JPS5881308A - 発振回路 - Google Patents
発振回路Info
- Publication number
- JPS5881308A JPS5881308A JP56180839A JP18083981A JPS5881308A JP S5881308 A JPS5881308 A JP S5881308A JP 56180839 A JP56180839 A JP 56180839A JP 18083981 A JP18083981 A JP 18083981A JP S5881308 A JPS5881308 A JP S5881308A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- varactor
- frequency
- varactor element
- terminal
- circuit
- Prior art date
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- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1231—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the amplifier comprising one or more bipolar transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1203—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the amplifier being a single transistor
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1237—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator
- H03B5/124—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance
- H03B5/1243—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance the means comprising voltage variable capacitance diodes
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はダ振回路に関する。一般に発振回路の周波数制
御などに用いられるバラクタダイオード（以下バラクタ
素子と称す）では、アノードを接地し、カソードに正の
電圧を印加し、共振回路の周波数をその容量変化により
変化させるようにしている。
御などに用いられるバラクタダイオード（以下バラクタ
素子と称す）では、アノードを接地し、カソードに正の
電圧を印加し、共振回路の周波数をその容量変化により
変化させるようにしている。
特に周波数シンセサイザ等に用いられる電圧制御発振器
などでは位相同期系システムに用いる主制御用のバラク
タ素子及び発振回路の製造工程などで生じる発振周波数
のバラツキを補正するための調整制御用バラクタ素子の
二つのバラクタ素子が設けられている。
などでは位相同期系システムに用いる主制御用のバラク
タ素子及び発振回路の製造工程などで生じる発振周波数
のバラツキを補正するための調整制御用バラクタ素子の
二つのバラクタ素子が設けられている。
この電圧制御発振回路において一般にバラクタ素子によ
り周波数変化幅を取る場合、匂２あるいは乞ｐ共振線路
部の端に設置する構造の共振回路が用いられる。第１図
は周波数シンセサイザに用いられている７ ００ ＭＨ
ｚ帯の電圧制御発振回路の従来の構成例を示し、共振回
路として短縮す共振線路１とその両端には主制御用、調
整用としてのバラクタ−素子２，３が装架されており、
二つのバラクタ−素子２及び３はそれぞれ入力端子４゜
６から入力される電圧によりその容量値が変化し共振周
波数を変え発振周波数を制御する。
り周波数変化幅を取る場合、匂２あるいは乞ｐ共振線路
部の端に設置する構造の共振回路が用いられる。第１図
は周波数シンセサイザに用いられている７ ００ ＭＨ
ｚ帯の電圧制御発振回路の従来の構成例を示し、共振回
路として短縮す共振線路１とその両端には主制御用、調
整用としてのバラクタ−素子２，３が装架されており、
二つのバラクタ−素子２及び３はそれぞれ入力端子４゜
６から入力される電圧によりその容量値が変化し共振周
波数を変え発振周波数を制御する。
周波数シンセサイザの位相同期システムの主制御端子と
なり、バラクタ素子２は並列にトランジスタ端子間容量
及び帰還容量が入るため容量変化としては小さくなるた
め製造工程、素子のバラツキによる周波数ずれを補正す
る調整用に使われる。
なり、バラクタ素子２は並列にトランジスタ端子間容量
及び帰還容量が入るため容量変化としては小さくなるた
め製造工程、素子のバラツキによる周波数ずれを補正す
る調整用に使われる。
第２図はその両バラクタ回路の周波数変化幅を示３
・ し入力端子６−バラクタ３からなるバラクタ回路部では
Ａで示すように１２ＭＨｚ／Ｖ、入力端子４−バラクタ
素子２からなる回路部ではＢのように３ ＭＨｚ ／
Ｖ となっており周波数シンセサイザのループゲイン
、製造工程、素子のバラツキにより決定される。
・ し入力端子６−バラクタ３からなるバラクタ回路部では
Ａで示すように１２ＭＨｚ／Ｖ、入力端子４−バラクタ
素子２からなる回路部ではＢのように３ ＭＨｚ ／
Ｖ となっており周波数シンセサイザのループゲイン
、製造工程、素子のバラツキにより決定される。
このような電圧制御発振回路は使用されるバラクタ素子
により特性上次のような問題点を生じる。
により特性上次のような問題点を生じる。
（１）バラクタ素子自身の持つ直列抵抗分Ｒ８により電
圧制御発振器の安定性、雑音特性を決定する共振線路の
無負荷Ｑが劣化する。
圧制御発振器の安定性、雑音特性を決定する共振線路の
無負荷Ｑが劣化する。
（２）バラクタにおいて雑音により変調を受けやすい等
の二つの大きな問題点を生じる。
の二つの大きな問題点を生じる。
これらのことから高安定度を有し、低雑音の電圧制御発
振回路を実現するにはできるだけ直列抵抗Ｒｓの小さい
バラクタ素子、を廟いるかあるいは調整制御用バラクタ
素子を除去し他の手法により調整機構を設けるかのいず
れかが考えられるがどちらにしても経済的ではない。
振回路を実現するにはできるだけ直列抵抗Ｒｓの小さい
バラクタ素子、を廟いるかあるいは調整制御用バラクタ
素子を除去し他の手法により調整機構を設けるかのいず
れかが考えられるがどちらにしても経済的ではない。
本発明は２つの所要の制御機構を一つのバラクタ素子で
行ない、従来の二つのバラクタによる共振線路の無負荷
Ｑを向上させ、高安定度、低雑音でしかも経済的なバラ
クタバイアス回路を有する発振回路の提供を目的とする
ものである。
行ない、従来の二つのバラクタによる共振線路の無負荷
Ｑを向上させ、高安定度、低雑音でしかも経済的なバラ
クタバイアス回路を有する発振回路の提供を目的とする
ものである。
以下図面により本発明の一実施例を詳細に説明する。第
３図は前記と同じもしくはそれ以上の周波数変化幅を一
個のバラクタ素子で実現した本発明の一実施例を示しバ
ラクタ素子３のアノード、カンード電極に二つの入力制
御端子６，７を設け、従来と同じ二つの制御機構を持た
せている。端子６は従来の入力端子４に対応し、端子７
は入力端子６に対応する。
３図は前記と同じもしくはそれ以上の周波数変化幅を一
個のバラクタ素子で実現した本発明の一実施例を示しバ
ラクタ素子３のアノード、カンード電極に二つの入力制
御端子６，７を設け、従来と同じ二つの制御機構を持た
せている。端子６は従来の入力端子４に対応し、端子７
は入力端子６に対応する。
第４図は端子６，７の周波数変化幅を示したもので、制
御端子７の周波、数置化特性がそのまま端子６の特性と
なるため端子７を主制御用とし端子６を調整用とした場
合１．、−整用の周波数変化幅は従来ノ３ ＭＨｚ ／
Ｖに対し１２ＭＨｚ／Ｖとなるため（図でＤで示す）調
整が容易に行なわれる。しかも直列抵抗分を持つバラク
タ素子が一個除去されたことにより、共振回路の無負荷
Ｑが１００程度だ６・７ つたものが１２６になり約２６チ向上した。
御端子７の周波、数置化特性がそのまま端子６の特性と
なるため端子７を主制御用とし端子６を調整用とした場
合１．、−整用の周波数変化幅は従来ノ３ ＭＨｚ ／
Ｖに対し１２ＭＨｚ／Ｖとなるため（図でＤで示す）調
整が容易に行なわれる。しかも直列抵抗分を持つバラク
タ素子が一個除去されたことにより、共振回路の無負荷
Ｑが１００程度だ６・７ つたものが１２６になり約２６チ向上した。
第６図は実際に従来と本発明の側帯波雑音特性の比較を
行なったもので信号から２０ｋＨｚ離れた周波数に）い
て雑音が低下していることを示している。このように本
発明は電圧制御発振回路のバラクタバイアス回路におい
て、従来で二個のバラクタを用いて主制御機構と調整機
構を行なっていたものを一個のバラクタで実現させ、バ
ラクタを一個削減したことにより、共振線路の無負荷Ｑ
を上げ信号の純度を高めることができるとともに部品点
数の削減、回路の単純化など経済化を両立した極めて実
用的な回路を提供するものである。
行なったもので信号から２０ｋＨｚ離れた周波数に）い
て雑音が低下していることを示している。このように本
発明は電圧制御発振回路のバラクタバイアス回路におい
て、従来で二個のバラクタを用いて主制御機構と調整機
構を行なっていたものを一個のバラクタで実現させ、バ
ラクタを一個削減したことにより、共振線路の無負荷Ｑ
を上げ信号の純度を高めることができるとともに部品点
数の削減、回路の単純化など経済化を両立した極めて実
用的な回路を提供するものである。
第１図は従来の共振回路を有する７００ＭＨｚ帯の電圧
制御発振回路の結線図、第２図はその両制御回路による
感度特性を示す図、第３図は本発明の一実施例における
全共振回路の結線図、第４図はその感度特性を示す図、
第６図は本発明の共振回路の側帯波雑音を従来のものと
比較して示す図である。 ６ ・ ７ １−・・・・・共振線路、２．３・−・−・・バラクタ
素子、４．６・・・・・・制御端子、６，７・・・・・
・制御端子。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 ／Ｉ 第２図 バフクダー人ＩＪ１乙及（７７） 第３図 δ 第４図 バラククー人：？党及ＣＷ）
制御発振回路の結線図、第２図はその両制御回路による
感度特性を示す図、第３図は本発明の一実施例における
全共振回路の結線図、第４図はその感度特性を示す図、
第６図は本発明の共振回路の側帯波雑音を従来のものと
比較して示す図である。 ６ ・ ７ １−・・・・・共振線路、２．３・−・−・・バラクタ
素子、４．６・・・・・・制御端子、６，７・・・・・
・制御端子。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 ／Ｉ 第２図 バフクダー人ＩＪ１乙及（７７） 第３図 δ 第４図 バラククー人：？党及ＣＷ）
Claims (1)
- 共振線路と、その一端に接続されたバラクタ素子とを具
備し、前記バラクタ素子のアノード、カンード両電極に
第１及び第２の制御端子を接続したことを特徴とする発
振回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56180839A JPS5881308A (ja) | 1981-11-11 | 1981-11-11 | 発振回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56180839A JPS5881308A (ja) | 1981-11-11 | 1981-11-11 | 発振回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5881308A true JPS5881308A (ja) | 1983-05-16 |
Family
ID=16090253
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56180839A Pending JPS5881308A (ja) | 1981-11-11 | 1981-11-11 | 発振回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5881308A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS647412U (ja) * | 1987-06-30 | 1989-01-17 |
-
1981
- 1981-11-11 JP JP56180839A patent/JPS5881308A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS647412U (ja) * | 1987-06-30 | 1989-01-17 |
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