JPS587173Y2 - 液体金属の付着防止装置 - Google Patents

液体金属の付着防止装置

Info

Publication number
JPS587173Y2
JPS587173Y2 JP1978084400U JP8440078U JPS587173Y2 JP S587173 Y2 JPS587173 Y2 JP S587173Y2 JP 1978084400 U JP1978084400 U JP 1978084400U JP 8440078 U JP8440078 U JP 8440078U JP S587173 Y2 JPS587173 Y2 JP S587173Y2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid metal
tray
annular
liquid
container
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP1978084400U
Other languages
English (en)
Other versions
JPS551036U (ja
Inventor
阿部義人
今津孝幸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Original Assignee
Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Heavy Industries Ltd filed Critical Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Priority to JP1978084400U priority Critical patent/JPS587173Y2/ja
Publication of JPS551036U publication Critical patent/JPS551036U/ja
Application granted granted Critical
Publication of JPS587173Y2 publication Critical patent/JPS587173Y2/ja
Expired legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Sealing Using Fluids, Sealing Without Contact, And Removal Of Oil (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 第1図は従来の液体金属プール1上のカバーガス中での
機器の可動部分2と、可動部分2を支持する固定部分3
との間に液体ディップシール構造を設けた液体金属蒸気
の付着防止装置の1例を示す断面図であり1図中4は支
持、回転のためのベアリング、5は最終シールでOリン
グなどが使用される。
6は固定部分3壁に設けたシール材受げトレイ、7は可
動部分側面に取付けた付切板、8は例えば低融点合金等
のシール材で、トレイ6内に液状にて満されている。
そして以上のシール材受げトレイ6、仕切板7、及びシ
ール材8にて液体ディップシール構造を形成し、上部ベ
アリング4部及びシール5部より上方の隙間への蒸気の
侵入を防止している。
即ち、液体金属(液状)プール1の液面9より常時蒸発
が起り、環状隙間10を通って上方へ蒸気が侵入して来
るが、前記シール材受トレイ6、仕切板7及びシール材
8で形成する液体ディップシール構造にて、それよりも
上方への侵入を防止している。
しかしながら前記従来装置に於いて、シール材8(融点
が約70〜100℃の低融点合金)は液体状態で使用す
るため、シール性には富んでいるが常に微少量は蒸発し
ている。
従って長期間の使用中にはシール切れが生じる虞れがあ
った。
又シール材8の成分め鉛pbはカバーガス中の微量酸素
により酸化して酸化鉛Pbo となり、これが機器に
蒸着すると機器が腐食する虞れがあった。
又酸化により高融点の酸化物が多量に生成されて固化部
分が多くなると、一部ではシール性が不完全となる。
所謂シール切れを生じる欠点があった。本考案は前記従
来の欠点を解消するために提案されたもので、液体金属
を内蔵する容器の天井部フランジと、同7ランジの開口
に回動自在に挿着された厚くて大きな遮蔽プラグとによ
って形成された非常に小さな環状隙間を覆うように環状
トレイを前記容器の内壁に設け、舌部が前記トレイ内に
延びた環状仕切板を前記遮蔽プラグに設けると共に、固
相の前記液体金属を前記トレイ内に充填することにより
、シール材切れをなくシ、可動機器の隙間部へ液体金属
蒸気の侵入を防止するようにした液体金属の付着防止装
置を提供せんとするものである。
以下本考案の実施例を図面について説明する。
なお、本考案の実施例の説明に於いて第1図と同一部分
は同一符号を用いて説明することにする。
さて第2図及び第3図は第1実施例及び第2実施例を示
し、1は液体金属プール、2は厚くて大きな可動部分、
3は固定部分で、固定部分3は液体金属を内蔵する容器
の天井部7ランジを構成している。
又可動部分2は同フランジの開口に回動自在に挿着され
た遮蔽プラグを構成しており、同遮蔽プラグと天井部フ
ランジとによって非常に小さな環状隙間10を形成して
いる。
4はベアリング、5はOリング等のシール、9はプール
1の液面である。
なお\液体金属としては金属ナトリウムが用いられる。
11は前記環状隙間10を覆う如く前記容器の内壁に設
けられ、前記液体金属プール1の液体金属と同じシール
材としての固相の液体金属1を充填してなる環状トレイ
である。
トレイ内に充填している液体金属11マ液体金属す)
IJウムであるが、固相状態にするための特別な装置は
必要ない。
即ち、液体金属1は主として固相状態で使用し、また液
体金属1′が融点を越えて液体となった場合でも、シー
ル性はよくなるだけで問題はなく、液体となった場合で
も蒸発分は容器内の蒸発分で補充されることになりシー
ル切れもない。
なお、この場合においてトレイからの蒸発は容器内から
の蒸発に比べて微少である。
又舌部が同トレイ11内に延びた環状仕切板12が前記
遮蔽プラグを構成する可動部分2に取付げられている。
なお、第2図は環状トレイ11及び環状仕切板12の舌
部を夫々1段としたものであるが、第3図はシール性を
更に十分にするために夫々2段としたものである。
第4図は第3実施例を示し、点線で示すA部は第1図と
同じ液体ディップシール構造であり、この構造を付加し
た点で第1図及び第2図の実施例と異なる。
図中6は固定部分3壁に設けたシール材受トレイ、7は
可動部分側面に取付けた仕切板、8は低融点合金等のシ
ール材であり、これらによりシール性をより完全なもの
としたものであるが1第2図、第3図の実施例と作用効
果に於いて差異はない。
以上詳細に説明した如く本考案は、容器の天井部7ラン
ジと、同フランジの開口に回動自在に挿着された厚くて
大きな遮蔽プラグとによって形成された非常に小さな環
状隙間を覆うよう容器の内壁に環状トレイを設けると共
に、舌部が前記トレイ内に延びた環状仕切板を前記遮蔽
プラグに設はタノで、容器内壁と回転遮蔽プラグとによ
って形成された非常に小さい環状隙間への液体金属蒸気
の侵入を防虫することができる。
□即ち、上昇して来た液体金属蒸気は、トレイ内に延び
た環状仕切板によって遮蔽され、蒸気はトレイ内に落下
して溜まることとなる。
−このため環状隙間への蒸気の侵入が防止される。
またトレイ内に充填する液体金属ヲキ固相の状態で使用
するため、蒸発によるシール切れは全くなく\可動機器
の隙間部への液体金属蒸気の侵入を殆ど完全に防止でき
る。
また環状隙間の奥は同隙間が小さく、かつ遮蔽プラグが
厚くて大きいため低温となるが、本考案ではこの隙間に
液体金属蒸気が侵入しないので、侵入した場合のように
液体金属蒸気が凝固して遮蔽プラグの回動を不能にする
等の欠点はない。
又本考案の環状トレイ内に充填した液体金属は容器に内
蔵する液体金属と同材質であるので、何等かの理由で環
状トレイ内に充填した液体金属の温度が同金属の融点を
越えて蒸発した場合でも、前記容器に内蔵された液体金
属の蒸発した分で補給されるため、シール切の虞れはな
く、また容器内で蒸発した液体金属蒸気がトレイ内の液
体金属に触れても化学変化を起すようなことはなく、環
状仕切板〜ひいては遮蔽プラグの回動時の抵抗は好適に
保持される。
スこの場合は環状トレイ内の液体金属が液相となるため
完全シールとなり、しかも低温での蒸着は極めて少ない
なお、本考案は液体金属用回転プラグ及び一般回転機器
の液体金属蒸気の付着防止装置等として応用できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の液体金属蒸気の付着防止装置の1例を示
す縦断面図、第2図、第3図及び第4図は夫々本考案の
実施例を示す液体金属の付着防止装置の縦断面図である
。 図9主要部分?説明 1・・・・・・液体金亭プール、
1・・・・・・液体金属、2・・・・・・可動部分(遮
蔽プラグ)3・・・・・・固定部分(天井部フランジ)
11o・・・・・・環状隙間、11・・・・・・環状ト
レイ、12・・・・・・環状仕切板。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 液体金属を内蔵する容器の天井部フランジと、同フラン
    ジの開口に回動自在に挿着された厚くて大きな遮蔽プラ
    グとによって形成された非常に小さい環状隙間を覆うよ
    うに環状トレイな前記容器の内壁に設げ、舌部が前記ト
    レイ内に延びた環状仕切板を前記遮蔽プラグに設けると
    共に、固相の前記液体金属を前記トレイ内に充填したこ
    とを特徴とする液体金属の付着防止装置。
JP1978084400U 1978-06-20 1978-06-20 液体金属の付着防止装置 Expired JPS587173Y2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1978084400U JPS587173Y2 (ja) 1978-06-20 1978-06-20 液体金属の付着防止装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1978084400U JPS587173Y2 (ja) 1978-06-20 1978-06-20 液体金属の付着防止装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS551036U JPS551036U (ja) 1980-01-07
JPS587173Y2 true JPS587173Y2 (ja) 1983-02-08

Family

ID=29007057

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1978084400U Expired JPS587173Y2 (ja) 1978-06-20 1978-06-20 液体金属の付着防止装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS587173Y2 (ja)

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5043677Y2 (ja) * 1971-05-07 1975-12-13

Also Published As

Publication number Publication date
JPS551036U (ja) 1980-01-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3614547A (en) Tungsten barrier electrical connection
JPS587173Y2 (ja) 液体金属の付着防止装置
Bakker Fast metal impurity diffusion in metals and the Miedema model
JPS589136B2 (ja) Bi−sn−in−pb ケイゴウキン
JPS5546558A (en) Metallic cover plate for semiconductor package
JPS54159173A (en) Construction of bump electrode
KR100234827B1 (ko) 금속제 진공이중용기
JPS53114350A (en) Semiconductor and its manufacture
JPS6332131Y2 (ja)
US3099588A (en) Formation of semiconductor transition regions by alloy vaporization and deposition
IT9021594A1 (it) Procedimento di metallizzazione impiegante uno strato di nitruro di titanio amorfo.
JPS5552253A (en) Semiconductor device
JPS57126184A (en) Manufacture of upper electrode in josephson element
US3016296A (en) Method for reduction of refractory metal oxide to metal by calcium carbide
JPS55113894A (en) Preventing method for oxidation of tin in gold-tin alloy electroplating
US2940878A (en) Process for the production of semiconductor rectifiers
JPS5585059A (en) Semiconductor device
JPS62118517A (ja) 溶融物質の蒸気噴出装置
JPH01100499A (ja) 液体金属蒸着防止装置
JPS5546404A (en) Metal-halogen thin film cell
JPS5326573A (en) Semiconductor uni t
Voitovich et al. Oxidation of titanium nitride in oxygen
JPS552709A (en) Evaporation source for metallizing
JPS5314563A (en) Fixing method of semiconductor pellet to lead frame
JPS5515249A (en) Semiconductor device