硬貨に横切為多数の測定を行うこと
により得られ為ととを我々は発見し九。
り僅かに外側の点から硬貨の対向端より僅かに外側へ肉
かって変化する仁と、及び、例えば硬貨の直径を横切る
該修正の概要が、磁気抵抗Sまたはホールクリスタルを
含む検出器を用いて硬貨に横切為多数の測定を行うこと
により得られ為ととを我々は発見し九。
磁界中の上記修正は薄膜磁気抵抗器を用いて検出可能で
あり、磁界が皺抵抗器に適用されると該抵抗器の抵抗が
変化する。4用される磁界中の変化に起因する抵抗変化
の検出が可能でhす、骸抵抗変化は既知の方法で使用可
能であり、電気伝導性−質會繊別、場合によって紘拒否
を九は受理、分@または定置する。一般に、冗電流は磁
気抵抗器を流れ、抵抗器の置かれている磁界部分の異常
、な特性の丸めに異常な抵抗が存在すると、抵抗器端末
にA’lな電圧が生じて、この存在t−明示する。
あり、磁界が皺抵抗器に適用されると該抵抗器の抵抗が
変化する。4用される磁界中の変化に起因する抵抗変化
の検出が可能でhす、骸抵抗変化は既知の方法で使用可
能であり、電気伝導性−質會繊別、場合によって紘拒否
を九は受理、分@または定置する。一般に、冗電流は磁
気抵抗器を流れ、抵抗器の置かれている磁界部分の異常
、な特性の丸めに異常な抵抗が存在すると、抵抗器端末
にA’lな電圧が生じて、この存在t−明示する。
同様にして、ホールクリスタルが検出器として使用され
る場合、伝導性#IJfX近傍の磁界中の異常からクリ
スタルの出力電圧に異常が生じる。
る場合、伝導性#IJfX近傍の磁界中の異常からクリ
スタルの出力電圧に異常が生じる。
前述のように磁気抵抗器i九はホールクリスタルにより
生成された電気信号は標準または基準値と容易に比較可
能であり、比較される値開の全異同は従来手段により容
易に決定5T舵であり、この決定は電気伝導性物質の識
別、分類ま九は定置の丸めに利用することができる。
生成された電気信号は標準または基準値と容易に比較可
能であり、比較される値開の全異同は従来手段により容
易に決定5T舵であり、この決定は電気伝導性物質の識
別、分類ま九は定置の丸めに利用することができる。
電気伝導性物質中の置部渦電11!により生じる伝導性
物質近傍に於ける磁界変化は、適用される磁界壕九は基
準磁界に対して振幅と位相との双方に生じ、前記ノツメ
ータのいずれか一方を検出し適轟な信号を生成する丸め
に上述の検出が使用され得る。
物質近傍に於ける磁界変化は、適用される磁界壕九は基
準磁界に対して振幅と位相との双方に生じ、前記ノツメ
ータのいずれか一方を検出し適轟な信号を生成する丸め
に上述の検出が使用され得る。
局部的磁界011幅変化を一定するーには、適用1れる
磁界O内側でしかも磁界変化の生じる部分O外側に配置
堪れ友上記朧の標準検出器を用いて比較が行われ得る。
磁界O内側でしかも磁界変化の生じる部分O外側に配置
堪れ友上記朧の標準検出器を用いて比較が行われ得る。
変化し九磁界の部分に置かれ九検出器を横切る電圧は水
準構出Sを横切る電圧と比較され、電圧の変化により磁
界の振幅に於は為局部変化が一定される。
準構出Sを横切る電圧と比較され、電圧の変化により磁
界の振幅に於は為局部変化が一定される。
局部磁界の位相変化を一定する際には、比較用位相標準
は適用1れる磁界を九は基準磁界への励損から抽出され
得る6本発明のこの実施態様は、振幅検出システム中に
存在し得るドリフトの問題を太いKli滅し、或いは除
去さえし得るという利点を呈する。
は適用1れる磁界を九は基準磁界への励損から抽出され
得る6本発明のこの実施態様は、振幅検出システム中に
存在し得るドリフトの問題を太いKli滅し、或いは除
去さえし得るという利点を呈する。
本発明の他の態様は%に硬貨の識別に適しており、該態
様では、磁界中に伝導性物質の試験サンプルを置くこと
により生じる磁界の変化を、伝導性物質OIl準ナノナ
ンプルってもたらされる基準磁界の変化と比較する。伝
導性物質が硬貨である場合、3個の硬貨上の1もしくは
それ以上の対応点で磁界が比較され、磁界間に差異が生
じなければ硬貨が同種であることがわかる。他方、1対
★九はそれ以上の対の対応点に於いて着しい差異が存在
すると、硬貨が非類似であると判断される。
様では、磁界中に伝導性物質の試験サンプルを置くこと
により生じる磁界の変化を、伝導性物質OIl準ナノナ
ンプルってもたらされる基準磁界の変化と比較する。伝
導性物質が硬貨である場合、3個の硬貨上の1もしくは
それ以上の対応点で磁界が比較され、磁界間に差異が生
じなければ硬貨が同種であることがわかる。他方、1対
★九はそれ以上の対の対応点に於いて着しい差異が存在
すると、硬貨が非類似であると判断される。
8備の硬貨を横断する異なる数対の点に於ける一定によ
り、極めて敏感で信I!11度の高い比較が行われる。
り、極めて敏感で信I!11度の高い比較が行われる。
標準サンプル硬貨用する上記態様の利点を以下に記す。
L 磁界中の変化が両硬貨に影響を与えないので、適用
される磁界管それ#1ど正確に調整する必要かない。
される磁界管それ#1ど正確に調整する必要かない。
龜 他の鳩舎比較用として標準基準値を提供する九めに
メ4v装置が必要であるがこれt−要しない。
メ4v装置が必要であるがこれt−要しない。
亀 より単純な電子回路が使用され得る。
本 検出装置は、外部磁界の効果まえは電圧供給変化に
対して低い感度でよい。
対して低い感度でよい。
& 111の別の標準まえは1組の標準用の方法ま九
は装置の再プロダラ電ンダは、1または嶺数O標準!ノ
ゾルを変化させることにより容易に行われる。
は装置の再プロダラ電ンダは、1または嶺数O標準!ノ
ゾルを変化させることにより容易に行われる。
例えば複合硬貨検出器では、許容される型のサンプル硬
貨がサンプルブ四ツク中に定置され得、挿入され九硬貨
は、正しい比較が行われるまで逐次的にゾロツタ中の各
標準サンプル硬貨と比較され得、挿入された硬貨が拒否
されることはない。
貨がサンプルブ四ツク中に定置され得、挿入され九硬貨
は、正しい比較が行われるまで逐次的にゾロツタ中の各
標準サンプル硬貨と比較され得、挿入された硬貨が拒否
されることはない。
適用され為磁界は好ましくは規則的交番磁界であり、電
気伝導性物質に適用されゐ該交番磁界の最適周波数はあ
る機fまで伝導性物質の性質に依 −拠する0例えば、
本発明が硬貨を識別し受JIまたは拒否する丸めに利用
される場合、特に午ユプロエツケル硬貨には周波数2乃
至6 kHz好ましくは3乃至S kHzが適している
。青−硬貨に適用される場合、O,S万全2 kHz好
ましくはO,フS乃至1.2IkHgの周波数が時に適
している。
気伝導性物質に適用されゐ該交番磁界の最適周波数はあ
る機fまで伝導性物質の性質に依 −拠する0例えば、
本発明が硬貨を識別し受JIまたは拒否する丸めに利用
される場合、特に午ユプロエツケル硬貨には周波数2乃
至6 kHz好ましくは3乃至S kHzが適している
。青−硬貨に適用される場合、O,S万全2 kHz好
ましくはO,フS乃至1.2IkHgの周波数が時に適
している。
硬貨の識別に於いて、硬貨の合金會識別する丸めに第1
の周波数、即ち約2kHzが適用され、次に、例えば寸
法によって更に硬貨を識別する丸めに該合金に破過な周
波数が更に適用される。
の周波数、即ち約2kHzが適用され、次に、例えば寸
法によって更に硬貨を識別する丸めに該合金に破過な周
波数が更に適用される。
本発明で使用さnる検出器により得られる利点は、検出
器が非常に小型、例えば長さ及び/又は幅が5鴫乃至1
箇に製造可能であり、従って該検出器は磁界の小績域の
変化の検出が可能である。
器が非常に小型、例えば長さ及び/又は幅が5鴫乃至1
箇に製造可能であり、従って該検出器は磁界の小績域の
変化の検出が可能である。
従って該検出器は、大型の従来インダクタンスコイルを
使用する場合よりも著しく高い積度で監視を行うために
使用され得る。伝導性物質縁部の局蕩磁界に履着な炭化
があるので該検出器は伝導性、物質縁部O定置に41に
有用であり、ま九検出!I。
使用する場合よりも著しく高い積度で監視を行うために
使用され得る。伝導性物質縁部の局蕩磁界に履着な炭化
があるので該検出器は伝導性、物質縁部O定置に41に
有用であり、ま九検出!I。
厚さが小でTol)、例えば400オンダストロームで
あるOで縁部は高度の精度、恐らく±0.5々クロンで
定置され得る。こ)して、例えば硬貨の直径が識別堪れ
得、或いは走行ス) IJツブのI#部が定置され得る
。
あるOで縁部は高度の精度、恐らく±0.5々クロンで
定置され得る。こ)して、例えば硬貨の直径が識別堪れ
得、或いは走行ス) IJツブのI#部が定置され得る
。
1個の検出1lIt使用するかわりに、局部磁界の炭化
を同時に詳細に監視する丸めに電子多重化システムと組
合わせて1組の検出器列を使用してもよい、同時朧視即
ち硬貨の全直径を横断する監視を行うために検出1器列
は直線形であり得、或いは多数の検出器が一領域を同時
に監視できるような間隔に配置され得る。
を同時に詳細に監視する丸めに電子多重化システムと組
合わせて1組の検出器列を使用してもよい、同時朧視即
ち硬貨の全直径を横断する監視を行うために検出1器列
は直線形であり得、或いは多数の検出器が一領域を同時
に監視できるような間隔に配置され得る。
検出器出力は以下要素の関数である。
L 適用される磁界の周波数及び形態。
i 適用される磁界011幅及び方位。
龜 伝導性物質の寸法。
也 伝導性物質の導電率、抵抗率及び透磁率。
4 伝導性物質の彫−1
亀 伝導性物質の表rMの状態。
1、検出器近傍に於ける伝導性aIB質の有無。
龜 伝導性物質及び適用される磁界に対する検出器の方
位及び位置。
位及び位置。
甑 検出器中で使用される伝導性物質、寸法及び電流密
度。
度。
添付図面では、第1図乃至第4図の図例により磁気抵抗
検出−の使用例を示した。
検出−の使用例を示した。
硬貨に憔めて近接して交番磁界中に配置され九場合の、
磁気抵抗検出器の出力変化の例が第1図に示される。@
1.図は出力の相対的な変化(硬貨が存在しない場合に
比較して)を各種の硬貨に対する周波数の関数と、して
表わす。これらの結果は、硬貨に対して垂直であり且つ
硬貨の中心と緊密に接触している噴出−を用いて得られ
た−のである0通用され九磁界は、硬貨に対して垂直に
適用され九一様な正弦波磁界であった。第意図には、ル
ム状の磁気抵抗検出:1)lが硬貨=の中心に隣接して
配ti5れ、硬貨鵞は交番磁界Hに導入される。
磁気抵抗検出器の出力変化の例が第1図に示される。@
1.図は出力の相対的な変化(硬貨が存在しない場合に
比較して)を各種の硬貨に対する周波数の関数と、して
表わす。これらの結果は、硬貨に対して垂直であり且つ
硬貨の中心と緊密に接触している噴出−を用いて得られ
た−のである0通用され九磁界は、硬貨に対して垂直に
適用され九一様な正弦波磁界であった。第意図には、ル
ム状の磁気抵抗検出:1)lが硬貨=の中心に隣接して
配ti5れ、硬貨鵞は交番磁界Hに導入される。
検出器は長11111%厚み300ム及び高さgo−で
ある、導線siを介して、一定の電流が検出器に過され
る。この導線は検出at横切る電圧の変化tlll定す
るIIKも用いられる0次に、電圧変化が、導mat有
する類似の磁気抵抗器4によって構成される標準器に対
して比較される。この磁気抵抗器は一様に適用されえ磁
界の中で6°るけれども、硬貨tKmけるうず電流によ
って影響される場所の外側に置かれる。この場合、標準
抵抗器は検出器からlesm離された。3個の磁気抵抗
器からの信号は増@され、ろ波され、次に差動増幅器に
供給されゐ、この増幅器からの出力はうず電流に起因す
る機外の局部的変化に比例する。これらの結果から1種
又は2種以上の適用磁界の周波数を用いることによって
硬貨を識別することが可能になることが判る。
ある、導線siを介して、一定の電流が検出器に過され
る。この導線は検出at横切る電圧の変化tlll定す
るIIKも用いられる0次に、電圧変化が、導mat有
する類似の磁気抵抗器4によって構成される標準器に対
して比較される。この磁気抵抗器は一様に適用されえ磁
界の中で6°るけれども、硬貨tKmけるうず電流によ
って影響される場所の外側に置かれる。この場合、標準
抵抗器は検出器からlesm離された。3個の磁気抵抗
器からの信号は増@され、ろ波され、次に差動増幅器に
供給されゐ、この増幅器からの出力はうず電流に起因す
る機外の局部的変化に比例する。これらの結果から1種
又は2種以上の適用磁界の周波数を用いることによって
硬貨を識別することが可能になることが判る。
第3図は、2個の異る硬貨の径を通って引かれた直線上
の検出器の位置の関数として検出器出力の相対的な変化
を示す、これらの結果から、硬貨上の違った点に置かれ
た場合の検出器の出力を監視することによって、違った
合金、直径及び/又は形状からなる硬貨を識別するため
に、単一の検出器(この場合に用いられたような)又は
多数の検出器を用いることができることが判る。第sg
に於て、曲線の両端に於ける鋭く上向きになった部分は
硬貨の縁S會示す、これらの上向きになつ九部分は硬貨
の指示され九実際の直径の両端と全く正確に一致するこ
とに注目されよう。
の検出器の位置の関数として検出器出力の相対的な変化
を示す、これらの結果から、硬貨上の違った点に置かれ
た場合の検出器の出力を監視することによって、違った
合金、直径及び/又は形状からなる硬貨を識別するため
に、単一の検出器(この場合に用いられたような)又は
多数の検出器を用いることができることが判る。第sg
に於て、曲線の両端に於ける鋭く上向きになった部分は
硬貨の縁S會示す、これらの上向きになつ九部分は硬貨
の指示され九実際の直径の両端と全く正確に一致するこ
とに注目されよう。
適用され九磁界中に静止しているか父は−いている硬貨
について、成分、寸法及び形状というこれらのパラメー
タを決定することができる。
について、成分、寸法及び形状というこれらのパラメー
タを決定することができる。
用いられる検出器がホール結晶(Hall cry@t
al)であゐ場合にも同様な結果が得られる。
al)であゐ場合にも同様な結果が得られる。
このようにして、硬貨識別に本発明の方法と装置を適用
する際には、違った材料と寸法からなる硬貨を識別する
丸めに検出器を使用しうる。更に、違つ九硬貨を識別す
るために1表面の輪郭に関する若干の相異を利用すゐこ
とができる。例えばマイク目ゾロセツtK於て基準値に
よってこの情報を蓄積することによって、単−検出器又
は多数の検出器のいずれかに基づく確実な硬貨識別シス
テムを構成するととが可能である。このシステムは特別
な国の硬貨及び/又は各種の国の貨幣を識別するのに使
用されうる。このシステムは、つり銭分配機を内蔵する
マイクロブ四セッサを基本とする自動駅売機と両立させ
ることができる。ソースの性質のために、信号はすべて
電気によって行われる。識別は、静的又は動的に、即ち
静止している硬貨又は動いている硬貨によって行うこと
ができる九めに1本発明は硬貨によって作動される機械
に容易に適用することができる。
する際には、違った材料と寸法からなる硬貨を識別する
丸めに検出器を使用しうる。更に、違つ九硬貨を識別す
るために1表面の輪郭に関する若干の相異を利用すゐこ
とができる。例えばマイク目ゾロセツtK於て基準値に
よってこの情報を蓄積することによって、単−検出器又
は多数の検出器のいずれかに基づく確実な硬貨識別シス
テムを構成するととが可能である。このシステムは特別
な国の硬貨及び/又は各種の国の貨幣を識別するのに使
用されうる。このシステムは、つり銭分配機を内蔵する
マイクロブ四セッサを基本とする自動駅売機と両立させ
ることができる。ソースの性質のために、信号はすべて
電気によって行われる。識別は、静的又は動的に、即ち
静止している硬貨又は動いている硬貨によって行うこと
ができる九めに1本発明は硬貨によって作動される機械
に容易に適用することができる。
標準試料を使用する本発明の応用が第4図に説明される
。第4図に於て、試験用硬貨lと標準試料用硬貨8が、
同一の駆動装置によって駆動されるコイル3と4によっ
て発生され友交番磁界中に配置される。双方の硬貨上の
予め決定された点に検出器を同時に配置するために、磁
気抵抗器検出器5及び6にそれぞれの硬貨に隣接して設
備(図示せず)が設けられる。抵抗器によって発生され
良信号、即ち、一定の電流が検出器を通過する際に検出
器を横切る電圧は増幅器7及び8に於て増幅され、信号
間の任意の位相差が位相差回路9に於て比較される。出
力は、ノイズに起因する誤ったノぞルスを除去するデジ
タルフィルタlOK通される。このフィルタは許容誤差
制御器(tolIran−・control)11
によつ゛て調整される。次に、受容/阻止制御器(aa
a*pt/rej*et control)12を作動
させる九めに1ろ波された出力が用いられる0位相差が
有意であれば、試験用硬貨は阻止される。
。第4図に於て、試験用硬貨lと標準試料用硬貨8が、
同一の駆動装置によって駆動されるコイル3と4によっ
て発生され友交番磁界中に配置される。双方の硬貨上の
予め決定された点に検出器を同時に配置するために、磁
気抵抗器検出器5及び6にそれぞれの硬貨に隣接して設
備(図示せず)が設けられる。抵抗器によって発生され
良信号、即ち、一定の電流が検出器を通過する際に検出
器を横切る電圧は増幅器7及び8に於て増幅され、信号
間の任意の位相差が位相差回路9に於て比較される。出
力は、ノイズに起因する誤ったノぞルスを除去するデジ
タルフィルタlOK通される。このフィルタは許容誤差
制御器(tolIran−・control)11
によつ゛て調整される。次に、受容/阻止制御器(aa
a*pt/rej*et control)12を作動
させる九めに1ろ波された出力が用いられる0位相差が
有意であれば、試験用硬貨は阻止される。
低度のl1IIsIk−IIA許容される場合のもう一
つの具体例では、検出器6は標準試料用硬貨2に対し−
即ち、硬貨O中心に固定される。検出器6は試験用硬貨
lを運搬すゐ滑路中に配置される。試験用硬貨IK対す
る検出器墨の位置が硬貨2に対する検出器−の位置と同
じになる瞬間に検出器5の出力信号の読奉取りが行われ
ゐ、を九、2個の検出器からの信号間に差がないか又は
許容しうる差がある場合には、試験用硬貨は受容される
。有意な差があれば試験用硬貨は阻止される。
つの具体例では、検出器6は標準試料用硬貨2に対し−
即ち、硬貨O中心に固定される。検出器6は試験用硬貨
lを運搬すゐ滑路中に配置される。試験用硬貨IK対す
る検出器墨の位置が硬貨2に対する検出器−の位置と同
じになる瞬間に検出器5の出力信号の読奉取りが行われ
ゐ、を九、2個の検出器からの信号間に差がないか又は
許容しうる差がある場合には、試験用硬貨は受容される
。有意な差があれば試験用硬貨は阻止される。
寸法、例え―厚みを分類し丸い場合には、本発@0方法
と装置を電気伝導性物質に適用することができる。その
ような寸法の分類は、製造される材料の寸法を監視する
のに適用することができる。
と装置を電気伝導性物質に適用することができる。その
ような寸法の分類は、製造される材料の寸法を監視する
のに適用することができる。
fitは、直径2.6霞の銅円盤の中心に於て、円盤に
対して−直に適用され九LkHv、の周波数を有する文
書正弦波磁界の位相変化を測定した結果を示す、適用さ
れた磁界の方向への駆動に関連する位相変化を検出する
ために、円盤の中心上に配置された約2.5■ 四方の
ホール結晶検出器が用いられ丸。
対して−直に適用され九LkHv、の周波数を有する文
書正弦波磁界の位相変化を測定した結果を示す、適用さ
れた磁界の方向への駆動に関連する位相変化を検出する
ために、円盤の中心上に配置された約2.5■ 四方の
ホール結晶検出器が用いられ丸。
表 1
円盤の厚み(■) 0.65 G、8 1.35
2位相変化 (度)505丁 75 111任意の
特殊な厚みに伴う位相変化は適用された磁界周波数と共
に変化する。従つ゛C1使用するのに最も適切な周波数
は、測定されるべき厚みの範囲、照合されるべき電気伝
導性物質のその他の寸法及び物質の性質に左右される。
2位相変化 (度)505丁 75 111任意の
特殊な厚みに伴う位相変化は適用された磁界周波数と共
に変化する。従つ゛C1使用するのに最も適切な周波数
は、測定されるべき厚みの範囲、照合されるべき電気伝
導性物質のその他の寸法及び物質の性質に左右される。
任意の特殊な環境下の最適周波数は予備テストによって
容易に確定することができる。厚みの変化を検出するた
めに用いられる本発明の検出器からの出力を、例えば圧
延機によって生産される金属条片又は金属シートの厚み
の制御に適用することがで色る。
容易に確定することができる。厚みの変化を検出するた
めに用いられる本発明の検出器からの出力を、例えば圧
延機によって生産される金属条片又は金属シートの厚み
の制御に適用することがで色る。
交番磁界に導入された導電性物質中に発生されたりず電
流の大きさ、及び必然的に磁界の局部的賓化紘物質O性
質に左右される、従って本発明のもう一つの用途に於て
は、各種の金属を識別するOK本発明の方法と装置が用
いられる。
流の大きさ、及び必然的に磁界の局部的賓化紘物質O性
質に左右される、従って本発明のもう一つの用途に於て
は、各種の金属を識別するOK本発明の方法と装置が用
いられる。
表2は、同じ寸法であるけれども各種の金属からなる円
盤の中心に於ける周波数l・kH!の交番磁界の位相変
化を、磁気抵抗器検出器によって測定した結果を示す。
盤の中心に於ける周波数l・kH!の交番磁界の位相変
化を、磁気抵抗器検出器によって測定した結果を示す。
この円盤に対しては交番磁界が適用されえ。位相変化は
磁界の駆動に関する本のである0円盤は直径2.−であ
り、厚みz園で参つ九。
磁界の駆動に関する本のである0円盤は直径2.−であ
り、厚みz園で参つ九。
表 3
金 属 鋼鉄 黄 鋼 アルミニウム 銅位相変
化(II) @ 27 45 67本
発明の方法と装置は金属の位置、特に金属シートの縁部
を捜し出すのに用いられる、又もう一つの用途は、例え
ば金属条片を圧延機Kll導することにある。この用途
に於ては、検出器が条片の縁部の上方に配置され、好ま
しくは1個の検出器が条片のそれぞれの対向する縁部の
上方に配置される。この検出器からの信号は、標準の基
準値又は条片の中心部の上方に配置された標準の検出器
からの信号と比較されうる。金属条片の斜め方向の動き
はこれらの信号間の不均衡を生ずる。信号間の不均衡は
、金属条片を再び中心に置くように条片の方向を制御す
るのに用いられる。
化(II) @ 27 45 67本
発明の方法と装置は金属の位置、特に金属シートの縁部
を捜し出すのに用いられる、又もう一つの用途は、例え
ば金属条片を圧延機Kll導することにある。この用途
に於ては、検出器が条片の縁部の上方に配置され、好ま
しくは1個の検出器が条片のそれぞれの対向する縁部の
上方に配置される。この検出器からの信号は、標準の基
準値又は条片の中心部の上方に配置された標準の検出器
からの信号と比較されうる。金属条片の斜め方向の動き
はこれらの信号間の不均衡を生ずる。信号間の不均衡は
、金属条片を再び中心に置くように条片の方向を制御す
るのに用いられる。
更に、伝導性物質中の不連続部分に於ける磁界変化を検
出する可能性があるために、本発明の方法と装置は、電
気伝導性物質中の割れきず又は不連続部分を検出するこ
とによって電気伝導性物質を分類することにも使用され
うる。この場合に肌この物質表面が磁界発生器によって
走査され、2個の検出器が離れた位置に置かれる。これ
らの間隔を置いて配置され九検出器は比較され九場合ゼ
ロの結果を生ずる同一の信号を通常発生する。一方の検
出器が割れきれず又は不連続部分に遭遇すると、信号の
不均衡が生じ、警告指示器を作動させるのに用いられる
。
出する可能性があるために、本発明の方法と装置は、電
気伝導性物質中の割れきず又は不連続部分を検出するこ
とによって電気伝導性物質を分類することにも使用され
うる。この場合に肌この物質表面が磁界発生器によって
走査され、2個の検出器が離れた位置に置かれる。これ
らの間隔を置いて配置され九検出器は比較され九場合ゼ
ロの結果を生ずる同一の信号を通常発生する。一方の検
出器が割れきれず又は不連続部分に遭遇すると、信号の
不均衡が生じ、警告指示器を作動させるのに用いられる
。
$−J図は台種の硬貨の中心に極めて接近して一様廖★
番適用磁界に配置され九場合の、・9イアスをかけられ
でない磁気抵抗検出器の増幅(xtoo)出力電圧の変
化を示す図、第2図は第1図に示された結果を得る九め
に用いられ九実験上の配置を示す図、第3図は検出器が
黛個の違つ九硬貨の直径を横断する際の磁気抵抗検出器
の出力の相対的な変化を示す図、及び第4図は例として
比較用標準試料を使用する場合の説明図である。 l・・・試験用硬貨、ト・・標準試料用硬貨、3.4・
・・コイル、5,6・・・検出器、7,8・・・増幅器
、9・・・位相差回路、lO・・・フィルタ、11・・
・許容誤差制御−11ト・・受容/阻止制御器。 代理人弁理士宮 111 広 C手続補iF書 昭和−≠年11月10日 持札庁長官若杉和夫殿 1、事信の表示 昭和57年特許願第173099
号2、発明の名称 電気伝導性物質を識別、分類又
は定置する方法と装置 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名 称 ユニヴアーシティ・カレッジ・カーディ
フ・ニコン罎ノルタンツ・リミテッド 4、代 理 人 東京都新宿区新宿1丁目1番14
号 山田ビル5、補正命令の日付 昭和 年 月 旦7
、補正の対象 願書中、出願人の代表者の欄、図面
及び8、補正の内容 (1)願書中、出願人の代表者を別紙の通り補充する。 (2)正式図面を別紙の通り補充する。 (3)委任状及び同訳文を別紙の通り補充する。
番適用磁界に配置され九場合の、・9イアスをかけられ
でない磁気抵抗検出器の増幅(xtoo)出力電圧の変
化を示す図、第2図は第1図に示された結果を得る九め
に用いられ九実験上の配置を示す図、第3図は検出器が
黛個の違つ九硬貨の直径を横断する際の磁気抵抗検出器
の出力の相対的な変化を示す図、及び第4図は例として
比較用標準試料を使用する場合の説明図である。 l・・・試験用硬貨、ト・・標準試料用硬貨、3.4・
・・コイル、5,6・・・検出器、7,8・・・増幅器
、9・・・位相差回路、lO・・・フィルタ、11・・
・許容誤差制御−11ト・・受容/阻止制御器。 代理人弁理士宮 111 広 C手続補iF書 昭和−≠年11月10日 持札庁長官若杉和夫殿 1、事信の表示 昭和57年特許願第173099
号2、発明の名称 電気伝導性物質を識別、分類又
は定置する方法と装置 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名 称 ユニヴアーシティ・カレッジ・カーディ
フ・ニコン罎ノルタンツ・リミテッド 4、代 理 人 東京都新宿区新宿1丁目1番14
号 山田ビル5、補正命令の日付 昭和 年 月 旦7
、補正の対象 願書中、出願人の代表者の欄、図面
及び8、補正の内容 (1)願書中、出願人の代表者を別紙の通り補充する。 (2)正式図面を別紙の通り補充する。 (3)委任状及び同訳文を別紙の通り補充する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1) 電気伝導性物質を識別、分類、又絋装置する
丸めに、皺物質を磁界に導入し、且つ磁界中に該物質が
存在することに起因する磁界の変化を使用することによ
って皺物質を識別、分類又は定置する方法であって、交
番磁界が該物質に適用され、鋏物質の選択された領域に
隣接する磁界の局部的変化が、磁気抵抗器又はホール結
晶から成る検出aIt前記選択された領域の上方の磁界
中に配置することによって検出され、検出器が導入鳴れ
る局部的磁界に応じて検出器によって−IIIi畜れえ
電気信号が、標準値又は基準値と比較されて、比較結果
が該物質を識別、分類又は定置するために用いられるこ
とからなる方法。 (2)発生した信号が、交番磁界の変化しない部分に定
置され九標準検出器からの信号と比較されることt−特
徴とする特許請求の軛曲第1項に記載の方法。 (3) 発生した信号が、前記物質からなる標準試料
の上方に定置され九横出器からの信号と比較されること
t−特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の方法。 (4) 発生した信号が記憶ユニット中にたくわ見ら
れた基準信号と比較されることを特徴とする特許請求の
範囲第1項に記載の方法。 (5)艙記物質が硬貨であることを特徴とする特許請求
の範囲第1項に記載の方法。 (6)検出器が、硬貨の多数の選択された領域の上方に
連続して配置されて、対応する多重*に応じて、発生し
た信号が適切な憚準値又は基準値と比較されることを特
徴とする特許請求の範囲第器項に記載の方法。 (7) 多数の検出器が、硬貨の選択され大領域の上
方にそれぞれ配置されて、対応する多重性に応じて、発
生した信号が適切な標準値又は基準値と比較されること
を特徴とする特許請求の範囲第5項に記載の方法。 (8) 適切な標準値又は基準値が、標準試料硬貨又
は1組O標準試料硬貨から誘導されることを特徴とする
特許請求の範囲第5項乃至第7項のいずれかKle載の
方法。 (9) 交書磁界を発生する手段、電気伝導性物質を
該磁界に導入する手段、磁気抵抗器又はホール結晶から
なる試験検出器、交番磁界に導入された場合に、電気伝
導性物質の選択され大領域に隣接して試験検出器を配置
する手段、及び試験検出Sが導入される磁−に応じて試
験検出器によって発生され良電気信号と標準値又は基準
値とを比較する丸めの手段から成る電気伝導性物質を識
別、分類又は定置する装置。 (転)磁界に導入された際に、電気伝導性物質によって
影響される領域の外稠の交#r@昇中に配置される標準
検出器と、標準検出器が導入される磁界に応じてmn検
出−によって発生され良電気信号と試験検出器によって
発生された信号とt比較する手段を更に含むことを特徴
とする特許請求の範囲第9項に記載の装置。 aa me慣出器と、交番磁界中に前記物質の標準試
料を定置し且つ標準試料の上方に標準検出St配装する
手段と、試験検出器によって発生された電気信号と標準
検出器によって発生され良電気信号を比較する手段とを
更に冨むことを特徴とする特許請求の範囲第9項に記載
の装置。 (2)比較の丸めに、標準信号又は基準信号を蓄1 積するための記憶エニツl更に含むととt特徴とする特
許請求の範囲第9項に記載の装置。 (至)硬貨會識別する九めの装置であって、硬貨を交番
磁界中に運び且つ交番磁界から運び出す手段を含む仁と
を特徴とする特許請求の範囲第9項に記載の装置。 Q4 交番ll界に導入された際に、硬貨の多数の選
択され大領域の上方に試験検出器を連続的に配置する手
段と、それぞれの位置にある試験検出器によって発生さ
れ良信号と標準値又は基準値とを比較する手段とを含む
ととf:特許とする特許請求の範囲第13項に記載の装
置。 (2)交番ll界に導入され九際に、硬貨の選択され大
領域の上方にそれぞれ配置された多数の試験検出器と、
それぞれの試験検出器によって発生され良電気信号と適
切な標準値又は基準値とを比較する手段とを含むことt
%黴とする特許請求の範囲第13項に記載の装置。 (2)交書磁界中に標準試料硬貨又は1組の標準硬貨を
定置する手段と、交**界中に定置された際に標準試料
硬貨又は複数の標準試料硬貨の上方に配置された1樵又
は2v11以上の標準検出器と、緘−検出器によって発
生された電気信号と標準検出器によって発生され九適切
な信号とを比較する手段とt梃に含むことを特徴とする
特許請求の範囲第13項乃至第目項のいずれかに記載の
i!!置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB8129871 | 1981-10-02 | ||
GB8129871 | 1981-10-02 | ||
EP823050869 | 1982-09-27 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5886452A true JPS5886452A (ja) | 1983-05-24 |
JPH0474667B2 JPH0474667B2 (ja) | 1992-11-26 |
Family
ID=10524925
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57173099A Granted JPS5886452A (ja) | 1981-10-02 | 1982-10-01 | 電気伝導性物質を識別、分類又は定置する方法と装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4870360A (ja) |
EP (1) | EP0076617B1 (ja) |
JP (1) | JPS5886452A (ja) |
AT (1) | ATE41070T1 (ja) |
CA (1) | CA1228134A (ja) |
DE (1) | DE3279488D1 (ja) |
Cited By (1)
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JP2009210399A (ja) * | 2008-03-04 | 2009-09-17 | Hamamatsu Koden Kk | 渦電流センサ |
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