JPS5874689A - ３−クロロメチル−３−セフエム誘導体の製造法 - Google Patents
３−クロロメチル−３−セフエム誘導体の製造法Info
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- JPS5874689A JPS5874689A JP56174330A JP17433081A JPS5874689A JP S5874689 A JPS5874689 A JP S5874689A JP 56174330 A JP56174330 A JP 56174330A JP 17433081 A JP17433081 A JP 17433081A JP S5874689 A JPS5874689 A JP S5874689A
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- acid
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- organic solvent
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups
Landscapes
- Cephalosporin Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は３−り００メチル−３−セフェム誘導体の新規
な製造法に関する。更に詳しく社本発明は、一般式 〔式中Ｒ１−Ｃ−はカルポジ酸残基を １２はカルボ中
シル基の保護基を ｘ３は置換もしくは非置換の芳香族
炭化水素基をそれぞれ示す、〕で表わされる３−り００
メチル−５−セフェム誘導体の製造法に関する。
な製造法に関する。更に詳しく社本発明は、一般式 〔式中Ｒ１−Ｃ−はカルポジ酸残基を １２はカルボ中
シル基の保護基を ｘ３は置換もしくは非置換の芳香族
炭化水素基をそれぞれ示す、〕で表わされる３−り００
メチル−５−セフェム誘導体の製造法に関する。
上記一般式（２）で表わされる３−９００メチル−３−
ｔ！フＩム誘導体はセファ０スボリシ系抗生物質を合成
するための中間体上して重要な化合物である０例えば本
発明の化合物は下式に示す方法でセファ０スボリシ系抗
生物質Ｅｌｌ導し得る。
ｔ！フＩム誘導体はセファ０スボリシ系抗生物質を合成
するための中間体上して重要な化合物である０例えば本
発明の化合物は下式に示す方法でセファ０スボリシ系抗
生物質Ｅｌｌ導し得る。
従来、３−り００メチル−３−セフェムの製造法として
は１例えば３−アセト中ジメチルセファ０スボリシ誘導
体をへ〇ゲシ化して製造されている〔テトラヘト０シレ
ター ３９９１ （１９７４）。
は１例えば３−アセト中ジメチルセファ０スボリシ誘導
体をへ〇ゲシ化して製造されている〔テトラヘト０シレ
ター ３９９１ （１９７４）。
同２４０１ （１９７６）等参照〕。またコツベルらは
３−工中ソメチレシセファロスボリシから直接３−ク０
０メチル＋３−セフェムに変換することに成功している
（ Ｊ、 Ａｕｇ、 Ｃｋｇ篇、 ５ｏｃ、、波、２８
２２（１９７７’）参照〕。しかしながら、１これらの
方法でれいずれも高価な出ｌａＭ科を必要とし、しかも
低収率、低純度で３−り００メチル−５−セフェムが得
られるに過ぎない。
３−工中ソメチレシセファロスボリシから直接３−ク０
０メチル＋３−セフェムに変換することに成功している
（ Ｊ、 Ａｕｇ、 Ｃｋｇ篇、 ５ｏｃ、、波、２８
２２（１９７７’）参照〕。しかしながら、１これらの
方法でれいずれも高価な出ｌａＭ科を必要とし、しかも
低収率、低純度で３−り００メチル−５−セフェムが得
られるに過ぎない。
本発明の目的は、一般式け）で表わされる３−り００メ
チル−３−セフェム誘導体を入手容易な原料化合物から
簡便な操作で高純度、高収率にて製造−し得る方法を提
供することＫある。
チル−３−セフェム誘導体を入手容易な原料化合物から
簡便な操作で高純度、高収率にて製造−し得る方法を提
供することＫある。
即ち本発明は、一般式
ｃ式中ｘ”−ｃ−はカルポジ酸残基を １２はカルボ中
シル基の保護基を １３は置換もしく祉非置換の芳香族
炭化水素基をそれぞれ示す、〕で表わされるアｔ！チジ
ノシ誘導体に有機溶媒中塩基を作用させて一般式 〔式中Ｒ１及びＲ２は前記に同じ。〕 で表わされる３−りｏｏメチル−３−セフェム誘導体を
得ることを％徴とする３−りｏｏメチル−３−セフェム
誘導体の製造法に係る。
シル基の保護基を １３は置換もしく祉非置換の芳香族
炭化水素基をそれぞれ示す、〕で表わされるアｔ！チジ
ノシ誘導体に有機溶媒中塩基を作用させて一般式 〔式中Ｒ１及びＲ２は前記に同じ。〕 で表わされる３−りｏｏメチル−３−セフェム誘導体を
得ることを％徴とする３−りｏｏメチル−３−セフェム
誘導体の製造法に係る。
本発明において ７１１の具体例として社例えばベシジ
ル基、Ｐ−しドロ中シベシジル基、ｐ−り００ベシジル
基、Ｐ−メト中シベシジル基、Ｐ−二ト０ベニＪジル基
勢のアリール低級アル中ル基、２．２．２− ｔ−リフ
００エチルオ中シ基、２−プｏｔエチルオ中シ基等のへ
〇ゲシ置換低級アル中ルオ中シ基、フェノ中ジメチル基
、トリルオキジメチル基、中シリルオキジメチル基、ナ
フチルオキジメチル基、Ｐ−り００フ工ノ士ジメチル基
、ｐ−メト十ジフェノ令ジメチル基、Ｐ−ニド０フェノ
牛ジメチル基、Ｐ−しドロ中シフ１ノ中ジメチル基等の
アリールオ中シ低級アル中ル基等が挙けられる。Ｒ２の
具体例としては例えばメチル基、エチル基、２−り００
工予ル基、２，２．２−）リフ００エチル基％島−づ０
ピル基、イソづ０ピル基、第３級ブチル基等のへ〇ゲン
原子を置換基として有することのある低級アル中ル基、
ペシジル基、ジフェニルメチル基、Ｐ−メト中シベシジ
ル基、Ｐ−二ト０ベシジル基、２−フェニルエチル基、
２−（ｐ−ニド０フエニル）エチル基、３−フェニルづ
０ピル基、３−（Ｐ−ニド０フエニル）プロピル基等の
アリール低級アル中ル基等が挙ぜられる。ｆ＆Ｒ３の具
体例としては例えばフェニル基、Ｐ−メチルフェニル基
、Ｐ−メト中ジフェニル基、Ｐ−ニド０フエニル基、Ｐ
−り００フエニル基等が挙げられる。
ル基、Ｐ−しドロ中シベシジル基、ｐ−り００ベシジル
基、Ｐ−メト中シベシジル基、Ｐ−二ト０ベニＪジル基
勢のアリール低級アル中ル基、２．２．２− ｔ−リフ
００エチルオ中シ基、２−プｏｔエチルオ中シ基等のへ
〇ゲシ置換低級アル中ルオ中シ基、フェノ中ジメチル基
、トリルオキジメチル基、中シリルオキジメチル基、ナ
フチルオキジメチル基、Ｐ−り００フ工ノ士ジメチル基
、ｐ−メト十ジフェノ令ジメチル基、Ｐ−ニド０フェノ
牛ジメチル基、Ｐ−しドロ中シフ１ノ中ジメチル基等の
アリールオ中シ低級アル中ル基等が挙けられる。Ｒ２の
具体例としては例えばメチル基、エチル基、２−り００
工予ル基、２，２．２−）リフ００エチル基％島−づ０
ピル基、イソづ０ピル基、第３級ブチル基等のへ〇ゲン
原子を置換基として有することのある低級アル中ル基、
ペシジル基、ジフェニルメチル基、Ｐ−メト中シベシジ
ル基、Ｐ−二ト０ベシジル基、２−フェニルエチル基、
２−（ｐ−ニド０フエニル）エチル基、３−フェニルづ
０ピル基、３−（Ｐ−ニド０フエニル）プロピル基等の
アリール低級アル中ル基等が挙ぜられる。ｆ＆Ｒ３の具
体例としては例えばフェニル基、Ｐ−メチルフェニル基
、Ｐ−メト中ジフェニル基、Ｐ−ニド０フエニル基、Ｐ
−り００フエニル基等が挙げられる。
本発明において出発原料として用いられる一般式（１）
の化合物は新規化合物であシ、例えば公知の一般式 〔式中Ｒ１、Ｂ；ｌ及びＲ３は前記に同じ、〕で表わさ
れるアゼチジノン誘導体を塩酸及び／又紘塩化物の存在
下に電解処理することにより容易に製造される。
の化合物は新規化合物であシ、例えば公知の一般式 〔式中Ｒ１、Ｂ；ｌ及びＲ３は前記に同じ、〕で表わさ
れるアゼチジノン誘導体を塩酸及び／又紘塩化物の存在
下に電解処理することにより容易に製造される。
上記一般式（１）で表わされるアゼチジノン誘導体の電
解処理は塩酸及び／又は塩化物の存在下に必要な電気量
を通電するととＫよシ行なわれる４塩化物としては公知
のものをムく使用でき、例えば塩化リチウム、塩化ナト
リウム、塩化カリウム等のアルカリ金属の塩−塩化マグ
ネシウム、塩化バリウム、塩化゛カルシウム等のアルカ
リ土類金属の塩、塩化アンモニウム′＝塩化テト５メチ
ルアシｔ＝ウム、塩化ナト５エチルアシモニウム、塩化
ベンジルトリメチルアンモニウム等のアシ上ニウム塩乃
至第４級アシ℃ニウム塩等が挙げられる。斯かる塩酸及
び／又は塩化物の使用量としては％に制限がなく広い範
囲内で適宜選択することができるが、通常反応系内に一
般式（３）の化合物に対して０．５〜１０倍モル量存在
させるのがよい。塩化物を使用する場合には反応系内に
鉱酸又社有様酸を共存させると効果的であゐ。用−られ
る鉱酸としては例えば硫酸、硫酸水素ナトリウム、硫酸
水素カリウム、リン酸、ホウ酸等を挙けることができ、
また有機酸としては例えばｆ酸、酢酸、プロピオン酸、
酪酸、シ１つ酸、クエシ酸等のカルポジ酸、バ５トルＩ
シスル本シ酸、メタンスルホン酸等のスルホシ酸等を挙
げることができる。斯かる鉱酸又社有様酸を反応系内に
一般式（３）の化合物に対して０．５〜１０倍℃ル量程
度存在させるのがよい。
解処理は塩酸及び／又は塩化物の存在下に必要な電気量
を通電するととＫよシ行なわれる４塩化物としては公知
のものをムく使用でき、例えば塩化リチウム、塩化ナト
リウム、塩化カリウム等のアルカリ金属の塩−塩化マグ
ネシウム、塩化バリウム、塩化゛カルシウム等のアルカ
リ土類金属の塩、塩化アンモニウム′＝塩化テト５メチ
ルアシｔ＝ウム、塩化ナト５エチルアシモニウム、塩化
ベンジルトリメチルアンモニウム等のアシ上ニウム塩乃
至第４級アシ℃ニウム塩等が挙げられる。斯かる塩酸及
び／又は塩化物の使用量としては％に制限がなく広い範
囲内で適宜選択することができるが、通常反応系内に一
般式（３）の化合物に対して０．５〜１０倍モル量存在
させるのがよい。塩化物を使用する場合には反応系内に
鉱酸又社有様酸を共存させると効果的であゐ。用−られ
る鉱酸としては例えば硫酸、硫酸水素ナトリウム、硫酸
水素カリウム、リン酸、ホウ酸等を挙けることができ、
また有機酸としては例えばｆ酸、酢酸、プロピオン酸、
酪酸、シ１つ酸、クエシ酸等のカルポジ酸、バ５トルＩ
シスル本シ酸、メタンスルホン酸等のスルホシ酸等を挙
げることができる。斯かる鉱酸又社有様酸を反応系内に
一般式（３）の化合物に対して０．５〜１０倍℃ル量程
度存在させるのがよい。
この電解処理における反応媒体としては通常水、有機溶
媒又は水と有機溶媒とＯＳ合溶媒が用いられる。有機溶
媒としては、塩素化反応に不活性な溶媒であれば広く使
用でき、例えばｆ酸メチル、イ酸エチル、酢酸メチル、
酢酸エチル、酢酸づチル、プロピオシ酸エチル等のエス
テル類、ジグ０ルメタン、り００ネルム、四塩化炭素、
ジグ０ルエタシｓ’；プ０ムエタン、り０ルペンでシ等
のへ〇ゲシ化炭化水素類、ジエチルエーテル、ジブチル
エーテル、ジオ中サン、テトラしド０フ５シ等のエーテ
ル類、アセトニトリル、づ予０ニトリル等のニトリル類
、ベンジル、へ牛サシ、シフ０へ中サン等の炭化水素類
、二硫化炭素等を挙げることができる。電鱗反応社、定
電位電解及び定電流電解のいずれでも行うととができる
。電流密度は通常型−５００１１１＋Ａ ／−の範囲で
あり、好ましくは５〜２００１１ｊ／−である。反応に
必要な電気量れ、基質濃度溶媒の種類、電解槽の型状等
によって一定しないが、通常２〜５０Ｆ／ｖｍｏＺでよ
い。
媒又は水と有機溶媒とＯＳ合溶媒が用いられる。有機溶
媒としては、塩素化反応に不活性な溶媒であれば広く使
用でき、例えばｆ酸メチル、イ酸エチル、酢酸メチル、
酢酸エチル、酢酸づチル、プロピオシ酸エチル等のエス
テル類、ジグ０ルメタン、り００ネルム、四塩化炭素、
ジグ０ルエタシｓ’；プ０ムエタン、り０ルペンでシ等
のへ〇ゲシ化炭化水素類、ジエチルエーテル、ジブチル
エーテル、ジオ中サン、テトラしド０フ５シ等のエーテ
ル類、アセトニトリル、づ予０ニトリル等のニトリル類
、ベンジル、へ牛サシ、シフ０へ中サン等の炭化水素類
、二硫化炭素等を挙げることができる。電鱗反応社、定
電位電解及び定電流電解のいずれでも行うととができる
。電流密度は通常型−５００１１１＋Ａ ／−の範囲で
あり、好ましくは５〜２００１１ｊ／−である。反応に
必要な電気量れ、基質濃度溶媒の種類、電解槽の型状等
によって一定しないが、通常２〜５０Ｆ／ｖｍｏＺでよ
い。
電極としては白金、炭素、ステンレス、チタシ、ニッケ
ル等通常使用される電極を芦用することができる。反応
温度としては原料及び生成物が分解、変性しない温度以
下であれば特に限定され表いが、−３０℃〜６０℃Ｏｆ
／ａ囲で行われ、好ましくは一２０〜３０℃の範囲であ
る。電解槽としては、無隔膜電解槽、隔膜電解槽共に使
用することができる。斯くして一般式（１）で表わされ
る化合物が製造される。
ル等通常使用される電極を芦用することができる。反応
温度としては原料及び生成物が分解、変性しない温度以
下であれば特に限定され表いが、−３０℃〜６０℃Ｏｆ
／ａ囲で行われ、好ましくは一２０〜３０℃の範囲であ
る。電解槽としては、無隔膜電解槽、隔膜電解槽共に使
用することができる。斯くして一般式（１）で表わされ
る化合物が製造される。
本発明の反応において用いられる有機溶媒としては例え
ばメタノール、エタノール、イソプロパノール等のアル
コール類、アセトニトリル、ブチ０ニトリル勢の＝トリ
ル類、アｔトシ、メチルエチルケトシ等０ケトン類、ジ
メ予ルネＪ／４アニド、ジエチルホルムアミド尋のアニ
ド類等が単独もしく紘混合溶媒として用いられるが、好
ましくはホルムアミド、ジエチル本ルムアミド、ジメチ
ルアセトアミド等の極性溶媒が単独屯しくは混合溶媒と
して用いられる。塩基とし゛て社例えば、水酸化カリウ
ム、水酸化ナトリウム等の金属水酸化物、酢酸カリウム
、酢酸ナトリウム等のカルボン酸金属塩、トリエチルア
ミシ、ｌ、８−ジアザピシク０（５，４，０） ７−ウ
ンダセシ、１．５− 、；アザピシクａ （４，３，０
１５−ノネシピリジン等のア！シ類、ヨウ化カリウム、
ヨウ化ナトリウム等のハ０ゲシ化金属、アンモニア、ア
ンモニア水等が使用できるが、アンモニア又はアンでニ
ア水が好ましい。
ばメタノール、エタノール、イソプロパノール等のアル
コール類、アセトニトリル、ブチ０ニトリル勢の＝トリ
ル類、アｔトシ、メチルエチルケトシ等０ケトン類、ジ
メ予ルネＪ／４アニド、ジエチルホルムアミド尋のアニ
ド類等が単独もしく紘混合溶媒として用いられるが、好
ましくはホルムアミド、ジエチル本ルムアミド、ジメチ
ルアセトアミド等の極性溶媒が単独屯しくは混合溶媒と
して用いられる。塩基とし゛て社例えば、水酸化カリウ
ム、水酸化ナトリウム等の金属水酸化物、酢酸カリウム
、酢酸ナトリウム等のカルボン酸金属塩、トリエチルア
ミシ、ｌ、８−ジアザピシク０（５，４，０） ７−ウ
ンダセシ、１．５− 、；アザピシクａ （４，３，０
１５−ノネシピリジン等のア！シ類、ヨウ化カリウム、
ヨウ化ナトリウム等のハ０ゲシ化金属、アンモニア、ア
ンモニア水等が使用できるが、アンモニア又はアンでニ
ア水が好ましい。
斯かる塩基の使用量としては％に限定がなく広い範囲内
で適宜選択できるが１通常一般式（１）の化合物に対し
て０．１〜！０倍モル量、好ましくは等℃ル〜１．５倍
℃ル量用いるのがよい。反応温度は通常−７８℃〜４０
℃、好ましくは一５０℃−５℃である０反応時間は、反
応温度や原料化合物の種類によ〉一定しないが、５分〜
１０時間で反応は完結し、通常反応時間線１０分間〜１
時間である。
で適宜選択できるが１通常一般式（１）の化合物に対し
て０．１〜！０倍モル量、好ましくは等℃ル〜１．５倍
℃ル量用いるのがよい。反応温度は通常−７８℃〜４０
℃、好ましくは一５０℃−５℃である０反応時間は、反
応温度や原料化合物の種類によ〉一定しないが、５分〜
１０時間で反応は完結し、通常反応時間線１０分間〜１
時間である。
斯くして得られる本発明の化合物は通常行なわれている
分離手段、例えば溶媒抽出、力５ムク０マドクラフィー
等の手段によシ反応混合物から容易に単離精製される。
分離手段、例えば溶媒抽出、力５ムク０マドクラフィー
等の手段によシ反応混合物から容易に単離精製される。
本発明によれば、目的とする一般式（鵞）の化合物を簡
便麦操作で高純度、高収率にて製造し得る。
便麦操作で高純度、高収率にて製造し得る。
以下に参考例及び実施例を挙げる。
参考例
２−（５−フェノ十シアセトア！ドー４−フェニルスル
本ニルチオ−２−アゼ予ジノンー１−イル）−３−メチ
ル−３−プテシ酸メチル５０．５岬、ＮｔｘＣｌ １．
Ｏｆ、水３−１塩化メ予レジ５−及び濃硫酸０．０７１
１／を容器に入れ攪拌し、二液層の溶液を調製する。白
金電極を用いて１５分間電解を行う。
本ニルチオ−２−アゼ予ジノンー１−イル）−３−メチ
ル−３−プテシ酸メチル５０．５岬、ＮｔｘＣｌ １．
Ｏｆ、水３−１塩化メ予レジ５−及び濃硫酸０．０７１
１／を容器に入れ攪拌し、二液層の溶液を調製する。白
金電極を用いて１５分間電解を行う。
電気景は５Ｆ／ｗａ、ｏＬＫ相当する。反応終了後１反
応流合物を塩化メチレンで抽出し、飽和亜硫酸ナトリウ
ム水、飽和型１水、飽和食塩水の順に洗浄する。塩化メ
チレジ層を無水硫酸ナトリウム上で乾燥後、減圧下に濃
縮し、シリカゲルカラムにより精製して３−り００メチ
ル−２−（３−フェニルアセトアミド−４−フェニルス
ルホニルチオ−２−アでデジノン−１−イル）−３−プ
テシ酸メチル２９．９”ｌＦを得る。
応流合物を塩化メチレンで抽出し、飽和亜硫酸ナトリウ
ム水、飽和型１水、飽和食塩水の順に洗浄する。塩化メ
チレジ層を無水硫酸ナトリウム上で乾燥後、減圧下に濃
縮し、シリカゲルカラムにより精製して３−り００メチ
ル−２−（３−フェニルアセトアミド−４−フェニルス
ルホニルチオ−２−アでデジノン−１−イル）−３−プ
テシ酸メチル２９．９”ｌＦを得る。
収率９２．４チ
１Ｒ（ｎｐｚ−”） ３０６０．２９６０．１７８
０．１７４０１６５５、菫６００．１５９５．１５２０
１４９０．１４４０．１３２２．１２３５１１３５．１
０７０ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３ δ） ３．７２Ｃ１，’）Ｈ）、４．１０ （＃、２Ｈ）４．
４Ｑ （＃、２Ｈ）、４．８２Ｃ１，Ｉｆ）５．１２
（＃％ｌｉ、５．２６（＃、Ｉｆｆ）５．１ −５．３
５（ｍ、 ＩＭ） ５．９４ （ｄ％Ｊ−６，６Ｈｚ ） ６．７〜８．０ （ＩＩＩ、 ｌ Ｉｆ）実施例 １ ３−り００メチル−７−フェニルアセトアミド−３−ｔ
フエムー４−カルポジ酸ベシジルエステルの合成 ＣＯＯＣＨ２＜３ ３−りｏｏメチル−２−（３−フェニルアセドア！ドー
４−フェニルスル本ニルチオ−２−アゼ９ジノン−１−
イル）−３−プテシ酸ベンジルエステル１０１岬と乾燥
ＤＭＦＩＭＩを反′応容器中で混合し均一溶媒とする。
０．１７４０１６５５、菫６００．１５９５．１５２０
１４９０．１４４０．１３２２．１２３５１１３５．１
０７０ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３ δ） ３．７２Ｃ１，’）Ｈ）、４．１０ （＃、２Ｈ）４．
４Ｑ （＃、２Ｈ）、４．８２Ｃ１，Ｉｆ）５．１２
（＃％ｌｉ、５．２６（＃、Ｉｆｆ）５．１ −５．３
５（ｍ、 ＩＭ） ５．９４ （ｄ％Ｊ−６，６Ｈｚ ） ６．７〜８．０ （ＩＩＩ、 ｌ Ｉｆ）実施例 １ ３−り００メチル−７−フェニルアセトアミド−３−ｔ
フエムー４−カルポジ酸ベシジルエステルの合成 ＣＯＯＣＨ２＜３ ３−りｏｏメチル−２−（３−フェニルアセドア！ドー
４−フェニルスル本ニルチオ−２−アゼ９ジノン−１−
イル）−３−プテシ酸ベンジルエステル１０１岬と乾燥
ＤＭＦＩＭＩを反′応容器中で混合し均一溶媒とする。
反応容器をドライアイスーアセトシ浴にひ丸して一２５
℃に冷却する。これに市販の２８チアンモニア水１５．
５μｔを加え、つづいて反応温度を−３０〜−２０℃の
範囲に保ち、１時間攪拌する。反応後５１塩酸５滴を加
え喪のち酢酸工予ルを約３０−加える。氷を浮べた食塩
水中に反応混合物を移し、有機層を分離する・得られ大
有機層を飽和食塩水で２回洗い、得られた有機層を無水
硫酸ナトリウム上で乾燥した後、濃縮する。得られた残
渣をシリカゲルカラムによって精製し、３−り００メツ
ルー７−フェニルアセドアニド−３−ｔフエムー４−カ
ルポジ酸ベシジルエステルが６８ｑ（収率８８−）が得
られる。
℃に冷却する。これに市販の２８チアンモニア水１５．
５μｔを加え、つづいて反応温度を−３０〜−２０℃の
範囲に保ち、１時間攪拌する。反応後５１塩酸５滴を加
え喪のち酢酸工予ルを約３０−加える。氷を浮べた食塩
水中に反応混合物を移し、有機層を分離する・得られ大
有機層を飽和食塩水で２回洗い、得られた有機層を無水
硫酸ナトリウム上で乾燥した後、濃縮する。得られた残
渣をシリカゲルカラムによって精製し、３−り００メツ
ルー７−フェニルアセドアニド−３−ｔフエムー４−カ
ルポジ酸ベシジルエステルが６８ｑ（収率８８−）が得
られる。
以下に得られた化合物の分析値を示す。
１Ｒ（ＣＨＣｌ３） ： １７９Ｇ、１７３０．１６Ｂ
２（ｃａｔ−”）４．４５ （２Ｈ，ＡＢｌ、 １２Ｈ
ｚ ）、４．８６ （ＩＨ％４．５ＨＸ ’）、５．２
０ （２Ｈ，ｚ ）、 ５．７７ （ｌＪｒ％ｄ、ｄ、 ５Ｈｚ、 ９．２Ｈｚ
）、６．４３ （ＩＨ％ｄ、 ９．２ｆｆ！ ）、７
．２７ （５Ｒ％ＪＰ）、７．３３ （５Ｍ、 ＃ ）
実施例 ２ ３−り００メチル−７−フェニルアセドアニド−３−ｔ
フエムー４−カルボン酸ベシジルエステルの製造 ３−り００メチル−２−（５−フェニルアセトアミド−
４−フェニルスルホニルチオ−２−アで９ジノシー１−
イル）−３−プテシ酸ベシジルエステル３４ｑと乾燥Ｄ
Ｍ Ｆ ０．４ ｍを反応容器に加え均一溶媒とする
０次に反応容器をドライアイスーアセトシ浴にひたして
一３５℃に冷却する。予めアン上ニアガスをふきζみ調
製しておいたアシ七ニア濃度１１．４ｑ／ｄｏＤＭＦ０
．１２５ｍ＆反応容器に加え、反応温度を−４０〜−３
５℃に保ち１時間攪拌する。反応後実施例−１と同様の
処理を行ない、３−り００メチル−７−フェニルアセド
アニド−３−セフェム−４−カルボン酸ベシジルエステ
ルが１８．８Ｗ（収率７４１）得られる。
２（ｃａｔ−”）４．４５ （２Ｈ，ＡＢｌ、 １２Ｈ
ｚ ）、４．８６ （ＩＨ％４．５ＨＸ ’）、５．２
０ （２Ｈ，ｚ ）、 ５．７７ （ｌＪｒ％ｄ、ｄ、 ５Ｈｚ、 ９．２Ｈｚ
）、６．４３ （ＩＨ％ｄ、 ９．２ｆｆ！ ）、７
．２７ （５Ｒ％ＪＰ）、７．３３ （５Ｍ、 ＃ ）
実施例 ２ ３−り００メチル−７−フェニルアセドアニド−３−ｔ
フエムー４−カルボン酸ベシジルエステルの製造 ３−り００メチル−２−（５−フェニルアセトアミド−
４−フェニルスルホニルチオ−２−アで９ジノシー１−
イル）−３−プテシ酸ベシジルエステル３４ｑと乾燥Ｄ
Ｍ Ｆ ０．４ ｍを反応容器に加え均一溶媒とする
０次に反応容器をドライアイスーアセトシ浴にひたして
一３５℃に冷却する。予めアン上ニアガスをふきζみ調
製しておいたアシ七ニア濃度１１．４ｑ／ｄｏＤＭＦ０
．１２５ｍ＆反応容器に加え、反応温度を−４０〜−３
５℃に保ち１時間攪拌する。反応後実施例−１と同様の
処理を行ない、３−り００メチル−７−フェニルアセド
アニド−３−セフェム−４−カルボン酸ベシジルエステ
ルが１８．８Ｗ（収率７４１）得られる。
得られた化合物の分析値は実施例−１の値と一致した。
実施例 ′３〜１２
実施例１と同様の反応を行ない、アゼチジノン鰐導体（
１）よ）３−クロ０メチル−３−セフェム誘導体（りを
得た。結果を表−ＩＫ示す。
１）よ）３−クロ０メチル−３−セフェム誘導体（りを
得た。結果を表−ＩＫ示す。
得られた化合物の分析値を表−２に示す。
表−２
第１頁の続き
０発 明 者 城井敏史
徳島市川内町加賀須野４６３番地
大塚化学薬品株式会社徳島工場
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ■ 一般式 〔式中Ｒ”−Ｃ−はカルポジ酸残基を、Ｒ２はカルボ中
シル基の保膜基を、Ｒ３は置換もしくは非置換の芳香族
炭化水素基をそれぞれ示す、〕で表わされるアゼチジノ
シ誘導体に有機溶媒中塩基を作用させて一般式 〔式中Ｒ１及びＲ２は前記に同じ。〕 で表わされる３−り００メチル−３−セフェム誘導体を
得ることを特徴とする３−り００メチル−３−セフェム
誘導体の製造法。 ■ 有機溶媒がジメ予ルホルムア！ド、ジエチル本ルム
ア！ド及びジメチルアｔドア！ドなる群から選ばれた少
くとも重積である特許請求の範囲第１項記載の方法。 ■ 塩基がアシモニア又はアシ上ニア水である特許請求
の範囲第１項又は第２項記載の方法。 ■ 反応を一７８〜４０℃にで行う特許請求の範囲第１
項乃至第３項のいずれかに記載の方法・
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56174330A JPS5874689A (ja) | 1981-10-29 | 1981-10-29 | ３−クロロメチル−３−セフエム誘導体の製造法 |
| GB8209646A GB2099817B (en) | 1981-04-10 | 1982-04-01 | Azetidinone derivatives and process for the preparation of the same |
| DE19823213264 DE3213264A1 (de) | 1981-04-10 | 1982-04-08 | Neue azetidinonverbindungen und verfahren zu deren herstellung |
| FR8206164A FR2509300B1 (fr) | 1981-04-10 | 1982-04-08 | Derives d'azetidinone et procede pour leur preparation |
| US06/865,651 US4689411A (en) | 1981-04-10 | 1986-05-15 | 4-thio azetidinone intermediates and process for the preparation of the same |
| US07/071,664 US4784734A (en) | 1981-04-10 | 1987-07-09 | Azetidinone derivatives and process for the preparation of the same |
| US07/166,918 US4853468A (en) | 1981-04-10 | 1988-03-11 | Process for the preparation of cephem derivatives |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56174330A JPS5874689A (ja) | 1981-10-29 | 1981-10-29 | ３−クロロメチル−３−セフエム誘導体の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5874689A true JPS5874689A (ja) | 1983-05-06 |
| JPH0141153B2 JPH0141153B2 (ja) | 1989-09-04 |
Family
ID=15976748
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56174330A Granted JPS5874689A (ja) | 1981-04-10 | 1981-10-29 | ３−クロロメチル−３−セフエム誘導体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5874689A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0963989A1 (en) * | 1997-08-25 | 1999-12-15 | Otsuka Chemical Company, Limited | Cephalosporin crystals and process for producing the same |
| WO2005026176A1 (ja) * | 2003-09-09 | 2005-03-24 | Nippon Chemical Industrial Co.,Ltd. | ３−クロロメチル-３-セフェム誘導体の製造方法 |
| JP2006507289A (ja) * | 2002-11-01 | 2006-03-02 | オーキッド ケミカルズ アンド ファーマシューティカルズ リミテッド | 改良されたクロロメチルセフェム誘導体調製方法 |
| US7157574B2 (en) | 2004-03-25 | 2007-01-02 | Nippon Chemical Industrial Co., Ltd. | Process for preparing crystalline 3-chloromethyl-3-cephem derivatives |
-
1981
- 1981-10-29 JP JP56174330A patent/JPS5874689A/ja active Granted
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0963989A1 (en) * | 1997-08-25 | 1999-12-15 | Otsuka Chemical Company, Limited | Cephalosporin crystals and process for producing the same |
| EP0963989A4 (en) * | 1997-08-25 | 2000-10-25 | Otsuka Chemical Co Ltd | CEPHALOSPORIN CRYSTALS AND PROCESS FOR PRODUCING THE CRYSTALS |
| JP2006507289A (ja) * | 2002-11-01 | 2006-03-02 | オーキッド ケミカルズ アンド ファーマシューティカルズ リミテッド | 改良されたクロロメチルセフェム誘導体調製方法 |
| WO2005026176A1 (ja) * | 2003-09-09 | 2005-03-24 | Nippon Chemical Industrial Co.,Ltd. | ３−クロロメチル-３-セフェム誘導体の製造方法 |
| JPWO2005026176A1 (ja) * | 2003-09-09 | 2007-11-08 | 日本化学工業株式会社 | ３−クロロメチル−３−セフェム誘導体の製造方法 |
| US7507812B2 (en) | 2003-09-09 | 2009-03-24 | Nippon Chemical Industrial Co., Ltd. | Process for producing 3-chloromethyl-3-cephem derivatives |
| JP4658806B2 (ja) * | 2003-09-09 | 2011-03-23 | 日本化学工業株式会社 | ３−クロロメチル−３−セフェム誘導体の製造方法 |
| US7157574B2 (en) | 2004-03-25 | 2007-01-02 | Nippon Chemical Industrial Co., Ltd. | Process for preparing crystalline 3-chloromethyl-3-cephem derivatives |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0141153B2 (ja) | 1989-09-04 |
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