JPS587599A - 高レベル放射性廃液のガラスによる固化処理方法 - Google Patents
高レベル放射性廃液のガラスによる固化処理方法Info
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- JPS587599A JPS587599A JP56106047A JP10604781A JPS587599A JP S587599 A JPS587599 A JP S587599A JP 56106047 A JP56106047 A JP 56106047A JP 10604781 A JP10604781 A JP 10604781A JP S587599 A JPS587599 A JP S587599A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
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- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
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- C03B5/005—Melting in furnaces; Furnaces so far as specially adapted for glass manufacture of glass-forming waste materials
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- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
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- G21F—PROTECTION AGAINST X-RADIATION, GAMMA RADIATION, CORPUSCULAR RADIATION OR PARTICLE BOMBARDMENT; TREATING RADIOACTIVELY CONTAMINATED MATERIAL; DECONTAMINATION ARRANGEMENTS THEREFOR
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- G21F9/28—Treating solids
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本Ji@は高レベル放射性mhoガラスによる圃化矯場
方法に関する。
方法に関する。
原子力発電用軽水炉に用いられる低濃縮つ5シ核燃料は
、使用され丸後、未燃麿の235Uと生成2!”/a+
とtm収する友め外旭堰される。過電じ一しツクλ
法と^われる温式処理法によって、使用済み燃lp1が
先ず硝酸に溶解されてUと1厘 が1収されるが、そ
O後には核分裂生成物(以下「!?」と略記する)09
9%以上と若干のアクチニド(”” js +””Cm
など)とを含有する―めて高レベル0JIk射性JI
l![が残る。こO轟液の放射能量は、燃料ウラシlト
:I当JjlO辛ユリ−を越え、jlI液1m中E1+
ユリ−以上の放射性物質を含むといわれる。しかもFP
K一ついては103年、アり予ニドについてはlO年と
いうjlJIIに夏って人釧に41書な放射−tJI生
する丸め、この踊聞中人閣の生活環境から隔膜する必要
があるとされている。こom*は、ピーレックス法の場
合、約2Nの硝酸溶液であり、FPやアク予ニド以外に
工婦中の腐食生成物やそO他の浮遊物、沈澱物等を含み
、その上放射能の−SS+によって発熱もする丸め、攪
拌と冷却機#を一つステンレス鋼製タシク〈貯蔵される
。しかし前述のような長期間Kl[つて、これt液体の
まま貯蔵することは観めで危険であ)、その友め撰がm
ow子力委員金は、核m液を安定1滲mに固化し、一時
貯賦した畿1人閏Jl11mlから隔aS分する方角を
打出し丸。猷界O原子刃先進li!においても、それぞ
れ譲装置を固化処理する技*W+発を行ってお9、例え
ばフランス化工場會運転しているブースtToる。aが
1においても、この高しベルmho−化%]lK関する
彎究−Mが行われて−る。当由、こO研究−発O碓進に
当っては、近い将来*層化が尾込ま九、世界的に主流と
なっている本つケイ噴ガラ1による1化処場技術に重点
會Ii1匹で進められ′)′)ある。
、使用され丸後、未燃麿の235Uと生成2!”/a+
とtm収する友め外旭堰される。過電じ一しツクλ
法と^われる温式処理法によって、使用済み燃lp1が
先ず硝酸に溶解されてUと1厘 が1収されるが、そ
O後には核分裂生成物(以下「!?」と略記する)09
9%以上と若干のアクチニド(”” js +””Cm
など)とを含有する―めて高レベル0JIk射性JI
l![が残る。こO轟液の放射能量は、燃料ウラシlト
:I当JjlO辛ユリ−を越え、jlI液1m中E1+
ユリ−以上の放射性物質を含むといわれる。しかもFP
K一ついては103年、アり予ニドについてはlO年と
いうjlJIIに夏って人釧に41書な放射−tJI生
する丸め、この踊聞中人閣の生活環境から隔膜する必要
があるとされている。こom*は、ピーレックス法の場
合、約2Nの硝酸溶液であり、FPやアク予ニド以外に
工婦中の腐食生成物やそO他の浮遊物、沈澱物等を含み
、その上放射能の−SS+によって発熱もする丸め、攪
拌と冷却機#を一つステンレス鋼製タシク〈貯蔵される
。しかし前述のような長期間Kl[つて、これt液体の
まま貯蔵することは観めで危険であ)、その友め撰がm
ow子力委員金は、核m液を安定1滲mに固化し、一時
貯賦した畿1人閏Jl11mlから隔aS分する方角を
打出し丸。猷界O原子刃先進li!においても、それぞ
れ譲装置を固化処理する技*W+発を行ってお9、例え
ばフランス化工場會運転しているブースtToる。aが
1においても、この高しベルmho−化%]lK関する
彎究−Mが行われて−る。当由、こO研究−発O碓進に
当っては、近い将来*層化が尾込ま九、世界的に主流と
なっている本つケイ噴ガラ1による1化処場技術に重点
會Ii1匹で進められ′)′)ある。
翼在、本つケイ酸ガラスによる固化%壜方式としては偏
見ばメタリックメルター二段方式、tラヱックメルター
二段方式、t5ニックメルター−を方式等が知られてい
る。メタリックメルター二段方式は、まず高レベル放射
性處液をロータリー十に/:I参る匹はスプレー化蝿渣
又は滝鋤庫法等によ夕脱水、脱硝、仮焼して粉末化し、
次にこOII末とガラスフリットとを温合し、lI温会
物を金属#+[Iに供給し、a金属溶融−を高屑献−導
渣等によ)加熱してカラスを廖−させ先後冷却してガラ
スt1化する方式である。t5ミツクメシター二段方式
紘、まず高レベル放射性II液を製線、脱硝、仮焼して
粉末化し1次にこの#末とカラスフリブトと全混合し、
該混合物tt5ミックス展耐火ルんがよシなる乃うスl
II融タンクに供給し1通電層mな直皮まで加熱したi
iugi融伏ガラスに電礪會挿入して通電し、そOジュ
ール発IIbY−よってガラス原料t#融し、冷却して
固化する方式でる&また℃ラミプクメルター一段方式は
、JIレベル款射性魔液とガラスフリットとtS合し、
このスラリー状混合物を乃うス廖融タンクに供給し、以
下t5ミツクメルター二段方式と同様の処理を行う方式
である。を九さらに高しベシ放射注ll液とカラスフリ
ブトとt−a合し、このスラリー状混合物を金属廖融謡
に供給し、以下メタリックメルター二段方式と同様の9
&Jlt行う所層メタリックメジター一段方式について
も技術的検討が1されて^る。しかしながらこれらの方
式くはlIA々の欠点がある。@えはメタリックメルタ
ー二段方式及びtラニツタメルター二段方式では、Il
虐工Sが二戚階に分かれるという工場の複雑化に膳えて
、電場すぺmatsが通常約211定の硝酸酸性lll
1である丸めに、脱水、s!硝、it員して粉末化する
段階にお^てバイ″jo閉塞、−壁への付着、器壁O腐
處そ01lkI[Ilな工櫃からくるトラプシが発生す
るを遍は得ない、を九メタリックメルター一段方式及び
t5ニックメルター−膜力式では、金属廖―論乃jU)
ラス#−タシク内でガラス1[1lIt廖融する娠 J
l−でおるために水が突発的KJllJiLそれに伴な
い廃液等が周辺に飛散したり、非常に大暑な温度差がも
たらされる丸めに金属#I朧−乃Mガラλ廖融タシクが
看しい損傷會受ける等0+@喝がある。また上記^ずれ
O方式においても、得られるガラス固化体は化学的耐久
性に優れ均質でtリプデン相分喝を起こしてvhないこ
とが要求される。
見ばメタリックメルター二段方式、tラヱックメルター
二段方式、t5ニックメルター−を方式等が知られてい
る。メタリックメルター二段方式は、まず高レベル放射
性處液をロータリー十に/:I参る匹はスプレー化蝿渣
又は滝鋤庫法等によ夕脱水、脱硝、仮焼して粉末化し、
次にこOII末とガラスフリットとを温合し、lI温会
物を金属#+[Iに供給し、a金属溶融−を高屑献−導
渣等によ)加熱してカラスを廖−させ先後冷却してガラ
スt1化する方式である。t5ミツクメシター二段方式
紘、まず高レベル放射性II液を製線、脱硝、仮焼して
粉末化し1次にこの#末とカラスフリブトと全混合し、
該混合物tt5ミックス展耐火ルんがよシなる乃うスl
II融タンクに供給し1通電層mな直皮まで加熱したi
iugi融伏ガラスに電礪會挿入して通電し、そOジュ
ール発IIbY−よってガラス原料t#融し、冷却して
固化する方式でる&また℃ラミプクメルター一段方式は
、JIレベル款射性魔液とガラスフリットとtS合し、
このスラリー状混合物を乃うス廖融タンクに供給し、以
下t5ミツクメルター二段方式と同様の処理を行う方式
である。を九さらに高しベシ放射注ll液とカラスフリ
ブトとt−a合し、このスラリー状混合物を金属廖融謡
に供給し、以下メタリックメルター二段方式と同様の9
&Jlt行う所層メタリックメジター一段方式について
も技術的検討が1されて^る。しかしながらこれらの方
式くはlIA々の欠点がある。@えはメタリックメルタ
ー二段方式及びtラニツタメルター二段方式では、Il
虐工Sが二戚階に分かれるという工場の複雑化に膳えて
、電場すぺmatsが通常約211定の硝酸酸性lll
1である丸めに、脱水、s!硝、it員して粉末化する
段階にお^てバイ″jo閉塞、−壁への付着、器壁O腐
處そ01lkI[Ilな工櫃からくるトラプシが発生す
るを遍は得ない、を九メタリックメルター一段方式及び
t5ニックメルター−膜力式では、金属廖―論乃jU)
ラス#−タシク内でガラス1[1lIt廖融する娠 J
l−でおるために水が突発的KJllJiLそれに伴な
い廃液等が周辺に飛散したり、非常に大暑な温度差がも
たらされる丸めに金属#I朧−乃Mガラλ廖融タシクが
看しい損傷會受ける等0+@喝がある。また上記^ずれ
O方式においても、得られるガラス固化体は化学的耐久
性に優れ均質でtリプデン相分喝を起こしてvhないこ
とが要求される。
その丸めにはシリカ會有量が多いガラスフリットO使用
が必要不可欠となるが、該ガラスフリットの溶融温度は
シリカ含有量の少ないガラスフリットのそれに比し一段
と高く、それ故ガラス08111、固化処fIAが工)
高温作業とならざるtifIhず、作業flkfIPI
IIで聞−があるうえ、金属廖醜−乃憂潰うス廖融タン
クが損傷を受けた多ルテニウム、tシウム等の揮発増大
を招くという事態が生ずるt避は本発明の目的は上記従
来法04Iする繍欠点を悉く解消し九斬らしi高レベル
攻射性m献Oガラスによる固化%場方法を憾供すること
に参る。
が必要不可欠となるが、該ガラスフリットの溶融温度は
シリカ含有量の少ないガラスフリットのそれに比し一段
と高く、それ故ガラス08111、固化処fIAが工)
高温作業とならざるtifIhず、作業flkfIPI
IIで聞−があるうえ、金属廖醜−乃憂潰うス廖融タン
クが損傷を受けた多ルテニウム、tシウム等の揮発増大
を招くという事態が生ずるt避は本発明の目的は上記従
来法04Iする繍欠点を悉く解消し九斬らしi高レベル
攻射性m献Oガラスによる固化%場方法を憾供すること
に参る。
m′り本発明は、高レベル放射性應S!に水廖性ガラス
形成剤11−廖解したJllli[と、アル中ルシリケ
ートを加水分解電場した溶液とを温合し、IC1/%で
この搗会連層會ゲル化させ先後、優られるゲル化物にマ
イクロat−*射することによ〉脱水%脱硝。
形成剤11−廖解したJllli[と、アル中ルシリケ
ートを加水分解電場した溶液とを温合し、IC1/%で
この搗会連層會ゲル化させ先後、優られるゲル化物にマ
イクロat−*射することによ〉脱水%脱硝。
fEIll、Jl融した後冷却してカラス−化体とする
か、又は上記ゲル化物にマイクΩ波tj[射することに
よ)脱水 m硝、仮焼して仮m式プッとし、さらに該仮
線バッチを加熱廖融畿冷却してガラス固化体とすること
を締機とする高しペシ放射性庸液のガラス園化処理方法
に係る。
か、又は上記ゲル化物にマイクΩ波tj[射することに
よ)脱水 m硝、仮焼して仮m式プッとし、さらに該仮
線バッチを加熱廖融畿冷却してガラス固化体とすること
を締機とする高しペシ放射性庸液のガラス園化処理方法
に係る。
本発明ではまず高しベシ款射性jlllaIK水廖性ガ
ラス#戒眉を一加、溶解させる。高しペシ款射性jIM
としては、ピーレックス法で優られる放射性jIMを七
Oまtmいるが、一般には廃液中O硼酸濃度は約2規定
となって匹る。tえ廃液中に含有されh*射慢性物質濃
度一時に限定されな^、水溶性fJ5ス形成剤としては
例えば硼酸、水酸化アルミニウム等が挙げられ、さらに
必要に応じて硝酸リチウム、炭酸リチウム ii*リチ
ウム、硝酸マクネシウム、*鍛マグネシウム、硫酸マグ
ネシウム、ll酸カルシウム、炭酸カルシウム is酸
アルミニウム、硝酸M’1m、硫酸亜鉛、硝酸ジルコニ
ル又はこれらの水和物憂を適宜使用することかで龜る。
ラス#戒眉を一加、溶解させる。高しペシ款射性jIM
としては、ピーレックス法で優られる放射性jIMを七
Oまtmいるが、一般には廃液中O硼酸濃度は約2規定
となって匹る。tえ廃液中に含有されh*射慢性物質濃
度一時に限定されな^、水溶性fJ5ス形成剤としては
例えば硼酸、水酸化アルミニウム等が挙げられ、さらに
必要に応じて硝酸リチウム、炭酸リチウム ii*リチ
ウム、硝酸マクネシウム、*鍛マグネシウム、硫酸マグ
ネシウム、ll酸カルシウム、炭酸カルシウム is酸
アルミニウム、硝酸M’1m、硫酸亜鉛、硝酸ジルコニ
ル又はこれらの水和物憂を適宜使用することかで龜る。
高レベル肱射性m液に屑する水廖性カラス形成剤の添加
量としてはjlK温合されるシリカ成脅と共に礪ケイ1
il121ラスが形成されるような量とすればよい。
量としてはjlK温合されるシリカ成脅と共に礪ケイ1
il121ラスが形成されるような量とすればよい。
また本発明では別途アル中シシリケートを加水分S処置
し丸1111[(シリカリシ)を開展する。アル中シシ
リケートとしては会@04h0を広く使用でき、例えば
メチルシリケート、エチルシリケート等を挙げることが
できる。加水分11%mKは通常l嵐電硝酸が眉いられ
、アシ中ルシリケートに1、Ill定硝1lllt添加
することによ襲、アシ中シシリケートが容易に加水分解
される。
し丸1111[(シリカリシ)を開展する。アル中シシ
リケートとしては会@04h0を広く使用でき、例えば
メチルシリケート、エチルシリケート等を挙げることが
できる。加水分11%mKは通常l嵐電硝酸が眉いられ
、アシ中ルシリケートに1、Ill定硝1lllt添加
することによ襲、アシ中シシリケートが容易に加水分解
される。
本4i@では次に高レベル放射洩胤液に水溶性ガラス形
成1ats解した**とアル中ルシリケートを加水分屏
処壜した溶液とtm合し、充分に攪拌することによって
均一な温合廖漱とする。この温金連層會慮温で装置して
νくか又は50℃を超えない程度に加温することにより
ゲル化が徐々に透性12約30分〜数時afla度でゲ
ル化が完了する。
成1ats解した**とアル中ルシリケートを加水分屏
処壜した溶液とtm合し、充分に攪拌することによって
均一な温合廖漱とする。この温金連層會慮温で装置して
νくか又は50℃を超えない程度に加温することにより
ゲル化が徐々に透性12約30分〜数時afla度でゲ
ル化が完了する。
あiシ高温に加温しすぎると混合装置が均質化しないう
ちに彊時鴎でゲル化するので好ましくなへ本発明では次
に上記で得られるゲル化物にマイク0aEt−11#1
1する。マイクロ波を照射することによりゲル化物が脱
水、乾燥、脱硝され、さらには硝酸鷹分解、を蝿されて
仮焼バッチとなる。jiL。
ちに彊時鴎でゲル化するので好ましくなへ本発明では次
に上記で得られるゲル化物にマイク0aEt−11#1
1する。マイクロ波を照射することによりゲル化物が脱
水、乾燥、脱硝され、さらには硝酸鷹分解、を蝿されて
仮焼バッチとなる。jiL。
てさもにマイクロ波5IIIを続けるとWIi値總バッ
チが溶融される。マイクotltDa炎としては4Iに
1宣されないが%S在t1gMN41L111として許
可されて^るいずれのIIIRでも使用可能である。を
九フイクΩ波献射時間としては約0.5〜2時5II+
i度が遍蟻である。
チが溶融される。マイクotltDa炎としては4Iに
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可されて^るいずれのIIIRでも使用可能である。を
九フイクΩ波献射時間としては約0.5〜2時5II+
i度が遍蟻である。
本発明ではまた上記マイクΩ波照射によ9得られるam
バッチ’tms%III越してもよ^。加塾廖―手段と
しては従来性なわれて^る加銀爵融手aSえば電x*a
i、関擬加熱層融等をいずれ一採廟で1為、斯かる手段
によや仮焼バッチを溶融後1本発明では冷鐸操fyを施
せばよい、階層手段としては特に限定されないが、−t
には自a肱冷さ九る。
バッチ’tms%III越してもよ^。加塾廖―手段と
しては従来性なわれて^る加銀爵融手aSえば電x*a
i、関擬加熱層融等をいずれ一採廟で1為、斯かる手段
によや仮焼バッチを溶融後1本発明では冷鐸操fyを施
せばよい、階層手段としては特に限定されないが、−t
には自a肱冷さ九る。
斯くして1ラス固化体が製造される。
本発明方法のフローシートを第illに示す、崗JII
IIIK−お^ては、ゲル化物にマイクロ波を照射した
と11に発生する蒸気は階層されて水、硼酸、エチルア
ルコール、硝酸エチル等が庫*され、―るNOxは水酸
化ナトリウム水廖J[K:よ夕洗浄されてオフガスとし
て排気される。
IIIK−お^ては、ゲル化物にマイクロ波を照射した
と11に発生する蒸気は階層されて水、硼酸、エチルア
ルコール、硝酸エチル等が庫*され、―るNOxは水酸
化ナトリウム水廖J[K:よ夕洗浄されてオフガスとし
て排気される。
本発明方法の**1−*末法と比較しながら示せば坂下
O進シである。
O進シである。
第1K、本発明方法では全原料が液体状態で開展される
。一体は一体(11末ヤ粒状)に比べて。
。一体は一体(11末ヤ粒状)に比べて。
り0−iド畢円でO−道が濶単、安食且つ確実でおる。
更に各原料の混合は臘拌によって容易に均質化される上
、その間に生ずる化学KF&も、液体状態の特長に基づ
^て、Wめて迅遍且り纏寮に行うことができる。したが
って、アル辛ルシリケートリルと他成分金属元素との反
応は、微視的JlllIllで進行し、完全均質なリル
から完全均質なゲl/を与える。これが末法の第1の特
長であ)、従来法で用iられている各−原料間m法に比
べて、完全均質、単純、確実な方法の基礎となる。すな
わち。
、その間に生ずる化学KF&も、液体状態の特長に基づ
^て、Wめて迅遍且り纏寮に行うことができる。したが
って、アル辛ルシリケートリルと他成分金属元素との反
応は、微視的JlllIllで進行し、完全均質なリル
から完全均質なゲl/を与える。これが末法の第1の特
長であ)、従来法で用iられている各−原料間m法に比
べて、完全均質、単純、確実な方法の基礎となる。すな
わち。
従来法では、2Rフ0′t!ス(メタリックメルター二
段方式及びセラミックメシター二段方式)の壜台には胤
液仮焼体(粉体)と乃ラスフリブト(塊状又は粒状)と
の固−m温合、1段プatスCメタリックメルター−膜
力式及びt5ミツクメ&ター−膜力武力場合にはII液
とカラスフリット0*−固温合で番JI2この温合は物
理的にかなタO不均一1合物とならざるtsな^、tえ
乃ラススリットは藺もって別の高温炉によって#I−し
て供給する必要が6や、工IIが増え、その輸送も不便
て番る・ M2に、末法によればリシ伏01会撒はIC搭にゲル化
するので、ゲル状態にお匹て脱水・脱硼・amを行うこ
とができる。し九がって、その操作中車fILO矯欽ヤ
洩漏などのトラブルは生じな匹。
段方式及びセラミックメシター二段方式)の壜台には胤
液仮焼体(粉体)と乃ラスフリブト(塊状又は粒状)と
の固−m温合、1段プatスCメタリックメルター−膜
力式及びt5ミツクメ&ター−膜力武力場合にはII液
とカラスフリット0*−固温合で番JI2この温合は物
理的にかなタO不均一1合物とならざるtsな^、tえ
乃ラススリットは藺もって別の高温炉によって#I−し
て供給する必要が6や、工IIが増え、その輸送も不便
て番る・ M2に、末法によればリシ伏01会撒はIC搭にゲル化
するので、ゲル状態にお匹て脱水・脱硼・amを行うこ
とができる。し九がって、その操作中車fILO矯欽ヤ
洩漏などのトラブルは生じな匹。
またゲルを仮焼しても、すでに徽褪的處痕での反応が5
11緒しているので、比較的低温で擁吠バプチとな)黴
11を発生しない、そOためll!騎0IIl歇Oおそ
れはない、−1従末法02Rプ0ビスによれば、真液自
体を1F11に加熱された一一等に直壷接mさぜるか、
火焔とと−に吹込まれ丸シリカ粒子と後練させて脱水・
乾燥・[脆を行うため、偶給ロヤ取出し口の閉塞、躊鐘
へO@着等が発生しヤす^。1段プロ乞スO場合には、
高温の炉材(金属溶融−及びガラス溶融タンク)が直I
IJ11#I!スラリーと接線するため、炉#O慣傷に
悶−がある五、高温の炉中での水の急激な揮発に伴う雇
lIの素数も問題で6る。
11緒しているので、比較的低温で擁吠バプチとな)黴
11を発生しない、そOためll!騎0IIl歇Oおそ
れはない、−1従末法02Rプ0ビスによれば、真液自
体を1F11に加熱された一一等に直壷接mさぜるか、
火焔とと−に吹込まれ丸シリカ粒子と後練させて脱水・
乾燥・[脆を行うため、偶給ロヤ取出し口の閉塞、躊鐘
へO@着等が発生しヤす^。1段プロ乞スO場合には、
高温の炉材(金属溶融−及びガラス溶融タンク)が直I
IJ11#I!スラリーと接線するため、炉#O慣傷に
悶−がある五、高温の炉中での水の急激な揮発に伴う雇
lIの素数も問題で6る。
しかしながら、本発明に係るゲル伏亀合吻の脱水にはマ
イクロ波厘肘が用^られるので、ゲル中の水分子畳の内
ll1I!Il/!kが脱水の藤源であ)、したがって
過剰の加lI!1は全く必要がない。I!に脱硝につ^
ても、原料成分中に含まれて^る電波徴収成分(II
jl−ハFIs Ni−C#%希土lat、素等)にヨ
ル内sia熱によって反応が進行するので、原料中の各
元素Oil酸塩の分解温度に楢歯するそれヤれの温度に
お^て、ゲル中の各硝酸曳は低温からl[JIc分解し
て付く、そのため全装置を高温度に當時錐持して仮焼を
行う従来法とは異な)、硼酸塩分解に一必要な最低0f
f1度が自発的に定ま)、場踵的な状態で脱硝・仮fI
Aを完結することができる。
イクロ波厘肘が用^られるので、ゲル中の水分子畳の内
ll1I!Il/!kが脱水の藤源であ)、したがって
過剰の加lI!1は全く必要がない。I!に脱硝につ^
ても、原料成分中に含まれて^る電波徴収成分(II
jl−ハFIs Ni−C#%希土lat、素等)にヨ
ル内sia熱によって反応が進行するので、原料中の各
元素Oil酸塩の分解温度に楢歯するそれヤれの温度に
お^て、ゲル中の各硝酸曳は低温からl[JIc分解し
て付く、そのため全装置を高温度に當時錐持して仮焼を
行う従来法とは異な)、硼酸塩分解に一必要な最低0f
f1度が自発的に定ま)、場踵的な状態で脱硝・仮fI
Aを完結することができる。
第301111長は、本流によれば岡−シリカ含有量を
有するガラスO溶融1c@L、て、飽O方法によるより
もそO溶融温度をかなIt下で龜るという事寮に関係が
参る。ネウケイ酸ガラス0Jll−温慮は。
有するガラスO溶融1c@L、て、飽O方法によるより
もそO溶融温度をかなIt下で龜るという事寮に関係が
参る。ネウケイ酸ガラス0Jll−温慮は。
概ねそのシリカ含有量に依存するが、同一シリカ含有量
のガラスでも、その出発原料によって^をる。
のガラスでも、その出発原料によって^をる。
上記第IJ!!に示すように、通常の原料を用いてこれ
らのガラスを溶融する一合には、それぞれ1200〜1
500”OOm度、mG要であるが、同一組成のガラス
七本法のようにアルコレート・モル化後仮焼したバッチ
をl@v%る場合、その廖−一度は約200℃rげるこ
とができる。このようにシリカ含有量をドげることなく
溶融温度をドげることのできる本方法は、火の2つの点
で優れ友特l1tft4hつという仁とができる。すな
わち、高シリカ含有ガラスを与えるので、カラスの化学
的耐久性がよくなること、及び低−で溶融できるのでガ
ラスからの危険核櫨の揮発逃飲のおそれが少な−ことで
ある。
らのガラスを溶融する一合には、それぞれ1200〜1
500”OOm度、mG要であるが、同一組成のガラス
七本法のようにアルコレート・モル化後仮焼したバッチ
をl@v%る場合、その廖−一度は約200℃rげるこ
とができる。このようにシリカ含有量をドげることなく
溶融温度をドげることのできる本方法は、火の2つの点
で優れ友特l1tft4hつという仁とができる。すな
わち、高シリカ含有ガラスを与えるので、カラスの化学
的耐久性がよくなること、及び低−で溶融できるのでガ
ラスからの危険核櫨の揮発逃飲のおそれが少な−ことで
ある。
メタリックメルター二段乃至一段重式でJIIIIll
物含有本ウケイ酸カラつを溶融するためには、最高1凰
00−1150’Cに廖−一度は制限される(耐熱鉄合
金の性s!till犀)。この温度以Fで廖けるガラス
には多量のシリカO導入は不可−で69、せいぜい31
81表に示すガラスのうちLB−1,@。
物含有本ウケイ酸カラつを溶融するためには、最高1凰
00−1150’Cに廖−一度は制限される(耐熱鉄合
金の性s!till犀)。この温度以Fで廖けるガラス
には多量のシリカO導入は不可−で69、せいぜい31
81表に示すガラスのうちLB−1,@。
1’KI!当するものがi界であると凰われる。こルら
OガラスO水に対する抵抗性は嬉2図(jlJI溶出法
、20℃におけるガラスの化学的耐久性(′&出皐)O
jl1%!#1果を示した−の)に示すように、時間の
経過に対してほぼ直−的にガラスが水に溶出して行くこ
とがわかる。これは、ガラス−造自体が水との反応によ
って轟磯して行くことを示してjiP)、安全性11F
F価の上から好ましくない。
OガラスO水に対する抵抗性は嬉2図(jlJI溶出法
、20℃におけるガラスの化学的耐久性(′&出皐)O
jl1%!#1果を示した−の)に示すように、時間の
経過に対してほぼ直−的にガラスが水に溶出して行くこ
とがわかる。これは、ガラス−造自体が水との反応によ
って轟磯して行くことを示してjiP)、安全性11F
F価の上から好ましくない。
[2図に見られる画線のうち、時間と共に飽和するガラ
スは、多量のシリカを含有し、水との反応によって、そ
の表EIiK反応【抑制すゐシリカ保護膜が生成した場
合に相尚する。したがって出来るだけ高シリカガラスを
用いることが放射性m秦物含有ガラスの化学的耐久性の
Lからは渥ましい。
スは、多量のシリカを含有し、水との反応によって、そ
の表EIiK反応【抑制すゐシリカ保護膜が生成した場
合に相尚する。したがって出来るだけ高シリカガラスを
用いることが放射性m秦物含有ガラスの化学的耐久性の
Lからは渥ましい。
しかし高シリカガラスは爵融点が轟くな)、ルツボ浸食
、危険核櫨の揮発を促すこととなる。つまり低融性高シ
リカガラスが1まれながら、従来法によってはこの条件
を満足することができなかつえ、しかるに末法にかiで
用匹たゲル1)@−によって得九バッチのSalでは、
先のJgl褒にみられる匹ずfL0カラス4.通常バッ
チを用いた溶融温度よ)約200℃低・へ諷度で、良質
な均一ガラスを与えることができる。
、危険核櫨の揮発を促すこととなる。つまり低融性高シ
リカガラスが1まれながら、従来法によってはこの条件
を満足することができなかつえ、しかるに末法にかiで
用匹たゲル1)@−によって得九バッチのSalでは、
先のJgl褒にみられる匹ずfL0カラス4.通常バッ
チを用いた溶融温度よ)約200℃低・へ諷度で、良質
な均一ガラスを与えることができる。
更に、tN瀘のように、末法では液体で原料の混合が行
われ、礪めで均質なゲル状バッチを与えるので、そのガ
ラス溶融によっても非常に均質な乃ラスの得られる特長
がある。例えば、この皇秦物含有ガラスの溶融工程での
最大の関j1点に、!P中に多量に含有されているtリ
プデシが相分at生ずる現象がある。相分線発生の一つ
のAI[因は。
われ、礪めで均質なゲル状バッチを与えるので、そのガ
ラス溶融によっても非常に均質な乃ラスの得られる特長
がある。例えば、この皇秦物含有ガラスの溶融工程での
最大の関j1点に、!P中に多量に含有されているtリ
プデシが相分at生ずる現象がある。相分線発生の一つ
のAI[因は。
IK料バッチでの不均一性にある。すなわち、tリプダ
シ鹸ソータ08で仮焼体化された相は寿富に易融性でT
op、シリカなどOSS性成分とは独立に容易に融解し
、雌!#相と十分に廖は金わない一崗がある。Il未来
法は、このよりな℃リプヂン分JII41がしばしば発
生する。しかる#csdi中で十分均質化され九ゲル状
バッチの場合には、既に七すプfシとシリ、力との反応
もほば完了してか〉、そのため七すプデシ分虐がJi生
しにくいもOと考えられる。これも末法の重要な特長の
1つでh為。
シ鹸ソータ08で仮焼体化された相は寿富に易融性でT
op、シリカなどOSS性成分とは独立に容易に融解し
、雌!#相と十分に廖は金わない一崗がある。Il未来
法は、このよりな℃リプヂン分JII41がしばしば発
生する。しかる#csdi中で十分均質化され九ゲル状
バッチの場合には、既に七すプfシとシリ、力との反応
もほば完了してか〉、そのため七すプデシ分虐がJi生
しにくいもOと考えられる。これも末法の重要な特長の
1つでh為。
末法による高しベー廃液のガラスII融禰化技術は、g
1図に示すように、その工程の一部を従来法と合体して
使用することもできる。すなわち、アルコレート・ゲル
化、脱水、!l硝Owk%七の仮焼バッチを従来法のメ
ルターに供給して11Il−することも可能である。も
ちろんその場合でもゲル化による末法の主要特長は生か
されるが、II&レベルII&液の危険性から考えて、
出来るだけ単純、i1単で、工程数も少な匹方法を用い
るべきでh)、その点からすれば、このゲル化法に最も
遍轟な溶融方式としては、イシ・牛?シ・メルテイシク
方式がめげられる。この方式によれば、エチルシリケー
ト、高しベシimp、ガラス形成剤の3者0@合が、耐
熱性の金属容器(+1’:J)の中で行われ、十分攪拌
される。そのままゲル化させた後、上方からマイク0f
ILを照射して脱水、脱硝ttqga塾んど上げずに、
内部のガラスのみtS−することができる、fJラス化
による威容分は、I!にこの辛Pシに温合液を追加注入
して上記操作を嫌砂かえし、牛?シの充填を行う、その
債、これを豐封、洗浄除染して貯蔵工程に移される。
1図に示すように、その工程の一部を従来法と合体して
使用することもできる。すなわち、アルコレート・ゲル
化、脱水、!l硝Owk%七の仮焼バッチを従来法のメ
ルターに供給して11Il−することも可能である。も
ちろんその場合でもゲル化による末法の主要特長は生か
されるが、II&レベルII&液の危険性から考えて、
出来るだけ単純、i1単で、工程数も少な匹方法を用い
るべきでh)、その点からすれば、このゲル化法に最も
遍轟な溶融方式としては、イシ・牛?シ・メルテイシク
方式がめげられる。この方式によれば、エチルシリケー
ト、高しベシimp、ガラス形成剤の3者0@合が、耐
熱性の金属容器(+1’:J)の中で行われ、十分攪拌
される。そのままゲル化させた後、上方からマイク0f
ILを照射して脱水、脱硝ttqga塾んど上げずに、
内部のガラスのみtS−することができる、fJラス化
による威容分は、I!にこの辛Pシに温合液を追加注入
して上記操作を嫌砂かえし、牛?シの充填を行う、その
債、これを豐封、洗浄除染して貯蔵工程に移される。
この方式に基づく場合、電のどの方式によるよりも、そ
の各工程操作は単純・崗単でhシ、龜めで均質性の高−
カラスが、その高シリカ含有量にもかかわらず、低温度
で得ることができる。tた原料輸送、仮焼工程において
生ずるおそれのある従来法におけるあらゆるトラブルは
着しく場減され、メルターの損傷もないであろう。
の各工程操作は単純・崗単でhシ、龜めで均質性の高−
カラスが、その高シリカ含有量にもかかわらず、低温度
で得ることができる。tた原料輸送、仮焼工程において
生ずるおそれのある従来法におけるあらゆるトラブルは
着しく場減され、メルターの損傷もないであろう。
以下に実施例を挙げて本発明tよ)一層明らかにする。
実施例
予め上記第2表に示す組成からなる(模擬)高レベル放
射性agtssiする。この廃液は硝酸2規定廖液とし
てA11&される。a魔液に下記第3表に示すガラス形
成剤(H,BO3、L lNO3、NaNO3゜Mf(
NO31,、Ca (NO3)2及びAd(OH)3)
f加えて溶解させる。尚第3表には3穏傾の組成が示さ
れているが、これはそれぞれLH−璽’、dB−鳳′、
HB −1’ と呼ばれ上記第1表のガラス組成表に
8載されたそれぞれのガラスに対応するもので6る。
射性agtssiする。この廃液は硝酸2規定廖液とし
てA11&される。a魔液に下記第3表に示すガラス形
成剤(H,BO3、L lNO3、NaNO3゜Mf(
NO31,、Ca (NO3)2及びAd(OH)3)
f加えて溶解させる。尚第3表には3穏傾の組成が示さ
れているが、これはそれぞれLH−璽’、dB−鳳′、
HB −1’ と呼ばれ上記第1表のガラス組成表に
8載されたそれぞれのガラスに対応するもので6る。
l3IIt
一方、エチルシリケートには約t、m5i!oiuet
加えて加水分解させ、?ルコール性シリカリルを作成す
る(エチルシリゲートと硝酸と0*用量(容積比)は1
: 0.5である)。
加えて加水分解させ、?ルコール性シリカリルを作成す
る(エチルシリゲートと硝酸と0*用量(容積比)は1
: 0.5である)。
上記第3真に示す割合となるようK11iレベル放射性
真液及びガラス廖成剤の溶液とアルコール性シリカゲル
とを混合し、1温でよく攪拌し拘質嬉液とした後Ili
次ゲル化させる(ゲル化に要する時間は約30〜40分
であるン。ゲル化完r*。
真液及びガラス廖成剤の溶液とアルコール性シリカゲル
とを混合し、1温でよく攪拌し拘質嬉液とした後Ili
次ゲル化させる(ゲル化に要する時間は約30〜40分
であるン。ゲル化完r*。
245 Q MHzのマイク0ffit[射して、ゲル
化体tm熱し、脱水、脱硝酸、脱アルコール及び脱硝酸
エチルエステルを行う、その後更に照射tHけると温度
上lI#にともなって硝II!塊の分解がIIhまり、
約1時閲程度で分解がほぼjIfして仮焼バッチとなる
。こO仮焼バッチはか1にルm結が遁んでお択塊状で得
られるが、なお若干の未分解ガス体′に保有している。
化体tm熱し、脱水、脱硝酸、脱アルコール及び脱硝酸
エチルエステルを行う、その後更に照射tHけると温度
上lI#にともなって硝II!塊の分解がIIhまり、
約1時閲程度で分解がほぼjIfして仮焼バッチとなる
。こO仮焼バッチはか1にルm結が遁んでお択塊状で得
られるが、なお若干の未分解ガス体′に保有している。
マイクo*l[対中に発生する蒸駕は、冷却して補集し
、NOx jjスはNaQHggに吸収させる。得られ
る仮焼バッチKI!にマイクロ波罐射tIIi1けて加
熱すると、溶融伏層とな)、冷却すればガラス固化体と
なる。
、NOx jjスはNaQHggに吸収させる。得られ
る仮焼バッチKI!にマイクロ波罐射tIIi1けて加
熱すると、溶融伏層とな)、冷却すればガラス固化体と
なる。
cのカラス同化体は通常の方法で濤−さ九た刀ラス(款
射性しベル廃ffiを粉末化したものと粉末状ガラス原
料とを混合し、外部加fIk炉によって溶融され九ガラ
スンと外見上全く同一であダ、ま九cfLらOガラスの
水へONlあ重音ソックスし一浸出率試験1111(9
4−C)kI@いて一定したところ、s3図に示すよう
に本発明の方法で得ら九るカラスと通常の方法でs1醜
されたガラスとが同一の−を示し、ガラスとしての性能
が全く同一であることが明らかである。
射性しベル廃ffiを粉末化したものと粉末状ガラス原
料とを混合し、外部加fIk炉によって溶融され九ガラ
スンと外見上全く同一であダ、ま九cfLらOガラスの
水へONlあ重音ソックスし一浸出率試験1111(9
4−C)kI@いて一定したところ、s3図に示すよう
に本発明の方法で得ら九るカラスと通常の方法でs1醜
されたガラスとが同一の−を示し、ガラスとしての性能
が全く同一であることが明らかである。
第1図は本発明方決OプO℃スフD−図であるの第2図
は各mガラスの化学的耐久性を示すクラ7である。第B
a1lは本発明方法で得られる乃ラスと通常の方法で得
られるガラスとの性−會示すタラフである。 (以 上] 311図 第2 図 時間(g)
は各mガラスの化学的耐久性を示すクラ7である。第B
a1lは本発明方法で得られる乃ラスと通常の方法で得
られるガラスとの性−會示すタラフである。 (以 上] 311図 第2 図 時間(g)
Claims (1)
- ■ 高レベル放射性m液に水廖性ガラス滲虞Mを溶解し
たaJ[と、アシ中ルシリヶートを加水分解旭堰した連
層とを混合し1次いでこの温合連層tゲル化させ九後、
得られるゲル化物にマイクロ波tai射することにより
脱水 m1ll、仮焼、廖−し先後冷却してガラス固化
体とするか、又は上記ゲル化物にマイクロ波を慮封する
ことに1nsi水、脱硝、仮焼して仮焼バッチとし、さ
ら#C該仮虜バプチを加熱廖朧後冷却してガラス固化体
とすることを特徴とする高レベル款射性胤IILのカラ
ス固化%垣方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56106047A JPS6046394B2 (ja) | 1981-07-06 | 1981-07-06 | 高レベル放射性廃液のガラスによる固化処理方法 |
US06/395,748 US4514329A (en) | 1981-07-06 | 1982-07-06 | Process for vitrifying liquid radioactive waste |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56106047A JPS6046394B2 (ja) | 1981-07-06 | 1981-07-06 | 高レベル放射性廃液のガラスによる固化処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS587599A true JPS587599A (ja) | 1983-01-17 |
JPS6046394B2 JPS6046394B2 (ja) | 1985-10-15 |
Family
ID=14423712
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56106047A Expired JPS6046394B2 (ja) | 1981-07-06 | 1981-07-06 | 高レベル放射性廃液のガラスによる固化処理方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4514329A (ja) |
JP (1) | JPS6046394B2 (ja) |
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JP2012505677A (ja) * | 2008-10-16 | 2012-03-08 | オリオン テック アンシュタルト | 重金属を含む液体廃棄物の処理 |
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FR2596909B1 (fr) * | 1986-04-08 | 1993-05-07 | Tech Nles Ste Gle | Procede d'immobilisation de dechets nucleaires dans un verre borosilicate |
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