JPS5875306A - 集積回路 - Google Patents
集積回路Info
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- JPS5875306A JPS5875306A JP56174312A JP17431281A JPS5875306A JP S5875306 A JPS5875306 A JP S5875306A JP 56174312 A JP56174312 A JP 56174312A JP 17431281 A JP17431281 A JP 17431281A JP S5875306 A JPS5875306 A JP S5875306A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は集積回路化された電力増幅器の出力トランジス
タ保護機構に関するものである。特に半導体を用いた電
力増幅器では、回路が定常状態で動作中、出力端子が電
源の一端へ接触した場合、あるいは負荷短絡が生じた場
合等に１出力トランジスタが破壊することがある。
タ保護機構に関するものである。特に半導体を用いた電
力増幅器では、回路が定常状態で動作中、出力端子が電
源の一端へ接触した場合、あるいは負荷短絡が生じた場
合等に１出力トランジスタが破壊することがある。
次に、この出力トランジスタの破壊を第１図を参照して
説明する。
説明する。
第１図は、保護回路が内蔵されていない従来の、 増幅
回路を示す。”１１ ＊ Ｒ１１ｓ Ｒ１８は抵抗、Ｄ
１１＋Ｄ１１ ｅ ＤＩｓはダイオード、Ｑｕ ＊ Ｑ
、＊ ＊ Ｑｕ ＋ Ｑ１４ ＋ＱＣｓはトランジスタ
、暑は信号の入力端子、ｂは信号の出力端子、１１は電
流が１１なる定電流源Ｖｃｃｌは電圧がＶｃｃｌなる電
圧源を示す。今、第１図において回路が定常動作状態時
から出力端子すが電源Ｖｅａｌの負電圧ラインに接触す
るという異常動作状態になった場合を考えると、上側ダ
ーリントン接続のトランジスタＱｔ雪＊Ｑｔ４は連続的
に電流１１のベース電流が流れ、トランジスタＱｌｓ＊
Ｑｕ のり、を各ｂＭＱｕ、ｈＦＩＱｔｉで表わせば、
トランジスタＱ１４のコレクタに（Ｉ Ｉ Ｘ ｈ Ｆ
ｌｌｌ Ｑ １ｓｘｈｍＱｘ４）の大電流が流れ、消費
電力が過大となり破壊する。
回路を示す。”１１ ＊ Ｒ１１ｓ Ｒ１８は抵抗、Ｄ
１１＋Ｄ１１ ｅ ＤＩｓはダイオード、Ｑｕ ＊ Ｑ
、＊ ＊ Ｑｕ ＋ Ｑ１４ ＋ＱＣｓはトランジスタ
、暑は信号の入力端子、ｂは信号の出力端子、１１は電
流が１１なる定電流源Ｖｃｃｌは電圧がＶｃｃｌなる電
圧源を示す。今、第１図において回路が定常動作状態時
から出力端子すが電源Ｖｅａｌの負電圧ラインに接触す
るという異常動作状態になった場合を考えると、上側ダ
ーリントン接続のトランジスタＱｔ雪＊Ｑｔ４は連続的
に電流１１のベース電流が流れ、トランジスタＱｌｓ＊
Ｑｕ のり、を各ｂＭＱｕ、ｈＦＩＱｔｉで表わせば、
トランジスタＱ１４のコレクタに（Ｉ Ｉ Ｘ ｈ Ｆ
ｌｌｌ Ｑ １ｓｘｈｍＱｘ４）の大電流が流れ、消費
電力が過大となり破壊する。
本発明は上述のごとく、従来技術による増幅回路におけ
る出力端子の電源の一端子への接触という異常状態にお
いて、トランジスタの破壊を防止する保護機能を具備す
る集積回路を提供するものである。
る出力端子の電源の一端子への接触という異常状態にお
いて、トランジスタの破壊を防止する保護機能を具備す
る集積回路を提供するものである。
本発明の原理を第２図に示した。第２図においてＮ Ｒ
２１ｔＲ１ｆｉ は抵抗）Ｄ意ｌはダイオード、 Ｑｓ
ｔｔ。
２１ｔＲ１ｆｉ は抵抗）Ｄ意ｌはダイオード、 Ｑｓ
ｔｔ。
Ｑｇｚはトランジスタ、Ｃは保護すべきトランジスタ（
点線で示し九トランジスタ）を含む回路の電源の一端（
こζでは正電圧側）に接続する端子、ｄ ハ保１１すべ
きトランジスタのベース電流供給回路に接続する端子、
Ｃは保護すべきトランジスタのペースに接続する端子、
ｆは保護すべきトランジシスタを含む回路の出力端子に
接続する端子、ｇは保護すべきトランジスタを含む回路
の電源の他の一端（ここでは負又は基準電位）に接続す
る端子を示している。
点線で示し九トランジスタ）を含む回路の電源の一端（
こζでは正電圧側）に接続する端子、ｄ ハ保１１すべ
きトランジスタのベース電流供給回路に接続する端子、
Ｃは保護すべきトランジスタのペースに接続する端子、
ｆは保護すべきトランジシスタを含む回路の出力端子に
接続する端子、ｇは保護すべきトランジスタを含む回路
の電源の他の一端（ここでは負又は基準電位）に接続す
る端子を示している。
第２図において、保護すべきトランジスタを含む回路の
出力端子に接続されている端子ｆが、保護すべきトラン
ジスタを含む回路の電源の負側に接続している端子ｇに
接触すると、保護すべきトランジスタ（点線に示す）コ
レクタ電流が流れはじめる。この結果、抵抗Ｒ１１ｌに
大電流が流れ、同抵抗Ｒ１１ｌの両側に電圧降下を生じ
させ、トランジスタＱｓｓを駆動し、抵抗Ｒ２２、ダイ
オードＤＩｌｌに電圧降下を生じさせ、トランジスタＱ
ｚｘのペース−エンツメ間に頴バイアス電圧を与え、同
トランジスタが導通し、端子ｄにコレクタ電流が流れ、
端子ｄに接続されている保護すべきトランジスタのベー
ス駆動電流をし中断、又はベース駆動電流供給回路の動
作を停止させる。
出力端子に接続されている端子ｆが、保護すべきトラン
ジスタを含む回路の電源の負側に接続している端子ｇに
接触すると、保護すべきトランジスタ（点線に示す）コ
レクタ電流が流れはじめる。この結果、抵抗Ｒ１１ｌに
大電流が流れ、同抵抗Ｒ１１ｌの両側に電圧降下を生じ
させ、トランジスタＱｓｓを駆動し、抵抗Ｒ２２、ダイ
オードＤＩｌｌに電圧降下を生じさせ、トランジスタＱ
ｚｘのペース−エンツメ間に頴バイアス電圧を与え、同
トランジスタが導通し、端子ｄにコレクタ電流が流れ、
端子ｄに接続されている保護すべきトランジスタのベー
ス駆動電流をし中断、又はベース駆動電流供給回路の動
作を停止させる。
冑、ダイオードＩ）ｓｎは原理的には不要であゐが仁と
ではトランジスタＱｓ１のペース−エミッタ間電圧Ｖａ
ｎの温度補償のために加えた例で駅間した。
ではトランジスタＱｓ１のペース−エミッタ間電圧Ｖａ
ｎの温度補償のために加えた例で駅間した。
又、端子ｆとｇを共通に接続しても、Ｒ７及びダイオー
ドＤｌｉｌの電圧降下をトランジスタＱ禽１で検出でき
ることから、保護すべきトランジスタの異常電流に対す
る保護動作を行う仁とができる。
ドＤｌｉｌの電圧降下をトランジスタＱ禽１で検出でき
ることから、保護すべきトランジスタの異常電流に対す
る保護動作を行う仁とができる。
次に本発明の具体的実施例を第３゛図に示し丸。
第３図においてＲｓｈＦＬｌｌ＊ ｓＲ１！ｌ ｅ”＄
４ ＊Ｒ１ｉ ｅＲａ＠ ｅＲ１？ ｖ Ｒ錦 は抵抗
ｓ Ｄｓ＊ ＃ＤＩＩＩ ｅＤｓ４ハ／（オー ）”。
４ ＊Ｒ１ｉ ｅＲａ＠ ｅＲ１？ ｖ Ｒ錦 は抵抗
ｓ Ｄｓ＊ ＃ＤＩＩＩ ｅＤｓ４ハ／（オー ）”。
Ｑｓｔ ｅＱｓｓ ｅＱｓｓ ｔＱａａ ｅＱ
ｓｓ ｔＱｓａ ＩＱｓ？ ｅＱｓｓ ｅＱｓｓ
はトランジスタ、ＲＬ は負神、ＣｈＣｓ、Ｃｓ、は電
解コンデンサ、ｈは信号の六方−子、ｉは信号の出力端
子、ＨはトランジスタＱｓａのベース電位供給点、Ｉ３
は電流が工３なる電流源、Ｖｃｃ３は電圧がＶｃｃ３な
る電圧源を示す。
ｓｓ ｔＱｓａ ＩＱｓ？ ｅＱｓｓ ｅＱｓｓ
はトランジスタ、ＲＬ は負神、ＣｈＣｓ、Ｃｓ、は電
解コンデンサ、ｈは信号の六方−子、ｉは信号の出力端
子、ＨはトランジスタＱｓａのベース電位供給点、Ｉ３
は電流が工３なる電流源、Ｖｃｃ３は電圧がＶｃｃ３な
る電圧源を示す。
第３図において、出力段は一般に知られている３級シン
グルエンデツド・プツシ轟プル構成である。
グルエンデツド・プツシ轟プル構成である。
今、この回路での定常動作状態では、例えば入力端子り
に第４図に示す正弦波入力信号ｋを入れ九時、出力端子
ｉＫ同図の正弦波出力信号ｔが出るが、このときＶｃｃ
／２ をさかいに上側波形はトランジスタＱｓｓが導
通し、下側波形はトランジスタＱ紳が導通している時に
発生する。ここでトランジスタＱｓｓが導通している時
、トランジスタＱｓｓのペース−エミッタ間電圧Ｖｓｍ
Ｑ、Ｂ−は大きくなシトランジスタＱｓａの飽和電流値
をｌ５Ｑｓｓ、ボルツマン定数をに１絶対温度をＴ１電
子の電荷をｑで表わすと以下の（１）式で示す電流ＩＣ
Ｑｓ・がトランジスタＱ３−のコレクタに流れ、（２）
式で示す電圧■１が抵抗Ｒ，−の両端に生ずる・ ＩＣＱｓａ ＃ ｌ８Ｑｉｓ （ＥＸＰ（ＱＶＢＩＩＱ
ＳＩＩ／ＫＴ）−１）・・・・・・・・・（１） ■ｌ ＃ 工ＣＱＩｓ ＠ ）し畠１
６００１００．（２）今、
トランジスタＱｓｉの飽和電流値をＩＪＩＱｓｉ、ボル
ツマン定数なに１絶対温度をＴ、電子の電荷をｑで表わ
すと、以下のＯ）式で示す電流ＩｃＱｓｓがトランジス
タＱｓｓのコレクタに流れ、ヒのときの抵抗Ｒ３７、ダ
イオードＤｕに生ずる電圧降下を各” ”” ＲＩｔ
ｓｖ６８４とすると、Ｈ点ｙｃ （ＩｃｑｓｉＲ３マ＋
Ｖｎ４）ｉる電圧降下が生ずる。
に第４図に示す正弦波入力信号ｋを入れ九時、出力端子
ｉＫ同図の正弦波出力信号ｔが出るが、このときＶｃｃ
／２ をさかいに上側波形はトランジスタＱｓｓが導
通し、下側波形はトランジスタＱ紳が導通している時に
発生する。ここでトランジスタＱｓｓが導通している時
、トランジスタＱｓｓのペース−エミッタ間電圧Ｖｓｍ
Ｑ、Ｂ−は大きくなシトランジスタＱｓａの飽和電流値
をｌ５Ｑｓｓ、ボルツマン定数をに１絶対温度をＴ１電
子の電荷をｑで表わすと以下の（１）式で示す電流ＩＣ
Ｑｓ・がトランジスタＱ３−のコレクタに流れ、（２）
式で示す電圧■１が抵抗Ｒ，−の両端に生ずる・ ＩＣＱｓａ ＃ ｌ８Ｑｉｓ （ＥＸＰ（ＱＶＢＩＩＱ
ＳＩＩ／ＫＴ）−１）・・・・・・・・・（１） ■ｌ ＃ 工ＣＱＩｓ ＠ ）し畠１
６００１００．（２）今、
トランジスタＱｓｉの飽和電流値をＩＪＩＱｓｉ、ボル
ツマン定数なに１絶対温度をＴ、電子の電荷をｑで表わ
すと、以下のＯ）式で示す電流ＩｃＱｓｓがトランジス
タＱｓｓのコレクタに流れ、ヒのときの抵抗Ｒ３７、ダ
イオードＤｕに生ずる電圧降下を各” ”” ＲＩｔ
ｓｖ６８４とすると、Ｈ点ｙｃ （ＩｃｑｓｉＲ３マ＋
Ｖｎ４）ｉる電圧降下が生ずる。
ＩＣＱ、、＃ ＩＩＱ３．ｅ （ＥＸＰ（ｑＶ、／ＫＴ
）−１） ・ （３）同時に前述のように出力端子す
は上側波形を示してい慝ため、Ｈ点の電位を出力端子の
電位Ｖｔ よシ常に低くおさえておくように設定する
。即ち、１Ｃｑａｓ”ｓｖ ＋ｖＩｌｋｍ ＜ Ｖ１＋
ＶＢＩＱＳ４ トｌｋｂ ヨ５ Ｋ抵抗ａｎｙ ＃
Ｒ１−を調整しておけＬ ）ツ／ジスタＱ＄４のベー
ス、即ちＪｎ点と同トランジスタの二電ツタ、即ち、出
力端子ｉの電位が常にトランジスタＱｉのベース−エミ
ッタ間に対し逆バイアスと壜りているため、通常の定常
動作時には、この保護回路は動作しない。 ・ ここで、出力端子ｉが電源の負端子（一端子）に接触す
るという異常状態となると、出力端子ｌは最低電位と表
砂上側ダーリントン接続のトランジスタＱｓｓ、Ｑｓ＠
Ｉｄ連続的に電流Ｉａで駆動される。そのためトランジ
スタＱｓｓのコレクタに大電流が流れ始め、抵抗Ｒ’ｓ
＠の両端にはこの大電流＆；比例した電圧降下Ｖｎｒｓ
が生じトランジスタＱｓｓを駆動し同トランジスタｈν
ｌが十分に大きいと、同トランジスタに（４）式で示す
コレクタ電流Ｉｃ’Ｑａｓが流れる。
）−１） ・ （３）同時に前述のように出力端子す
は上側波形を示してい慝ため、Ｈ点の電位を出力端子の
電位Ｖｔ よシ常に低くおさえておくように設定する
。即ち、１Ｃｑａｓ”ｓｖ ＋ｖＩｌｋｍ ＜ Ｖ１＋
ＶＢＩＱＳ４ トｌｋｂ ヨ５ Ｋ抵抗ａｎｙ ＃
Ｒ１−を調整しておけＬ ）ツ／ジスタＱ＄４のベー
ス、即ちＪｎ点と同トランジスタの二電ツタ、即ち、出
力端子ｉの電位が常にトランジスタＱｉのベース−エミ
ッタ間に対し逆バイアスと壜りているため、通常の定常
動作時には、この保護回路は動作しない。 ・ ここで、出力端子ｉが電源の負端子（一端子）に接触す
るという異常状態となると、出力端子ｌは最低電位と表
砂上側ダーリントン接続のトランジスタＱｓｓ、Ｑｓ＠
Ｉｄ連続的に電流Ｉａで駆動される。そのためトランジ
スタＱｓｓのコレクタに大電流が流れ始め、抵抗Ｒ’ｓ
＠の両端にはこの大電流＆；比例した電圧降下Ｖｎｒｓ
が生じトランジスタＱｓｓを駆動し同トランジスタｈν
ｌが十分に大きいと、同トランジスタに（４）式で示す
コレクタ電流Ｉｃ’Ｑａｓが流れる。
Ｉ’ｃｑ、Ｂｅ＝Ｉｓｑｓｓｓ（ｑＶ’ｌ／ＫＴ） −
１） ”・・（４）この結果用ずる抵抗Ｒ８７
、ダイオードＤＢ４の電圧降下ｔ７各Ｉｃ′ＱｓｓＲｓ
ｙ 、Ｖｎｔトｔ ；ｂ トＩＣＱｓｓ ＲＩｔ ＋Ｖ
ｔ：ｉ ：＞Ｖｌ ＋ＶＢＱ３４ となった時にトラ
ンジスタＱｓａのベース−エミッタ間に順バイアス電圧
が加わシ、トランジスタＱｓａが動作し、コレクタ電流
によシトランジスタＱｓｓのベース駆動電流を吸収して
、終段のトランジスタＱｓｓのベースに注入する駆動電
流をし中断する。即ち、トランジスタＱａｓを動作しな
いようにして異常大電流によるトランジスタＱｓｓの破
壊を防止する。
１） ”・・（４）この結果用ずる抵抗Ｒ８７
、ダイオードＤＢ４の電圧降下ｔ７各Ｉｃ′ＱｓｓＲｓ
ｙ 、Ｖｎｔトｔ ；ｂ トＩＣＱｓｓ ＲＩｔ ＋Ｖ
ｔ：ｉ ：＞Ｖｌ ＋ＶＢＱ３４ となった時にトラ
ンジスタＱｓａのベース−エミッタ間に順バイアス電圧
が加わシ、トランジスタＱｓａが動作し、コレクタ電流
によシトランジスタＱｓｓのベース駆動電流を吸収して
、終段のトランジスタＱｓｓのベースに注入する駆動電
流をし中断する。即ち、トランジスタＱａｓを動作しな
いようにして異常大電流によるトランジスタＱｓｓの破
壊を防止する。
次に、本発明の他の具体的実施例を第５図に示し九〇第
５図においてＲＩＣ” ＩＬ Ｒａ１ｅ Ｒ１４ｔ Ｒ
ＩＬＲｉ＠ｔＲＩ？は抵抗％ ＤＳｂ Ｄ１２＊ ＤＩ
Ｓはダイオード５ＱｓｔＱｌｅ Ｑｓｓｅ ＱＢ４１
Ｑｔｉｙ Ｑｓｓｅ Ｑｉｓ Ｑｓｓｅ Ｑｉｓはトラ
ンジスタ、ＲＬれ負荷、Ｃ１＋ ＣＬ Ｃ１は電解コン
ダンｆ−１ｍは信号の入力端子、ｎは信号の出力端子、
ｌｌはトランジスタＱＩ４のベース電位供給点、Ｉ５は
電流がＩ５’＆る電流源、ＶＣＣ５は電圧がＶ■５なる
電圧源を示す。第５図において出力段は一般に知られて
いるＢ級シングルエンデツドＩプツシ鼻プル構成である
。今、との回路での定常動作状態では、例えば入力端子
ｍに第４図に示す正弦波入力信号Ｋを入れた時、出力端
子ｎに同図の正弦波出力信号ｔが出るが、このときＶ
（！９／２をさかいに上側波形はトランジスタＱｓ＋ｓ
が導通し、下側波形はトランジスタＱ紳が導通している
時に発生する。ζζでトランジスタＱｉ・が導通してい
る時、トランジスタＱｓ・のペース−エミッタ間電圧Ｖ
ＢＩＱＩ−は大きくなり、トランジスタＱｓ・の飽和電
流値をＬ−−、ボルツｉン定数をに１絶対温度をＴ１電
子や電荷をｑで表わすと次の＠）式で示すＩＣＱＩＩＩ
がトランジスタＱｓｓのコレクタに流れ、（６）式で示
す電圧Ｖｌ１７が抵抗ＲＩ？の両端に生ずる。
５図においてＲＩＣ” ＩＬ Ｒａ１ｅ Ｒ１４ｔ Ｒ
ＩＬＲｉ＠ｔＲＩ？は抵抗％ ＤＳｂ Ｄ１２＊ ＤＩ
Ｓはダイオード５ＱｓｔＱｌｅ Ｑｓｓｅ ＱＢ４１
Ｑｔｉｙ Ｑｓｓｅ Ｑｉｓ Ｑｓｓｅ Ｑｉｓはトラ
ンジスタ、ＲＬれ負荷、Ｃ１＋ ＣＬ Ｃ１は電解コン
ダンｆ−１ｍは信号の入力端子、ｎは信号の出力端子、
ｌｌはトランジスタＱＩ４のベース電位供給点、Ｉ５は
電流がＩ５’＆る電流源、ＶＣＣ５は電圧がＶ■５なる
電圧源を示す。第５図において出力段は一般に知られて
いるＢ級シングルエンデツドＩプツシ鼻プル構成である
。今、との回路での定常動作状態では、例えば入力端子
ｍに第４図に示す正弦波入力信号Ｋを入れた時、出力端
子ｎに同図の正弦波出力信号ｔが出るが、このときＶ
（！９／２をさかいに上側波形はトランジスタＱｓ＋ｓ
が導通し、下側波形はトランジスタＱ紳が導通している
時に発生する。ζζでトランジスタＱｉ・が導通してい
る時、トランジスタＱｓ・のペース−エミッタ間電圧Ｖ
ＢＩＱＩ−は大きくなり、トランジスタＱｓ・の飽和電
流値をＬ−−、ボルツｉン定数をに１絶対温度をＴ１電
子や電荷をｑで表わすと次の＠）式で示すＩＣＱＩＩＩ
がトランジスタＱｓｓのコレクタに流れ、（６）式で示
す電圧Ｖｌ１７が抵抗ＲＩ？の両端に生ずる。
ＩｍＱＩ＠ ＝ Ｉ ＩＩＱｕ １１ （′ＥｘＰ（ｑ
ＶｌｌＱ６＠／ＫＴ ）−１） ・・・（５）Ｖｍｇ７
＝ Ｉ ＩＱｓｓ ・ＲＩｔ ・
（６）今、トランジスタＱｉ４が普通状態となるベース
−エミッタ間電圧をＶＢｌＱＢ４とすると、適状の定状
動作時において電圧Ｖｌ！１７ が電圧ＶｍＢＱｇ４よ
すも小さくなるように設定する。即ちＶｌｌＱｓｉ＞
ＶＩＩ７となるよう抵抗ＲＩ７、）ランジスタＱ１１４
を調整しておけば、トランジスタＱｓ４は速断状態とな
っているため、通常の定常動作時にはこの保護回路は動
作しない。
ＶｌｌＱ６＠／ＫＴ ）−１） ・・・（５）Ｖｍｇ７
＝ Ｉ ＩＱｓｓ ・ＲＩｔ ・
（６）今、トランジスタＱｉ４が普通状態となるベース
−エミッタ間電圧をＶＢｌＱＢ４とすると、適状の定状
動作時において電圧Ｖｌ！１７ が電圧ＶｍＢＱｇ４よ
すも小さくなるように設定する。即ちＶｌｌＱｓｉ＞
ＶＩＩ７となるよう抵抗ＲＩ７、）ランジスタＱ１１４
を調整しておけば、トランジスタＱｓ４は速断状態とな
っているため、通常の定常動作時にはこの保護回路は動
作しない。
ここで、出力端子ｎが電源の負端子（一端子）Ｋ接触す
るという異常状態に擾ると出力端子ｎは最低電位となり
上側ダーリントン接続のトランジスタＱ ８６１ Ｑ
ｉｓは連続的に電流Ｉ５で駆動される。
るという異常状態に擾ると出力端子ｎは最低電位となり
上側ダーリントン接続のトランジスタＱ ８６１ Ｑ
ｉｓは連続的に電流Ｉ５で駆動される。
そのためトランジスタＱ錦の工よツタに大電流が流れ始
め、抵抗Ｒ１ｆｆの両端にはこの大電流に比例シｆｔ電
圧ｎ下ＶＳ１＊ｔ カ生１：、、ＶＩＩＱ＄４ （Ｖ
ｉｅ５ｙ トナりた時に、トランジスタＱＢ４が動作し
、コレクタ電流によりトランジスタＱｉ・のベース駆動
電流を吸収して、終段のトランジスタＱｉｓを動作しな
いようにして異常大電流によるトランジスタＱｓｓの破
壊を防止する。
め、抵抗Ｒ１ｆｆの両端にはこの大電流に比例シｆｔ電
圧ｎ下ＶＳ１＊ｔ カ生１：、、ＶＩＩＱ＄４ （Ｖ
ｉｅ５ｙ トナりた時に、トランジスタＱＢ４が動作し
、コレクタ電流によりトランジスタＱｉ・のベース駆動
電流を吸収して、終段のトランジスタＱｉｓを動作しな
いようにして異常大電流によるトランジスタＱｓｓの破
壊を防止する。
以上、本発明による保護回路を用いれば、増幅回路の出
力端子の電源の一端に接触するという異常状態における
トランジスタのコレクタ電流を制限し破壊を防止する保
護機能を具備する集積回路を実現できる。
力端子の電源の一端に接触するという異常状態における
トランジスタのコレクタ電流を制限し破壊を防止する保
護機能を具備する集積回路を実現できる。
淘、従来の牛導体集積回路では過電流検知用抵抗ＲＨｓ
” ＠？は拡散抵抗で作られていたが、抵抗値の精度
・温度特性に問題がありた。本発明では前記抵抗Ｒｆｉ
ｌ ｅ Ｒｍｌ ｔ ＢＩ＠？をアルミニウム郷の正の
温度係数、即ち温度が上昇すると抵抗値が大きく表るよ
うな金属配線によりが形成し前記保護すべきトランジス
タＱ１＊＊Ｑｓ−・・ｓＱＩ・に過大電流が流れ帥めた
ときに生ずる温度上昇変化を受けて、前記抵抗’寓１＊
Ｒ錦＊Ｒ暴１の抵抗値が大と１Ｌ結果として過大電流検
知感度を高めたことに特徴がある。
” ＠？は拡散抵抗で作られていたが、抵抗値の精度
・温度特性に問題がありた。本発明では前記抵抗Ｒｆｉ
ｌ ｅ Ｒｍｌ ｔ ＢＩ＠？をアルミニウム郷の正の
温度係数、即ち温度が上昇すると抵抗値が大きく表るよ
うな金属配線によりが形成し前記保護すべきトランジス
タＱ１＊＊Ｑｓ−・・ｓＱＩ・に過大電流が流れ帥めた
ときに生ずる温度上昇変化を受けて、前記抵抗’寓１＊
Ｒ錦＊Ｒ暴１の抵抗値が大と１Ｌ結果として過大電流検
知感度を高めたことに特徴がある。
しかも前記抵抗Ｒ１１ｅ Ｒ３８＋ Ｒ１１？を多層配
線の金属配線で作ることにより、ペレット面積からくる
制約を受けずに、精度良く、且つ帥配保膜すべきトラン
ジスタと熱的結合性の良い検知用抵抗Ｒ１１゜Ｒ錦、Ｒ
６１を得られることによシ、高い精度で前記異常大電流
を検知しうる保護機能を具備する集積回路を夾現しうる
。
線の金属配線で作ることにより、ペレット面積からくる
制約を受けずに、精度良く、且つ帥配保膜すべきトラン
ジスタと熱的結合性の良い検知用抵抗Ｒ１１゜Ｒ錦、Ｒ
６１を得られることによシ、高い精度で前記異常大電流
を検知しうる保護機能を具備する集積回路を夾現しうる
。
伺、前記抵抗Ｒ１１＊ Ｒ１＊＊ Ｒ１？ としては
０．１Ω程度の値であるのでアルミ°ニウム層抵抗を２
０ｍΩで設計し九場合中対長さの比は１：５に々シ充分
実用可能である。又、アルミニウムの抵抗温度係数Ｆｉ
４．６７Ｘ１０ ／、ｃ であるので保護すべきトラン
ジスタに過大電流が渡れ九際の温度上昇が１００℃とす
ると抵抗Ｒｓｓ、 Ｒｓｓ、 Ｒ＋ｓγの抵抗値は約５
割増し充分実用可能である。さらに、本発明の一実施例
である第３図では電圧検出を抵抗Ｒｓ−とトランジスタ
Ｑｓｓ＋で、第５図では電圧検出を抵抗Ｒ’ｉｔとトラ
ンジスタＱｉ４で行っている必１１例えば差動形式を用
いた検出を行なえば更に精度を上げるととができる。
０．１Ω程度の値であるのでアルミ°ニウム層抵抗を２
０ｍΩで設計し九場合中対長さの比は１：５に々シ充分
実用可能である。又、アルミニウムの抵抗温度係数Ｆｉ
４．６７Ｘ１０ ／、ｃ であるので保護すべきトラン
ジスタに過大電流が渡れ九際の温度上昇が１００℃とす
ると抵抗Ｒｓｓ、 Ｒｓｓ、 Ｒ＋ｓγの抵抗値は約５
割増し充分実用可能である。さらに、本発明の一実施例
である第３図では電圧検出を抵抗Ｒｓ−とトランジスタ
Ｑｓｓ＋で、第５図では電圧検出を抵抗Ｒ’ｉｔとトラ
ンジスタＱｉ４で行っている必１１例えば差動形式を用
いた検出を行なえば更に精度を上げるととができる。
第１図は保護回路が付属していない従来回路の回路図、
第２図社本発明の原理を示し九回路−１第３図は本発明
の実施例を示した回路図、ｆｓ４図は第３図の回路の動
作を示すための入出力波形図、第５図は本発明の他の実
施例を示した回路図である。 Ｑｌｌ−Ｑｌｌ ＊ Ｑｌｌ ｔ ＱＣｓ ｅＱｓｓ
ｐ〜Ｑｓｓ ＊ Ｑ！１１〜ＱＩ４ ｔＱｕ〜Ｑｕ
””）ランジスタ、Ｄ１１〜Ｄ１ｓ、Ｄｓｌ。 Ｄ８１〜Ｄ１４ ｅ ＤＩｌｌ ”” ＩＩ ””
””ダイオード、Ｒ１１〜Ａｌｌ。 Ｒ１１ｍ ”１１＠ ｓ Ｒ４１””ａｌｌ
＋ ＲＩＩ””８？ ”’ ”’ＩＦ抗、 Ｃ
１〜Ｃｓ・・・・・・電雫コンデンサ、ＲＬ・・・・・
・負荷、Ｉｌ、ｌ３ＩＳ ・−・−電圧ｉ１、Ｖｃｃｌ
、 ＶＣＣ３，Ｖｃｃ５ ・−−−−・を圧ａｍ、ａｘ
ｌ、ｍ、ｎ・・・・・・端子を示す。 第 １ 図 第２図 第３図 −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−
−Ｖｃｃ＠４図
第２図社本発明の原理を示し九回路−１第３図は本発明
の実施例を示した回路図、ｆｓ４図は第３図の回路の動
作を示すための入出力波形図、第５図は本発明の他の実
施例を示した回路図である。 Ｑｌｌ−Ｑｌｌ ＊ Ｑｌｌ ｔ ＱＣｓ ｅＱｓｓ
ｐ〜Ｑｓｓ ＊ Ｑ！１１〜ＱＩ４ ｔＱｕ〜Ｑｕ
””）ランジスタ、Ｄ１１〜Ｄ１ｓ、Ｄｓｌ。 Ｄ８１〜Ｄ１４ ｅ ＤＩｌｌ ”” ＩＩ ””
””ダイオード、Ｒ１１〜Ａｌｌ。 Ｒ１１ｍ ”１１＠ ｓ Ｒ４１””ａｌｌ
＋ ＲＩＩ””８？ ”’ ”’ＩＦ抗、 Ｃ
１〜Ｃｓ・・・・・・電雫コンデンサ、ＲＬ・・・・・
・負荷、Ｉｌ、ｌ３ＩＳ ・−・−電圧ｉ１、Ｖｃｃｌ
、 ＶＣＣ３，Ｖｃｃ５ ・−−−−・を圧ａｍ、ａｘ
ｌ、ｍ、ｎ・・・・・・端子を示す。 第 １ 図 第２図 第３図 −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−
−Ｖｃｃ＠４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 保護すべきトランジスタのエイツタあるいはコレク
タに抵抗を接続し、前記保護すべきトランジスタに過大
電流が流れ始めたとき前記抵抗の電圧降下分を比較器で
設定値と比較して検出する仁とＫよシ比較器出力を得、
骸比較器出力で前記保護すべきトランジスタの動作に制
限を加える保護回路を動作させ、前記保護すべきトラン
ジスタを過電流による破壊から保護する機能を具備する
集積回路において、前記抵抗に温度が上昇すると抵抗値
が大となる抵抗を用い、該抵抗で前記保護すべきトラン
ジスタに過電流が流れ始めたとき一生ずる温度上昇変化
を感知し、過電流検出感度を高めたことを特徴とすゐ集
積回路。 ２ 前記抵抗を前記保護すべきトランジスタの上部に多
層配線の金属配線によ多形成し、該抵抗で前記保護すべ
きトランジスタに過°電流が流れ始めたときに生ずる温
度上昇変化を感知し、過電流検出感度を高めた仁とを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56174312A JPS5875306A (ja) | 1981-10-29 | 1981-10-29 | 集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56174312A JPS5875306A (ja) | 1981-10-29 | 1981-10-29 | 集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5875306A true JPS5875306A (ja) | 1983-05-07 |
Family
ID=15976445
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56174312A Pending JPS5875306A (ja) | 1981-10-29 | 1981-10-29 | 集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5875306A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58212268A (ja) * | 1982-06-04 | 1983-12-09 | Victor Co Of Japan Ltd | テレビジヨンカメラおよび録画再生機用のホルダ− |
| JPS63127559A (ja) * | 1986-11-17 | 1988-05-31 | Sanyo Electric Co Ltd | 混成集積回路 |
| JPS63128656A (ja) * | 1986-11-18 | 1988-06-01 | Sanyo Electric Co Ltd | 混成集積回路 |
| JPS63128657A (ja) * | 1986-11-18 | 1988-06-01 | Sanyo Electric Co Ltd | 混成集積回路 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5555605A (en) * | 1978-10-20 | 1980-04-23 | Hitachi Ltd | Protective circuit for power output circuit |
| JPS5515881B2 (ja) * | 1973-04-17 | 1980-04-26 |
-
1981
- 1981-10-29 JP JP56174312A patent/JPS5875306A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5515881B2 (ja) * | 1973-04-17 | 1980-04-26 | ||
| JPS5555605A (en) * | 1978-10-20 | 1980-04-23 | Hitachi Ltd | Protective circuit for power output circuit |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58212268A (ja) * | 1982-06-04 | 1983-12-09 | Victor Co Of Japan Ltd | テレビジヨンカメラおよび録画再生機用のホルダ− |
| JPH0129351B2 (ja) * | 1982-06-04 | 1989-06-09 | Victor Company Of Japan | |
| JPS63127559A (ja) * | 1986-11-17 | 1988-05-31 | Sanyo Electric Co Ltd | 混成集積回路 |
| JPS63128656A (ja) * | 1986-11-18 | 1988-06-01 | Sanyo Electric Co Ltd | 混成集積回路 |
| JPS63128657A (ja) * | 1986-11-18 | 1988-06-01 | Sanyo Electric Co Ltd | 混成集積回路 |
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